JPH01205551A - はんだバンプ電極形成方法 - Google Patents
はんだバンプ電極形成方法Info
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- JPH01205551A JPH01205551A JP63030113A JP3011388A JPH01205551A JP H01205551 A JPH01205551 A JP H01205551A JP 63030113 A JP63030113 A JP 63030113A JP 3011388 A JP3011388 A JP 3011388A JP H01205551 A JPH01205551 A JP H01205551A
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- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の電極に係り、特に高密度、ワイ
ヤレス実装に好適な、はんだバンプ電極の形成方法しこ
関するものである。
ヤレス実装に好適な、はんだバンプ電極の形成方法しこ
関するものである。
従来、半導体装置のはんだバンプ電極形成方法について
は、アイ・ビー・エム・ジャーナル・オブ・リサーチ、
アンド・デイベロプメント、第１−３刊、第３号、第２
３９頁〜第２５０頁（ＩＢＭＪ 、 ｏｆ Ｒｅ５ｅａ
ｒｃｈ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ、 ｖｏｌ。
は、アイ・ビー・エム・ジャーナル・オブ・リサーチ、
アンド・デイベロプメント、第１−３刊、第３号、第２
３９頁〜第２５０頁（ＩＢＭＪ 、 ｏｆ Ｒｅ５ｅａ
ｒｃｈ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ、 ｖｏｌ。
１３ ｎｏ、３．ｐ２３９−２５０）において論しら
れている、蒸着及びリフロー（ウェソ１〜バック）によ
る方法が、最も一般的であった。この方法では、半導体
装置のアルミニウム電極パッド上に、予め、下からＣｒ
、Ｃｕ、、Ａｕを順次形成し、はんだの下地膜（以下、
ＢＬＭという）としていた。
れている、蒸着及びリフロー（ウェソ１〜バック）によ
る方法が、最も一般的であった。この方法では、半導体
装置のアルミニウム電極パッド上に、予め、下からＣｒ
、Ｃｕ、、Ａｕを順次形成し、はんだの下地膜（以下、
ＢＬＭという）としていた。
一方、昭和６２年電子情報通信学会創立７０周年記念総
合全国大会論文集、論文番号４６０に発表されている方
法では、半導体ウェハを溶融はんだ中に浸漬して、超音
波を印加することにより、アルミニウム電極パッド上に
直接、はんだバンプ電極を形成している。
合全国大会論文集、論文番号４６０に発表されている方
法では、半導体ウェハを溶融はんだ中に浸漬して、超音
波を印加することにより、アルミニウム電極パッド上に
直接、はんだバンプ電極を形成している。
しかしながら、前記蒸着及びリフローによる方法では、
ＢＬＭ及びはんだと２度にわたるメタルマスク又はホト
レジマスクによる電極部への選択蒸着を行い、その後リ
フローを行うという複雑な工程であり、設備コス１〜当
りのスル−プノ１〜が悪く、製造コス１へが高いという
問題があった。
ＢＬＭ及びはんだと２度にわたるメタルマスク又はホト
レジマスクによる電極部への選択蒸着を行い、その後リ
フローを行うという複雑な工程であり、設備コス１〜当
りのスル−プノ１〜が悪く、製造コス１へが高いという
問題があった。
一方、溶融はんだ中に浸漬し、アルミニラ１１電極」二
に直接、はんだ電極を形成する方法では、コスＩ〜は安
くできるがはんだ電極の高さをあまり大きくできないた
め、はんだバンプ電極の高さが不均一となるという問題
があった。
に直接、はんだ電極を形成する方法では、コスＩ〜は安
くできるがはんだ電極の高さをあまり大きくできないた
め、はんだバンプ電極の高さが不均一となるという問題
があった。
本発明の目的は、アルミニウム電極バット上にＢＬＭな
しに、直接、高さの高いはんだハンプ電極を形成するこ
とができる技術を提供することにある。
しに、直接、高さの高いはんだハンプ電極を形成するこ
とができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
鉛、錫を主成分とするはんだをアルミニウム又はアルミ
ニウムを主成分とする合金からなる電極パッド上に供給
し、これ等の成分と反応しない又は反応の少ない有機液
