JPH01161065A - シリカおよびその製造方法 - Google Patents
シリカおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH01161065A JPH01161065A JP31861087A JP31861087A JPH01161065A JP H01161065 A JPH01161065 A JP H01161065A JP 31861087 A JP31861087 A JP 31861087A JP 31861087 A JP31861087 A JP 31861087A JP H01161065 A JPH01161065 A JP H01161065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica
- particle size
- less
- primary particle
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に半導体封止材用に適したシリカに力し、
詳しくは樹脂を用いる半導体封止材の充填拐として、該
樹脂系封止材における成形性の向上を目的とするシリカ
およびその製造方法に関する。
詳しくは樹脂を用いる半導体封止材の充填拐として、該
樹脂系封止材における成形性の向上を目的とするシリカ
およびその製造方法に関する。
従来、ダイオード、トランジスター、工Ｃ１ＬＳＩなど
の半導体素子を封止するために、例えばエポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などが用いられ、また該樹脂の充埃材と
して粒子径が一般に１〜１５０μｍである粒状のシリカ
が用いられている。このような半導体封止材用の充填材
シリカ（以下、単に半導体封止材用シリカともいう）は
、一般に高熱伝導性、低熱ｒｋ張性の特長を有する結晶
質石英、溶融シリカなどが用いられ、特に礫石を高湿溶
融したシリカを粉砕した粒状物が多く用いられている。
の半導体素子を封止するために、例えばエポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などが用いられ、また該樹脂の充埃材と
して粒子径が一般に１〜１５０μｍである粒状のシリカ
が用いられている。このような半導体封止材用の充填材
シリカ（以下、単に半導体封止材用シリカともいう）は
、一般に高熱伝導性、低熱ｒｋ張性の特長を有する結晶
質石英、溶融シリカなどが用いられ、特に礫石を高湿溶
融したシリカを粉砕した粒状物が多く用いられている。
さらに近年、半導体の高度集積化にともないＸ線による
ソフトエラーの問題が生じるため、特にウラン含有料の
少ない高純度の半導体封止材用シリカが望まれている。
ソフトエラーの問題が生じるため、特にウラン含有料の
少ない高純度の半導体封止材用シリカが望まれている。
したがって、このような高純度の半導体封止材用シリカ
を得るために、例えば低ウラン含有水晶、高純度の５１
０１４ｓｓ１（ＯＲ）４などを原料として合成した低ウ
ラン含有の溶融シリ、力を粉砕する方法、および珪砂。
を得るために、例えば低ウラン含有水晶、高純度の５１
０１４ｓｓ１（ＯＲ）４などを原料として合成した低ウ
ラン含有の溶融シリ、力を粉砕する方法、および珪砂。
水晶、溶融シリカの粉砕粒子あるいは１ｌｌｉ０７４
。
。
５ｉ（ｏｎ）４から合成した微粉状シリカをバーナーに
より溶射して球状化する方法が提案されている。
より溶射して球状化する方法が提案されている。
しかしながら、上記したような従来の方法により得られ
た半導体封止材用シリカは、樹脂に添加して成形する場
合に、金型より該樹脂が流出して、−わゆるパリの発生
を招く問題があった。また、かかる樹脂の成形における
パリの発生を改善する場合には、流動性が悪化するとい
う患循環を伴う。したがって、従来の半導体封止材用シ
ソ力における成形性の向上を図るために、粒子径１〜１
５０μｍの粒度分布を種々に調整する対策も施されてき
たが、なお十分に満足されない面があった。
た半導体封止材用シリカは、樹脂に添加して成形する場
合に、金型より該樹脂が流出して、−わゆるパリの発生
を招く問題があった。また、かかる樹脂の成形における
パリの発生を改善する場合には、流動性が悪化するとい
う患循環を伴う。したがって、従来の半導体封止材用シ
ソ力における成形性の向上を図るために、粒子径１〜１
５０μｍの粒度分布を種々に調整する対策も施されてき
たが、なお十分に満足されない面があった。
本発明者らは、上記した特に半導体封止材用シリカの問
題点を解消すべく鋭意研究を重ねた。
題点を解消すべく鋭意研究を重ねた。
その結果、従来の半導体封止材用シリカに１次粒子の粒
子径（以下、単に１次粒子径ともいう）が０．１μｍ以
下である微粉状のシリカを少量混合させて充填した樹脂
組成物は、その成形性が意外にも著しく改善されること
を見出し、本発明を提案するに至ったものである。即ち
、本発明は１次粒子径が０．１μｍ以下である微粉状の
金属酸化物を１〜５重量％の割合で含有するシリカであ
る。
子径（以下、単に１次粒子径ともいう）が０．１μｍ以
下である微粉状のシリカを少量混合させて充填した樹脂
組成物は、その成形性が意外にも著しく改善されること
を見出し、本発明を提案するに至ったものである。即ち
