JPH01211249A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPH01211249A JPH01211249A JP63032795A JP3279588A JPH01211249A JP H01211249 A JPH01211249 A JP H01211249A JP 63032795 A JP63032795 A JP 63032795A JP 3279588 A JP3279588 A JP 3279588A JP H01211249 A JPH01211249 A JP H01211249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical recording
- recording film
- recording
- film
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 21
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 21
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 borides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な光学記録媒体に関するものである。さら
に詳しくいえば、本発明は、基板上に設けられる光学記
録膜にレーザービームを照射し、照射部分の光学定数の
変化を利用して、例えば画像や音声などのアナログ情報
、あるいは電子計算機などのデータやデジタルオーディ
オ信号などのデジタル情報を高速、高密度に記録し、か
つ高速で消去することのできる光学記録媒体に関するも
のである。
に詳しくいえば、本発明は、基板上に設けられる光学記
録膜にレーザービームを照射し、照射部分の光学定数の
変化を利用して、例えば画像や音声などのアナログ情報
、あるいは電子計算機などのデータやデジタルオーディ
オ信号などのデジタル情報を高速、高密度に記録し、か
つ高速で消去することのできる光学記録媒体に関するも
のである。
従来の技術
レーザービームの照射によって、記録膜に情報の記録を
行う方法については、種々の方法が知られているが、そ
の中でも記録膜の相変化を利用する方法は、１つのビー
ムによって同時消録できる、いわゆる単一ビームのオー
バライド（重ね書き）が可能であり、かつ磁気記録方式
に比べて高密度記録ができ、記録容量の点でも有利であ
る上に、開孔やバブルなどの形状変化を伴わず、また記
録、消去に際して磁場を用いる必要がなく、さらに２枚
のディスク単板を直接貼り合わせた全面接着型ディスク
が可能であるなど、多くの長所を有している。
行う方法については、種々の方法が知られているが、そ
の中でも記録膜の相変化を利用する方法は、１つのビー
ムによって同時消録できる、いわゆる単一ビームのオー
バライド（重ね書き）が可能であり、かつ磁気記録方式
に比べて高密度記録ができ、記録容量の点でも有利であ
る上に、開孔やバブルなどの形状変化を伴わず、また記
録、消去に際して磁場を用いる必要がなく、さらに２枚
のディスク単板を直接貼り合わせた全面接着型ディスク
が可能であるなど、多くの長所を有している。
このような記録膜の相変化を利用して情報の記録や消去
を行う光学記録媒体においては、その多くが記録膜の非
晶質と結晶の間の相変化を利用するために、該記録膜と
しては、非晶質半導体が多く用いられており、例えばＴ
ｅ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｔｌ１ 、Ｔｅ−Ｇｅ−５ｅ、
Ｉｎ−３ｅ、Ｉｎ−５ｅ−ＴＱ 、Ｔｅ−Ｇｅ−５ｎな
どのカルコゲン系材料が主流を占めている。
を行う光学記録媒体においては、その多くが記録膜の非
晶質と結晶の間の相変化を利用するために、該記録膜と
しては、非晶質半導体が多く用いられており、例えばＴ
ｅ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｔｌ１ 、Ｔｅ−Ｇｅ−５ｅ、
Ｉｎ−３ｅ、Ｉｎ−５ｅ−ＴＱ 、Ｔｅ−Ｇｅ−５ｎな
どのカルコゲン系材料が主流を占めている。
ところで、ディスクの線速度をｖル−ザービームの系を
ｄとした場合、記録膜のある場所がレーザービームに照
射されている時間はｄ ／ ｖであるので、記録膜とし
ては該ｄ ／ ｖよりも短い結晶化時間を有することが
重要である。
ｄとした場合、記録膜のある場所がレーザービームに照
射されている時間はｄ ／ ｖであるので、記録膜とし
ては該ｄ ／ ｖよりも短い結晶化時間を有することが
重要である。
しかしながら、前記材料から成る従来の記録膜は、いず
れも記録・消去可能な相変化記録膜として用いる場合に
は、結晶化の速度が遅いという問題がある。また、情報
の記録は非晶質を形成することによって行われるため、
記録膜は低融点でかつ非晶質になりやすい材料から成る
ものが有利であるが、従来の材料では、非晶質になりや
すいものは結晶化速度が遅く、かつ耐酸化性が不十分で
あるなどの欠点を有していた。
れも記録・消去可能な相変化記録膜として用いる場合に
は、結晶化の速度が遅いという問題がある。また、情報
の記録は非晶質を形成することによって行われるため、
