JPH01212313A - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JPH01212313A JPH01212313A JP63036913A JP3691388A JPH01212313A JP H01212313 A JPH01212313 A JP H01212313A JP 63036913 A JP63036913 A JP 63036913A JP 3691388 A JP3691388 A JP 3691388A JP H01212313 A JPH01212313 A JP H01212313A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
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- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はエンコーダ等に使用される磁気検出装置に関す
る。
る。
（従来の技術）
エンコーダ等に使用される磁気検出装置としては一定波
長λの繰り返し信号が着磁記録された磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体と対向する磁気ストライプを有する磁気
抵抗素子を備えた磁気検出装置であって、互いに（ｎ−
１／２）λ（ｎは自然数）の間隔で配置し、かつ直列に
接続した２ｍ本（ｍは自然数）の磁気抵抗ストライプを
単位セグメントとして上記磁気抵抗素子を形成すると共
に。
長λの繰り返し信号が着磁記録された磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体と対向する磁気ストライプを有する磁気
抵抗素子を備えた磁気検出装置であって、互いに（ｎ−
１／２）λ（ｎは自然数）の間隔で配置し、かつ直列に
接続した２ｍ本（ｍは自然数）の磁気抵抗ストライプを
単位セグメントとして上記磁気抵抗素子を形成すると共
に。
上記磁気抵抗素子を定電流源により駆動することを特徴
とするものが提案されている。この磁気検出装置は例え
ば第９図に示すように磁気ドラム１、磁気抵抗素子２．
定電流源３〜６及び差動増幅器７．８により構成される
。磁気ドラム１は回転方向へＮ極とＳ極が一定の間隔で
交互に着磁されることにより一定波長λの繰り返し信号
が着磁された磁気記録媒体であり、磁気抵抗素子２は複
数本の磁気抵抗（以下ＭＲという）ストライプ９〜１６
により構成されて引出し端子１７〜２０．電源端子２１
．２２が設けられている。このＭＲストライブ９〜１６
は磁気ドラム１と対向してその回転方向へλ／２．λ／
４．λ／２．λ／８．λ／２゜λ／４．λ／２の間隔を
おいて配置され、一端が電圧Ｖｃの直流電゛源に接続さ
れて他端がそれぞれ定電流源３〜６に接続される。この
ＭＲストライプ９〜１６は定電流源３〜６により電流Ｉ
が供給され、磁気ドラム１から受ける磁気信号によりそ
れぞれ抵抗値Ｒｔｘ（ＸＬ Ｒｉｚ（Ｘ）ｙ Ｒｔｉ（
ＸＬ Ｒｘ４（Ｘ）ｔ Ｒｘ５（ＸＬ Ｒｔｓ（ＸＬ
Ｒｌｔ（ＸＬ Ｒｘ５（Ｘ）が磁気ドラム１とＭＲ素子
２との相対的移動距離に応じて変化する。差動増幅器７
は定電流源３．４の電圧Ｖ ｉｘ （ｘ ） ＋ Ｖ
ｔ ４ （ｘ ）の差動増幅を行い、差動増幅器８が定
電流源５，６の電圧ｖ１．（ｘＬｖｉ。（Ｘ）の差動増
幅を行う、磁気ドラム１とＭＲ素子２が矢印方向へ相対
的に移動すると、ＭＲストライプ９と１０．１１と１２
の抵抗値Ｒ、□（ｘ）とＲｔｚ（ｘ）、Ｒｘ１（ｘ）と
Ｒ１４（Ｘ）がそれぞれ逆相で変化し、かつＭＲストラ
イプ９と１１の抵抗値Ｒｔｚ（ＸＬＲｔａ（Ｘ）が９０
”の位相差で変化して差動増幅器７．８から９０°の位
相差を有する正弦波ｅｉｌ（ＸＬ ｅＢ（ｘ）が得られ
る。
とするものが提案されている。この磁気検出装置は例え
ば第９図に示すように磁気ドラム１、磁気抵抗素子２．
定電流源３〜６及び差動増幅器７．８により構成される
。磁気ドラム１は回転方向へＮ極とＳ極が一定の間隔で
交互に着磁されることにより一定波長λの繰り返し信号
が着磁された磁気記録媒体であり、磁気抵抗素子２は複
数本の磁気抵抗（以下ＭＲという）ストライプ９〜１６
により構成されて引出し端子１７〜２０．電源端子２１
．２２が設けられている。このＭＲストライブ９〜１６
は磁気ドラム１と対向してその回転方向へλ／２．λ／
４．λ／２．λ／８．λ／２゜λ／４．λ／２の間隔を
おいて配置され、一端が電圧Ｖｃの直流電゛源に接続さ
れて他端がそれぞれ定電流源３〜６に接続される。この
ＭＲストライプ９〜１６は定電流源３〜６により電流Ｉ
が供給され、磁気ドラム１から受ける磁気信号によりそ
れぞれ抵抗値Ｒｔｘ（ＸＬ Ｒｉｚ（Ｘ）ｙ Ｒｔｉ（