体中で、はんだの融点以上に加熱し、球状突起体を形成
するはんだバンプ電極形成方法である。
ニウムを主成分とする合金からなる電極パッド上に供給
し、これ等の成分と反応しない又は反応の少ない有機液
体中で、はんだの融点以上に加熱し、球状突起体を形成
するはんだバンプ電極形成方法である。
また、アルミニウム表面に存在する酸化被膜を除去する
ために、超音波併用、フラックスの併用等の補助手段を
用いる。また、はんだ成分の中に少量のアルミニウムと
反応して、合金を形成しゃすい金属を添加する場合もあ
る。
ために、超音波併用、フラックスの併用等の補助手段を
用いる。また、はんだ成分の中に少量のアルミニウムと
反応して、合金を形成しゃすい金属を添加する場合もあ
る。
前述の手段によれば、有機溶体中でリフローを行うこと
により、高価な蒸着装置が不要であるばかりでなく、ア
ルミニウム電極パッド上に直接はんだバンプを形成でき
るので、工程も単純となり、従来方法に比べて装置費用
、及びランニングコス１〜を大１１１に低減することが
できる。また、予め一定量のはんだをバンプ電極形成部
に仮付しておくことにより、バンプ電極の高さを均一す
ることができる。
により、高価な蒸着装置が不要であるばかりでなく、ア
ルミニウム電極パッド上に直接はんだバンプを形成でき
るので、工程も単純となり、従来方法に比べて装置費用
、及びランニングコス１〜を大１１１に低減することが
できる。また、予め一定量のはんだをバンプ電極形成部
に仮付しておくことにより、バンプ電極の高さを均一す
ることができる。
また、アルミニウム電極パッド上に直接はんだを付ける
ことにより、超音波による酸化膜の破壊あるいは不活性
液体中でフラックスを作用させることができるので、接
合をより完全に行うことができる。また、はんだ中にア
ルミニウムと反応性の大きい金属を微量添加しておけば
、活性なアルミニウム面が出た時、直ちに、アルミニウ
ム表面に反応し、よりはんだ付着を容易にすることがで
きる。
ことにより、超音波による酸化膜の破壊あるいは不活性
液体中でフラックスを作用させることができるので、接
合をより完全に行うことができる。また、はんだ中にア
ルミニウムと反応性の大きい金属を微量添加しておけば
、活性なアルミニウム面が出た時、直ちに、アルミニウ
ム表面に反応し、よりはんだ付着を容易にすることがで
きる。
以下、本発明を半導体チップのはんだバンプ電極形成方
法に適用した一実施例を図面を用いて詳細に説明する。
法に適用した一実施例を図面を用いて詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
第１図乃至第３図は、本発明の一実施例の半導体チップ
のはんだバンプ電極形成方法を説明するための図であり
、第１図は、シリコンウェハ上に多数個存在する半導体
チップのそれぞれに、数個から数百個存在する電極パッ
ドの１個分の概略構成を示す断面図、第２図は、第１図
に示すアルミニウム電極パッドの」二にはんだを供給し
た状態を示す図、第３図は、第２図に示すアルミニウム
電極パッドを有機液体中に浸漬して球状バンプ電極を形
成した状態を示す図である。
のはんだバンプ電極形成方法を説明するための図であり
、第１図は、シリコンウェハ上に多数個存在する半導体
チップのそれぞれに、数個から数百個存在する電極パッ
ドの１個分の概略構成を示す断面図、第２図は、第１図
に示すアルミニウム電極パッドの」二にはんだを供給し
た状態を示す図、第３図は、第２図に示すアルミニウム
電極パッドを有機液体中に浸漬して球状バンプ電極を形
成した状態を示す図である。
本実施例のはんだバンプ電極形成方法は、第１図に示す
ように、シリコンウェハ（半導体チップ）１の」−に、
熱酸化法により、例えば８１０２等の約５０００付着度
の厚さの絶縁膜２が形成され、その上に低圧ＣＶＤ法に
よりＳ〕○等の約３００付着度の厚さの絶縁膜３が形成
される。その４−に例えばリンシリケ−１へガラス（Ｐ
Ｓ Ｇ）からなる約６０００付着度の厚さの層間絶縁
膜４が形成され、その上に約１０００付着度の厚さのス
ピン・オン・ガラス（Ｓｐｊｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ ）
膜５が形成され、その上に例えばＡ１−０．５％Ｃｕ−
１，５％Ｓｊからなる約０．５μｍ程度のアルミニウム
配線６を形成し、その上に例えばＳ ］、 Ｎ膜等から
なる表面保護膜（パッシベーション膜）７が形成される
。この表面保護膜７の所定部分にスルホール７Ａが前記
アルミニウム配線６を露出するまで形成され、このスル