記録膜は低融点でかつ非晶質になりやすい材料から成る
ものが有利であるが、従来の材料では、非晶質になりや
すいものは結晶化速度が遅く、かつ耐酸化性が不十分で
あるなどの欠点を有していた。
発明が解決しようとする課題
本発明は、このような従来の記録膜の相変化を利用して
情報の記録や消去を行う光学記録媒体が有する欠点を克
服し、記録膜の結晶化速度が速く、情報を高速、高密度
に記録することができ、かつ記録・消去感度に優れ、非
晶質の安定性の良好な光学記録媒体を提供することを目
的としてなされたものである。
情報の記録や消去を行う光学記録媒体が有する欠点を克
服し、記録膜の結晶化速度が速く、情報を高速、高密度
に記録することができ、かつ記録・消去感度に優れ、非
晶質の安定性の良好な光学記録媒体を提供することを目
的としてなされたものである。
課題を解決するための手段
本発明者らはこのような優れた特徴を有する光学記録媒
体を開発するために鋭意研究を重ねた結果、光学記録膜
に特定の組成を有する材料を用いることにより、前記目
的を達成しうろことを見い出し６、この知見に基づいて
本発明を完成するに至った。
体を開発するために鋭意研究を重ねた結果、光学記録膜
に特定の組成を有する材料を用いることにより、前記目
的を達成しうろことを見い出し６、この知見に基づいて
本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、基板上に、レーザービームを照射
することにより相変化を誘起する材料から成る光学記録
膜を設け、該相変化によって生じる光学定数の変化によ
り情報を記録及び消去する光学記録媒体において、該光
学記録膜がＡｕ、Ｐｄ。
することにより相変化を誘起する材料から成る光学記録
膜を設け、該相変化によって生じる光学定数の変化によ
り情報を記録及び消去する光学記録媒体において、該光
学記録膜がＡｕ、Ｐｄ。
Ｎｉ、 Ｐｔ、 Ｃｕ、 Ａｇ、 Ｃｏ、 Ｐｂ及びＢ
ｉの中から選ばれた少なくとも１種の元素と、Ｔｅ、
Ｓｂ及びＧｅとから成り、かつこれらの元素が、一般式 ％式％（） （ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ。
ｉの中から選ばれた少なくとも１種の元素と、Ｔｅ、
Ｓｂ及びＧｅとから成り、かつこれらの元素が、一般式 ％式％（） （ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ。
Ａｇ、Ｃｏ、Ｐｂ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも
１種の元素を示し、ｘ、ｙ及び２は、それぞれ０．３≦
Ｘ≦０．９、Ｏ＜ｙ≦０．２及び０〈２≦０．２の関係
を満たす値である） で示される組成を有することを特徴とする光学記録媒体
を提供するものである。
１種の元素を示し、ｘ、ｙ及び２は、それぞれ０．３≦
Ｘ≦０．９、Ｏ＜ｙ≦０．２及び０〈２≦０．２の関係
を満たす値である） で示される組成を有することを特徴とする光学記録媒体
を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の光学記録媒体における光学記録膜は、Ａｕ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐｂ及びＢｉの中
から選ばれた少なくとも１種の元素と、Ｔｅ、Ｓｂ及び
Ｇｅの３元素とから成っており、これらの組成比は、一
般式 ％式％（） （ただし、Ｍは前記と同じ意味をもつ）で表わした場合
、ｘ、ｙ及び２は、それぞれ０．３≦Ｘ≦０．９、Ｏ＜
ｙ≦０．２及びＯ＜ｚ≦０．２の関係を満たす値である
ことが必要である。該組成比がこの範囲を逸脱するもの
では、本発明の目的が十分に達成されない。
ｄ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐｂ及びＢｉの中
から選ばれた少なくとも１種の元素と、Ｔｅ、Ｓｂ及び
Ｇｅの３元素とから成っており、これらの組成比は、一
般式 ％式％（） （ただし、Ｍは前記と同じ意味をもつ）で表わした場合
、ｘ、ｙ及び２は、それぞれ０．３≦Ｘ≦０．９、Ｏ＜
ｙ≦０．２及びＯ＜ｚ≦０．２の関係を満たす値である
ことが必要である。該組成比がこの範囲を逸脱するもの
では、本発明の目的が十分に達成されない。
前記記録膜に用いられるＴｅとｓｂについて説明すると
、５ｂ−Ｔｅ２元系合金は記録・消去が可能な感材であ
り、第１図にその平衡状態図を示す。この図から、該２
元系合金はＴｅ濃度が２９原子数％と８９原子数％のと
ころで共晶点を有し、低融点であって、記録感度が高い
ことが分かる。
、５ｂ−Ｔｅ２元系合金は記録・消去が可能な感材であ
り、第１図にその平衡状態図を示す。この図から、該２
元系合金はＴｅ濃度が２９原子数％と８９原子数％のと
ころで共晶点を有し、低融点であって、記録感度が高い
ことが分かる。
しかしながら、この５ｂ−Ｔｅ２元系合金は非晶質の安
定性が悪いという欠点を有している。
定性が悪いという欠点を有している。
このような欠点は、５ｂ−Ｔｅ２元系合金にＧｅを添加
することによって克服できる。すなわち、Ｇｅは結晶化
温度を上昇させ、非晶質を安定にするという効果を有し
ている。第２図に、このＴｅ。
することによって克服できる。すなわち、Ｇｅは結晶化
温度を上昇させ、非晶質を安定にするという効果を有し
