JPH01209703A - 厚膜抵坑体の抵抗値制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明に、厚膜抵抗体の抵抗値制御装置に関するもの
である。

〔従来の技術〕

第２図に、雑誌「電子材料４１９８４年５月号第９２頁
〜［９８頁に記載された従来の厚膜抵抗体の抵抗値制御
装置の主要部を示す構成図である。図において、ｔｉｌ
ｔ−！厚膜抵抗体、］２）ニとの厚膜抵抗体１１＋に接
続する導体パターン、１ａｌＨこの導体パターン（２）
に接触する探針、（４）ハ厚膜抵抗体＋１１の抵抗値を
測定することによって、レーザ光のＯＮ、　ＯＦＦとレ
ーザ光の走査を制御するコントローラ、（１５１Ｈ厚膜
抵抗体（１１を切削するレーザ光で、例えばＱスイッチ
Ｎｄ＋ＹＡＧレーザ光である。

まず、レーザ光（５）を適当な光学系を用いて集光し、
抵抗値を調整されるべき厚膜抵抗体１１１に焦点を合わ
せる。探針（３）を両端に接続された導体パターン（２
）に接触させ、厚膜抵抗体＋１１の抵抗値を測定しなか
らレーザ光（５）を照射する。この照射により瞬間的に
厚膜抵抗体を蒸発させると、厚膜抵抗体（１１ニ切削さ
れて、白い換えれば、レーザ光は厚膜抵抗体を貫通して
、その抵抗値は高くなる。従って、レーザ光１ｆｉｌの
走査によって所望の抵抗値まで切削すれば、所望の抵抗
値を有する厚膜抵抗体が得られる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の厚膜抵抗体の抵抗値制御装置は、以上のように構
成されているため、レーザ光の照射によって切削溝が形
成される。切削溝の絶縁抵抗を確保する目的で、切削溝
の巾ｉ　１００．ｇｍ以上とする必要があるため、厚膜
抵抗体の巾が３００μｍ程反以下になると、高精度なレ
ーザ光の制御を必要とし、厚膜抵抗体の抵抗値制御装置
の構成が複雑かつ高価になるという問題点があった。

さらに、レーザ光で切削することによって、厚膜抵抗体
の実効幅は減少するので、厚膜抵抗体の幅が減少するに
ともない、レーザ光で切削後の厚膜抵抗体の゛成力許容
値が所定の値に達しなくなるという問題点があった。

この発明ば、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、厚膜抵抗体の幅が減少しても、容易で安価に制御
できるとともに、電力許容値の低下を防止できる厚膜抵
抗体の抵抗値制御装置を提供することを目的としている
。

〔課題を解決するための手段〕

この発明の厚膜抵抗体の抵抗値制御装置げ、厚膜抵抗体
に形成される溝の深さをその膜厚未隔とし、かり厚膜抵
抗体の化学状態を変化させて、その厚膜抵抗体固有の固
体抵抗率を変化させ、その抵抗値を低下させるレーザ光
を連続発賑するレーザ発振器を備えたものである。

〔作用〕

市販の厚膜抵抗体の多くは酸化物系導電粒子と、酸化物
系ガラスの複合体である。この厚膜抵抗体に出力とパル
ス巾を制御したパルスレーザ光を照射することにより、
抵抗値が低下することは、同一出願人の先行発明（特開
昭６２−１６０７０４号公報）における一実施例として
開示されている。この発明でに、厚膜抵抗体の種類によ
っては、連続発振するレーザ光もまた有効であることを
開示するものである。

この発明においては、形成する溝の深さが厚膜抵抗体の
膜厚未満であるようにしたので、実際に貫通する切削溝
を形成する必要なく、厚膜抵抗体の幅が減少しても容易
で安価に制御できると共に、厚膜抵抗体の実効幅に減少
しないので電力許容値が低下するのを防止できる厚膜抵
抗体の抵抗値制御装置を提供できる。

〔実施例〕

この発明の一実施例を図について説明する。第１図にこ
の発明の一実施例による厚膜抵抗体の抵抗値制御装置の
主要部を示す構成図である。図において、１１１［厚膜
抵抗体、（２）ハこの厚膜抵抗体（１）に接続する導体
パターン、１３１ｉこの導体パターン（２）に接触する
探針、（４）ケ厚膜抵抗体１１＋の抵抗値を測定するこ
とによって、レーザ光のＯＮ、　ＯＦＦとレーザ光の走
査を制御するコントローラ、１５１Ｈ連続発振のレーザ
光で、この場合に１ＮＩＹＡＧレーザ光を用いる。レー
ザ光（５）の出力ｉｏ、３ｗである。

