JPS63207105A - 厚膜抵抗体の抵抗値調整方法 - Google Patents
厚膜抵抗体の抵抗値調整方法Info
- Publication number
- JPS63207105A JPS63207105A JP62040981A JP4098187A JPS63207105A JP S63207105 A JPS63207105 A JP S63207105A JP 62040981 A JP62040981 A JP 62040981A JP 4098187 A JP4098187 A JP 4098187A JP S63207105 A JPS63207105 A JP S63207105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- resistance value
- film resistor
- resistor
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、絶縁性基板に形成された厚膜抵抗体の抵抗
値調整方法に関するものである。
値調整方法に関するものである。
従来、均一な厚膜抵抗体を作るのは困難で、目標値の±
２０％程度のバラツキがあシ、それ以上の抵抗値精度が
要求される場合はトリミングを行い調整していた。
２０％程度のバラツキがあシ、それ以上の抵抗値精度が
要求される場合はトリミングを行い調整していた。
第２図は、雑誌「電子材料Ｊ１９Ｂ４年５月号第９２頁
〜第９８頁に記載された従来の厚膜抵抗体の抵抗値調整
方法を、基板を省略して主要部を斜視図で示す構成図で
ある。図において、（１１は抵抗値を調整される厚膜抵
抗体、（２）はこの厚膜抵抗体（１）に接続された導体
基板、（３１は導体基板（２）に接触する探針、（４）
は厚膜抵抗体（１）の抵抗値を測定することＫよって、
レーザ光のＯＮ、ＯＦＦとレーザ光の走査を制御するコ
ントローラ、（５）は厚膜抵抗体（１）を切削するレー
ザ光である。
〜第９８頁に記載された従来の厚膜抵抗体の抵抗値調整
方法を、基板を省略して主要部を斜視図で示す構成図で
ある。図において、（１１は抵抗値を調整される厚膜抵
抗体、（２）はこの厚膜抵抗体（１）に接続された導体
基板、（３１は導体基板（２）に接触する探針、（４）
は厚膜抵抗体（１）の抵抗値を測定することＫよって、
レーザ光のＯＮ、ＯＦＦとレーザ光の走査を制御するコ
ントローラ、（５）は厚膜抵抗体（１）を切削するレー
ザ光である。
まずレーザ光＋５１を適当な光学系を用いて集光し、抵
抗値を調整されるべき厚膜抵抗体（１１に焦点を合わせ
る。探針（３１を両端に接続された導体基板（２）に接
触させ、厚膜抵抗体（１１の抵抗値を測定しなからレー
ザ光（５）を照射する。この照射により瞬間的に厚膜抵
抗体（１）を蒸発させると、抵抗体材（１）は切削され
てその抵抗値は高くなる。従ってレーザ光（５）の走査
によって所望の抵抗値まで切削すれば、所望の抵抗値を
有する抵抗体が得られる。
抗値を調整されるべき厚膜抵抗体（１１に焦点を合わせ
る。探針（３１を両端に接続された導体基板（２）に接
触させ、厚膜抵抗体（１１の抵抗値を測定しなからレー
ザ光（５）を照射する。この照射により瞬間的に厚膜抵
抗体（１）を蒸発させると、抵抗体材（１）は切削され
てその抵抗値は高くなる。従ってレーザ光（５）の走査
によって所望の抵抗値まで切削すれば、所望の抵抗値を
有する抵抗体が得られる。
従来の厚膜抵抗体の抵抗値調整方法は、以上のように構
成されているため、レーザ光の照射によって切削溝が形
成され、この切削溝の端部にマイクロクラックが発生し
やすく、厚膜抵抗体の抵抗値が経時的に変化するという
問題点があった。
成されているため、レーザ光の照射によって切削溝が形
成され、この切削溝の端部にマイクロクラックが発生し
やすく、厚膜抵抗体の抵抗値が経時的に変化するという
問題点があった。
また、レーザ光の照射によって、厚膜抵抗体の抵抗値は
連続的に変化するため、厚膜抵抗体の抵抗値を所望の抵
抗値まで調整するのに長時間を要するという問題点があ
った。
連続的に変化するため、厚膜抵抗体の抵抗値を所望の抵
抗値まで調整するのに長時間を要するという問題点があ
った。
またレーザ光の照射時に抵抗体の温度上昇が生じ、抵抗
温度係数により抵抗値が変動するから、抵抗値の調整精
度が向上しないという問題点があった。
温度係数により抵抗値が変動するから、抵抗値の調整精
度が向上しないという問題点があった。
さらにまた、厚膜抵抗体が小さくなったときに、レーザ
光で抵抗体そのものを欠除することが困難になる、微細
調整が難しいという問題点がめった。
光で抵抗体そのものを欠除することが困難になる、微細
調整が難しいという問題点がめった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、抵抗値が経時的に変化せず、抵抗値の調整時間を短
縮でき、精度良く微細に厚膜抵抗体の抵抗値全調整する
方法を提供することを目的としている。
で、抵抗値が経時的に変化せず、抵抗値の調整時間を短
