JPH01205738A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
- Publication number
- JPH01205738A JPH01205738A JP63030032A JP3003288A JPH01205738A JP H01205738 A JPH01205738 A JP H01205738A JP 63030032 A JP63030032 A JP 63030032A JP 3003288 A JP3003288 A JP 3003288A JP H01205738 A JPH01205738 A JP H01205738A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- phase change
- optical recording
- change type
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録層の相変化を利用して情報の記録、再生
を行う相変化型光記録媒体に関する。
を行う相変化型光記録媒体に関する。
近年、磁気記録媒体と同様に情報の書き込みを繰り返し
行うことが可能な記録媒体として、相変化型光記録媒体
が注目されている。この相変化型光記録媒体は、情報の
重ね書き（オーバーライド）が容易であるｉいう点で特
に優れる。
行うことが可能な記録媒体として、相変化型光記録媒体
が注目されている。この相変化型光記録媒体は、情報の
重ね書き（オーバーライド）が容易であるｉいう点で特
に優れる。
従来より、この種の相変化型光記録媒体としては、例え
ばＡｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｔｅ−５ｅ−Ｇｅ系。
ばＡｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｔｅ−５ｅ−Ｇｅ系。
ＴｏＯｘ、Ｓｂｚ Ｓｅ３とＢｉｚＴｅ＊の積層体、Ｉ
ｎ−５ｂ系などが知られている（［わかりやすい光ディ
スク」、株式会社オプトロニクス社、１９８５年１２月
ｌＯ日発行、１０５〜１０８頁）。
ｎ−５ｂ系などが知られている（［わかりやすい光ディ
スク」、株式会社オプトロニクス社、１９８５年１２月
ｌＯ日発行、１０５〜１０８頁）。
かように、従来の相変化型光記録媒体は、いずれもカル
コゲン元素やアンチモン等を主体としているため、以下
のような問題があった。
コゲン元素やアンチモン等を主体としているため、以下
のような問題があった。
■酸化され易く、媒体寿命が短かい。
Ｌツ毒性が強いため１Ｍ料の保管や取扱い、それに媒体
の製造設備や製造工程等に種々の制限が加わり、１１１
品である光記録媒体が高コスト化する。
の製造設備や製造工程等に種々の制限が加わり、１１１
品である光記録媒体が高コスト化する。
また、取り扱いおよび廃棄に際して安全に充分な配慮を
はられないと、新たな公害の発生という重大な問題を惹
起する虞れがある。
はられないと、新たな公害の発生という重大な問題を惹
起する虞れがある。
■スパッタ法にて記録膜を成膜すると１組成の変動が大
きく、均質な相変化型光記録媒体を量産することが廻し
い。
きく、均質な相変化型光記録媒体を量産することが廻し
い。
本発明は、前記した従来技術の問題点を解消するために
なされたものであって、耐食性に優れると共に毒性がな
く、かつ量産性に優れた相変化型光記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。
なされたものであって、耐食性に優れると共に毒性がな
く、かつ量産性に優れた相変化型光記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。
【問題点を解決するための手段」
本発明は、前記の目的を達成するため、 ｔｒｉ （Ａ
ｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（ＡＩ）から選択され
た１種以上の金属とゲルマニウム（Ｇｅ）とを主成分と