ホール７Ａの部分に例えばＡ１−３．０％Ｃｕ−１，５
％８１等からなるアルミニウム電極パッド８が形成され
る。
ように、シリコンウェハ（半導体チップ）１の」−に、
熱酸化法により、例えば８１０２等の約５０００付着度
の厚さの絶縁膜２が形成され、その上に低圧ＣＶＤ法に
よりＳ〕○等の約３００付着度の厚さの絶縁膜３が形成
される。その４−に例えばリンシリケ−１へガラス（Ｐ
Ｓ Ｇ）からなる約６０００付着度の厚さの層間絶縁
膜４が形成され、その上に約１０００付着度の厚さのス
ピン・オン・ガラス（Ｓｐｊｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ ）
膜５が形成され、その上に例えばＡ１−０．５％Ｃｕ−
１，５％Ｓｊからなる約０．５μｍ程度のアルミニウム
配線６を形成し、その上に例えばＳ ］、 Ｎ膜等から
なる表面保護膜（パッシベーション膜）７が形成される
。この表面保護膜７の所定部分にスルホール７Ａが前記
アルミニウム配線６を露出するまで形成され、このスル
ホール７Ａの部分に例えばＡ１−３．０％Ｃｕ−１，５
％８１等からなるアルミニウム電極パッド８が形成され
る。
このアルミニウム電極パッド８−にに、第２図に示すよ
うに、例えば、超音波ワイヤボンダにより一定量のけん
だ９を仮付けする。この時、前記アルミニウム電極パラ
１り８のアルミニウムの表面の酸化膜８Ａは、大部分残
るが、超音波エルネギ−により、酸化膜８Ａの一部の膜
が破られ、その破られた部分にはんだ９とアルミニウム
電極パラＩ−８との接合が形成されて仮付けされる。
うに、例えば、超音波ワイヤボンダにより一定量のけん
だ９を仮付けする。この時、前記アルミニウム電極パラ
１り８のアルミニウムの表面の酸化膜８Ａは、大部分残
るが、超音波エルネギ−により、酸化膜８Ａの一部の膜
が破られ、その破られた部分にはんだ９とアルミニウム
電極パラＩ−８との接合が形成されて仮付けされる。
このはんだ９の仮付けが終了したシリコンウェハ１は、
第３図に示すように、アルミニウム用のフラックスが予
めアルミニウム電極パット８の部分に供給された後、は
んた９の融点以上（はんだが５ｎ６０％／Ｐｂ４０％の
場合２３０℃位）に加熱された有機液体１０中に浸漬さ
れる。この有機液体１０としては、例えば、シリコーン
オイル、エチレンフレコール、パーフロロカーボン等の
うちいずれか一つ又はそれらを混合して用いる。また、
前記フラックスとしては、例えば、８２％トリエタノー
ルアミン、８％ホウフッ化アンモニウム、コー０％ホウ
フッ化亜鉛液等のうちいずれか一つ又はそれらを混合し
て用いる。
第３図に示すように、アルミニウム用のフラックスが予
めアルミニウム電極パット８の部分に供給された後、は
んた９の融点以上（はんだが５ｎ６０％／Ｐｂ４０％の
場合２３０℃位）に加熱された有機液体１０中に浸漬さ
れる。この有機液体１０としては、例えば、シリコーン
オイル、エチレンフレコール、パーフロロカーボン等の
うちいずれか一つ又はそれらを混合して用いる。また、
前記フラックスとしては、例えば、８２％トリエタノー
ルアミン、８％ホウフッ化アンモニウム、コー０％ホウ
フッ化亜鉛液等のうちいずれか一つ又はそれらを混合し
て用いる。
前記のようにして、はんだ９の仮付けが終了したシリコ
ンウェハ１を、はんだ９の融点共」二に加熱された有機
液体１０中に浸漬することにより、アルミニウム電極パ
ッド８上に、５０〜１５０μｍ高さの安定した高さの球
状はんだバンプ電極１１が形成される。この球状はんだ
バンプ電極１１が完成された後は、洗浄して有機液体１
０及びフラックス等が除去される。第３図において、１
２は有機液体１０を収容する容器である。
ンウェハ１を、はんだ９の融点共」二に加熱された有機
液体１０中に浸漬することにより、アルミニウム電極パ
ッド８上に、５０〜１５０μｍ高さの安定した高さの球
状はんだバンプ電極１１が形成される。この球状はんだ
バンプ電極１１が完成された後は、洗浄して有機液体１
０及びフラックス等が除去される。第３図において、１
２は有機液体１０を収容する容器である。
前記有機液体１０の洗浄は、シリコーンオイルを用いた
場合にはトリクロルエチレン、フロン等を用い、エチレ
ンブレコールを用いた場合には、水、湯水を用いる。ま
た、パーフロロカーボンを用いた場合には、製品（シリ
コンウェハ１）を有機液体１０中から引き上げれば、パ
ーフロロカーボンが蒸発してしまい特別の洗浄を行う必
要がない。
場合にはトリクロルエチレン、フロン等を用い、エチレ
ンブレコールを用いた場合には、水、湯水を用いる。ま
た、パーフロロカーボンを用いた場合には、製品（シリ
