JPH01208462A - 気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲット材原料及びターゲット材の製法、並びに、それら製法により得られるターゲット材原料及びターゲット材 - Google Patents
気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲット材原料及びターゲット材の製法、並びに、それら製法により得られるターゲット材原料及びターゲット材Info
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- JPH01208462A JPH01208462A JP3368188A JP3368188A JPH01208462A JP H01208462 A JPH01208462 A JP H01208462A JP 3368188 A JP3368188 A JP 3368188A JP 3368188 A JP3368188 A JP 3368188A JP H01208462 A JPH01208462 A JP H01208462A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲ
ット材の粉粒状原料を乾式の摩砕混合装置で一次粉砕混
合処理し、その一次粉砕混合処理で得た微粉状原料を仮
焼処理し、その仮焼処理で得た粉粒状原料を乾式の摩砕
混合装置で二次粉砕混合処理するターゲット材原料の製
法、並びに、その原料から得られるターゲット材の製法
、並びに、それら製法により得られるターゲット材原料
及びターゲット材に関する。
ット材の粉粒状原料を乾式の摩砕混合装置で一次粉砕混
合処理し、その一次粉砕混合処理で得た微粉状原料を仮
焼処理し、その仮焼処理で得た粉粒状原料を乾式の摩砕
混合装置で二次粉砕混合処理するターゲット材原料の製
法、並びに、その原料から得られるターゲット材の製法
、並びに、それら製法により得られるターゲット材原料
及びターゲット材に関する。
従来、乾式の摩砕混合装置として、例えば第８図に示す
ように、粉砕混合用のボール（３１）を内装したドラム
状ケーシング（３２）を横向き軸芯周りで緩速駆動回転
するボールミルを使用し、ボール（３１）どうしの間及
びボール（３１）とケーシング（３２）の間で粉粒状原
料を粉砕す骨と共に、ケーシング（３２）の回転に伴っ
て粉粒状原料を混合して、一次粉砕混合処理と二次粉砕
混合処理を実行していた。
ように、粉砕混合用のボール（３１）を内装したドラム
状ケーシング（３２）を横向き軸芯周りで緩速駆動回転
するボールミルを使用し、ボール（３１）どうしの間及
びボール（３１）とケーシング（３２）の間で粉粒状原
料を粉砕す骨と共に、ケーシング（３２）の回転に伴っ
て粉粒状原料を混合して、一次粉砕混合処理と二次粉砕
混合処理を実行していた。
そして、一次粉砕混合処理と二次粉砕混合処理の間に仮
焼を施し、仮焼処理による発生気体や不純物の除去、及
び、二次粉砕混合処理による微粉化と均一分散化を充分
に達成できるようにしていた。
焼を施し、仮焼処理による発生気体や不純物の除去、及
び、二次粉砕混合処理による微粉化と均一分散化を充分
に達成できるようにしていた。
さらに説明すると、粉粒状原料をそのまま一次粉砕混合
処理することによって、共沈法、つまり粉粒状原料を水
溶液にして共沈させた後、固液分離処理と乾燥処理を施
し、その後で一次粉砕混合処理する方法のように、原料
組成と製品組成が相違する欠点を無くすようにし、製品
組成の精密コントロールを容易にしていた。
処理することによって、共沈法、つまり粉粒状原料を水
溶液にして共沈させた後、固液分離処理と乾燥処理を施
し、その後で一次粉砕混合処理する方法のように、原料
組成と製品組成が相違する欠点を無くすようにし、製品
組成の精密コントロールを容易にしていた。
しかし、ボールミルによる原料粉粒体の一次及び二次粉
砕混合処理では、粉砕混合効率が悪いために処理時間が
長くなり、かつ、粉砕と混合が未だ不十分なために、超
電導性において優れた薄膜を得るに必要なターゲット材