ている。第２図に、このＴｅ。
ｓｂ及びＧｅの３元系の組成図を示す。第２図は、（Ｓ
ｂ ＋ｏｏＴ ｅ ｏＧ ｅ ｏ）、（Ｓ ｂ ｏＴ
ｅ ＋ｏｏＧ ｅ ｏ）及び（ｓ ｂ ＯＴ ｅ Ｏ
Ｇ ｅ ｔｏ。）を頂点とする三角座標図であって、Ｓ
ｂ−Ｔｅ ２元系合金の共晶点、すなわち（Ｓ ｂ
ｙ＋Ｔ ｅ ｚｓ）及び（Ｓ ｂ １ｒＴ ｅ ａｓ）
の２点と（Ｓ ｂ ｏＴ ｅ ｏＧ ｅ ＋ｏｏ）の点
を線分Ａ。
ｂ ＋ｏｏＴ ｅ ｏＧ ｅ ｏ）、（Ｓ ｂ ｏＴ
ｅ ＋ｏｏＧ ｅ ｏ）及び（ｓ ｂ ＯＴ ｅ Ｏ
Ｇ ｅ ｔｏ。）を頂点とする三角座標図であって、Ｓ
ｂ−Ｔｅ ２元系合金の共晶点、すなわち（Ｓ ｂ
ｙ＋Ｔ ｅ ｚｓ）及び（Ｓ ｂ １ｒＴ ｅ ａｓ）
の２点と（Ｓ ｂ ｏＴ ｅ ｏＧ ｅ ＋ｏｏ）の点
を線分Ａ。
Ｂ、Ｃで結んだ三角形の内側の領域で表わされる組成の
ものは、感度がよく、かつ非晶質が安定であると考えら
れる。しかし、Ｇｅはそれ自体融点が高い（９４０°Ｃ
）ために、多量に添加すると融点が高くなって感度が低
下するので、感度の点から、Ｇｅの添加量は２０原子数
％以下であることが必要である。すなわち、Ｇｅの含有
量は線分りよりＧｅが少ない領域で選ばれる。したがっ
て、第２図において、線分Ａ、Ｂ、ＣおよびＤで囲まれ
た四角形の領域内の組成のものは、高感度でかつ非晶質
が安定である。
ものは、感度がよく、かつ非晶質が安定であると考えら
れる。しかし、Ｇｅはそれ自体融点が高い（９４０°Ｃ
）ために、多量に添加すると融点が高くなって感度が低
下するので、感度の点から、Ｇｅの添加量は２０原子数
％以下であることが必要である。すなわち、Ｇｅの含有
量は線分りよりＧｅが少ない領域で選ばれる。したがっ
て、第２図において、線分Ａ、Ｂ、ＣおよびＤで囲まれ
た四角形の領域内の組成のものは、高感度でかつ非晶質
が安定である。
しかしながら、この領域の組成のものは、結晶化速度が
遅く、高速記録や消去が不可能であるという欠点を有し
ている。したがって、前記領域の組成において、結晶化
速度を向上させるために、本発明においては、前記３元
系組成に、さらに第４成分として、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、
Ｐｔ、Ｃｕ。
遅く、高速記録や消去が不可能であるという欠点を有し
ている。したがって、前記領域の組成において、結晶化
速度を向上させるために、本発明においては、前記３元
系組成に、さらに第４成分として、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、
Ｐｔ、Ｃｕ。
Ａｇ＋Ｃｏ、Ｐｂ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも
１種の元素が添加される。これらの元素はＴｅを含む材
料中で、Ｔｅの鎖状原子配列の間に割り込むことによっ
て、鎖状配列全体で動くより分子形態で移動するため結
晶化速度が速くなると考えられる。したがって、前記元
素を添加することにより結晶化速度を速めることができ
る。しかし、該元素を多く添加しすぎると、非晶質と結
晶の間の光学定数の変化が小さくなり、十分な信号振幅
が取れなくなるので、その添加量は２０Ｗ、十数％以下
の範囲で選ぶ必要がある。
１種の元素が添加される。これらの元素はＴｅを含む材
料中で、Ｔｅの鎖状原子配列の間に割り込むことによっ
て、鎖状配列全体で動くより分子形態で移動するため結
晶化速度が速くなると考えられる。したがって、前記元
素を添加することにより結晶化速度を速めることができ
る。しかし、該元素を多く添加しすぎると、非晶質と結
晶の間の光学定数の変化が小さくなり、十分な信号振幅
が取れなくなるので、その添加量は２０Ｗ、十数％以下
の範囲で選ぶ必要がある。
以上のことから、前記一般式（Ｉ）で示される組成を有
する材料から成る記録膜は、記録・消去感度が高く、か
つ非晶質が安定である上、結晶化速度が速くて、高速記
録や消去が可能である。
する材料から成る記録膜は、記録・消去感度が高く、か
つ非晶質が安定である上、結晶化速度が速くて、高速記
録や消去が可能である。
本発明の光学記録媒体においては、前記光学記録膜の少
なくとも一方の側に、記録膜の酸化などの経時変化を防
ぐために、保護膜を設けることが好ましい。この保護膜
の材料としては、金属又は半金属の酸化物、フッ化物、
窒化物、硫化物、炭化物、ホウ化物や金属などの無機物
、あるいは有機物、さらにはこれらの混合物や複合材料
などが挙げられる。
なくとも一方の側に、記録膜の酸化などの経時変化を防
ぐために、保護膜を設けることが好ましい。この保護膜
の材料としては、金属又は半金属の酸化物、フッ化物、
窒化物、硫化物、炭化物、ホウ化物や金属などの無機物
、あるいは有機物、さらにはこれらの混合物や複合材料
などが挙げられる。
また、該光学記録膜には、その光入射側に反射防止膜を
設けてもよいし、光入射の反対側に反射膜を設けてもよ
い。
設けてもよいし、光入射の反対側に反射膜を設けてもよ
い。
前記の光学記録膜、保護膜、反射防止膜及び反射膜の形
成方法については特に制限はなく、公知の方法、例えば
真空蒸着、スパッタリング、イオンビームスパッタリン
グ、イオンビーム蒸着、イオンブレーティング、電子ビ
ーム蒸着、プラズム重合などの方法を、目的、材料など
に応じて適宜用いることができる。本発明における光学