する合金によって記録層を形成したことを特徴とするも
のである。
ｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（ＡＩ）から選択され
た１種以上の金属とゲルマニウム（Ｇｅ）とを主成分と
する合金によって記録層を形成したことを特徴とするも
のである。
Ａ ｇ −Ｇ ａ系合金は、Ｇｅ濃度が約２６Ｍ了・％
で共晶専をもつ、また、Ａｌ−Ｇｅ系合金は、Ｇｅ濃度
が約３０原７−％で共晶点をもつ。さらに、 Ｃｕ−Ｇ
ｅ系合金は、Ｇｅ濃度が約３６原子％で共晶点をもつ、
従って、これらはいずれも相変化型光記録媒体となりつ
る。
で共晶専をもつ、また、Ａｌ−Ｇｅ系合金は、Ｇｅ濃度
が約３０原７−％で共晶点をもつ。さらに、 Ｃｕ−Ｇ
ｅ系合金は、Ｇｅ濃度が約３６原子％で共晶点をもつ、
従って、これらはいずれも相変化型光記録媒体となりつ
る。
これらの相変化型光記録媒体は、比較的耐食性に優れか
つ毒性のない元素を記録層の主成分としたので、寿命が
長く、毒性が問題になることもない、また、スパッタ法
にて記録層を形成した場合の組成変動は２％以内であり
、量産性が問題になることもない。
つ毒性のない元素を記録層の主成分としたので、寿命が
長く、毒性が問題になることもない、また、スパッタ法
にて記録層を形成した場合の組成変動は２％以内であり
、量産性が問題になることもない。
〔実ｔＭ例］
まず１本発明にかかる光記録媒体の機略を図に基づいて
説明する。
説明する。
図は本発明にかかる光記録媒体の一例を模式的に示す断
面図であって、基板ｌの信号パターン２形成面に、第１
の保護層３と、記＠層４と、第２の保護層５とが順次積
層されている。
面図であって、基板ｌの信号パターン２形成面に、第１
の保護層３と、記＠層４と、第２の保護層５とが順次積
層されている。
基板ｌは１例えばガラスなどの透明セラミックスや、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（
ＰＭＭＡ）、ポリメチルペンテン。
リカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（
ＰＭＭＡ）、ポリメチルペンテン。
エポキシ等の透明な樹脂材料によって形成される。
該基［１の片面には、それぞれビームスポットを案内す
る案内溝やアドレス信号を表示するプリピットなどの信
号パターン２が形成されている。
る案内溝やアドレス信号を表示するプリピットなどの信
号パターン２が形成されている。
信号パターン２の形成手段としては、前記基板ｌの材質
によって適宜の方法が適用される。
によって適宜の方法が適用される。
例えば、基板１がＰＣやｒ’ＭＭＡ、それにポリメチル
ペンチンなどの熱可塑性樹脂にて形成される場合には、
射出成形用金型内に溶融した基板材料を射出して基板ｌ
と信号パターン２とを一体に成形する所謂インジェクシ
ョン法が適する。また。
ペンチンなどの熱可塑性樹脂にて形成される場合には、
射出成形用金型内に溶融した基板材料を射出して基板ｌ
と信号パターン２とを一体に成形する所謂インジェクシ
ョン法が適する。また。
この基板材料に関しては、射出成形用金型内に溶融した
基板材料を射出したのちに圧力を加える、所謂コンプレ
ッション法あるいはインジェクション−コンプレッショ
ン法といった形成手段を適用することもできる。
基板材料を射出したのちに圧力を加える、所謂コンプレ
ッション法あるいはインジェクション−コンプレッショ
ン法といった形成手段を適用することもできる。
また、基板１がガラスなどのセラミックスやエポキシな
どの熱硬化性樹脂にて形成される場合には、所望の信号
パターンの反転パターンが形成されたスタンパ（金型）
と基板ｌとの間で光硬化性樹脂を展伸し、スタンパの反
転パターンを基板ｌに転写する所謂２Ｐ法（ｒ’ｈｏｔ
ｏｐｏＬｙ＋＋ｅｒｉｚａｔｉｏｎ ：光硬化性樹脂法
）が適する。
どの熱硬化性樹脂にて形成される場合には、所望の信号
パターンの反転パターンが形成されたスタンパ（金型）
と基板ｌとの間で光硬化性樹脂を展伸し、スタンパの反
転パターンを基板ｌに転写する所謂２Ｐ法（ｒ’ｈｏｔ