ＸＬ Ｒｘ４（Ｘ）ｔ Ｒｘ５（ＸＬ Ｒｔｓ（ＸＬ
Ｒｌｔ（ＸＬ Ｒｘ５（Ｘ）が磁気ドラム１とＭＲ素子
２との相対的移動距離に応じて変化する。差動増幅器７
は定電流源３．４の電圧Ｖ ｉｘ （ｘ ） ＋ Ｖ
ｔ ４ （ｘ ）の差動増幅を行い、差動増幅器８が定
電流源５，６の電圧ｖ１．（ｘＬｖｉ。（Ｘ）の差動増
幅を行う、磁気ドラム１とＭＲ素子２が矢印方向へ相対
的に移動すると、ＭＲストライプ９と１０．１１と１２
の抵抗値Ｒ、□（ｘ）とＲｔｚ（ｘ）、Ｒｘ１（ｘ）と
Ｒ１４（Ｘ）がそれぞれ逆相で変化し、かつＭＲストラ
イプ９と１１の抵抗値Ｒｔｚ（ＸＬＲｔａ（Ｘ）が９０
”の位相差で変化して差動増幅器７．８から９０°の位
相差を有する正弦波ｅｉｌ（ＸＬ ｅＢ（ｘ）が得られ
る。
今、磁気ドラム１とＭＲストライプ９との相対的移動距
離をＸとすると、ＭＲストライプ９の抵抗値Ｒユ□（Ｘ
）を基準として各ＭＲストライプ１０〜１６の抵抗値Ｒ
ｔｚ（ｘ）””Ｒｘ５（ｘ）は次の式で表わされる。
離をＸとすると、ＭＲストライプ９の抵抗値Ｒユ□（Ｘ
）を基準として各ＭＲストライプ１０〜１６の抵抗値Ｒ
ｔｚ（ｘ）””Ｒｘ５（ｘ）は次の式で表わされる。
Ｒｉｇ（Ｘ）＝ Ｒｔｘ（Ｘ＋λ／２）Ｒｚａ（ｘ）＝
Ｒｔｚ（ｘ ＋ ３λ／４）Ｒｘ４（ｘ）＝ ＲＬＩ
（Ｘ ＋ ５λ／４）＝Ｒｔｘ（Ｘ＋λ／４） Ｒｚｓ （Ｘ ）＝ Ｒ１１（Ｘ ＋１１λ／８）＝Ｒ
□、 （ｘ ＋ ３λ／８） Ｒｚｓ （ｘ ）＝ Ｒｚｚ （ｘ ＋ １５λ／８）
＝ Ｒ１１（ｘ ＋ ７λ／８） Ｒｚｉ （ｘ ）＝ Ｒｉｚ （ｘ ＋ １７λ／８）
＝Ｒｘｔ（Ｘ＋λ／８） Ｒｉｓ（Ｘ）＝ Ｒｌｔ（Ｘ ＋ ２１λ／８）＝Ｒ，
□（ｘ＋５λ／８） また各定電流源３〜６の電圧ｖ□１（ｘＬ Ｖｔ＊（ｘ
ＬＶｚｓ（）ＣＬ ｖｔｓ（ｘ）は Ｖ、（ｘ）＝Ｖｃ （Ｒｉｚ（ｘ）＋Ｒｘｚ（ｘ））
ｘｖｘ４（ｘ）＝Ｖｃ−（Ｒ，、（ｘ）＋Ｒ１４（Ｘ）
） ｌＶｔ５（Ｘ）＝ＶＣ−（ＲＬＩ（Ｘ）＋ＲＩＳ（
Ｘ））Ｉｖｉｓ（ｘ）＝Ｖｃ−（Ｒ□、（ｘ）＋Ｒｕｍ
（Ｘ））Ｉとなる。差動増幅器７，８の増幅率を１とす
ると、差動増幅器７，８の出力信号ａｌｌ（ＸＬ ｅｔ
ａ（ｘ）は次式のようになる。
Ｒｔｚ（ｘ ＋ ３λ／４）Ｒｘ４（ｘ）＝ ＲＬＩ
（Ｘ ＋ ５λ／４）＝Ｒｔｘ（Ｘ＋λ／４） Ｒｚｓ （Ｘ ）＝ Ｒ１１（Ｘ ＋１１λ／８）＝Ｒ
□、 （ｘ ＋ ３λ／８） Ｒｚｓ （ｘ ）＝ Ｒｚｚ （ｘ ＋ １５λ／８）
＝ Ｒ１１（ｘ ＋ ７λ／８） Ｒｚｉ （ｘ ）＝ Ｒｉｚ （ｘ ＋ １７λ／８）
＝Ｒｘｔ（Ｘ＋λ／８） Ｒｉｓ（Ｘ）＝ Ｒｌｔ（Ｘ ＋ ２１λ／８）＝Ｒ，
□（ｘ＋５λ／８） また各定電流源３〜６の電圧ｖ□１（ｘＬ Ｖｔ＊（ｘ
ＬＶｚｓ（）ＣＬ ｖｔｓ（ｘ）は Ｖ、（ｘ）＝Ｖｃ （Ｒｉｚ（ｘ）＋Ｒｘｚ（ｘ））
ｘｖｘ４（ｘ）＝Ｖｃ−（Ｒ，、（ｘ）＋Ｒ１４（Ｘ）
） ｌＶｔ５（Ｘ）＝ＶＣ−（ＲＬＩ（Ｘ）＋ＲＩＳ（
Ｘ））Ｉｖｉｓ（ｘ）＝Ｖｃ−（Ｒ□、（ｘ）＋Ｒｕｍ
（Ｘ））Ｉとなる。差動増幅器７，８の増幅率を１とす
ると、差動増幅器７，８の出力信号ａｌｌ（ＸＬ ｅｔ
ａ（ｘ）は次式のようになる。
ｅｘｔ（ｘ）＝ｖｔｉ（ｘ）−ｖｉａ（ｘ）＝（Ｒｉａ
（ｘ）＋ＲｔＪｘ） Ｒｘｚ（ｘ）−Ｒユ１（Ｘ））
Ｉ ”（Ｒｔｔ（ｘ ＋ ３λ／ ４）＋Ｒ１１（ｘ＋λ／
４）−Ｒ１１（ｘ＋λ／２）−Ｒｔｔ（ｘ）） Ｉｅｔ
ａ（ｘ）＝ｖｔｓ（ｘ）−ｖｉａ（ｘ）＝（Ｒｔｔ（Ｘ
）＋ Ｒｚｓ（ｘ） Ｒｔｓ（ｘ）−Ｒｔｓ（Ｘ））
Ｉ ＝（ＲＬＩ（Ｘ＋λ／８）＋Ｒ１１（ｘ＋５λ／８）−
Ｒ１□（ｘ＋７λ／ ８ ） −Ｒ１＝ （ｘ ＋３λ
／８））Ｉ （発明が解決しようとする課題） 上記磁気検出装置ではＭＲストライプ９〜１６は直流電
源と定電流源３〜６との各間に直列に接続されている数
が少なくて抵抗値が小さいので、消費電流が大きい、ま
たＭＲストライプ９〜１６の配置の広がりが大きいので
、その外側のＭＲストライプは磁気ドラム１との間隔が
大きくなって磁気ドラム１から受ける信号磁界が小さく
なり。
（ｘ）＋ＲｔＪｘ） Ｒｘｚ（ｘ）−Ｒユ１（Ｘ））
Ｉ ”（Ｒｔｔ（ｘ ＋ ３λ／ ４）＋Ｒ１１（ｘ＋λ／
４）−Ｒ１１（ｘ＋λ／２）−Ｒｔｔ（ｘ）） Ｉｅｔ
ａ（ｘ）＝ｖｔｓ（ｘ）−ｖｉａ（ｘ）＝（Ｒｔｔ（Ｘ
）＋ Ｒｚｓ（ｘ） Ｒｔｓ（ｘ）−Ｒｔｓ（Ｘ））
Ｉ ＝（ＲＬＩ（Ｘ＋λ／８）＋Ｒ１１（ｘ＋５λ／８）−
Ｒ１□（ｘ＋７λ／ ８ ） −Ｒ１＝ （ｘ ＋３λ
／８））Ｉ （発明が解決しようとする課題） 上記磁気検出装置ではＭＲストライプ９〜１６は直流電
源と定電流源３〜６との各間に直列に接続されている数
が少なくて抵抗値が小さいので、消費電流が大きい、ま
たＭＲストライプ９〜１６の配置の広がりが大きいので
、その外側のＭＲストライプは磁気ドラム１との間隔が