コンウェハ１）を有機液体１０中から引き上げれば、パ
ーフロロカーボンが蒸発してしまい特別の洗浄を行う必
要がない。
次に、はんだ９の仮付は工程について第４Ａ図乃至第４
Ｄ図を用いて詳細に説明する。
Ｄ図を用いて詳細に説明する。
第４Ａ図に示すように、キャピラリ２１にはんだ細線２
２を挾持させ、放電１〜−チ、あるいは、酸水素炎２３
により、第４Ｂ図に示すように、はんだ細線２２を溶か
してボール２２Ａが形成される。次に、シリコンウェハ
１上に形成されているアルミニウム電極パット８の表面
酸化膜８Ａの−・部の膜が、超音波エルネギ−により破
られ、その破られた部分に、第４Ｃ図に示すように、前
記はんだボール２２Ａが押し付けられてアルミニウム電
極パラ１り８との接合が形成されはんだ細線２２とが仮
付けされる。次に、第４Ｄ図に示すように、はんだ細線
２２の上部をクランパー２４でタランブして引き上げる
と、はんだ細線２２の根元が熱により弱くなっているた
め、一定の長さで切断される。このようにして、一定量
のはんだ９がアルミニウム電極パッＩ−８上に仮付けさ
れる。
２を挾持させ、放電１〜−チ、あるいは、酸水素炎２３
により、第４Ｂ図に示すように、はんだ細線２２を溶か
してボール２２Ａが形成される。次に、シリコンウェハ
１上に形成されているアルミニウム電極パット８の表面
酸化膜８Ａの−・部の膜が、超音波エルネギ−により破
られ、その破られた部分に、第４Ｃ図に示すように、前
記はんだボール２２Ａが押し付けられてアルミニウム電
極パラ１り８との接合が形成されはんだ細線２２とが仮
付けされる。次に、第４Ｄ図に示すように、はんだ細線
２２の上部をクランパー２４でタランブして引き上げる
と、はんだ細線２２の根元が熱により弱くなっているた
め、一定の長さで切断される。このようにして、一定量
のはんだ９がアルミニウム電極パッＩ−８上に仮付けさ
れる。
半導体チップ（シリコンウェハ１）に、本実施例のはん
だバンプ電極形成方法を適用して形成された球状はんだ
バンプ電極１１のレイアラｌ−の一例を第５図に示す。
だバンプ電極形成方法を適用して形成された球状はんだ
バンプ電極１１のレイアラｌ−の一例を第５図に示す。
前記本実施例では、はんだ９の供給の方法として、ワイ
ヤボンダの例を示したが、はんだペース１−のスクリー
ンプリンｌ−、フラックスを併用し、メタルマスクを利
用したはんだボールによる方法等も可能である。また、
はんだ９の組成も目的に応して任意に選択することが可
能である。さらに、はんだ中にアルミニラ１１との固溶
度が大きい、微量（１−％以下）のＺｎｙ Ｃｕｔ Ａ
ｇ （この場合は、悪影響が少ないので５％以下とする
Ｌ Ｍｇ ＋ Ｌ １ ＋ｓｂ等の金属を添加すれば、
アルミニウム電極パッド８と球状はんだバンプ電極１１
との接合を完全にすることができる。
ヤボンダの例を示したが、はんだペース１−のスクリー
ンプリンｌ−、フラックスを併用し、メタルマスクを利
用したはんだボールによる方法等も可能である。また、
はんだ９の組成も目的に応して任意に選択することが可
能である。さらに、はんだ中にアルミニラ１１との固溶
度が大きい、微量（１−％以下）のＺｎｙ Ｃｕｔ Ａ
ｇ （この場合は、悪影響が少ないので５％以下とする
Ｌ Ｍｇ ＋ Ｌ １ ＋ｓｂ等の金属を添加すれば、
アルミニウム電極パッド８と球状はんだバンプ電極１１
との接合を完全にすることができる。
また、有機液体１０中で超音波を併用することことによ
り、さらにアルミニウム電極パッド８と球状はんだバン
プ電極１１との接合を完全にすることができる。
り、さらにアルミニウム電極パッド８と球状はんだバン
プ電極１１との接合を完全にすることができる。
以−］二の説明かられかるように、本実施例によれば、
有機溶体１０中でリフローを行うことにより、高価な蒸
着装置が不要であるばかりでなく、アルミニウム電極パ
ット８上に直接球状はんだバンプ電極１１を形成できる
ので、工程も単純となり、従来方法に比へて装置費用、
ランニングコスｌ−を人［１］に低減することができる
。また、予め一定量のはんだ９をバンプ電極形成部に仮
付しておくことにより、球状はんだバンプ電極１１の高
さを均一・にすることができる。
有機溶体１０中でリフローを行うことにより、高価な蒸
着装置が不要であるばかりでなく、アルミニウム電極パ
ット８上に直接球状はんだバンプ電極１１を形成できる
ので、工程も単純となり、従来方法に比へて装置費用、
ランニングコスｌ−を人［１］に低減することができる
。また、予め一定量のはんだ９をバンプ電極形成部に仮