記録膜の最適膜厚は、その組成により異なるが、通常３
００〜ｌ５ＯＯＡの範囲で十分なコントラストが得られ
る。
成方法については特に制限はなく、公知の方法、例えば
真空蒸着、スパッタリング、イオンビームスパッタリン
グ、イオンビーム蒸着、イオンブレーティング、電子ビ
ーム蒸着、プラズム重合などの方法を、目的、材料など
に応じて適宜用いることができる。本発明における光学
記録膜の最適膜厚は、その組成により異なるが、通常３
００〜ｌ５ＯＯＡの範囲で十分なコントラストが得られ
る。
本発明の光学記録媒体において、光学記録膜が設けられ
る基板としては、例えばガラス板やガラス板上に光硬化
性樹脂層を設けたもの、あるいはポリカーボネート、ア
クリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどのプラ
スチック基板、アルミニウム合金などの金属板などが用
いられる。
る基板としては、例えばガラス板やガラス板上に光硬化
性樹脂層を設けたもの、あるいはポリカーボネート、ア
クリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどのプラ
スチック基板、アルミニウム合金などの金属板などが用
いられる。
発明の効果
本発明の光学記録媒体は、記録膜の結晶化速度が速く、
情報を高速、高密度に記録することができ、かつ記録、
消去感度に優れる上、非晶質の安定性が良いなどの優れ
た特徴を有している。
情報を高速、高密度に記録することができ、かつ記録、
消去感度に優れる上、非晶質の安定性が良いなどの優れ
た特徴を有している。
実施例
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
参考例
直径１３０＋ｎｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート
基板上に、法要に示す組成の記録膜を真空共蒸着法によ
り形成した。真空蒸着装置としては、３つの蒸着源が配
置され、これらのうちの２つは抵抗加熱法により、残り
１つは電子ビーム法により蒸着が可能なものを用いた。
基板上に、法要に示す組成の記録膜を真空共蒸着法によ
り形成した。真空蒸着装置としては、３つの蒸着源が配
置され、これらのうちの２つは抵抗加熱法により、残り
１つは電子ビーム法により蒸着が可能なものを用いた。
このようにして形成された基板上の記録膜に、基板が静
止した状態でレーザービームを照射することにより、記
録膜の特性を評価した。評価は、レーザービームの発光
時間を２０ｎｓから６０μｓまで、レーザービームのパ
ワーは、ＯｍＷからｌＯｍＷまでの範囲内で任意に変え
ることにより行った。
止した状態でレーザービームを照射することにより、記
録膜の特性を評価した。評価は、レーザービームの発光
時間を２０ｎｓから６０μｓまで、レーザービームのパ
ワーは、ＯｍＷからｌＯｍＷまでの範囲内で任意に変え
ることにより行った。
その結果を法要に示す。
該表は、種々の組成の記録膜（Ｔｅ、Ｓｂ＋−ｊｌ−、
Ｇｅ。
Ｇｅ。
の組成と記録パワー及び結晶化速度関係を示したもので
ある。なお、記録パルスのパルス巾は、２００ｎｓに固
定しである。
ある。なお、記録パルスのパルス巾は、２００ｎｓに固
定しである。
この表から、Ｇｅ及びｓｂの含有量が増えるに伴い、大
きな記録パワーを必要とすることが分かる。したがって
、高感度化の点から、Ｇｅの含有量は２０原子数％以下
、ｓｂの含有量は７０原子数％以下であることが望まし
いことが分かる。
きな記録パワーを必要とすることが分かる。したがって
、高感度化の点から、Ｇｅの含有量は２０原子数％以下
、ｓｂの含有量は７０原子数％以下であることが望まし
いことが分かる。
また、Ｔｅはその含有量が増加すると共に記録パワーが
小さくなり、高感度化の点では好都合であるが、含有量
が、９０原子数％を超えると記録時に開孔しやすいので
、９０原子数％以下の含有量が望ましいことが分かる。
小さくなり、高感度化の点では好都合であるが、含有量
が、９０原子数％を超えると記録時に開孔しやすいので
、９０原子数％以下の含有量が望ましいことが分かる。
さらに、この表から、この領域の組成のものは結晶化速
度が遅いことが分かる。ここで、結晶化速度とは、最初
、非晶質状態にレーザービームの連続光を照射し、完全
に結晶化させたのち、記録パルスを照射することによっ
て、記録ビットを形成し、その記録ピットを完全に消去
できる、すなわち反射率が最初に結晶化させた状態と同
じレベルに戻るのに要する時間のことである。
度が遅いことが分かる。ここで、結晶化速度とは、最初
、非晶質状態にレーザービームの連続光を照射し、完全
に結晶化させたのち、記録パルスを照射することによっ
て、記録ビットを形成し、その記録ピットを完全に消去
できる、すなわち反射率が最初に結晶化させた状態と同
じレベルに戻るのに要する時間のことである。
実施例１
参考例と同様にしてＴ ｅ ４ｇＳ ｂ ３３Ｇ ｅ
＋ｓの組成に、さらにＡｕ又はＰｄを添加した試料を調
製し、その結晶化速度を測定した。第３図は、このよう
にして測定されたＡｕ又はＰｄの添加量（原子％）と結
晶化速度（μＳ）との関係を示すグラフであって、Ａｕ
の場合を実線、Ｐｄの場合を破線で示す。
＋ｓの組成に、さらにＡｕ又はＰｄを添加した試料を調