の条件、つまり成分が精密に分散していること、及び、
緻密な成型体であることの条件において不十分になる欠
点があった。
砕混合処理では、粉砕混合効率が悪いために処理時間が
長くなり、かつ、粉砕と混合が未だ不十分なために、超
電導性において優れた薄膜を得るに必要なターゲット材
の条件、つまり成分が精密に分散していること、及び、
緻密な成型体であることの条件において不十分になる欠
点があった。
本発明の目的は、一次及び二次粉砕混合処理を能率良く
実行できると共に、優れたターゲット材を得るに十分な
粉砕と混合を確実に実現できるようにする点にある。
実行できると共に、優れたターゲット材を得るに十分な
粉砕と混合を確実に実現できるようにする点にある。
本発明の特徴手段は、気相法で超電導材の薄膜を造るた
めのターゲット材の粉粒状原料を一次粉砕混合処理、仮
焼処理、二次粉砕混合処理の順で処理するに際し、乾式
の摩砕混合装置による一次粉砕混合処理及び二次粉砕混
合処理において、ケーシングを高速駆動回転させて、粉
粒状原料をそのケーシングの内周面に遠心力で押し付け
、その押し付けで形成した原料層に、前記ケーシングに
対して相対回転する摩砕片と掻取り片を作用させ、前記
摩砕片による圧縮力と剪断力で粉粒状原料を微粉砕する
と共に、前記掻取り片の作用で粉粒状原料を攪拌混合す
ることにあり、その作用効果は次の通りである。
めのターゲット材の粉粒状原料を一次粉砕混合処理、仮
焼処理、二次粉砕混合処理の順で処理するに際し、乾式
の摩砕混合装置による一次粉砕混合処理及び二次粉砕混
合処理において、ケーシングを高速駆動回転させて、粉
粒状原料をそのケーシングの内周面に遠心力で押し付け
、その押し付けで形成した原料層に、前記ケーシングに
対して相対回転する摩砕片と掻取り片を作用させ、前記
摩砕片による圧縮力と剪断力で粉粒状原料を微粉砕する
と共に、前記掻取り片の作用で粉粒状原料を攪拌混合す
ることにあり、その作用効果は次の通りである。
つまり、高速駆動回転するケーシングの内周面に遠心力
によって粉粒状原料を押付け、粉粒状原料の動きが遠心
力で制限されている原料層に対して、摩砕片を相対回転
させて摩砕作用させるから、摩砕片による原料の擦りつ
ぶしを強力かつ確実に、さらには効率良く実現できる。
によって粉粒状原料を押付け、粉粒状原料の動きが遠心
力で制限されている原料層に対して、摩砕片を相対回転
させて摩砕作用させるから、摩砕片による原料の擦りつ
ぶしを強力かつ確実に、さらには効率良く実現できる。
その上、原料層をそれに対して相対回転する掻取り片で
攪拌混合するから、粉粒状原料の混合及び分散を確実か
つ十分に、さらには効率良く実現でき、全体として、摩
砕片と掻取り片による原料の微粉砕と攪拌混合を短時間
で確実かつ十分に、さらには均等に実行でき、さらには
複合超微粉を造ることができる。
攪拌混合するから、粉粒状原料の混合及び分散を確実か
つ十分に、さらには効率良く実現でき、全体として、摩
砕片と掻取り片による原料の微粉砕と攪拌混合を短時間
で確実かつ十分に、さらには均等に実行でき、さらには
複合超微粉を造ることができる。
したがって、原料の一次及び二次粉砕混合処理を従来法
よりも極めて短時間で完了できて、製造コストの十分な
低減を図れるようになった。
よりも極めて短時間で完了できて、製造コストの十分な
低減を図れるようになった。
また、二次粉砕混合処理後の微粉状原料を成型、焼成し
て得たターゲット材の性状を調べたところ、前述の従来
法よりも本発明法が十分に優れたターゲット材を得られ
る事実が判明した。
て得たターゲット材の性状を調べたところ、前述の従来
法よりも本発明法が十分に優れたターゲット材を得られ
る事実が判明した。
これは、本発明法によれば従来法よりも十分に微細で成
分が精密に分散している微粉状原料が得られるため、成
型を密にできて緻密な構造のターゲット材を製造できる
と共に、成分の分散状態を極めて均等にできるためであ
る。
分が精密に分散している微粉状原料が得られるため、成
型を密にできて緻密な構造のターゲット材を製造できる
と共に、成分の分散状態を極めて均等にできるためであ
る。
その結果、気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲ
ット材を、安価に製造できると共に、超電導性において
極めて優れた超電導材の薄膜を確実に得られるものにで
き、高品質で安価な超電導材薄膜製造用のターゲット材
を提供できるようになった。
ット材を、安価に製造できると共に、超電導性において
極めて優れた超電導材の薄膜を確実に得られるものにで
き、高品質で安価な超電導材薄膜製造用のターゲット材
を提供できるようになった。
〔実施例］
次に実施例を示す。
第１図に示すように、超電導材の粉粒状原料夫々を秤量
し、秤量した粉粒状原料を乾式の摩砕混合装置で一次粉
砕混合処理し１、一次粉砕混合処理で得た微粉状原料を
仮焼処理し、仮焼処理で得た粉粒状原料を乾式の摩砕混
合装置で二次粉砕混合処理し、もって、気相法で超電導
材の薄膜を造るためのターゲット材の原料を製造する。
し、秤量した粉粒状原料を乾式の摩砕混合装置で一次粉
砕混合処理し１、一次粉砕混合処理で得た微粉状原料を
仮焼処理し、仮焼処理で得た粉粒状原料を乾式の摩砕混
合装置で二次粉砕混合処理し、もって、気相法で超電導
材の薄膜を造るためのターゲット材の原料を製造する。
次に、二次粉砕混合処理で得た微粉状原料を成型し、成
型品を焼成してターゲット材を製造する。
型品を焼成してターゲット材を製造する。
前述の摩砕混合装置について、第２図及び第３図により
次に詳述する。
次に詳述する。
基台（１）に取付けられた縦向き回転軸（２）の上端に
、処理室（３）を形成する有底筒状ケーシング（４）を
同芯状に取付け、電動モータ（５ａ）及び変速機（５ｂ
）等から成る駆動装置（５）を回転軸（２）の下端に連
動させ、ケーシング（４）をその内部の粉粒状原料が遠
心力によりケーシング内周面（４ａ）に押付けられるよ
うに高速駆動回転すべ（構成し、かつ、原料の性状に応
じて適切な遠心力が得られるようにケーシング（４）の
回転速度を調整可能に構成しである。
、処理室（３）を形成する有底筒状ケーシング（４）を
同芯状に取付け、電動モータ（５ａ）及び変速機（５ｂ
）等から成る駆動装置（５）を回転軸（２）の下端に連
動させ、ケーシング（４）をその内部の粉粒状原料が遠
心力によりケーシング内周面（４ａ）に押付けられるよ
うに高速駆動回転すべ（構成し、かつ、原料の性状に応
じて適切な遠心力が得られるようにケーシング（４）の
回転速度を調整可能に構成しである。
ケーシング（４）はカバー（７）で包囲され、ケータン
ク（４）の下部にファン（１２）を連設し、カバー（７
）に形成した吸気口（１３）から外気を吸引して、吸引
外気によりケーシング（４）を冷却するように構成し、
また、吸引外気をカバー（７）に接続した搬送用流路（
１０）に微粉状原料搬送用ガスとして導くように構成し
である。又、微粉状原料を処理室（３）からカバー（７
）側に移すために、ケーシング（４）の上端中心部を開
口させて、原料のオーバーフロー式排出口（１１）を形
成しである。
ク（４）の下部にファン（１２）を連設し、カバー（７
）に形成した吸気口（１３）から外気を吸引して、吸引
外気によりケーシング（４）を冷却するように構成し、
また、吸引外気をカバー（７）に接続した搬送用流路（
１０）に微粉状原料搬送用ガスとして導くように構成し
である。又、微粉状原料を処理室（３）からカバー（７
）側に移すために、ケーシング（４）の上端中心部を開
口させて、原料のオーバーフロー式排出口（１１）を形
成しである。
回転軸（２）と同君の回転軸（８ａ）の上端部に固定し
た状態で、中心上部に円錐状部分（８ｃ）を形成した支
持体（８ｂ）をケーシング（４）内に設けである。
た状態で、中心上部に円錐状部分（８ｃ）を形成した支
持体（８ｂ）をケーシング（４）内に設けである。
ケーシング内周面（４ａ）との協働で原料を圧縮し剪断
する摩砕片（９ａ）、及び、原料を攪拌混合し分散する
掻取り片（９ｂ）を、ケーシング（４）回転方向に適当
な間隔で並べた状態で支持体（８ａ）の先端に取付けて
処理室（３）内に配置しである。
する摩砕片（９ａ）、及び、原料を攪拌混合し分散する
掻取り片（９ｂ）を、ケーシング（４）回転方向に適当
な間隔で並べた状態で支持体（８ａ）の先端に取付けて