、本発明は１次粒子径が０．１μｍ以下である微粉状の
金属酸化物を１〜５重量％の割合で含有するシリカであ
る。
本発明のシリカは１次粒子径が０，１μｍ以下。
一般に０．０５〜０．００５μｍである微粉状の金属酸
化物を一般に１〜５重ｉｔ％、好ましくは１〜３重量％
の割合で含有することが極めて重要であり１該シリカを
エポキシ樹脂など半導体素材の封止材に充填した場合に
、従来の半導体封止材用シリカに比べてパリの発生を伴
わない成形性の良好な向上が達成され、流動性の悪化も
殆んど紹められない。
化物を一般に１〜５重ｉｔ％、好ましくは１〜３重量％
の割合で含有することが極めて重要であり１該シリカを
エポキシ樹脂など半導体素材の封止材に充填した場合に
、従来の半導体封止材用シリカに比べてパリの発生を伴
わない成形性の良好な向上が達成され、流動性の悪化も
殆んど紹められない。
このような本発明のシリカは、従来の半導体封止材用シ
リカの製造において、粉砕手段により特定された粒子径
のシリカを所定の割合に微Ｍ整することによりて得るこ
とも可能である。
リカの製造において、粉砕手段により特定された粒子径
のシリカを所定の割合に微Ｍ整することによりて得るこ
とも可能である。
しかしながら、従来の半導体封止材用シリカの製造にお
りて、通常の粉砕手段により０１μｍ以下の微粉状シリ
カを１〜５重針％の範囲に微調整することは煩雑で困難
である。したがって、本発明のシリカは、一般に従来の
粒子径が通常の１〜１５０μｍ、特に１〜１００μｍで
ある半導体封止材用粒状シリカに、上記した１次粒子径
が０．１μｍ以下である微粉状の金Ｍ酸化物を混合する
方法によって簡便に得ることが出来る。
りて、通常の粉砕手段により０１μｍ以下の微粉状シリ
カを１〜５重針％の範囲に微調整することは煩雑で困難
である。したがって、本発明のシリカは、一般に従来の
粒子径が通常の１〜１５０μｍ、特に１〜１００μｍで
ある半導体封止材用粒状シリカに、上記した１次粒子径
が０．１μｍ以下である微粉状の金Ｍ酸化物を混合する
方法によって簡便に得ることが出来る。
本発明の上記し之１次粒子径が０．１μｍ以下である微
粉状の金ＦＡ酸化物としては、例えば、シリカ、アルミ
ナ、チタニアなど公知のものが特に制限なく用いられる
が、一般に微粉状の非晶質シリカが好ましく用いられる
。このような１次粒径が０．１μｍ以下である微粉状シ
リカは、温下に燃焼し加水分解させる乾式法、珪砂をコ
ークスとアーク炉中で加熱、還元して発生するＳｉＯ蒸
気を空気中で酸化させる方法、前記した如き溶射法によ
るシリカの製法において、例えば石英、ガラスを加熱し
て表面から蒸発するＳｉＯ、５ｉ０２ガスを凝縮して副
生ずる方法、あるいは珪戯ソーダを鉱版と水溶液中で反
応させる湿式法などにより得ることが出来る。
粉状の金ＦＡ酸化物としては、例えば、シリカ、アルミ
ナ、チタニアなど公知のものが特に制限なく用いられる
が、一般に微粉状の非晶質シリカが好ましく用いられる
。このような１次粒径が０．１μｍ以下である微粉状シ
リカは、温下に燃焼し加水分解させる乾式法、珪砂をコ
ークスとアーク炉中で加熱、還元して発生するＳｉＯ蒸
気を空気中で酸化させる方法、前記した如き溶射法によ
るシリカの製法において、例えば石英、ガラスを加熱し
て表面から蒸発するＳｉＯ、５ｉ０２ガスを凝縮して副
生ずる方法、あるいは珪戯ソーダを鉱版と水溶液中で反
応させる湿式法などにより得ることが出来る。
本発明において、１次粒子径が０．１μｍ以下である微
粉状の金属酸化物１〜５重量％を含有する主たるシリカ
９５〜９９１Ｒｆｆｉ％は、粒子径が１〜１２５μｍ、
特に３〜１００μｍである例えば従来公知の半導体封止
材用粒状シリカである。
粉状の金属酸化物１〜５重量％を含有する主たるシリカ
９５〜９９１Ｒｆｆｉ％は、粒子径が１〜１２５μｍ、
特に３〜１００μｍである例えば従来公知の半導体封止
材用粒状シリカである。
このような従来公知の半導体封止材用粒状シリカは、前
記した如く、例えば電気炉溶融法、火炎溶融法あるいは
気相合成法で得意溶融石英を所定の粒度に粉砕する方法
、またはバーナーを用いる溶射法により球状のシリカを
製造する方法などにより、得ることが出来る。特に後者
の溶射法により得られる粒子径が１〜１５０μｍである
球状シリカは、球状であるための形状的および表面的特
性により半導体封止材用シリカとして用いた場合にパリ
の発生が多い。したがって、このような従来の半導体封
止材粒状シリカに対しては、特に本発明の１次粒子径が
０．１μｍ以下である微粉状シワ力を１〜５重量％の割
合で混合させる方法が極めて有効である。
記した如く、例えば電気炉溶融法、火炎溶融法あるいは
気相合成法で得意溶融石英を所定の粒度に粉砕する方法
、またはバーナーを用いる溶射法により球状のシリカを
製造する方法などにより、得ることが出来る。特に後者
の溶射法により得られる粒子径が１〜１５０μｍである
球状シリカは、球状であるための形状的および表面的特
性により半導体封止材用シリカとして用いた場合にパリ
の発生が多い。したがって、このような従来の半導体封
止材粒状シリカに対しては、特に本発明の１次粒子径が
０．１μｍ以下である微粉状シワ力を１〜５重量％の割
合で混合させる方法が極めて有効である。
本発明において、上記した如き従来の半導体封止材用粒
状シリカに１次粒子径が１μｍ以下である微粉状の金属