製し、その結晶化速度を測定した。第３図は、このよう
にして測定されたＡｕ又はＰｄの添加量（原子％）と結
晶化速度（μＳ）との関係を示すグラフであって、Ａｕ
の場合を実線、Ｐｄの場合を破線で示す。
この図から明らかなように、Ａｕ及びＰｄの添加量が増
加するとともに結晶化速度は大きくなる。
加するとともに結晶化速度は大きくなる。
次に、上記の試料について、その信号振幅の変化を測定
し、その結果をグラフとして第４図に示す。この図から
明らかなように、Ａｕ又はＰｄの添加量が増加するとと
もに信号振幅は小さくなる。
し、その結果をグラフとして第４図に示す。この図から
明らかなように、Ａｕ又はＰｄの添加量が増加するとと
もに信号振幅は小さくなる。
実施例２
参考例と同様にしてＴ ｅ 、、Ｓ ｂ 、、Ｇ ｅ
、、’ の組成に、さらにＡｕ又はＰｄを添加した試料
を調製し、添加量と結晶化速度の関係を調べた。その結
晶を第５図に示す。実線はＡｕの場合、破線はＰｄの場
合で°ある。
、、’ の組成に、さらにＡｕ又はＰｄを添加した試料
を調製し、添加量と結晶化速度の関係を調べた。その結
晶を第５図に示す。実線はＡｕの場合、破線はＰｄの場
合で°ある。
この図から明らかなように、Ａｕ及びＰｄの添加量が増
加するとともに結晶化速度が大きくなる。
加するとともに結晶化速度が大きくなる。
実施例３
あらかじめ溝及びピットを設けであるポリカーボネート
基板上に、実施例１と同様の作成法により、まず保護膜
として厚さ１１００ｎのＳｉＯ□膜を形成したのち、そ
の上に記録膜を形成し、次いでその上に変形防止兼保護
膜である厚さ２００ ｎｍの５ｉ０２膜を形成した。以
上の層構成をもつ蒸着膜に紫外線効果樹脂膜を約４μｍ
の厚さに塗布し、紫外光照射により、これを硬化させた
。
基板上に、実施例１と同様の作成法により、まず保護膜
として厚さ１１００ｎのＳｉＯ□膜を形成したのち、そ
の上に記録膜を形成し、次いでその上に変形防止兼保護
膜である厚さ２００ ｎｍの５ｉ０２膜を形成した。以
上の層構成をもつ蒸着膜に紫外線効果樹脂膜を約４μｍ
の厚さに塗布し、紫外光照射により、これを硬化させた
。
このようにして作成された光学記録媒体を回転させなが
ら、レーザービームを照射することにより、記録膜の評
価を行った。評価は、回転数１８００ｒｐｍ、レーザー
ビームのパワーはＯｍＷから２０ｍＷまで変化させて行
った。また、評価した記録膜の組成は、（Ｔ ｅ ４！
Ｓ ｂ ｓｓＧ ｅ ＋５）ｓｏＡ ｕ ｔｏ及び（Ｔ
ｅ ４！Ｓ ｂ ３ｓＧ ｅ ＋ａ） ｓｏＰ ｄ
ｒｏである。
ら、レーザービームを照射することにより、記録膜の評
価を行った。評価は、回転数１８００ｒｐｍ、レーザー
ビームのパワーはＯｍＷから２０ｍＷまで変化させて行
った。また、評価した記録膜の組成は、（Ｔ ｅ ４！
Ｓ ｂ ｓｓＧ ｅ ＋５）ｓｏＡ ｕ ｔｏ及び（Ｔ
ｅ ４！Ｓ ｂ ３ｓＧ ｅ ＋ａ） ｓｏＰ ｄ
ｒｏである。
まず、基板上の線速約８ｍ／ｓの所で評価を行った。最
初にレーザービームを８ｍＷのパワーで、基板−周分連
続発光させて、完全に結晶化させた。
初にレーザービームを８ｍＷのパワーで、基板−周分連
続発光させて、完全に結晶化させた。
このようにして結晶化させたのちに、この部分に２ＭＨ
ｚの信号を記録した。第６図は、記録パワーを変えた場
合の再生信号Ｃ／Ｎの変化を示すグラフである。
ｚの信号を記録した。第６図は、記録パワーを変えた場
合の再生信号Ｃ／Ｎの変化を示すグラフである。
実線はＡｕの場合、破線はＰｄの場合である。
この図から、記録膜は、１４ｍＷという低パワーで記録
でき、高感度であることが分かる。次に、ここに８ｍＷ
の連続光を照射すると、いずれの記録パワーにおいても
Ｃ／Ｎが約１０ｄＢ程度により、記録信号が消去されて
いることが確認できた。したがって、該記録膜は、高感
度で、かつ高速消去が可能な特性を有するものである。
でき、高感度であることが分かる。次に、ここに８ｍＷ
の連続光を照射すると、いずれの記録パワーにおいても
Ｃ／Ｎが約１０ｄＢ程度により、記録信号が消去されて
いることが確認できた。したがって、該記録膜は、高感
度で、かつ高速消去が可能な特性を有するものである。
以上ＡｕとＰｄを添加した場合を例として示したがその
外Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｇｏ、Ｐｄ及びＢｉについ
てもほぼ同様の結果が得られる。
外Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｇｏ、Ｐｄ及びＢｉについ
てもほぼ同様の結果が得られる。
第１図は５ｂ−Ｔｅ２元系合金の平衡状態図、第２図は
、本発明の光学記録媒体の記録膜を構成する元素のうち
、Ｔｅ、Ｓｂ及びＧｅの組成範囲を示す三角座標図、第
３図は本発明の実施例１におけるＡｕまたはＰｄの添加
量と、結晶化速度との関係を示すグラフ、第４図は同じ
例の信号振幅の変化を示すグラフ、第５図は本発明の実
施例２におけるＡｕ又はＰｄの添加量と結晶化速度との
関係を示すグラフ、第６図は、本発明の実施例３のＡｕ
又はＰｄを添加した場合のレーザーパワーと信号出力と
の関係を示すグラフである。 特許出願人 旭化成工業株式会社
、本発明の光学記録媒体の記録膜を構成する元素のうち
、Ｔｅ、Ｓｂ及びＧｅの組成範囲を示す三角座標図、第
３図は本発明の実施例１におけるＡｕまたはＰｄの添加