レーザ出力０．３ｗ、走査速度５ｍｍ／秒の照射では、
膜厚１２）１ｍの厚膜抵抗体に形成される溝の深さは約
１μｍで、貫通する切削溝に形成されない。このレーザ
照射条件の下、巾３００）ｔｆｆ＋の昭栄化学工業株式
会社製９５１０Ｂ厚膜抵抗体に照射し、走査したところ
、初期抵抗１０３にΩの抵抗値が減少して所望の抵抗値
８０．０にΩが得られた。なお、上記９５］ＯＢ厚膜抵
抗体は酸化ルテニウム系厚膜抵抗体である。

抵抗値００ｆｃ少に関して框、例えば厚膜抵抗体＋１１
が酸化ルテニウムとすると、レーザ光（６）照射により
酸化ルテニウムの化学状態が変化するため酸化ルテニウ
ム固有の固体抵抗率が変化することにより、比抵抗（Ω
・ｍ）が減少する。この化学状態の変化とに部分的に下
式に示す酸素欠損がおこったと思われる６　　ＲｕＯ２
→Ｒｕ　＋　０２抵抗値の減少量は、レーザ光（５）の
照射条件、例えば出力や走査速度などに依存する。この
ため、レーザ光（５）の照射条件によって抵抗体（１）
の抵抗値を制御し、所望の抵抗値を有する抵抗体１１＋
を得ることができる。

これにより得られた厚膜抵抗体は、切削溝（貫通溝）は
形成されないので、電力許容値げレーザ光を照射する前
の電力許容値と比べてほとんど低下することにない。さ
らに、従来の厚膜抵抗体の抵抗値制御装置では、幅３０
０／Ｚｍの厚膜抵抗体に切削溝（貫通溝）を形成して抵
抗値を制御することに困難であるが、この発明による厚
膜抵抗体の抵抗値制御装置では容易ＶＣ実施することが
できる。

さらに、従来Ｏ厚膜抵抗体の抵抗値制御装置で框、Ｑス
イッチＮｄ＋ＹＡＧレーザ光を用いているが、Ｑスイッ
チの動作を停止するか、除去することにより、連続発振
のレーザ光に変化させることができる。Ｑスイッチを除
去すれば、装置が小型化できる。

このように、現在広く使用されている従来の厚膜抵抗体
の抵抗値制御装置を極めて容易に、この発明による厚膜
抵抗体の抵抗値制御装置に改良することが可能であり、
既存のものを改良して使えば有利である。

また、上記実施例でσ厚膜抵抗体ｉｌ＋が酸化ルテニウ
ム系のものである場合についてのみ述べているが、Ｃｒ
２Ｏ３１Ｔｔ０２などの金属酸化物系抵抗体材、ＡＩ−
Ｎ　ｅ　Ｓｉ３Ｎ４などの金属チツ化物系抵抗体、Ｓｉ
ｃ、ＶＣなどの金属炭化物系抵抗体材においても、レー
ザ光による比抵抗（Ω・ｍ）の減少がおこるため、応用
可能である。

さらに、レーザ光ばＮｄ　：ＹＡＧ　１７）　Ｑスイッ
チレーザ光を用いているが、これに限るものでにない。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、レーザ光を照射する
ことにより、厚膜抵抗体に溝を形成してその抵抗値を制
御する厚膜抵抗体の抵抗値制御装置において、厚膜抵抗
体に形成される溝の深さをその膜厚未満とし、かつ、厚
膜抵抗体の化学状態を変化させて、その厚膜抵抗体固有
の固体抵抗率を変化させ、その抵抗値を低下させるレー
ザ光を連続発振するレーザ発振器を備えたことにより、
厚膜抵抗体の幅が減少しても容易で安価に制御できると
共に、電力許容値の低下を防止できる厚膜抵抗体の抵抗
値制御装置を提供できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図にこの発明の一実施例の厚膜抵抗体の抵抗値側ｗ
ｉ装置の主要部分を示す構成図、第２図に従来の厚膜抵
抗体の抵抗値制御装置の主要部分を示す構成図である。 図において、１１１［厚膜抵抗体、ｆ５１Ｈレーザ光で
ある。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. レーザ光を照射することにより、厚膜抵抗体に溝を形成
   してその抵抗値を制御する厚膜抵抗体の抵抗値制御装置
   において、上記厚膜抵抗体に形成される溝の深さをその
   膜厚未満とし、かつ上記厚膜抵抗体の化学状態を変化さ
   せてその厚膜抵抗体固有の固体抵抗率を変化させ、その
   抵抗値を低下させるレーザ光を連続発振するレーザ発振
   器を備えたことを特徴とする厚膜抵抗体の抵抗値制御装
   置。