大きくなって磁気ドラム１から受ける信号磁界が小さく
なり。
抵抗値変化が小さくて検出信号電圧が小さくなる。
（課題を解決するための手段）
本発明は一定波長λの繰り返し信号を着磁記録した磁気
記録媒体と、該磁気記録媒体と対向する磁気抵抗素子を
備えた磁気検出装置において、上記磁気抵抗素子は少な
くとも１往復折り返した磁気抵抗ストライプを単位セグ
メントとし、該単位セグメントをλ／４毎の間隔で単位
セグメントからの引き出し線導出方向が互い違いになる
よう複数個並列に配置し、１相分の上記単位セグメント
の内奇数番目に位置する同士′を直列に接続し、偶数番
目に位置する同士を直列に接続すると共に、上記磁気抵
抗素子を駆動する定電流源を有する。
記録媒体と、該磁気記録媒体と対向する磁気抵抗素子を
備えた磁気検出装置において、上記磁気抵抗素子は少な
くとも１往復折り返した磁気抵抗ストライプを単位セグ
メントとし、該単位セグメントをλ／４毎の間隔で単位
セグメントからの引き出し線導出方向が互い違いになる
よう複数個並列に配置し、１相分の上記単位セグメント
の内奇数番目に位置する同士′を直列に接続し、偶数番
目に位置する同士を直列に接続すると共に、上記磁気抵
抗素子を駆動する定電流源を有する。
（作 用）
磁気抵抗ストライプは定電流源により駆動され、磁気記
録媒体と磁気抵抗素子とが相対的に移動したときに、磁
気記録媒体から受ける磁気信号が変化することにより抵
抗値が変化する。
録媒体と磁気抵抗素子とが相対的に移動したときに、磁
気記録媒体から受ける磁気信号が変化することにより抵
抗値が変化する。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示す。
この実施例は前述の磁気検出装置においてＭＲ素子１−
の−代りにＭＲストライプ３１〜３８で構成したＭＲ素
子３９を用いると共に定電流源３〜６の代りに定電流源
４０〜４３を用いたものであり、ＭＲストライプ３１〜
３８は一対のＭＲストライプ３１と３２．３３と３４．
３５と３６．３７と３８がそれぞれ直列に接続されてそ
の各一端が電源端子４４．４５に接続されると共に他端
がそれぞれ引出し端子４６〜４９に接続される。このＭ
Ｒストライプ３１〜３８はそれぞれ１往復折り返して２
つのＭＲストライプ部３１１，３１２・・・・・３８１
．３８２を直列に接続したものとし、この各２つのＭＲ
ストライプ部３１１，３１２・・・・・３８１．３８２
の間隔を近くして磁気ドラム１との相対的移動距離Ｘに
対して抵抗値変化が従来のような折り返し無しの１つの
ＭＲストライプと同じであると近似できるようにする。
の−代りにＭＲストライプ３１〜３８で構成したＭＲ素
子３９を用いると共に定電流源３〜６の代りに定電流源
４０〜４３を用いたものであり、ＭＲストライプ３１〜
３８は一対のＭＲストライプ３１と３２．３３と３４．
３５と３６．３７と３８がそれぞれ直列に接続されてそ
の各一端が電源端子４４．４５に接続されると共に他端
がそれぞれ引出し端子４６〜４９に接続される。このＭ
Ｒストライプ３１〜３８はそれぞれ１往復折り返して２
つのＭＲストライプ部３１１，３１２・・・・・３８１
．３８２を直列に接続したものとし、この各２つのＭＲ
ストライプ部３１１，３１２・・・・・３８１．３８２
の間隔を近くして磁気ドラム１との相対的移動距離Ｘに
対して抵抗値変化が従来のような折り返し無しの１つの
ＭＲストライプと同じであると近似できるようにする。
このようなＭＲストライプ３１〜３８は抵抗値が従来の
ような折り返し無しの１つのＭＲストライプの２倍とな
る。ＭＲ素子３９の電源端子４４．４５は電圧ＶＣの直
流電源に接続され、ＭＲ素子３９の引出し端子４６〜４
９はそれぞれ定電流源４０〜４３に接続される。このＭ
Ｒストライプ３１〜３８は磁気ドラム１と対向してその
回転方向へ３１，３４゜３２．３３，３６，３７，３５
．３８の順にλ／４、λ／４．λ／４．λ／８．λ／４
．λ／４゜λ／４の間隔で引き出し線導出方向が互い違
いになるように並列に配置される。
ような折り返し無しの１つのＭＲストライプの２倍とな
る。ＭＲ素子３９の電源端子４４．４５は電圧ＶＣの直
流電源に接続され、ＭＲ素子３９の引出し端子４６〜４
９はそれぞれ定電流源４０〜４３に接続される。このＭ
Ｒストライプ３１〜３８は磁気ドラム１と対向してその
回転方向へ３１，３４゜３２．３３，３６，３７，３５
．３８の順にλ／４、λ／４．λ／４．λ／８．λ／４
．λ／４゜λ／４の間隔で引き出し線導出方向が互い違
いになるように並列に配置される。
ＭＲストライプ３１〜３８の各抵抗値をＲ２１（Ｘ）〜
Ｒａ５（ｘ）とすれば次の式が成り立つ。
Ｒａ５（ｘ）とすれば次の式が成り立つ。
Ｒａ１（ｘ）＝ ２ Ｒｚｔ（ｘ）
Ｒ２！ （ｘ ）＝ Ｒａｔ （Ｘ＋λ／２）＝２Ｒユ
ｔ（ｘ＋λ／２） Ｒ２３（Ｘ ）＝ Ｒａｔ （Ｘ ＋ ３λ／４）＝