ｏｐｏＬｙ＋＋ｅｒｉｚａｔｉｏｎ ：光硬化性樹脂法
）が適する。
さらに、エポキシなどの熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂に
関しては、金型内に溶融状態にある基板材料を静注して
基板ｌと信号パターン２とを一体に成形する所謂注型法
を適用することもできる。
関しては、金型内に溶融状態にある基板材料を静注して
基板ｌと信号パターン２とを一体に成形する所謂注型法
を適用することもできる。
第１の保護層３および第２の保護層５は、記録層４＾の
水分や腐蝕性ガスなどの侵入を防止して記録層４を保護
するものであって、タンタルの酸化物（例； Ｔ ａ
Ｏｔ ） 、シリコンの窒化物（例；Ｓｉ、ＮＪ）、シ
リコンの炭化物（例；５ｉＣ）、シリコンの酸化物（例
；ＳｉＯ，＋）、マグネシウムのブツ化物（例；Ｍ ｇ
Ｆ ｚ ）−アルミニウムの窒化物（例；ΔＩＮ）等
を用いることができる。
水分や腐蝕性ガスなどの侵入を防止して記録層４を保護
するものであって、タンタルの酸化物（例； Ｔ ａ
Ｏｔ ） 、シリコンの窒化物（例；Ｓｉ、ＮＪ）、シ
リコンの炭化物（例；５ｉＣ）、シリコンの酸化物（例
；ＳｉＯ，＋）、マグネシウムのブツ化物（例；Ｍ ｇ
Ｆ ｚ ）−アルミニウムの窒化物（例；ΔＩＮ）等
を用いることができる。
記録層４は、銀、銅、アルミニウムから選択された１１
！１以上の金属とゲルマニウムとを主成分とする合金に
て形成される。
！１以上の金属とゲルマニウムとを主成分とする合金に
て形成される。
この記録層４中のゲルマニウム濃度は、その相変化型光
記録媒体に要求される種々の特性に応じて適宜調整する
ことができる。そして、記録層４中のゲルマニウム濃度
をその合金の共晶点におけるゲルマニウム濃度の±（１
０〜１５）原子％の範囲に５１整すると、書き換えサイ
クルおよび消去速度が最も良好となる。
記録媒体に要求される種々の特性に応じて適宜調整する
ことができる。そして、記録層４中のゲルマニウム濃度
をその合金の共晶点におけるゲルマニウム濃度の±（１
０〜１５）原子％の範囲に５１整すると、書き換えサイ
クルおよび消去速度が最も良好となる。
また、この記録層４中には、他の元素を添加することが
できる。前記記録層４中に金、コバルト、亜鉛、スズ、
鉛から選択された１種以上の元素を添加すると、消去速
度や結晶化温度用の特性を適宜調整することができる。
できる。前記記録層４中に金、コバルト、亜鉛、スズ、
鉛から選択された１種以上の元素を添加すると、消去速
度や結晶化温度用の特性を適宜調整することができる。
この記録層４は、公知に属する任意の薄膜形成手段をも
って形成することができるが、量産性が良好であるとこ
ろから、スパッタ法が最も適切である。
って形成することができるが、量産性が良好であるとこ
ろから、スパッタ法が最も適切である。
なお１図に示した相変化型光記録媒体の膜構造は本発明
の実施の一例を示すものであって１本発明の要旨がこれ
に限定されるものではない０例えば、基板ｌをガラスに
て作製する場合には、第１の保護層３を省略することも
できる０反対に、例えば記録再生感度を向上するための
下地層など。
の実施の一例を示すものであって１本発明の要旨がこれ
に限定されるものではない０例えば、基板ｌをガラスに
て作製する場合には、第１の保護層３を省略することも
できる０反対に、例えば記録再生感度を向上するための
下地層など。
適宜の薄瞑層を追加することもできる。
以下、３例の具体的な実施例を掲げ１本発明の効果に言
及する。
及する。
く第１実施例〉
まず、インジエクショシ法によって１片面に所定の信号
パターンが転写されたポリカーボネート製の基板を作製
した。
パターンが転写されたポリカーボネート製の基板を作製
した。
次いで、この基板の信号パターン面に、スパッタ法によ
って、酸化タンタルの保護層を約１Ｏ０Ｏ（λ）の厚さ
に形成した。このときのスパッタ条件は、ターゲットが
酸化タンタル、真空槽中のアルゴンガス圧が５Ｘ Ｉ
０−１（ｒ’ａ）、投入高周波電力が２００ （Ｗａｔ
ｔ）である。
って、酸化タンタルの保護層を約１Ｏ０Ｏ（λ）の厚さ