付しておくことにより、球状はんだバンプ電極１１の高
さを均一・にすることができる。
また、アルミニウム電極パッド８Ｌに直接はんだを付し
づることにより、超音波による酸化膜の破壊あるいは不
活性液体中でフラックスを作用させることができるので
、接合をより完全に行うことができる。また、はんだ９
中にアルミニウムと反応性の大きい金属を微量添加して
おけば、活性なアルミニウム面が出た時、直ちに、アル
ミニラ１１表面に反応し、よりはんだ付着を容易にする
ことができる。
づることにより、超音波による酸化膜の破壊あるいは不
活性液体中でフラックスを作用させることができるので
、接合をより完全に行うことができる。また、はんだ９
中にアルミニウムと反応性の大きい金属を微量添加して
おけば、活性なアルミニウム面が出た時、直ちに、アル
ミニラ１１表面に反応し、よりはんだ付着を容易にする
ことができる。
以上、本発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本
発明は、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し
得ることはいうまでもない。
発明は、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し
得ることはいうまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下−１１＝ 記のとおりである。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下−１１＝ 記のとおりである。
有機溶体中でリフローを行うことにより、高価な蒸着装
置が不要であるばかりでなく、アルミニウム電極パッド
上に直接球状はんだバンプ電極を形成できるので、工程
も単純となり、従来方法に比べて装置費用、ランニング
コストを大ｒＩＪに低減することができる。
置が不要であるばかりでなく、アルミニウム電極パッド
上に直接球状はんだバンプ電極を形成できるので、工程
も単純となり、従来方法に比べて装置費用、ランニング
コストを大ｒＩＪに低減することができる。
第１−図は、本発明の一実施例のはんだバンプ電極形成
方法を説明するための図であり、シリコンウェハ上に多
数個存在する半導体チップのそれぞれに、数個から数百
個存在する電極パッドの１個分の概略構成を示す断面図
、 第２図は、第１図に示すアルミニウム電極パッドの」二
にはんだ詮供給した状態を示す図、第３図は、第２図に
示すアルミニウム電極パッドを有機液体中に浸漬して球
状はんだバンプ電極を形成した状態を示す図、 第４Ａ図乃至第４Ｄ図は、第２図に示すはんだの仮付け
］１程を説明するための図、 第５図は、半導体チップに、本発明のはんだバンプ電極
形成方法を適用して形成されたはんだ／＜ンプ電極のレ
イアラＩ・の−例を示す図である。 図中、１ シリコンウェハ、２，３・酸化膜、４ 層間
絶縁膜、５・・スピン・オン・ガラス膜、６・アルミニ
ウム配線、７ 表面保護膜、８ アルミニウム電極パッ
ド、９・はんだ、１０・有機液体、１１・・球状はんだ
バンプ電極である。
方法を説明するための図であり、シリコンウェハ上に多
数個存在する半導体チップのそれぞれに、数個から数百
個存在する電極パッドの１個分の概略構成を示す断面図
、 第２図は、第１図に示すアルミニウム電極パッドの」二
にはんだ詮供給した状態を示す図、第３図は、第２図に
示すアルミニウム電極パッドを有機液体中に浸漬して球
状はんだバンプ電極を形成した状態を示す図、 第４Ａ図乃至第４Ｄ図は、第２図に示すはんだの仮付け
］１程を説明するための図、 第５図は、半導体チップに、本発明のはんだバンプ電極
形成方法を適用して形成されたはんだ／＜ンプ電極のレ
イアラＩ・の−例を示す図である。 図中、１ シリコンウェハ、２，３・酸化膜、４ 層間
絶縁膜、５・・スピン・オン・ガラス膜、６・アルミニ
ウム配線、７ 表面保護膜、８ アルミニウム電極パッ
ド、９・はんだ、１０・有機液体、１１・・球状はんだ
バンプ電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、鉛、錫を主成分とするはんだをアルミニウム又はア
ルミニウムを主成分とする合金からなる電極パッド上に
供給し、これ等の成分と反応しない又は反応の少ない有
機液体中で、はんだの融点以上に加熱し、球状突起体を
形成することを特徴とするはんだバンプ電極形成方法。 ２、アミン系化合物を主成分としたフラックスを有機液
