JPH0477974B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0477974B2 JPH0477974B2 JP58188793A JP18879383A JPH0477974B2 JP H0477974 B2 JPH0477974 B2 JP H0477974B2 JP 58188793 A JP58188793 A JP 58188793A JP 18879383 A JP18879383 A JP 18879383A JP H0477974 B2 JPH0477974 B2 JP H0477974B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical memory
- substrate
- film
- transparent dielectric
- dielectric film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明はレーザ等の光により情報の記録・再
生・消去等を行なう光メモリ素子に関する。
生・消去等を行なう光メモリ素子に関する。
＜従来技術＞
近年、光メモリ素子は高密度・大容量のメモリ
である為に将来性を期待され、多方面で種々の研
究開発が行なわれている。この光メモリ素子が高
密度及び大容量となる理由は情報の記録単位であ
るビツトが光のビーム径だけで決まるため、その
形状を1μｍ程度の大きさにすることができるか
らである。しかしこの事は光メモリ素子に対する
情報の書き込み・読み取りを行なう装置に多くの
制限を加える事になる。即ちある定まつた場所に
情報を記録したりあるいは定まつた場所に記録さ
れた情報を再生したりするためには光ビームを極
めて正確に位置決めしなければならないのであ
る。一般に、再生専用の光メモリでは、記録した
ビツトに予め番地情報を入れておく事ができるの
で記録情報を再生しながら光ビームの位置決めが
可能となるが、追加記録メモリあるいは書き換え
可能なメモリにおいては、応報記録時に番地情報
まで一緒に記録する事が困難なため、この場合メ
モリ基板上に予め何等かのガイド信号及びガイド
番地を入れておく方法が採られる。例えば第１図
に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能な
メモリのメモリ基板の一部斜視図を示すが、同図
に示す如く基板に凹凸の溝を形成しておき、この
溝に添つて情報を記録あるいは再生するのであ
る。また上記凹凸の溝は円周方向に断続した形状
を有し、これが溝の番地を示すビツト情報を与え
る。この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類か提
案されているものの、生産性の点を考えた場合次
に挙げる２方法が一般的である。１つは第２図に
示す如く凹凸の溝の入つたスタンパー（例えば
Ni製）１を用い射出成形によりアクリルやポリ
カーボネート等の樹脂基板２に直接凹凸の溝を転
写する方法であり、他の１つは第３図に示す如く
ガラスあるいはアクリル等の基板４と凹凸の溝の
入つたスタンパー１との間に紫外線硬化樹脂３を
挿入し該紫外線硬化樹脂３に凹凸の溝を転写する
方法（2P法と呼ぶ）である。こうして作製され
た凹凸溝付基板上に引き続いて記録媒体が形成さ
れる。この記録媒体としては追加記録型に
TeOx、TeSe、TeC等の材料があり、書き換え
可能型にGdTbFe、GdTbDyFe、TbFe等の材料
が知られている。しかし、これらの記録媒体の大
半は耐食性に欠けておりこのことが光メモリ素子
としてしばしば不都合な点となつていた。例えば
追加記録型の代表であるTeベースの材料におい
ては酸化腐食の進行により反射率・透過率が変化
し再生特性が悪化した。また書き換え可能型の媒
体である希土類・遷移金属合金においても希土類
金属が特に酸化しやすいため、酸化腐食の進行に
伴い保磁力の変化を生じ、その為に記録感度の変
動という好ましくない問題を生じていた。こうし
た腐食の誘因としては記録媒体形成前に基板上に
吸着していた酸素や水分あるいはスパツタリング
法のような成膜法であれば基板上への成膜中に基
板成分の分離によつて生ずる酸素等、及び媒体形
成後の酸化物保護膜作成時に混入する分離酸素等
が挙げられる。又、凹凸溝付樹脂製基板を備えた
光メモリ素子ではその樹脂製基板を通して侵入す
る酸素あるいは水分等も大きな問題となつてい
た。
である為に将来性を期待され、多方面で種々の研
究開発が行なわれている。この光メモリ素子が高
密度及び大容量となる理由は情報の記録単位であ
るビツトが光のビーム径だけで決まるため、その
形状を1μｍ程度の大きさにすることができるか
らである。しかしこの事は光メモリ素子に対する
情報の書き込み・読み取りを行なう装置に多くの
制限を加える事になる。即ちある定まつた場所に
情報を記録したりあるいは定まつた場所に記録さ
れた情報を再生したりするためには光ビームを極
めて正確に位置決めしなければならないのであ
る。一般に、再生専用の光メモリでは、記録した
ビツトに予め番地情報を入れておく事ができるの
で記録情報を再生しながら光ビームの位置決めが
可能となるが、追加記録メモリあるいは書き換え
可能なメモリにおいては、応報記録時に番地情報
まで一緒に記録する事が困難なため、この場合メ
モリ基板上に予め何等かのガイド信号及びガイド