処理室（３）内に配置しである。
摩砕片（９ａ）に、ケーシング（４）との隙間がケーシ
ング（４）の回転方向側はど狭くなるように形成した傾
斜面を持たせ、そして、掻取り片（９ｂ）を、ケーシン
グ（４）との隙間がケーシング（４）の回転方向側はど
広くなり、かつ、その作用面が次第に幅広となるような
（さび状又は櫛菌状に形成しである。
ング（４）の回転方向側はど狭くなるように形成した傾
斜面を持たせ、そして、掻取り片（９ｂ）を、ケーシン
グ（４）との隙間がケーシング（４）の回転方向側はど
広くなり、かつ、その作用面が次第に幅広となるような
（さび状又は櫛菌状に形成しである。
回転軸（８ａ）を駆動装置（５）に連動させ、ケーシン
グ（４）に対して一定の速度差で摩砕片（９ａ）及び掻
取り片（９ｂ）を相対回転させて、摩砕片（９ａ）によ
る微粉砕と掻取り片（９ｂ）による攪拌混合が行われる
ように構成しである。
グ（４）に対して一定の速度差で摩砕片（９ａ）及び掻
取り片（９ｂ）を相対回転させて、摩砕片（９ａ）によ
る微粉砕と掻取り片（９ｂ）による攪拌混合が行われる
ように構成しである。
回転軸（８ａ）内に、支持体（８ｂ）、摩砕片（９ａ）
、掻取り片（９ｂ）に加熱あるいは冷却用媒体を流入さ
せる通路（２７）を形成し、ロータリージヨイント（２
４）により通路（２７）を媒体貯蔵用タンク（２６）に
接続しである。
、掻取り片（９ｂ）に加熱あるいは冷却用媒体を流入さ
せる通路（２７）を形成し、ロータリージヨイント（２
４）により通路（２７）を媒体貯蔵用タンク（２６）に
接続しである。
カバー（７）の中心部に、支持体（８ｂ）の円錐状部分
（８ｃ）に向けてフィーダ（１９）からの原料を流下供
給させるための経路（６）をパイプ（１４）の付設によ
って形成し、必要により加熱あるいは冷却させた適量の
空気や不活性ガス等の搬送用ガスを供給する送風機（１
８）を経路（６）に接続し、又、カバー（７）の周囲に
ジャケット（２５）を具備させ、タンク（２６）からの
加熱又は冷却用の媒体を通すように構成しである。
（８ｃ）に向けてフィーダ（１９）からの原料を流下供
給させるための経路（６）をパイプ（１４）の付設によ
って形成し、必要により加熱あるいは冷却させた適量の
空気や不活性ガス等の搬送用ガスを供給する送風機（１
８）を経路（６）に接続し、又、カバー（７）の周囲に
ジャケット（２５）を具備させ、タンク（２６）からの
加熱又は冷却用の媒体を通すように構成しである。
捕集器（１５）、及び、排風機（１６）をその順に流路
（１０）に接続し、捕集器（１５）の排出口に、微粉状
原料を回収するロータリーフィーダ（１７）を設けであ
る。
（１０）に接続し、捕集器（１５）の排出口に、微粉状
原料を回収するロータリーフィーダ（１７）を設けであ
る。
要するに、ケーシング（４）を高速駆動回転させて、フ
ィーダ（１９）からの粉粒状原料をケーシング内周面（
４ａ）に遠心力で押付け、その押付けで形成した原料層
に、ケーシング（４）に対して相対回転する摩砕片（９
ａ）と掻取り片（９ｂ）を作用させ、摩砕片（９ａ）で
原料を微粉砕すると共に、掻取り片（９ｂ）で原料を攪
拌混合し、十分に微細になると共に均一に混合された微
粉状原料を気流搬送して補集器（１５）で回収するので
ある。
ィーダ（１９）からの粉粒状原料をケーシング内周面（
４ａ）に遠心力で押付け、その押付けで形成した原料層
に、ケーシング（４）に対して相対回転する摩砕片（９
ａ）と掻取り片（９ｂ）を作用させ、摩砕片（９ａ）で
原料を微粉砕すると共に、掻取り片（９ｂ）で原料を攪
拌混合し、十分に微細になると共に均一に混合された微
粉状原料を気流搬送して補集器（１５）で回収するので
ある。
次に実験例を示す。
（イ）気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲット
材の粉粒状原料としてのＹ２Ｏ：ＩＩ ＢａＣ０，、。
材の粉粒状原料としてのＹ２Ｏ：ＩＩ ＢａＣ０，、。
ＣｕＯを夫々、Ｙａ：Ｂａ ：Ｃｕ＝ １ ： ２ ：
３になるように秤量した。それら粉粒状原料の粒度分
布は、レーザ回折法によると第４図に示す通りであった
。
３になるように秤量した。それら粉粒状原料の粒度分