縮でき、精度良く微細に厚膜抵抗体の抵抗値全調整する
方法を提供することを目的としている。
この発明の厚膜抵抗体の抵抗値調整方法は、絶縁性基板
に厚膜抵抗体を形成し、この厚膜抵抗体と接続する導体
をめっきで形成し、この導体を切断あるいは除去するこ
とにより、上記厚膜抵抗体の抵抗値を調整するようにし
たものである。
に厚膜抵抗体を形成し、この厚膜抵抗体と接続する導体
をめっきで形成し、この導体を切断あるいは除去するこ
とにより、上記厚膜抵抗体の抵抗値を調整するようにし
たものである。
この発明においては、抵抗体をレーザ光の照射によって
切削することがないので、抵抗体が損傷を受けず、厚膜
抵抗体の抵抗値は経時的にほとんど変化しない。また、
調整中の抵抗体の抵抗値を段階的に変えられるため、抵
抗体の抵抗値の調整時間も短縮される。またレーザ光照
射時に抵抗体の温度はほとんど上昇しないから、精度良
く抵抗値を調整することが可能となる。
切削することがないので、抵抗体が損傷を受けず、厚膜
抵抗体の抵抗値は経時的にほとんど変化しない。また、
調整中の抵抗体の抵抗値を段階的に変えられるため、抵
抗体の抵抗値の調整時間も短縮される。またレーザ光照
射時に抵抗体の温度はほとんど上昇しないから、精度良
く抵抗値を調整することが可能となる。
さらにまた、従来厚膜抵抗体は厚膜導体でしかコンタク
トがとれなかったが、例えば特開昭６１−１９４７９４
号公報記載の技術を用いてめっきで導体を形成している
。めっきで導体を形成するものは、正確に微細なパター
〉が形成されやすいので、そのめっき導体を切断又は除
去することにより抵抗値の微細調整が可能となる。
トがとれなかったが、例えば特開昭６１−１９４７９４
号公報記載の技術を用いてめっきで導体を形成している
。めっきで導体を形成するものは、正確に微細なパター
〉が形成されやすいので、そのめっき導体を切断又は除
去することにより抵抗値の微細調整が可能となる。
この発明の一実施例を図について説明する。第１図はこ
の発明の一実施例による抵抗体の抵抗値制御方法を、基
板を省略して主要部を斜視図で示す構成図である。図に
おいて、（１）は厚膜抵抗体で、この場合は酸化ルテニ
ウム系厚膜抵抗体（以下抵抗体と記す） 、＋２１は端
子導体、（３１，（４１は従来例と同様のもので、１５
）はレーザ光で、この場合はＹＡＧレーザ光、（６１は
抵抗体＋１１と端子導体（２）に接続する導体で、この
場合はめつきにより形成されためつき銅導体（以下導体
と記す） 、＋７１ 、 ＋８１は抵抗体（１１の周囲
に位置する導体（６１の切断部である。
の発明の一実施例による抵抗体の抵抗値制御方法を、基
板を省略して主要部を斜視図で示す構成図である。図に
おいて、（１）は厚膜抵抗体で、この場合は酸化ルテニ
ウム系厚膜抵抗体（以下抵抗体と記す） 、＋２１は端
子導体、（３１，（４１は従来例と同様のもので、１５
）はレーザ光で、この場合はＹＡＧレーザ光、（６１は
抵抗体＋１１と端子導体（２）に接続する導体で、この
場合はめつきにより形成されためつき銅導体（以下導体
と記す） 、＋７１ 、 ＋８１は抵抗体（１１の周囲
に位置する導体（６１の切断部である。
厚膜抵抗体（１１に接続してめっき導体を形成する方法
については、例えば同一出願人による特開昭６１−１９
４７９４号公報に記載されている。
については、例えば同一出願人による特開昭６１−１９
４７９４号公報に記載されている。
ＹＡＧレーザ光を出力ＩＷで導体（６）の切断部（す）
に照射し、切断したところ、初期抵抗５２．５にΩの抵
抗体ｉｌ＋は、５７．２ ＫΩに変化した。さらに切断
部（８）を切断したところ５９．８ ＫΩに変化した。
に照射し、切断したところ、初期抵抗５２．５にΩの抵
抗体ｉｌ＋は、５７．２ ＫΩに変化した。さらに切断
部（８）を切断したところ５９．８ ＫΩに変化した。
次にＹＡＧレーザ光の出力を０．３ Ｗとし、抵抗体（
１１上の導体（６）に照射し、所望の抵抗値６０．０に
Ωを得た。この際抵抗体（１１上の導体（６）は切削さ
れたが、抵抗体（１１は切削（損傷）されなかった。
１１上の導体（６）に照射し、所望の抵抗値６０．０に
Ωを得た。この際抵抗体（１１上の導体（６）は切削さ
れたが、抵抗体（１１は切削（損傷）されなかった。
これにより得られた抵抗体（１）は切削溝が形成されな
いため、抵抗体が損傷を受けず、変質もしない。またマ
イクロクラックが発生せず、抵抗値が経時的に変化する
ことはほとんどない。また、調整中に抵抗体（１）の抵
抗値は、段階的に変化するため調整時間は短縮される。
いため、抵抗体が損傷を受けず、変質もしない。またマ
イクロクラックが発生せず、抵抗値が経時的に変化する
ことはほとんどない。また、調整中に抵抗体（１）の抵
抗値は、段階的に変化するため調整時間は短縮される。
またレーザ照射時に抵抗体の温度上昇はほとんど認めら
れず、調整精度が向上された。
れず、調整精度が向上された。
また、抵抗体が小さくなったときには、レーザで抵抗そ
のものを欠除することが困難となシ微細調整が難しい。
のものを欠除することが困難となシ微細調整が難しい。
従来厚膜抵抗体は厚膜導体でしかコシタクトがとれなか