２ Ｒ１，（ｘ ＋ ３λ／４） Ｒａｓ（Ｘ）＝Ｒａｔ（Ｘ＋λ／４） ＝２Ｒユｉ（ｘ＋λ／４） Ｒａｓ （Ｘ ）＝ Ｒ２□（ｘ ＋ １１λ／８）＝
２ Ｊｔ（ｘ＋ ３λ／８） Ｒｚｓ（ｘ）＝Ｒａｔ（ｘ＋ ７λ／８）＝ ２ Ｒ，
、（ｘ ＋ ７λ／８） Ｒａ７（Ｘ ）＝ Ｒｚｘ （Ｘ ＋ ９λ／８）＝２
Ｒ１□（Ｘ＋λ／８） Ｒ，、（ｘ）＝Ｒ，，（ｘ ＋ １３λ／８）＝２Ｒ１
ｉ（ｘ＋５λ／８） この実施例では前述の磁気検出装置に比べてＭＲストラ
イブ３１〜３８の抵抗値が２倍となって定電流源４０〜
４３の電流値がλ／２となり、動作は前述の磁気検出装
置と同様である。
ｔ（ｘ＋λ／２） Ｒ２３（Ｘ ）＝ Ｒａｔ （Ｘ ＋ ３λ／４）＝
２ Ｒ１，（ｘ ＋ ３λ／４） Ｒａｓ（Ｘ）＝Ｒａｔ（Ｘ＋λ／４） ＝２Ｒユｉ（ｘ＋λ／４） Ｒａｓ （Ｘ ）＝ Ｒ２□（ｘ ＋ １１λ／８）＝
２ Ｊｔ（ｘ＋ ３λ／８） Ｒｚｓ（ｘ）＝Ｒａｔ（ｘ＋ ７λ／８）＝ ２ Ｒ，
、（ｘ ＋ ７λ／８） Ｒａ７（Ｘ ）＝ Ｒｚｘ （Ｘ ＋ ９λ／８）＝２
Ｒ１□（Ｘ＋λ／８） Ｒ，、（ｘ）＝Ｒ，，（ｘ ＋ １３λ／８）＝２Ｒ１
ｉ（ｘ＋５λ／８） この実施例では前述の磁気検出装置に比べてＭＲストラ
イブ３１〜３８の抵抗値が２倍となって定電流源４０〜
４３の電流値がλ／２となり、動作は前述の磁気検出装
置と同様である。
この実施例によればＭＲストライプ３１〜３８の配置の
広がりは１３λ／８となって前述の磁気検出装置の２１
λ／８に比べてλだけ狭くなり、外側のＭＲストライプ
でも磁気ドラム１から強い磁気信号が加わって信号出力
が大きくなる。しかもＭＲストライプ３１〜３８は抵抗
値が大きくなって消費電流が小さくなり、かつ１層構造
でクロスオーバーがなく低コストになる。
広がりは１３λ／８となって前述の磁気検出装置の２１
λ／８に比べてλだけ狭くなり、外側のＭＲストライプ
でも磁気ドラム１から強い磁気信号が加わって信号出力
が大きくなる。しかもＭＲストライプ３１〜３８は抵抗
値が大きくなって消費電流が小さくなり、かつ１層構造
でクロスオーバーがなく低コストになる。
第２図は本発明の他の実施例を示す。
この実施例は上記実施例においてＭＲ素子３９の代りに
ＭＲストライプ５１〜５８で構成したＭＲ素子５９を用
いると共に定電流源４０〜４３の代りに定電流源６０〜
６３を用いたものであり、ＭＲストライプ５１〜５８は
一対のＭＲストライプ５１と５２．５３と５４．５５と
５６．５７と５８がそれぞれ直列に接続されてその各一
端が電源端子６４．６５に接続されると共に他端がそれ
ぞれ引出し端子６６〜６９に接続される。このＭＲスト
ライプ５１〜５８はそれぞれ２往復折り返して４つのＭ
Ｒストライプ部５１１〜５１４・・・・・５８１〜５８
４を直列に接続したものとし、この各４つのＭＲストラ
イプ部５１１〜５１４・・・・・５８１〜５８４を幅広
でその間隙を狭くすることによりベタ配置として磁気ド
ラム１との相対的移動距離Ｘに対して抵抗値変化が従来
のような折り返し無しの１つのＭＲストライプと同じで
あると近似できるようにする。このようなＭＲストライ
プ５１〜５８は抵抗値が従来のような折り返し無しの１
つのＭＲストライプの４倍となる。ＭＲ素子５９の電源
端子６４，６５は電圧Ｖｃの直流電源に接続され、ＭＲ
素子５９の引出し端子６６〜６９はそれぞれ定電流源７
０〜７３に接続される。
ＭＲストライプ５１〜５８で構成したＭＲ素子５９を用
いると共に定電流源４０〜４３の代りに定電流源６０〜
６３を用いたものであり、ＭＲストライプ５１〜５８は
一対のＭＲストライプ５１と５２．５３と５４．５５と
５６．５７と５８がそれぞれ直列に接続されてその各一
端が電源端子６４．６５に接続されると共に他端がそれ
ぞれ引出し端子６６〜６９に接続される。このＭＲスト
ライプ５１〜５８はそれぞれ２往復折り返して４つのＭ
Ｒストライプ部５１１〜５１４・・・・・５８１〜５８
４を直列に接続したものとし、この各４つのＭＲストラ
イプ部５１１〜５１４・・・・・５８１〜５８４を幅広
でその間隙を狭くすることによりベタ配置として磁気ド
ラム１との相対的移動距離Ｘに対して抵抗値変化が従来
のような折り返し無しの１つのＭＲストライプと同じで
あると近似できるようにする。このようなＭＲストライ
プ５１〜５８は抵抗値が従来のような折り返し無しの１
つのＭＲストライプの４倍となる。ＭＲ素子５９の電源
端子６４，６５は電圧Ｖｃの直流電源に接続され、ＭＲ
素子５９の引出し端子６６〜６９はそれぞれ定電流源７
０〜７３に接続される。
このＭＲストライプ５１〜５８は磁気ドラム１と対向し
てその回転方向へ５１．５４，５２，５３゜５７．５５
，５８．５６の順にλ／４．λ／４゜λ／４，３λ／８
．λ／４．λ／４．λ／４の間隔で引き出し線溝出方向