布は、レーザ回折法によると第４図に示す通りであった
。
（０） 秤量した原料を前述の摩砕混合装置により一
次粉砕混合処理した。処理温度は８０〜１４０゛Ｃであ
り、処理時間は１．５時間であった。
次粉砕混合処理した。処理温度は８０〜１４０゛Ｃであ
り、処理時間は１．５時間であった。
一次粉砕混合処理で得た微粉の粒度分布は、レーザ回折
法によると第５図に○印で示す通りであり、原料粒度分
布より計算した混合原料の粒度分布（・印で示す）に比
して十分に微粉砕されていた。
法によると第５図に○印で示す通りであり、原料粒度分
布より計算した混合原料の粒度分布（・印で示す）に比
して十分に微粉砕されていた。
（ハ）一次粉砕混合処理で得た微粉状原料を電気炉で仮
焼処理し、発生気体や不純物を除去した。炉内温度変化
は第６図に示す通りであった。
焼処理し、発生気体や不純物を除去した。炉内温度変化
は第６図に示す通りであった。
（＝）仮焼処理で得た粉粒状原料を前述の摩砕混合装置
により二次粉砕混合処理した。処理温度は１２０°Ｃで
あり、処理時間は３時間であった。
により二次粉砕混合処理した。処理温度は１２０°Ｃで
あり、処理時間は３時間であった。
二次粉砕混合処理で得た微粉の粒度分布は、レーザ回折
法によると第５図にΔ印で示す通りであった。
法によると第５図にΔ印で示す通りであった。
（ネ）二次粉砕混合処理で得た微粉を成型して電気炉に
より焼成し、ターゲット材を造った。
より焼成し、ターゲット材を造った。
炉内温度変化は第７図に示す通りである。
次に、別実施例を説明する。
原料は種類、混合割合、粒度、その他において適当に選
択でき、１成分のターゲット材にしてもよい。原料によ
っては仮焼処理と二次粉砕混合処理を複数回づつ実施し
てもよい。
択でき、１成分のターゲット材にしてもよい。原料によ
っては仮焼処理と二次粉砕混合処理を複数回づつ実施し
てもよい。
乾式の摩砕混合装置の具体構成は適当に変更でき、例え
ば、ケーシング（４）の回転軸芯を傾斜させたり横向き
にしたり、摩砕片（９ａ）や掻取り片（９ｂ）をケーシ
ング（４）側へ接触しない範囲で流体圧やスプリングで
付勢したり、摩砕片（９ａ）と掻取り片（９ｂ）の回転
を停止させたり、摩砕片（９ａ）、掻取り片（９ｂ）の
形状、材質、設置数などを適当に変更したり、バッチ処
理するように捕集器（１５）からケーシング（４）に微
粉を還元供給するように構成する等が可能である。
ば、ケーシング（４）の回転軸芯を傾斜させたり横向き
にしたり、摩砕片（９ａ）や掻取り片（９ｂ）をケーシ
ング（４）側へ接触しない範囲で流体圧やスプリングで
付勢したり、摩砕片（９ａ）と掻取り片（９ｂ）の回転
を停止させたり、摩砕片（９ａ）、掻取り片（９ｂ）の
形状、材質、設置数などを適当に変更したり、バッチ処
理するように捕集器（１５）からケーシング（４）に微
粉を還元供給するように構成する等が可能である。
仮焼処理や焼成において温度条件をいかに設定するかは
、原料に見合って適当に選択でき、また、成型における
方式、設備、形状などは適宜選択自在である。
、原料に見合って適当に選択でき、また、成型における
方式、設備、形状などは適宜選択自在である。
ターゲット材によって超電導材の薄膜を造るための気相
法は公知のものから適当に選定でき、例えば次のものを
利用できる。
法は公知のものから適当に選定でき、例えば次のものを
利用できる。
（イ） スパッタ法
ターゲット材にプラズマを衝突させて元素を蒸発させ、
蒸発元素を基板に付着させて、超電導材の薄膜を基板に
形成する。
蒸発元素を基板に付着させて、超電導材の薄膜を基板に
形成する。
（Ｅｌ） 蒸着法
ターゲット材に電子ビームを衝突させて元素を蒸発させ
、蒸発元素を基板に付着させて、超電導材の薄膜を基板
に形成する。
、蒸発元素を基板に付着させて、超電導材の薄膜を基板
に形成する。
超電導材の薄膜の用途は電子デバイス、その他いかなる
ものでもよい。
ものでもよい。
尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を便利にする為
に符号を記すが、該記入により本発明は添付図面の構造
に限定されるものではない。