量と、結晶化速度との関係を示すグラフ、第４図は同じ
例の信号振幅の変化を示すグラフ、第５図は本発明の実
施例２におけるＡｕ又はＰｄの添加量と結晶化速度との
関係を示すグラフ、第６図は、本発明の実施例３のＡｕ
又はＰｄを添加した場合のレーザーパワーと信号出力と
の関係を示すグラフである。 特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、レーザービームを照射することにより相
変化を誘起する材料から成る光学記録膜を設け、該相変
化によって生じる光学定数の変化により情報を記録及び
消去する光学記録媒体において、該光学記録膜がＡｕ、
Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐｂ及びＢｉの
中から選ばれた少なくとも１種の元素と、Ｔｅ、Ｓｂ及
びＧｅとから成り、かつこれらの元素が、一般式 〔（Ｔｅ＿ｘＳｂ＿１＿−＿ｘ）＿１＿−＿ｙＧｅ＿ｙ
〕＿１＿−＿ｚＭ＿ｚ（ただし、ＭはＡｕ、Ｐｄ、Ｎｉ
、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐｂ及びＢｉの中から選ば
れた少なくとも１種の元素を示し、ｘ、ｙ及びｚは、そ
れぞれ０．３≦ｘ≦０．９、０＜ｙ≦０．２及び０＜ｚ
≦０．２の関係を満たす値である） で示される組成を有することを特徴とする光学記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63032795A JP2746896B2 (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63032795A JP2746896B2 (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211249A true JPH01211249A (ja) | 1989-08-24 |
| JP2746896B2 JP2746896B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=12368784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63032795A Expired - Lifetime JP2746896B2 (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2746896B2 (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245440A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜 |
| JPH01251342A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPH02158383A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Hitachi Ltd | 情報の記録用薄膜 |
| JPH0371887A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 光情報記録媒体 |
| US5063097A (en) * | 1988-12-16 | 1991-11-05 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| EP0594277A1 (en) * | 1992-10-21 | 1994-04-27 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| EP0661699A3 (en) * | 1993-12-27 | 1997-02-05 | Nec Corp | Data recording medium. |
| US5641606A (en) * | 1994-10-05 | 1997-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Phase-change optical disks and processes for preparing the same |
| US5709978A (en) * | 1993-06-18 | 1998-01-20 | Hitachi, Ltd. | Supperresolution readout thin film and information recording medium |
| WO1999006220A1 (en) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium |
| US6096399A (en) * | 1997-12-22 | 2000-08-01 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US6143468A (en) * | 1996-10-04 | 2000-11-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| US6503690B1 (en) * | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US7241549B2 (en) | 2001-09-18 | 2007-07-10 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium |
| EP2178086A2 (en) | 1998-09-09 | 2010-04-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
| US8000198B2 (en) | 2005-06-06 | 2011-08-16 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change type optical recording medium and reproduction method and apparatus for such a recording medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258787A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報の記録媒体 |
| JPH01112538A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録媒体 |
-
1988
- 1988-02-17 JP JP63032795A patent/JP2746896B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258787A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報の記録媒体 |
| JPH01112538A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録媒体 |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245440A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜 |
| JPH01251342A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPH02158383A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Hitachi Ltd | 情報の記録用薄膜 |
| US5063097A (en) * | 1988-12-16 | 1991-11-05 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| JPH0371887A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 光情報記録媒体 |
| EP0594277A1 (en) * | 1992-10-21 | 1994-04-27 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| US5709978A (en) * | 1993-06-18 | 1998-01-20 | Hitachi, Ltd. | Supperresolution readout thin film and information recording medium |
| US5912104A (en) * | 1993-06-18 | 1999-06-15 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium |
| EP0661699A3 (en) * | 1993-12-27 | 1997-02-05 | Nec Corp | Data recording medium. |
| US5641606A (en) * | 1994-10-05 | 1997-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Phase-change optical disks and processes for preparing the same |
| US7037413B1 (en) | 1996-03-11 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6143468A (en) * | 1996-10-04 | 2000-11-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| US6294310B1 (en) | 1996-10-04 | 2001-09-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| US6811949B2 (en) | 1996-10-04 | 2004-11-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| WO1999006220A1 (en) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium |
| US6503690B1 (en) * | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6096399A (en) * | 1997-12-22 | 2000-08-01 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| EP2178086A2 (en) | 1998-09-09 | 2010-04-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
| US7241549B2 (en) | 2001-09-18 | 2007-07-10 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium |
| US8000198B2 (en) | 2005-06-06 | 2011-08-16 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change type optical recording medium and reproduction method and apparatus for such a recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2746896B2 (ja) | 1998-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01211249A (ja) | 光学記録媒体 | |
| EP0574025A2 (en) | Optical recording medium and method for making same | |
| JPH05286249A (ja) | 情報記録用媒体 | |
| JP2937351B2 (ja) | 第三元素を含有するアンチモン‐錫合金からなる光学記録材料 | |
| JP2002190112A (ja) | 光記録方法および光記録媒体 | |
| Hirotsune et al. | New phase‐change rewritable optical recording film having well suppressed material flow for repeated rewriting | |
| JPS6166696A (ja) | レ−ザ−記録媒体 | |
| US5385806A (en) | Optical information recording medium | |
| JP2726259B2 (ja) | 情報記録方法 | |
| JP2538915B2 (ja) | 情報の記録及び消去方法 | |
| JPH03224791A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2615627B2 (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
| JP2557347B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| Uchino et al. | High Density PWM Recording And Rewritable Capability In The GeSbTe Phase Change System By Using Visual Laser Beam At Lower Linear Velocity | |
| JPH0363178A (ja) | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 | |
| JP2001126312A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2557407B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2000222776A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0558048A (ja) | 情報の記録・再生方法 | |
| JPH0387291A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2798247B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0244537A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JPS63187431A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH07130001A (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
| JPH0562244A (ja) | 情報の記録用部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080213 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 11 |