が互い違いになるように並列に配置される。
てその回転方向へ５１．５４，５２，５３゜５７．５５
，５８．５６の順にλ／４．λ／４゜λ／４，３λ／８
．λ／４．λ／４．λ／４の間隔で引き出し線溝出方向
が互い違いになるように並列に配置される。
この実施例では前述の磁気検出装置に比べてＭＲストラ
イプ５１〜５８の抵抗値が４倍となって定電流源６０〜
６３の電流値がＩ／４となり、動作は前述の磁気検出装
置と同様である。
イプ５１〜５８の抵抗値が４倍となって定電流源６０〜
６３の電流値がＩ／４となり、動作は前述の磁気検出装
置と同様である。
ＭＲストライプ５１は４つのＭＲストライプ部５１１〜
５１４がλ／１６の間隔で配置されていて４つのＭＲス
トライプ部５１１〜５１４の各抵抗値をＲｚｘｘ（ＸＬ
Ｒ３ｔｚ（ＸＬ Ｒａｘａ（ＸＬ Ｒｘ、＋（Ｘ）と
すると、ＭＲストライプ５１の抵抗値Ｒ１（Ｘ）は Ｒ２１（Ｘ）＝ Ｒｚｔｚ（Ｘ）＋ Ｒｉｘｉ（Ｘ）＋
Ｒ３ｘｚ（Ｘ）＋Ｒ，□、（Ｘ） ＝Ｒｚｚ（ｘ−３λ／ ３２ ）＋ Ｒ，、（Ｘ −λ
／ ３２ ）＋ Ｒｔｚ （Ｘ＋λ／３２）＋Ｒｕｔ（
Ｘ ＋ ３λ／３２） となる、他のＭＲストライプ５２〜５８も同様である。
５１４がλ／１６の間隔で配置されていて４つのＭＲス
トライプ部５１１〜５１４の各抵抗値をＲｚｘｘ（ＸＬ
Ｒ３ｔｚ（ＸＬ Ｒａｘａ（ＸＬ Ｒｘ、＋（Ｘ）と
すると、ＭＲストライプ５１の抵抗値Ｒ１（Ｘ）は Ｒ２１（Ｘ）＝ Ｒｚｔｚ（Ｘ）＋ Ｒｉｘｉ（Ｘ）＋
Ｒ３ｘｚ（Ｘ）＋Ｒ，□、（Ｘ） ＝Ｒｚｚ（ｘ−３λ／ ３２ ）＋ Ｒ，、（Ｘ −λ
／ ３２ ）＋ Ｒｔｚ （Ｘ＋λ／３２）＋Ｒｕｔ（
Ｘ ＋ ３λ／３２） となる、他のＭＲストライプ５２〜５８も同様である。
今、信号磁界の磁気記録媒体１に平行な磁束密度成分を
Ｂ（ｘ）＝Ｂ、＋Ｂａ ５ｉｎ（２ｙｃ／λ）Ｘとする
。ここで８０は外乱磁束密度、Ｂａは磁気ドラム１の磁
気記録信号から発生する信号磁束密度の振幅、λは磁気
記録信号の波長である。ＭＲストライプの印加磁束密度
に対する抵抗変化率は第３図に示すように２次曲線に近
似して ρ（Ｂ（Ｘ））＝Ａ （Ｂ（ｘ））” と仮定する。ρは減少率である。この場合ＭＲストライ
プの相対的移動距離Ｘに対する抵抗値Ｒ１□（Ｘ）は Ｒａｔ（Ｘ）＝ Ｒｅ （１−ρ（Ｂ （ｘ）） ）で
表わされる。ＭＲス°ドライブは外部から印加される磁
束密度Ｂ（ｘ）がＱ ［ｇａｕｓｓコのときＲｏの抵抗
値を示すが、磁束密度Ｂ（ｘ）が加わると、Ｒｏ−Ｒｅ
ｐ （Ｂ （ｘ））となってＲａ ｐ （Ｂ （ｘ）
）だけ減少することがわかる＠ Ｒ１１（Ｘ）を書き直
すと、Ｒｔｔ（ｘ）＝ Ｒ，（１−Ａ（Ｂ、＋ Ｂａ５
ｉｎ（２ｘ ／λ）ｘ）２） ＝Ｒｅ （１−Ａ （Ｂａ” ＋ Ｂａ”／ ２ ＋
２Ｂ、Ｂａ５ｉｎ（２π／λ）ｘ−（Ｂａ”／２）ｃｏ
ｓ（４π／λ）Ｘ）） となる。同様に Ｒａ１ｔ （Ｘ ）＝ Ｒ１１（Ｘ −３λ／３２）＝
Ｒｏ （１−Ａ（Ｂｅ２＋ Ｂａ”／ ２ ＋ ２Ｂ、
Ｂａ５ｉｎ（２π／λ）（ｘ−３λ／３２）−（Ｂａ
”／ ２）ｃｏｓ（４ｔｃ／λ）（Ｘ−３λ／３２））
） Ｒ３ｘｉ （Ｘ ）＝ Ｒｚｓ （Ｘ−λ／３２）＝Ｒ
，ＣＩ Ａ （Ｂｅ” ＋ Ｂａ”／ ２ ＋ ２
Ｂ、Ｂａ５ｉｎ（２ｓ／λ）（Ｘ−λ／３２） （Ｂ
ａ”／ ２）ｃｏｓ（４π／λ）（Ｘ−λ／３２））） Ｒ，，３（ｘ）＝：Ｒ，（１−Ａ（Ｂｏ”＋Ｂａ”／２
＋ ２Ｂ、Ｂａ５ｉｎ（２π／λ）（ｘ＋λ／３２）
（Ｂａ”／ ２）ｃｏｓ（４７Ｃ／λ）（Ｘ＋λ／
３２））） Ｒ３Ｌ４（Ｘ）＝Ｒ，（１−Ａ（Ｂ、”＋Ｂａ”／２＋
２Ｂ、Ｂａ５ｉｎ（２π／λ）（ｘ＋３λ／３２）−（
Ｂａ”／２）ｃｏｓ（４ｘ／λ）（Ｘ＋３λ／３２））
） となり、ＭＲストライプ５１の抵抗値Ｒ３１（Ｘ）はＲ
３ｘ （ｘ） ＝ Ｒｅ ［４−Ａ （４Ｂｅ” ＋
４８ａ”／ ２ ＋２Ｂ、Ｂａ（ｓｉｎ（２π／λ）（
ｘ−３λ／３２）＋５ｉｎ（２π／λ）（ｘ＋３λ／
３２）＋５ｉｎ（２π／λ）（Ｘ−λ／３２）＋５ｉｎ
（２π／λ）（Ｘ＋λ／３２）−（Ｂａ”／ ２）（ｃ
ｏｓ（４ｔｃ／λ）（Ｘ−３λ／ ３２）＋ｃｏｓ（４
π／λ）（ｘ＋３λ／ ３２ ）＋ｃｏｓ（４ｔｃ ／
λ）（Ｘ−λ／ ３２ ）＋ｃｏｓ（４ｔｃ ／λ）（
Ｘ＋３λ／３２）））］ ＝Ｒｅ Ｃ４−Ａ （４Ｂｅ” ＋ ４ Ｂ ａ” ／
２ ＋２８Ｉ、Ｂａ（２ｓｉｎ（２ｔｃ ／λ）ｘｃ
ｏｓ（３π／１６）＋２ｓｉｎ（２π／λ） ｘ ｃｏ
ｓｙｃ／ １６）−（Ｂａ２／ ２）（２ｃｏｓ（４ｘ
／λ） ｘ ｃｏｓ（３π／ ８ ）＋ ２ ｃｏｓ（
４π／λ）ｘｃｏｓ（π／８）））］ ＝ Ｒａ ［４−Ａ （４（Ｂｅ” ＋ Ｂａ”／ ２
） ＋２ＢｏＢａＸ４ｓｉｎ（２ｇ／λ）ｘＸ（ｃ。
。ここで８０は外乱磁束密度、Ｂａは磁気ドラム１の磁
気記録信号から発生する信号磁束密度の振幅、λは磁気