に符号を記すが、該記入により本発明は添付図面の構造
に限定されるものではない。
第１図ないし第３図は本発明の実施例を示し、第１図は
フローシート、第２図は摩砕混合装置の概念図、第３図
は第２図のＩ［［−ＩＩＩ線断面図である。第４図ない
し第７図は実験を説明するためのグラフである。第８図
は従来例を説明するための概念図である。 （４）・・・・・・ケーシング、（４ａ）・・・・・・
ケーシング内周面、（９ａ）・・・・・・摩砕片、（９
ｂ）・・・・・・掻取り片。
フローシート、第２図は摩砕混合装置の概念図、第３図
は第２図のＩ［［−ＩＩＩ線断面図である。第４図ない
し第７図は実験を説明するためのグラフである。第８図
は従来例を説明するための概念図である。 （４）・・・・・・ケーシング、（４ａ）・・・・・・
ケーシング内周面、（９ａ）・・・・・・摩砕片、（９
ｂ）・・・・・・掻取り片。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲット材
の粉粒状原料を乾式の摩砕混合装置で一次粉砕混合処理
し、その一次粉砕混合処理で得た微粉状原料を仮焼処理
し、その仮焼処理で得た粉粒状原料を乾式の摩砕混合装
置で二次粉砕混合処理するターゲット材原料の製法であ
って、前記乾式の摩砕混合装置による一次粉砕混合処理
及び二次粉砕混合処理において、ケーシング（４）を高
速駆動回転させて、粉粒状原料をそのケーシング（４）
の内周面（４ａ）に遠心力で押し付け、その押し付けで
形成した原料層に、前記ケーシング（４）に対して相対
回転する摩砕片（９ａ）と掻取り片（９ｂ）を作用させ
、前記摩砕片（９ａ）による圧縮力と剪断力で粉粒状原
料を微粉砕すると共に、前記掻取り片（９ｂ）の作用で
粉粒状原料を攪拌混合する気相法で超電導材の薄膜を造
るためのターゲット材原料の製法。 ２、気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲット材
の粉粒状原料を乾式の摩砕混合装置で一次粉砕混合処理
し、その一次粉砕混合処理で得た微粉状原料を仮焼処理
し、その仮焼処理で得た粉粒状原料を乾式の摩砕混合装
置で二次粉砕混合処理し、その二次粉砕混合処理で得た
微粉状原料を成型して焼成するターゲット材の製法であ
って、前記乾式の摩砕混合装置による一次粉砕混合処理
及び二次粉砕混合処理において、ケーシング（４）を高
速駆動回転させて、粉粒状原料をそのケーシング（４）
の内周面（４ａ）に遠心力で押し付け、その押し付けで
形成した原料層に、前記ケーシング（４）に対して相対
回転する摩砕片（９ａ）と掻取り片（９ｂ）を作用させ
、前記摩砕片（９ａ）による圧縮力と剪断力で粉粒状原
料を微粉砕すると共に、前記掻取り片（９ｂ）の作用で
粉粒状原料を攪拌混合する気相法で超電導材の薄膜を造
るためのターゲット材の製法。 ３、気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲット材
の粉粒状原料を乾式の摩砕混合装置で一次粉砕混合処理
し、その一次粉砕混合処理で得た微粉状原料を仮焼処理
し、その仮焼処理で得た粉粒状原料を乾式の摩砕混合装
置で二次粉砕混合処理して製造したターゲット材原料で
あって、前記乾式の摩砕混合装置による一次粉砕混合処
理及び二次粉砕混合処理において、ケーシング（４）を
高速駆動回転させて、粉粒状原料をそのケーシング（４
）の内周面（４ａ）に遠心力で押し付け、その押し付け
で形成した原料層に、前記ケーシング（４）に対して相
対回転する摩砕片（９ａ）と掻取り片（９ｂ）を作用さ
せ、前記摩砕片（９ａ）による圧縮力と剪断力で粉粒状
原料を微粉砕すると共に、前記掻取り片（９ｂ）の作用
で粉粒状原料を攪拌混合して製造した気相法で超電導材
の薄膜を造るためのターゲット材原料。 ４、気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲット材
の粉粒状原料を乾式の摩砕混合装置で一次粉砕混合処理
し、その一次粉砕混合処理で得た微粉状原料を仮焼処理
し、その仮焼処理で得た粉粒状原料を乾式の摩砕混合装
置で二次粉砕混合処理し、その二次粉砕混合処理で得た