体中に浸漬する前に使用することを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載のはんだバンプ電極形成方法。 ３、前記有機液体中ではんだの融点以上に加熱し、球状
突起体を形成する際に超音波を併用することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のはんだバン
プ電極形成方法。 ４、前記はんだの供給方法として、超音波を用いたワイ
ヤーボーダを使用することを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第３項のいずれか一項に記載のはんだバンプ
電極形成方法。 ５、前記はんだは、亜鉛、銅、銀マグネシウム、リチウ
ム、アンヂモン等のアルミニウムとの固溶度の大きい金
属元素を１％以下添加したものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか一項に記載
のはんだバンプ電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63030113A JPH01205551A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | はんだバンプ電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63030113A JPH01205551A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | はんだバンプ電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205551A true JPH01205551A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12294726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63030113A Pending JPH01205551A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | はんだバンプ電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205551A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02312240A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-27 | Ricoh Co Ltd | バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ |
| DE19504350A1 (de) * | 1995-02-10 | 1996-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Umschmelzen einer Kontaktflächenmetallisierung |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP63030113A patent/JPH01205551A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02312240A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-27 | Ricoh Co Ltd | バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ |
| DE19504350A1 (de) * | 1995-02-10 | 1996-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Umschmelzen einer Kontaktflächenmetallisierung |
| US5845838A (en) * | 1995-02-10 | 1998-12-08 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Process for remelting a contact surface metallization |
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