記録信号の波長である。ＭＲストライプの印加磁束密度
に対する抵抗変化率は第３図に示すように２次曲線に近
似して ρ（Ｂ（Ｘ））＝Ａ （Ｂ（ｘ））” と仮定する。ρは減少率である。この場合ＭＲストライ
プの相対的移動距離Ｘに対する抵抗値Ｒ１□（Ｘ）は Ｒａｔ（Ｘ）＝ Ｒｅ （１−ρ（Ｂ （ｘ）） ）で
表わされる。ＭＲス°ドライブは外部から印加される磁
束密度Ｂ（ｘ）がＱ ［ｇａｕｓｓコのときＲｏの抵抗
値を示すが、磁束密度Ｂ（ｘ）が加わると、Ｒｏ−Ｒｅ
ｐ （Ｂ （ｘ））となってＲａ ｐ （Ｂ （ｘ）
）だけ減少することがわかる＠ Ｒ１１（Ｘ）を書き直
すと、Ｒｔｔ（ｘ）＝ Ｒ，（１−Ａ（Ｂ、＋ Ｂａ５
ｉｎ（２ｘ ／λ）ｘ）２） ＝Ｒｅ （１−Ａ （Ｂａ” ＋ Ｂａ”／ ２ ＋
２Ｂ、Ｂａ５ｉｎ（２π／λ）ｘ−（Ｂａ”／２）ｃｏ
ｓ（４π／λ）Ｘ）） となる。同様に Ｒａ１ｔ （Ｘ ）＝ Ｒ１１（Ｘ −３λ／３２）＝
Ｒｏ （１−Ａ（Ｂｅ２＋ Ｂａ”／ ２ ＋ ２Ｂ、
Ｂａ５ｉｎ（２π／λ）（ｘ−３λ／３２）−（Ｂａ
”／ ２）ｃｏｓ（４ｔｃ／λ）（Ｘ−３λ／３２））
） Ｒ３ｘｉ （Ｘ ）＝ Ｒｚｓ （Ｘ−λ／３２）＝Ｒ
，ＣＩ Ａ （Ｂｅ” ＋ Ｂａ”／ ２ ＋ ２
Ｂ、Ｂａ５ｉｎ（２ｓ／λ）（Ｘ−λ／３２） （Ｂ
ａ”／ ２）ｃｏｓ（４π／λ）（Ｘ−λ／３２））） Ｒ，，３（ｘ）＝：Ｒ，（１−Ａ（Ｂｏ”＋Ｂａ”／２
＋ ２Ｂ、Ｂａ５ｉｎ（２π／λ）（ｘ＋λ／３２）
（Ｂａ”／ ２）ｃｏｓ（４７Ｃ／λ）（Ｘ＋λ／
３２））） Ｒ３Ｌ４（Ｘ）＝Ｒ，（１−Ａ（Ｂ、”＋Ｂａ”／２＋
２Ｂ、Ｂａ５ｉｎ（２π／λ）（ｘ＋３λ／３２）−（
Ｂａ”／２）ｃｏｓ（４ｘ／λ）（Ｘ＋３λ／３２））
） となり、ＭＲストライプ５１の抵抗値Ｒ３１（Ｘ）はＲ
３ｘ （ｘ） ＝ Ｒｅ ［４−Ａ （４Ｂｅ” ＋
４８ａ”／ ２ ＋２Ｂ、Ｂａ（ｓｉｎ（２π／λ）（
ｘ−３λ／３２）＋５ｉｎ（２π／λ）（ｘ＋３λ／
３２）＋５ｉｎ（２π／λ）（Ｘ−λ／３２）＋５ｉｎ
（２π／λ）（Ｘ＋λ／３２）−（Ｂａ”／ ２）（ｃ
ｏｓ（４ｔｃ／λ）（Ｘ−３λ／ ３２）＋ｃｏｓ（４
π／λ）（ｘ＋３λ／ ３２ ）＋ｃｏｓ（４ｔｃ ／
λ）（Ｘ−λ／ ３２ ）＋ｃｏｓ（４ｔｃ ／λ）（
Ｘ＋３λ／３２）））］ ＝Ｒｅ Ｃ４−Ａ （４Ｂｅ” ＋ ４ Ｂ ａ” ／
２ ＋２８Ｉ、Ｂａ（２ｓｉｎ（２ｔｃ ／λ）ｘｃ
ｏｓ（３π／１６）＋２ｓｉｎ（２π／λ） ｘ ｃｏ
ｓｙｃ／ １６）−（Ｂａ２／ ２）（２ｃｏｓ（４ｘ
／λ） ｘ ｃｏｓ（３π／ ８ ）＋ ２ ｃｏｓ（
４π／λ）ｘｃｏｓ（π／８）））］ ＝ Ｒａ ［４−Ａ （４（Ｂｅ” ＋ Ｂａ”／ ２
） ＋２ＢｏＢａＸ４ｓｉｎ（２ｇ／λ）ｘＸ（ｃ。
ｓ３ ｘＸ １６ ＋ｃｏｓπ／ １６）÷２−（Ｂａ
”／ ２）Ｘ ４ｃｏｓ（４ｔｃ ／λ）ｘＸ（ｃｏｓ
（３ｘ ／ ８ ）＋ｃｏｓ（ｔｃ ／ ８ ））÷２
））］ ＝４ Ｒ＠ ［１−Ａ （Ｂ ｏ ” ＋ Ｂ ａ”
／ ２ ＋ ２ＢａＢａｓｉｎ（２ｔｃ ／λ）Ｘ Ｘ
（ｃｏｓ３ ｔｃ／ １６ ＋ｃｏｓπ／ ｌ ６）
÷２−（Ｂａ”／ ２ ）ｃｏｓ（４π／λ）ｘ Ｘ（
ｃｏｓ（３ｘＸ８）＋ｃｏｓ（π／８））÷２））］と
なる０以上の解析より抵抗値Ｒ□、（Ｘ）を有するＭＲ
ストライプを４本、ｘＸ１６の間隔で配置して直列に接
続すると、その抵抗値変化の振幅はとなる。ここに例え
ば ４ Ｘ（ｃｏｓ３ ？Ｃ／ １６ ＋ｃｏｓｇ／ １６
）／ ２４４ ＸＯ，９０６＝３．６２ ４Ｘ（ｃｏｓ３ π／８＋ｃｏｓπ／８）／２４４ｘｏ
。
”／ ２）Ｘ ４ｃｏｓ（４ｔｃ ／λ）ｘＸ（ｃｏｓ
（３ｘ ／ ８ ）＋ｃｏｓ（ｔｃ ／ ８ ））÷２
））］ ＝４ Ｒ＠ ［１−Ａ （Ｂ ｏ ” ＋ Ｂ ａ”
／ ２ ＋ ２ＢａＢａｓｉｎ（２ｔｃ ／λ）Ｘ Ｘ
（ｃｏｓ３ ｔｃ／ １６ ＋ｃｏｓπ／ ｌ ６）
÷２−（Ｂａ”／ ２ ）ｃｏｓ（４π／λ）ｘ Ｘ（
ｃｏｓ（３ｘＸ８）＋ｃｏｓ（π／８））÷２））］と
なる０以上の解析より抵抗値Ｒ□、（Ｘ）を有するＭＲ
ストライプを４本、ｘＸ１６の間隔で配置して直列に接
続すると、その抵抗値変化の振幅はとなる。ここに例え
ば ４ Ｘ（ｃｏｓ３ ？Ｃ／ １６ ＋ｃｏｓｇ／ １６
）／ ２４４ ＸＯ，９０６＝３．６２ ４Ｘ（ｃｏｓ３ π／８＋ｃｏｓπ／８）／２４４ｘｏ
。
６５４＝２．６２
であり、この４本のＭＲストライプを接続したものは２
π／λ成分がＲユ、（Ｘ）の３．６２倍の振幅になって
４π／λ成分がＲ１１（Ｘ）の２．６２倍の振幅になる
。またこの４本のＭＲストライプを接続したものは印加
磁束密度Ｂ（ｘ）−０（Ｂ、＝Ｂａ＝０）のときの抵抗
値がＲ１□（Ｘ）の４倍になる。更−にこの４本のＭＲ
ストライプを接続したものは抵抗値Ｒ１１（ｘ）を有す
るＭＲストライプと比べて第４図に示すように中心線を