微粉状原料を成型、焼成して製造したターゲット材であ
って、前記乾式の摩砕混合装置による一次粉砕混合処理
及び二次粉砕混合処理において、ケーシング（４）を高
速駆動回転させて、粉粒状原料をそのケーシング（４）
の内周面（４ａ）に遠心力で押し付け、その押し付けで
形成した原料層に、前記ケーシング（４）に対して相対
回転する摩砕片（９ａ）と掻取り片（９ｂ）を作用させ
、前記摩砕片（９ａ）による圧縮力と剪断力で粉粒状原
料を微粉砕すると共に、前記掻取り片（９ｂ）の作用で
粉粒状原料を攪拌混合して製造した気相法で超電導材の
薄膜を造るためのターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3368188A JPH01208462A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲット材原料及びターゲット材の製法、並びに、それら製法により得られるターゲット材原料及びターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3368188A JPH01208462A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲット材原料及びターゲット材の製法、並びに、それら製法により得られるターゲット材原料及びターゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208462A true JPH01208462A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12393179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3368188A Pending JPH01208462A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 気相法で超電導材の薄膜を造るためのターゲット材原料及びターゲット材の製法、並びに、それら製法により得られるターゲット材原料及びターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01208462A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5460793A (en) * | 1993-05-07 | 1995-10-24 | Japan Energy Corporation | Silicide targets for sputtering and method of manufacturing the same |
| JP2009215629A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | レーザ蒸着用ターゲットおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP3368188A patent/JPH01208462A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5460793A (en) * | 1993-05-07 | 1995-10-24 | Japan Energy Corporation | Silicide targets for sputtering and method of manufacturing the same |
| US5618397A (en) * | 1993-05-07 | 1997-04-08 | Japan Energy Corporation | Silicide targets for sputtering |
| JP2009215629A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | レーザ蒸着用ターゲットおよびその製造方法 |
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