った。厚膜導体の場合導体の巾（Ｌｉｎｅ）／導体間（
５ｐａｃｅ ） （以下Ｌ／ｓと記す）は１００ ｐｍ
／ １００ 、ｔｔｒｎで抵抗値調整し”＜ＩＬ／は５
０００レベルである。ところがめつき導体の場合現状で
はＬ／Ｓ＝２０）ｔｍで抵抗値調整レベルは１０００レ
ベルであり、将来的にはＬ／Ｓ ＝ １０μｍ／１０７
Ｉｒｎも十分可能であり、抵抗値調整レベルもよシ向上
できる。即ち、めっきで導体を形成するものは正確に微
細なパターシが形成されやすいので、そのめっき導体を
切断又は除去することにより、抵抗値の微細調整が可能
となる。
った。厚膜導体の場合導体の巾（Ｌｉｎｅ）／導体間（
５ｐａｃｅ ） （以下Ｌ／ｓと記す）は１００ ｐｍ
／ １００ 、ｔｔｒｎで抵抗値調整し”＜ＩＬ／は５
０００レベルである。ところがめつき導体の場合現状で
はＬ／Ｓ＝２０）ｔｍで抵抗値調整レベルは１０００レ
ベルであり、将来的にはＬ／Ｓ ＝ １０μｍ／１０７
Ｉｒｎも十分可能であり、抵抗値調整レベルもよシ向上
できる。即ち、めっきで導体を形成するものは正確に微
細なパターシが形成されやすいので、そのめっき導体を
切断又は除去することにより、抵抗値の微細調整が可能
となる。
上記実施例では抵抗体（１）が酸化ルテニウム系厚膜抵
抗体についてのみ述べているが、他の厚膜抵抗体につい
ても適用可能である。
抗体についてのみ述べているが、他の厚膜抵抗体につい
ても適用可能である。
また、導体（６）としてめっき銅導体を用いているが、
他のめつき導体であっても良（、導体（６）は端子導体
（２）に接続するとしているが、接続せずども抵抗体（
１）の抵抗値の変化が生じるため同様の効果を奏する。
他のめつき導体であっても良（、導体（６）は端子導体
（２）に接続するとしているが、接続せずども抵抗体（
１）の抵抗値の変化が生じるため同様の効果を奏する。
さらに、レーザ光は赤外光域のＹＡＧレーザ光を用いて
いるが、これに必らず、導体材料と抵抗体の材料によっ
ては、可視光域又は紫外光域のレーザ光も適用可能であ
る。
いるが、これに必らず、導体材料と抵抗体の材料によっ
ては、可視光域又は紫外光域のレーザ光も適用可能であ
る。
以上のように、この発明によれば、絶縁性基板に厚膜抵
抗体を形成し、この厚膜抵抗体と接続する導体をめっき
で形成し、この導体を切断あるいは除去することにより
上記厚膜抵抗体の抵抗値を調整するようにしたので、抵
抗体の抵抗値が経時的にほとんど変化せず、調整時間を
短縮でき、精度良く微細に厚膜抵抗体の抵抗値を調整で
きる効果がある。
抗体を形成し、この厚膜抵抗体と接続する導体をめっき
で形成し、この導体を切断あるいは除去することにより
上記厚膜抵抗体の抵抗値を調整するようにしたので、抵
抗体の抵抗値が経時的にほとんど変化せず、調整時間を
短縮でき、精度良く微細に厚膜抵抗体の抵抗値を調整で
きる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の厚膜抵抗体の抵抗値調整
方法を、基板を省略して主要部を斜視図で示す構成図、
第２図は従来の厚膜抵抗体の抵抗値調整方法を、基板を
省略して主要部を斜視図で示す構成図である。 図において、ｆｉ＋は厚膜抵抗体、（２）は導体である
。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
方法を、基板を省略して主要部を斜視図で示す構成図、
第２図は従来の厚膜抵抗体の抵抗値調整方法を、基板を
省略して主要部を斜視図で示す構成図である。 図において、ｆｉ＋は厚膜抵抗体、（２）は導体である
。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (5)
- （１）絶縁性基板に厚膜抵抗体を形成し、この厚膜抵抗
体と接続する導体をめつきで形成し、この導体を切断あ
るいは除去することにより上記厚膜抵抗体の抵抗値を調
整するようにした厚膜抵抗体の抵抗値調整方法。 - （２）めつきで形成される導体は厚膜抵抗体に接続して
矩形波状に形成されている特許請求の範囲第１項記載の
厚膜抵抗体の抵抗値調整方法。 - （３）導体の切断あるいは除去にレーザ光を用いる特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の厚膜抵抗体の抵抗値
調整方法。 - （４）めつきで形成される導体はめつき銅導体である特
許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の厚
膜抵抗体の抵抗値調整方法。 - （５）導体の切断位置は厚膜抵抗体の周辺部である特許
請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の厚膜