酸化物を混合させる方法は特に制限されず、従来公知で
ある粉粒状体の混合手段および装置をそのまま採用する
ことが出来る。しかして、本発明のシリカにおいては、
前記したように１次粒径が０１μｍ以下である微粉状の
金包酸化物を１〜５重量％の割合で混合、含有させるこ
とが極めて重要である。即ち１次粒子径が０．１μｍ以
下である微粉状の金用酸化物が１重ｈ１％より少ないシ
リカでは、該シリカを充填した樹脂組成物の成形におい
てパリの発生を伴ない成形性の向上が殆んど達成されな
い。また、１次粒子径が０．１μｍ以下である微粉状の
金属酸化物か５重量％より多−シリカでは、該シリカに
増粘作用が発現するため、樹脂に充填した場合に流動性
の悪化を招く。
状シリカに１次粒子径が１μｍ以下である微粉状の金属
酸化物を混合させる方法は特に制限されず、従来公知で
ある粉粒状体の混合手段および装置をそのまま採用する
ことが出来る。しかして、本発明のシリカにおいては、
前記したように１次粒径が０１μｍ以下である微粉状の
金包酸化物を１〜５重量％の割合で混合、含有させるこ
とが極めて重要である。即ち１次粒子径が０．１μｍ以
下である微粉状の金用酸化物が１重ｈ１％より少ないシ
リカでは、該シリカを充填した樹脂組成物の成形におい
てパリの発生を伴ない成形性の向上が殆んど達成されな
い。また、１次粒子径が０．１μｍ以下である微粉状の
金属酸化物か５重量％より多−シリカでは、該シリカに
増粘作用が発現するため、樹脂に充填した場合に流動性
の悪化を招く。
本発明の特定したシリカが樹脂に充填された場合に良好
な成形性を発揮する作用機構については次の如く推測す
る。即ち、（１）樹脂組成物において、１次粒子径が０
．１μｍ以下である微粉状の金属酸化物が改質材として
均一に溶は込み該樹脂組成物自体のレオロジー特性が改
質される。 （２）１次粒子径０．１μ攬以下である微
粉状の金に４酸化物が、粒子径が１μｍ以上である粒状
シリカの表面との相互作用により従来の半導体封圧材用
粒状シリカに比べて、該０．１μｍ以上の粒状シリカと
樹脂との接着力が増大し、金型より樹脂の流出が防止さ
れ、パリの発生を伴わない。 （３）１次粒子径が０１
μｍ以下である微粉状の金ｈＳ酸化物が少量であるため
、樹脂組成物において粘度上昇が小さく、流動性の悪化
にまで至らない。
な成形性を発揮する作用機構については次の如く推測す
る。即ち、（１）樹脂組成物において、１次粒子径が０
．１μｍ以下である微粉状の金属酸化物が改質材として
均一に溶は込み該樹脂組成物自体のレオロジー特性が改
質される。 （２）１次粒子径０．１μ攬以下である微
粉状の金に４酸化物が、粒子径が１μｍ以上である粒状
シリカの表面との相互作用により従来の半導体封圧材用
粒状シリカに比べて、該０．１μｍ以上の粒状シリカと
樹脂との接着力が増大し、金型より樹脂の流出が防止さ
れ、パリの発生を伴わない。 （３）１次粒子径が０１
μｍ以下である微粉状の金ｈＳ酸化物が少量であるため
、樹脂組成物において粘度上昇が小さく、流動性の悪化
にまで至らない。
上記した本発明の作用機構から明らかなように、本発明
における微粉状の金属酸化物としては、１次粒子径が０
１μｍ以下であればシリカに限らず、アルミナ、チタニ
アなども同等の効果を発揮されることが容易に期待され
る。
における微粉状の金属酸化物としては、１次粒子径が０
１μｍ以下であればシリカに限らず、アルミナ、チタニ
アなども同等の効果を発揮されることが容易に期待され
る。
本発明は、特に半導体封止材用シリカとして有用であり
、従来の半導体封止材用粒状シリカに比べて、樹脂に充
填して成形に供した場合にパリの発生が殆んど解消され
、流動性の悪化を伴うこともなく、成形性の向上が達成
される。
、従来の半導体封止材用粒状シリカに比べて、樹脂に充
填して成形に供した場合にパリの発生が殆んど解消され
、流動性の悪化を伴うこともなく、成形性の向上が達成
される。
また、本発明のシリカは、従来の半導体封止材用粒状シ
リカに単に特定した微粉状の金ｙ４酸化物を少量混合す
るだけで、良好な半導体封止材用シリカとして簡便に得
られるため、実用的に極めて有利である。
リカに単に特定した微粉状の金ｙ４酸化物を少量混合す
るだけで、良好な半導体封止材用シリカとして簡便に得
られるため、実用的に極めて有利である。
以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこれらの実施
例に限定されるものではない。
例に限定されるものではない。
実施例１
四塩化珪素（５ｉ（Ａ！４）を原料として、バーナーを
用いて溶射法により、粒径が１〜１０５μｍ（平均粒子
径２５μｍ）である粒状シリカを得た。なお、この粒状
シリカは、１次粒子径が０１μｍ以下である微粉状物の
含有量は約０．４ｆｆｉｆ１％であった。次に、上記の
粒状シリカに１次粒子径が０．０２μｍである微粉状の
シリカ（徳山責達社製、商品名しオロシール）を第１表
に示す所定の含有割合によるように混合して調製した。
用いて溶射法により、粒径が１〜１０５μｍ（平均粒子
径２５μｍ）である粒状シリカを得た。なお、この粒状
シリカは、１次粒子径が０１μｍ以下である微粉状物の
含有量は約０．４ｆｆｉｆ１％であった。次に、上記の
粒状シリカに１次粒子径が０．０２μｍである微粉状の
シリカ（徳山責達社製、商品名しオロシール）を第１表
に示す所定の含有割合によるように混合して調製した。