一致させれば抵抗変化の位相が全く同じになり、抵抗変
化の交流会の振幅のみが異なって Ｒ３１（ｘ）＝ ４ ＲＬＩ（Ｘ）とおくことができる
。
π／λ成分がＲユ、（Ｘ）の３．６２倍の振幅になって
４π／λ成分がＲ１１（Ｘ）の２．６２倍の振幅になる
。またこの４本のＭＲストライプを接続したものは印加
磁束密度Ｂ（ｘ）−０（Ｂ、＝Ｂａ＝０）のときの抵抗
値がＲ１□（Ｘ）の４倍になる。更−にこの４本のＭＲ
ストライプを接続したものは抵抗値Ｒ１１（ｘ）を有す
るＭＲストライプと比べて第４図に示すように中心線を
一致させれば抵抗変化の位相が全く同じになり、抵抗変
化の交流会の振幅のみが異なって Ｒ３１（ｘ）＝ ４ ＲＬＩ（Ｘ）とおくことができる
。
ＭＲＸドライブ５２〜５８の抵抗値Ｒ３２（Ｘ）〜Ｒｚ
ａＣｘ）は次のように表わされる。
ａＣｘ）は次のように表わされる。
Ｒ３２（Ｘ ） ＝ Ｒａｔ （Ｘ十λ／２）＝４Ｒ１
１’（ｘ＋λ／２） Ｒ３３（ｘ ）＝ Ｒａ１（ｘ ＋ ３λ／４）＝４Ｒ
ｘｚ’（Ｘ＋３λ／４） Ｒａ４（Ｘ ） ＝ Ｒｓｚ （Ｘ＋λ／４）＝４Ｒ１
１’（ｘ＋λ／４） Ｒ３ｓ （Ｘ ）＝ Ｒａｔ （ｘ ＋ １１λ／８）
＝Ｒ，，（ｘ＋３λ／８） ＝４Ｒユ、’（ｘ＋３λ／８） Ｒ３ｓ（ｘ）＝ Ｒ３１（ｘ ＋ １５λ／８）−Ｒ，
、（ｘ ＋ ７λ／８） ＝４Ｒ１１’（ｘ＋７λ／８） Ｒａｔ （Ｘ ） ＝ Ｒ３１（Ｘ ＋ ９λ／８）＝
Ｒ３□（Ｘ＋λ／８） ＝４Ｒｔｔ’（Ｘ＋λ／８） Ｒａｍ （Ｘ ）＝ Ｒａｍ （Ｘ ＋ １３λ／８）
＝Ｒａｚ（ｘ＋５λ／８） ＝４Ｒ，，’（ｘ＋５λ／８） したがってＭＲストライプ５２・〜５８の抵抗変化の位
相は前述した磁気検出装置におけるＭＲストライプ９〜
１６と同じであり、差動増幅器７，８の出力信号ｅ３□
（Ｘ）、ｅ、、ＣＸ）は前述した磁気検出装置の出力信
号ｅ１□（Ｘ）ｅ ６．□（Ｘ）と位相が同じで振幅が
異なることになる。また第５図に示すように各ＭＲスト
ライプ部５１１〜５１４・・・・・５８１〜５８４を等
間隔でしかも等しい幅、隙間で配置すると、各ＭＲスト
ライプ部５１１〜５１４−−−−−５８１〜５８４が同
じ感度（ｐ（Ｂ（ｘ））＝Ａ （Ｂ（ｘ））”のＡが同
じ）になるので、出力波形のひずみがなくなり、望まし
い。
１’（ｘ＋λ／２） Ｒ３３（ｘ ）＝ Ｒａ１（ｘ ＋ ３λ／４）＝４Ｒ
ｘｚ’（Ｘ＋３λ／４） Ｒａ４（Ｘ ） ＝ Ｒｓｚ （Ｘ＋λ／４）＝４Ｒ１
１’（ｘ＋λ／４） Ｒ３ｓ （Ｘ ）＝ Ｒａｔ （ｘ ＋ １１λ／８）
＝Ｒ，，（ｘ＋３λ／８） ＝４Ｒユ、’（ｘ＋３λ／８） Ｒ３ｓ（ｘ）＝ Ｒ３１（ｘ ＋ １５λ／８）−Ｒ，
、（ｘ ＋ ７λ／８） ＝４Ｒ１１’（ｘ＋７λ／８） Ｒａｔ （Ｘ ） ＝ Ｒ３１（Ｘ ＋ ９λ／８）＝
Ｒ３□（Ｘ＋λ／８） ＝４Ｒｔｔ’（Ｘ＋λ／８） Ｒａｍ （Ｘ ）＝ Ｒａｍ （Ｘ ＋ １３λ／８）
＝Ｒａｚ（ｘ＋５λ／８） ＝４Ｒ，，’（ｘ＋５λ／８） したがってＭＲストライプ５２・〜５８の抵抗変化の位
相は前述した磁気検出装置におけるＭＲストライプ９〜
１６と同じであり、差動増幅器７，８の出力信号ｅ３□
（Ｘ）、ｅ、、ＣＸ）は前述した磁気検出装置の出力信
号ｅ１□（Ｘ）ｅ ６．□（Ｘ）と位相が同じで振幅が
異なることになる。また第５図に示すように各ＭＲスト
ライプ部５１１〜５１４・・・・・５８１〜５８４を等
間隔でしかも等しい幅、隙間で配置すると、各ＭＲスト
ライプ部５１１〜５１４−−−−−５８１〜５８４が同
じ感度（ｐ（Ｂ（ｘ））＝Ａ （Ｂ（ｘ））”のＡが同
じ）になるので、出力波形のひずみがなくなり、望まし
い。
磁気検出装置は用途によってはＭＲストライプ配置の広
がりを上記実施例より少し広くても消費電流をもっと小
さくしたい場合が有る。この場合にはＭＲストライプを
偶数個づつ直列に接続するようにしてもよく、例えば第
６図に示すように上記実施例において、直流電源と定電
流源８１〜８４との各間にＭＲストライプ８５〜１００
を４つづつ直列に接続して定電流源８１〜８４でこれら
にλ／８の電流を供給するようにしてもよい。このＭＲ
ストライプ８５〜１００はそれぞれ２往復に折り返した
ものであってＭＲ素子１０１を構成し、磁気ドラム１と
対向してその回転方向へ８５゜８９．８６，９０，８７
，９１，８８，９２，９３．９７，９４，９８，９５，
９９，９６，１００の順にλ／４．λ／４．λ／４．λ
／４．λ／４、λ／４．λ／４，３λ／８．λ／４．λ
／４゜λ／４．λ／４．λ／４．λ／４．λ／４の間隔
で引き出し線源出方向が互い違いになるように並列に配
置されている。また用途によっては出力信号が１相分だ
けでもよい場合があるが、この場合にも本発明を適用す
ることができ、例えば第７図に示すように上記実施例に
おいて直流電源と定電流源１０２，１０３との各間にＭ
Ｒストライプ１０４〜１０７を２つづつ直列に接続して
