JPH01205441A - 半導体素子ウェハーの切削分割装置用ステージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハーを切削分割する装置、特に半導
体素子ウェハー（以下ウエノ入−と呼、Ｓ：）を位置合
せし、切削分割（以下ダイシングと呼、３テ）する際に
ウェハーを真空吸着させるステージしこ関する。

〔従来の技術〕

第２図（ａ）、（ｂ）は従来のウェハーをダイシングす
る装置用ステージの一例を示す断面図である。

第２図（ａ）に示すように、従来、半導体素子ウェハー
の切削分割装置７では、ウェハー１が粘着性シー１−２
に貼付られ、粘着固定リング治具９で固定されている。

このウェハー１はウェハー吸着用ステージ１３上に載せ
、位置決めされた後、真空孔４より真空吸引１４シてシ
ー１〜２の全面をステージ１３上に真空吸着し、その後
回転する砥石にてシー１へ２上のウェハー１にダイシン
グ１０が行われる。

ダイシング１０が完了した粘着性シー１−２上のウェハ
ー１は、ウェハー吸着用ステージ１３より真空吸引１４
を解除し、粘着固定リング治具９に保持したまま、第２
図（ｂ）に示すように離脱される。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、粘着性シート２はダイシング装置より離脱後、
時間の経過と共にダイシング１０が完了したウェハー１
の重さにより、たわみ、伸される状態１２になる。その
ために、ウェハー」からダイシングされて個々に分割さ
れた半導体素子チップ１１のエツジ１５が周囲の半導体
素子チップ１１のエツジ１５とが衝撃し合い、半導体素
子チップ］１にキズ、カケが発生する。

また、半導体素子チップ１１が半導体集積回路装置のパ
ッケージにダイボンディングされる製造過程までにさら
に半導体素子チップ１１のエツジ１５にキズ、カケが新
たに発生されるという欠点がある。

本発明の目的は前記課題を解決した切削分割装置のステ
ージを提供することにある。

〔発明の従来技術に対する相違点〕

］二述した従来のウェハーのダイシング・ステージに対
し、本発明は切削分割装置のウェハー吸着用ステージに
、シートに貼付したウェハーを真空吸着したまま次工程
のダイシング工程に搬送を可能としたという相違点を有
する。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明の切削分割装置におい
ては、ウェハー吸着用ステージを装置本体から脱着可能
に二二ノ１〜化し、前記真空孔を真空源に接続する該ス
テージの接続部に、外部から操作される開閉弁を設けた
ものである。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図により説明する。

第１図において、ウェハー吸着用ステージ３を切削分割
装置本体７と別体に構成し、該ステージ３の下面に凸状
の嵌合部３ａを設ける。一方、装置本体７の上面に凹状
の嵌合部７ａを設け、凸状嵌合部３ａを凹状嵌合部７ａ
に嵌合させてステージ３を装置本体７に脱着可能に装着
する。またステージ３及び装置本体７には位置決め用の
ピン８ａとピン孔８ｂとが設けられている。

また、ステージ３の」二面にはウェハー１を貼付したシ
ート２の全面を真空吸着する複数の真空孔４．４−を開
口し、各真空孔４を集束させて凸状の嵌合部３ａ内に設
けた真空路４ａに接続する。一方、装置本体７の凹状嵌
合部７ａ内には図示しない真空源に連なる真空路７ｂが
ステージ３の真空路４ａに接続可能な位置に設けである
。

さらに、ステージ３の真空路４ａにはノブ６による外部
操作にて開閉する開閉弁５を設けである。

３一 実施例において、ステージ３の凸状嵌合部３ａを装置本
体７の凹状嵌合部７ａに装着し、ステージ３ど装置本体
７の真空路４ａ、７ｂ同士を接続するとともに、ノブ６
により開閉弁５を開弁する。

次にウェハー１を貼付けた粘着シー１〜２をステージ３
上に載置し、図示しない真空源により真空路４ａ、　７
ｂ及び真空孔４を介してシー１〜２の全面製真空吸着し
、ダイシング］０を行う。このウェハー吸着用ステージ
３はダイシンク終了後、ノブ６により開閉弁５を閉じて
装置本体７より離脱させる。

本発明によれば、開閉弁５を閉じるので、ステージ３の
真空孔４内は真空状態に保持され、シー１〜２の全面は
ステージ２に真空吸着されたままとなる。

第１図（ｂ）に示すように、ダイシング１０が行われた
ウェハー１を保持するシー１−２はウェハー吸着用ステ
ージ３上に真空吸着され平面状に展開されたまま保持さ
れるために、粘着性シー１〜２はたるみ、伸ばされるこ
とがなくなり、半導体素子チップ１１のエツジ１５が周
囲の半導体素子チップ１１の工ッジ１５と衝撃し合うこ
ともなくなり、半導体素子チップ１１にキズ、カケが発
生することがなくなる。

また、半導体素子チップ１１は真空吸引】４された状態
で、かつ位置決め用ピン８ａを備えであるウェハー吸着
用ステージ３上に載せであるために、別過程の装置への
位置決め装着が簡単にできる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明はダイシングされた半導体素
子チップをステージ上に平面状に展開したまま次工程に
送られることとなり、半導体素子チップにキズ、クラッ
クが発生することはなく、半導体装置の品質を向上でき
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明のウェハーをダイシン
クする装置の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）、（
ｂ）は従来のウェハーをダイシングする装置を示す断面
図である。 １　ウェハー　　　　　　　　２　粘着性シー１〜３・
・ウェハー吸着用ステージ　４・・・真空孔５・開閉弁

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体素子ウェハーを貼付たシートの全面を真空引
   きする複数の真空孔を開口したウェハー吸着用ステージ
   を有する半導体素子ウェハーの切削分割装置において、
   ウェハー吸着用ステージを装置本体から脱着可能にユニ
   ット化し、前記真空孔を真空源に接続する該ステージの
   接続部に、外部から操作される開閉弁を設けたことを特
   徴とする半導体素子ウェハーの切削分割装置用ステージ
   。