なお、上記した微粉状シリカの含有量は、苛性溶液を用
いて溶出分析することにより求めることが出来る。
いて溶出分析することにより求めることが出来る。
上記で調製したシリカを半導体封止材用樹脂であるエポ
キシ樹脂材に、それぞれ６５重量％の割合で充填し、溶
融ｆＪ１練して金型による成形に供した。その成形性に
ついて、評価結果を第１表に示した。第１表の成形性は
、従来の半導体封止材用粒状シリカに相当する比較例（
屋１）を基準として、パリの発生および流動性について
優（Ｏ）、良（△）および可（×）として３段階で定性
的評価を行った。
キシ樹脂材に、それぞれ６５重量％の割合で充填し、溶
融ｆＪ１練して金型による成形に供した。その成形性に
ついて、評価結果を第１表に示した。第１表の成形性は
、従来の半導体封止材用粒状シリカに相当する比較例（
屋１）を基準として、パリの発生および流動性について
優（Ｏ）、良（△）および可（×）として３段階で定性
的評価を行った。
第１表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）１次粒子径が０．１μｍ以下である微粉状の金属酸
化物を１〜５重量％割合で含有するシリカ ２）金属酸化物がシリカである特許請求の範囲第１項記
載のシリカ ３）粒子径が１〜１５０μｍである粒状シリカを主体と
する特許請求の範囲第１項記載のシリカ ４）粒子径が１〜１００μｍである粒状シリカを主体と
する特許請求の範囲第１項記載のシリカ ５）半導体封止材用シリカである特許請求の範囲第１項
記載のシリカ ６）粒子径が１〜１５０μｍである粒状シリカに１次粒
子径が０．１μｍ以下である微粉状の金属酸化物を１〜
５重量％の割合に混合することを特徴とするシリカの製
造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31861087A JPH01161065A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | シリカおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31861087A JPH01161065A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | シリカおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161065A true JPH01161065A (ja) | 1989-06-23 |
Family
ID=18101060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31861087A Pending JPH01161065A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | シリカおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01161065A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01204456A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-17 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| WO2007142047A1 (ja) | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Tokuyama Corporation | 乾式シリカ微粒子 |
| JP2019516653A (ja) * | 2016-05-04 | 2019-06-20 | サウジ アラビアン オイル カンパニーＳａｕｄｉ Ａｒａｂｉａｎ Ｏｉｌ Ｃｏｍｐａｎｙ | ヒュームド金属酸化物の処理方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56106951A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-25 | Plaskon Prod | Burrrproofing epoxy capsule covered composition and its manufacture |
| JPS57123249A (en) * | 1981-01-26 | 1982-07-31 | Toshiba Corp | Epoxy resin molding compound |
| JPS57195117A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and its preparation |
| JPS5922955A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-06 | Toshiba Chem Corp | 半導体封止用樹脂組成物 |