に形成した。このときのスパッタ条件は、ターゲットが
酸化タンタル、真空槽中のアルゴンガス圧が５Ｘ Ｉ
０−１（ｒ’ａ）、投入高周波電力が２００ （Ｗａｔ
ｔ）である。
次いで、この呆護層上に、スパッタ法によって。
Δｇｒ、ｎＧＧ３ｕＡｕ＋ｏの記録層を約８００（入）
の厚さに積層した。このときのスパッタ条件は、ターゲ
ットがＡｇ−Ｇｅ−Ａｕ合金、真空槽中のアルゴンガス
圧が５ＸＩＯ” （ｒ’ａ）、投入高周波電力が３００
（Ｗａｔｔ）である。
の厚さに積層した。このときのスパッタ条件は、ターゲ
ットがＡｇ−Ｇｅ−Ａｕ合金、真空槽中のアルゴンガス
圧が５ＸＩＯ” （ｒ’ａ）、投入高周波電力が３００
（Ｗａｔｔ）である。
最後に、この記録層とに、先に説明したと同じ条件の下
で、酸１ヒタンタルの保護層を約ｔｏｏ。
で、酸１ヒタンタルの保護層を約ｔｏｏ。
（入）の厚さに積層した。
く第２実施例〉
基板上に酸化タンタルの保護層を形成したのち。
この保護層上に、スパッタ法によって、Ａ ｌ １１６
Ｇ Ｑ １ｂ Ｚ ｎ ｔｏの記ｊｕｌ＋を約７００
（λ）の厚さに積層した。このときのスパッタ本件は、
ターゲットがＡｌ−Ｇｏ−Ｚｎ合金、真空槽中のアルゴ
ンガス圧が６．７ＸＩＯ−１（ｒ’ａ）、投入高周波電
力が３５０ （Ｗａｔｔ）である。
Ｇ Ｑ １ｂ Ｚ ｎ ｔｏの記ｊｕｌ＋を約７００
（λ）の厚さに積層した。このときのスパッタ本件は、
ターゲットがＡｌ−Ｇｏ−Ｚｎ合金、真空槽中のアルゴ
ンガス圧が６．７ＸＩＯ−１（ｒ’ａ）、投入高周波電
力が３５０ （Ｗａｔｔ）である。
その他、基板および保護層の形成条件については、前記
第１′Ｘ施例と同様である。
第１′Ｘ施例と同様である。
く第３実施例〉
基板上に酸化タンタルの保護層を形成したのち、この保
護層上に、スパッタ法によって。
護層上に、スパッタ法によって。
Ｃｕ ｓｓ Ｇ ｅ ３１１の記録層を約１０００ （
入）の厚さに積層した。このときのスパッタ条件は、タ
ーゲットがＣｕ−Ｇｅ合金、真空槽中のアルゴンガス圧
が５Ｘ２０−’ （ｒ’ａ） 、投入高周波電力が４５
０（Ｗａｔｔ）である。
入）の厚さに積層した。このときのスパッタ条件は、タ
ーゲットがＣｕ−Ｇｅ合金、真空槽中のアルゴンガス圧
が５Ｘ２０−’ （ｒ’ａ） 、投入高周波電力が４５
０（Ｗａｔｔ）である。
その他、基板および保護層の形成条件については、前記
第１実施例と同様である。
第１実施例と同様である。
く比較例〉
基板上に酸化タンタルの保護層を形成したのち、この保
護層上に、スパッタ法によって。
護層上に、スパッタ法によって。
Ｉ ｎ ｓｚ Ｓ ｆ３ ａｍの記録層を約１０００
（入）の厚さに積層した。このときのスパッタ条件は
、ターゲットがＩｎ−８ａ合金、真空槽中のアルゴンガ
ス圧が５ＸＩＯ” （Ｐａ）、投入高周波電力が１００
（Ｗａｔｔ）である。
（入）の厚さに積層した。このときのスパッタ条件は
、ターゲットがＩｎ−８ａ合金、真空槽中のアルゴンガ
ス圧が５ＸＩＯ” （Ｐａ）、投入高周波電力が１００
（Ｗａｔｔ）である。
その他、基板および保護層の形成条件については、前記
各実施例の相変化型光記録媒体と同様である。
各実施例の相変化型光記録媒体と同様である。
第１表に、前記各実施例の相変化型光記録媒体と比較例
の相変化型光記録媒体との加速環境試験結果を示す。こ
こで、試験条件は、気温が６０”Ｃ。
の相変化型光記録媒体との加速環境試験結果を示す。こ
こで、試験条件は、気温が６０”Ｃ。
湿度が９５％ＲＨ１試験時間が５０００時間であ９１表
中の数値は、試験前の相変化型光記録媒体の反射率に対
する試験後の相変化型光記録媒体の反射率の低下比率（
単位；％）である。
中の数値は、試験前の相変化型光記録媒体の反射率に対
する試験後の相変化型光記録媒体の反射率の低下比率（
単位；％）である。
第１表
第１表から明らかなように、各実施例の相変化型光記録
媒体は、いずれも従来例（比較例）の相変化型光記録媒
体に比べて耐食性が格段に改善されており、媒体寿命の
延長に１効あることが判った。
媒体は、いずれも従来例（比較例）の相変化型光記録媒
体に比べて耐食性が格段に改善されており、媒体寿命の
延長に１効あることが判った。