番地を入れておく方法が採られる。例えば第１図
に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能な
メモリのメモリ基板の一部斜視図を示すが、同図
に示す如く基板に凹凸の溝を形成しておき、この
溝に添つて情報を記録あるいは再生するのであ
る。また上記凹凸の溝は円周方向に断続した形状
を有し、これが溝の番地を示すビツト情報を与え
る。この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類か提
案されているものの、生産性の点を考えた場合次
に挙げる２方法が一般的である。１つは第２図に
示す如く凹凸の溝の入つたスタンパー（例えば
Ni製）１を用い射出成形によりアクリルやポリ
カーボネート等の樹脂基板２に直接凹凸の溝を転
写する方法であり、他の１つは第３図に示す如く
ガラスあるいはアクリル等の基板４と凹凸の溝の
入つたスタンパー１との間に紫外線硬化樹脂３を
挿入し該紫外線硬化樹脂３に凹凸の溝を転写する
方法（2P法と呼ぶ）である。こうして作製され
た凹凸溝付基板上に引き続いて記録媒体が形成さ
れる。この記録媒体としては追加記録型に
TeOx、TeSe、TeC等の材料があり、書き換え
可能型にGdTbFe、GdTbDyFe、TbFe等の材料
が知られている。しかし、これらの記録媒体の大
半は耐食性に欠けておりこのことが光メモリ素子
としてしばしば不都合な点となつていた。例えば
追加記録型の代表であるTeベースの材料におい
ては酸化腐食の進行により反射率・透過率が変化
し再生特性が悪化した。また書き換え可能型の媒
体である希土類・遷移金属合金においても希土類
金属が特に酸化しやすいため、酸化腐食の進行に
伴い保磁力の変化を生じ、その為に記録感度の変
動という好ましくない問題を生じていた。こうし
た腐食の誘因としては記録媒体形成前に基板上に
吸着していた酸素や水分あるいはスパツタリング
法のような成膜法であれば基板上への成膜中に基
板成分の分離によつて生ずる酸素等、及び媒体形
成後の酸化物保護膜作成時に混入する分離酸素等
が挙げられる。又、凹凸溝付樹脂製基板を備えた
光メモリ素子ではその樹脂製基板を通して侵入す
る酸素あるいは水分等も大きな問題となつてい
た。
＜目的＞
本発明は以上の従来技術に改良を加えたもの
で、水分、酸素等による記録媒体の腐食に対して
高い信頼性を有する光メモリ素子を提供すること
を目的とするものである。
で、水分、酸素等による記録媒体の腐食に対して
高い信頼性を有する光メモリ素子を提供すること
を目的とするものである。
＜実施例＞
以下、本発明に係る光メモリ素子の一実施例に
ついて図面を用いて詳細に説明する。第４図は本
発明に係る光メモリ素子の一実施例の構造を示す
一部側面断面図である。５はガラスまたはアクリ
ル製の基板でありその上に前述した2P法にて形
成された凹凸溝を有した紫外線硬化樹脂層３が設
けられ、その上に膜厚900〜1000ÅのAlN（窒化
アルミニウム）膜６（透明誘電体膜）が、窒素雰
囲気中でのアルミニウムの反応性スパツタリング
によつて形成され、その上に膜厚300〜500Åの
GdTbFe非晶質合金薄膜７（希土類・遷移金属か
らなる記録媒体）がスパツタリングによつて形成
され、その上に膜厚400〜500ÅのAlN膜８が形
成され、その上にCu、Al、ステンレス、Ni等の
金属からなる反射膜９が形成される。上記窒化膜
６は溝付紫外線樹脂層３側からの酸素及び水分の
上記合金薄膜７への混入を防止している。この窒
化膜６及び外部より侵入する酸素・水分を防禦す
る窒化膜８はともに窒化物であるが故に成膜時の
分離酸素が発生する虞れも無い。また本例では上
記窒化膜６，８及び反射膜９は磁気光学効果の特
性向上も促している。
ついて図面を用いて詳細に説明する。第４図は本
発明に係る光メモリ素子の一実施例の構造を示す
一部側面断面図である。５はガラスまたはアクリ
ル製の基板でありその上に前述した2P法にて形
成された凹凸溝を有した紫外線硬化樹脂層３が設
けられ、その上に膜厚900〜1000ÅのAlN（窒化
アルミニウム）膜６（透明誘電体膜）が、窒素雰
囲気中でのアルミニウムの反応性スパツタリング
によつて形成され、その上に膜厚300〜500Åの
GdTbFe非晶質合金薄膜７（希土類・遷移金属か
らなる記録媒体）がスパツタリングによつて形成
され、その上に膜厚400〜500ÅのAlN膜８が形
成され、その上にCu、Al、ステンレス、Ni等の
金属からなる反射膜９が形成される。上記窒化膜
６は溝付紫外線樹脂層３側からの酸素及び水分の
上記合金薄膜７への混入を防止している。この窒
化膜６及び外部より侵入する酸素・水分を防禦す
る窒化膜８はともに窒化物であるが故に成膜時の
分離酸素が発生する虞れも無い。また本例では上
記窒化膜６，８及び反射膜９は磁気光学効果の特
性向上も促している。
なお、窒化膜としては実施例で使用したAlN
（窒化アルミニウム）の他にTiN（窒化チタン）
等を使用することができる。
（窒化アルミニウム）の他にTiN（窒化チタン）
等を使用することができる。
＜効果＞
本発明によれば、射出成形や2P法によつてガ
イド溝を形成した樹脂材を備えた光メモリ素子に
おいて、記録媒体を酸素を含まない窒化膜にて挾
持した構造とすることで記録媒体の酸化による劣
化を防ぎ信頼性の高い光メモリ素子を得ることが
できるものである。
イド溝を形成した樹脂材を備えた光メモリ素子に