抵抗体の抵抗値調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040981A JPS63207105A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 厚膜抵抗体の抵抗値調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040981A JPS63207105A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 厚膜抵抗体の抵抗値調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63207105A true JPS63207105A (ja) | 1988-08-26 |
Family
ID=12595608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62040981A Pending JPS63207105A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 厚膜抵抗体の抵抗値調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63207105A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080331A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Cmk Corp | プリント配線板 |
| JP2008512872A (ja) * | 2004-09-13 | 2008-04-24 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 抵抗器へのレーザートリミングの間の熱電気ポテンシャルの解析方法 |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP62040981A patent/JPS63207105A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080331A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Cmk Corp | プリント配線板 |
| JP2008512872A (ja) * | 2004-09-13 | 2008-04-24 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 抵抗器へのレーザートリミングの間の熱電気ポテンシャルの解析方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4772774A (en) | Laser trimming of electrical components | |
| US4795881A (en) | Curved electrical components and laser trimming thereof | |
| KR890001730Y1 (ko) | 칩 저항 | |
| JPS63207105A (ja) | 厚膜抵抗体の抵抗値調整方法 | |
| JPH01302701A (ja) | 印刷抵抗体 | |
| JPH0115122Y2 (ja) | ||
| JPH0620810A (ja) | 印刷抵抗のトリミング方法 | |
| KR890002494Y1 (ko) | 칩저항을 탑재한 프린트 기판 | |
| JPH10189308A (ja) | 厚膜サーミスタの抵抗値調整方法及び厚膜サーミスタ | |
| JPS63207104A (ja) | 厚膜抵抗体の抵抗値調整方法 | |
| JPH0252406A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPH02278791A (ja) | 基板上に形成されたインピーダンス素子の調整方法 | |
| JPH09232117A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6290907A (ja) | 薄膜抵抗体の抵抗値調整方法 | |
| JPH03102803A (ja) | 薄膜抵抗体のトリミング方法 | |
| JPS6130004A (ja) | 抵抗体のトリミング方法 | |
| JPS63122105A (ja) | 厚膜混成集積回路の機能調整方法 | |
| JP4049437B2 (ja) | トリミング方法 | |
| JPS6139505A (ja) | 厚膜抵抗体のトリミング方法 | |
| JPH0730220A (ja) | 電子回路部品調整方法 | |
| JPH03114204A (ja) | 超小型チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPS58182205A (ja) | 抵抗調整方法 | |
| JPS62154601A (ja) | 厚膜抵抗体 | |
| JPS63219105A (ja) | 印刷抵抗体の抵抗値調整方法 | |
| JPS62154602A (ja) | 厚膜抵抗体 |