第２表に、前記各実施例の相変化型光記録媒体および比
較例の相変化型光記録媒体について、それぞれ２０バツ
チ連続スパツタしたときのゲルマニウム含有率の変動幅
を示す、数値は２０枚の相変化型光記録媒体の平均値で
あり、単位は％である。
較例の相変化型光記録媒体について、それぞれ２０バツ
チ連続スパツタしたときのゲルマニウム含有率の変動幅
を示す、数値は２０枚の相変化型光記録媒体の平均値で
あり、単位は％である。
第２表
第２表に示すように１本発明の相変化型光記録媒体は、
組成の変動が１．２％以下であり、均質な相変化型光記
録媒体を効率よく盆産することができる。
組成の変動が１．２％以下であり、均質な相変化型光記
録媒体を効率よく盆産することができる。
本発明の相変化型光記録媒体は、銀、銅、アルミニウム
、ゲルマニウムなど、比較的耐食性に優九かつ毒性のな
い元素を記録層の主成分としたので、寿命が長く、毒性
が問題になることもない。
、ゲルマニウムなど、比較的耐食性に優九かつ毒性のな
い元素を記録層の主成分としたので、寿命が長く、毒性
が問題になることもない。
また、スパッタ法にて記録層を形成した場合の組成変動
が１．２％以内であることがら、均質な相変化型光記録
媒体を高効率で作製することができる。
が１．２％以内であることがら、均質な相変化型光記録
媒体を高効率で作製することができる。
図は本発明にががる相変化型光記録媒体の一例を模式的
に示す断面図である。 １：基板、２；（、”ｊす・パターン、３：第１の保護
層、４：記録層、５：第２のＩ５Ａ護層。 Ｉ：基板 ２、イ言号パターン ３、第１のイ示護層 ４；記作暦 ５：第２の仔語層
に示す断面図である。 １：基板、２；（、”ｊす・パターン、３：第１の保護
層、４：記録層、５：第２のＩ５Ａ護層。 Ｉ：基板 ２、イ言号パターン ３、第１のイ示護層 ４；記作暦 ５：第２の仔語層
Claims (3)
- （１）記録層の相変化を利用して情報を書き込み、相変
化に伴う反射率の変化を利用して情報を読み出す相変化
型光記録媒体において、前記記録層を、銀、銅、アルミ
ニウムから選択された１種以上の金属とゲルマニウムと
を主成分とする合金にて形成したことを特徴とする相変
化型光記録媒体。 - （２）請求項１記載の相変化型光記録媒体において、前
記記録層中のゲルマニウム濃度を、その合金の共晶点に
おけるゲルマニウム濃度の±（１０〜１５）原子％に調
整したことを特徴とする相変化型光記録媒体。 - （３）請求項１記載の相変化型光記録媒体において、前
記記録層に、金、コバルト、亜鉛、スズ、鉛から選択さ
れた１種以上の元素を添加したことを特徴とする相変化
型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63030032A JPH01205738A (ja) | 1988-02-13 | 1988-02-13 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63030032A JPH01205738A (ja) | 1988-02-13 | 1988-02-13 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205738A true JPH01205738A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12292477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63030032A Pending JPH01205738A (ja) | 1988-02-13 | 1988-02-13 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205738A (ja) |
-
1988
- 1988-02-13 JP JP63030032A patent/JPH01205738A/ja active Pending
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