おいて、記録媒体を酸素を含まない窒化膜にて挾
持した構造とすることで記録媒体の酸化による劣
化を防ぎ信頼性の高い光メモリ素子を得ることが
できるものである。
第１図は従来のメモリ基板の一部斜視図、第２
図及び第３図は溝付きメモリ基板の製造過程を示
す説明図、第４図は本発明に係る光メモリ素子の
一実施例の構成を示す一部側面断面図を示す。 図中、１：スタンパー、２：樹脂基板、３：紫
外線硬化樹脂、４：基板、５：ガラスまたはアク
リル基板、６：AlN膜、７：合金薄膜、８：
AlN膜、９：反射膜。
図及び第３図は溝付きメモリ基板の製造過程を示
す説明図、第４図は本発明に係る光メモリ素子の
一実施例の構成を示す一部側面断面図を示す。 図中、１：スタンパー、２：樹脂基板、３：紫
外線硬化樹脂、４：基板、５：ガラスまたはアク
リル基板、６：AlN膜、７：合金薄膜、８：
AlN膜、９：反射膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス又はアクリル製の基板と、 該基板上に形成された凹凸溝を有する紫外線硬
化樹脂層と、 該紫外線硬化樹脂層上に形成された窒化アルミ
ニウム又は窒化チタンからなる第１の透明誘電体
膜と、 該第１の透明誘電体膜上に接して形成された希
土類・遷移金属合金からなる光メモリ記録媒体薄
膜と、 該記録媒体薄膜上に接して形成された窒化アル
ミニウム又は窒化チタンからなる第２の透明誘電
体膜と、 金属反射膜とを 備えることを特徴とする光メモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58188793A JPS6080144A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光メモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58188793A JPS6080144A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080144A JPS6080144A (ja) | 1985-05-08 |
| JPH0477974B2 true JPH0477974B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=16229892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58188793A Granted JPS6080144A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光メモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080144A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163248A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Kyocera Corp | 磁気記録素子 |
| JPS6246449A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62184639A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPS62222450A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Hitachi Ltd | 記録媒体 |
| JP2526864B2 (ja) * | 1986-04-16 | 1996-08-21 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体 |
| JPS62285256A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6383940A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスクの製造方法 |
| JPH01211253A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 光学的情報信号記録媒体 |
| JPH01298544A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0291837A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH02226531A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-10 | Hitachi Ltd | 光デイスクの構造 |
| JPH02134739A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58188793A patent/JPS6080144A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6080144A (ja) | 1985-05-08 |
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