| JPS59108026A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-22 | Toshiba Chem Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP31861087A patent/JPH01161065A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56106951A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-25 | Plaskon Prod | Burrrproofing epoxy capsule covered composition and its manufacture |
| JPS57123249A (en) * | 1981-01-26 | 1982-07-31 | Toshiba Corp | Epoxy resin molding compound |
| JPS57195117A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and its preparation |
| JPS5922955A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-06 | Toshiba Chem Corp | 半導体封止用樹脂組成物 |
| JPS59108026A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-22 | Toshiba Chem Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01204456A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-17 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| WO2007142047A1 (ja) | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Tokuyama Corporation | 乾式シリカ微粒子 |
| US7803341B2 (en) | 2006-06-09 | 2010-09-28 | Tokuyama Corporation | Fine dry silica particles |
| JP2019516653A (ja) * | 2016-05-04 | 2019-06-20 | サウジ アラビアン オイル カンパニーＳａｕｄｉ Ａｒａｂｉａｎ Ｏｉｌ Ｃｏｍｐａｎｙ | ヒュームド金属酸化物の処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6157347B2 (ja) | ||
| JPS60210643A (ja) | 充填剤及びその組成物 | |
| JPH11302506A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPS644540B2 (ja) | ||
| JPH01161065A (ja) | シリカおよびその製造方法 | |
| JPS58127354A (ja) | 半導体素子封止用樹脂組成物 | |
| JPS6296568A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JP2684396B2 (ja) | 溶融球状シリカ及びこれを用いた封止用樹脂組成物 | |
| JP2000319633A (ja) | エポキシ樹脂系封止材料用シリカ系充填材 | |
| JP3445707B2 (ja) | シリカ質フィラー及びその製法 | |
| JPS6296567A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH01182331A (ja) | 充填剤 | |
| JPH01185373A (ja) | シリカおよびその製造方法 | |
| JP2958402B2 (ja) | 半導体樹脂封止用シリカフィラー及びその製造方法 | |
| JPH03211A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法 | |
| JPH02158637A (ja) | シリカフィラーおよびこれを用いた封止用樹脂組成物 | |
| JP2704281B2 (ja) | 溶融球状シリカ及びこれをフィラーとする封止用樹脂組成物 | |
| JPS6296538A (ja) | 無機充填材及び樹脂組成物 | |
| JPS59204633A (ja) | 低放射能樹脂組成物 | |
| JP2649054B2 (ja) | 粒子状無機質複合体及びその製造方法 | |
| JP2665539B2 (ja) | シリカフィラーおよびこれを用いた封止用樹脂組成物 | |
| JP2955672B2 (ja) | 半導体樹脂封止用シリカフィラーおよびその製造方法 | |
| JP2925088B2 (ja) | 微細溶融球状シリカ及びこれを用いた封止用樹脂組成物 | |
| JPS6065041A (ja) | 無機質球状体及びその組成物 | |
| JPS5923403A (ja) | 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物 |