定電流源１０２．１０３でこれらに電流を供給するよう
にしてもよい。このＭＲストライプ１０４〜１０７はそ
れぞれ１往復に折り返したものであってＭＲ素子１０８
を構成し、磁気ドラム１と対向してその回転方向へ１０
４，１０５，１０６，１０７の順にλ／４．λ／４．λ
／４の間隔で引き出し線源出方向が互い違いになるよう
に並列に配置され −ている、差動増幅器７は定
電流源１０２，１０３の電圧の差動増幅を行って１相分
の出力信号を出力する。
がりを上記実施例より少し広くても消費電流をもっと小
さくしたい場合が有る。この場合にはＭＲストライプを
偶数個づつ直列に接続するようにしてもよく、例えば第
６図に示すように上記実施例において、直流電源と定電
流源８１〜８４との各間にＭＲストライプ８５〜１００
を４つづつ直列に接続して定電流源８１〜８４でこれら
にλ／８の電流を供給するようにしてもよい。このＭＲ
ストライプ８５〜１００はそれぞれ２往復に折り返した
ものであってＭＲ素子１０１を構成し、磁気ドラム１と
対向してその回転方向へ８５゜８９．８６，９０，８７
，９１，８８，９２，９３．９７，９４，９８，９５，
９９，９６，１００の順にλ／４．λ／４．λ／４．λ
／４．λ／４、λ／４．λ／４，３λ／８．λ／４．λ
／４゜λ／４．λ／４．λ／４．λ／４．λ／４の間隔
で引き出し線源出方向が互い違いになるように並列に配
置されている。また用途によっては出力信号が１相分だ
けでもよい場合があるが、この場合にも本発明を適用す
ることができ、例えば第７図に示すように上記実施例に
おいて直流電源と定電流源１０２，１０３との各間にＭ
Ｒストライプ１０４〜１０７を２つづつ直列に接続して
定電流源１０２．１０３でこれらに電流を供給するよう
にしてもよい。このＭＲストライプ１０４〜１０７はそ
れぞれ１往復に折り返したものであってＭＲ素子１０８
を構成し、磁気ドラム１と対向してその回転方向へ１０
４，１０５，１０６，１０７の順にλ／４．λ／４．λ
／４の間隔で引き出し線源出方向が互い違いになるよう
に並列に配置され −ている、差動増幅器７は定
電流源１０２，１０３の電圧の差動増幅を行って１相分
の出力信号を出力する。
第８図は本発明の他の実施例を示す。
この実施例は上記第１図の実施例においてＭＲストライ
プ１１１〜１１８からなるＭＲ素子１１９を用いたもの
であり、ＭＲストライプ１１１〜１１８は磁気ドラム１
と対向してその回転方向へ１１１．１１３，１１２，１
１４，１１５．１１７．１１６，１１８の順にλ／４．
λ／４．λ／４．３λ／８．λ／４．λ／４．λ／４の
間隔で引き出し線源出方向が互い違いになるように並列
に配置される。ＭＲストライプ１１１〜１１８は２つづ
つ直列に接続されてその各一端が電源端子１２０．１２
５に接続されると共に他端がそれぞれ引出し端子１２１
〜１２４に接続され、電源端子１２０，１２５が直流電
源に接続されて引出し端子１２１〜１２４が定電流源４
０〜４３に接続さ九る。
プ１１１〜１１８からなるＭＲ素子１１９を用いたもの
であり、ＭＲストライプ１１１〜１１８は磁気ドラム１
と対向してその回転方向へ１１１．１１３，１１２，１
１４，１１５．１１７．１１６，１１８の順にλ／４．
λ／４．λ／４．３λ／８．λ／４．λ／４．λ／４の
間隔で引き出し線源出方向が互い違いになるように並列
に配置される。ＭＲストライプ１１１〜１１８は２つづ
つ直列に接続されてその各一端が電源端子１２０．１２
５に接続されると共に他端がそれぞれ引出し端子１２１
〜１２４に接続され、電源端子１２０，１２５が直流電
源に接続されて引出し端子１２１〜１２４が定電流源４
０〜４３に接続さ九る。
この実施例は電源端子１２０，１２５を境にして奇数番
目同士、偶数番目同士のＭＲストライプ１１１と１１２
，１１３と１１４，１１５と１１６．１１７と１１８が
接続されているが、第１図の実施例と同様に動作する。
目同士、偶数番目同士のＭＲストライプ１１１と１１２
，１１３と１１４，１１５と１１６．１１７と１１８が
接続されているが、第１図の実施例と同様に動作する。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば一定波長λの繰り返し信号
を１磁記録した磁気記録媒体と、該磁気記録媒体と対向
する磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置において、上記
磁気抵抗素子は少なくとも１往復折り返した磁気抵抗ス
トライプを単位セグメントとし、該単位セグメントをλ
／４毎の間隔で単位セグメントからの引き出し線源出方
向が互い違いになるよう複数個並列に配置し、１相分の
上記単位セグメントの内奇数番目に位置する同士を直列
に接続し、偶数番目に位置する同士を直列に接続すると
共に、上記磁気抵抗素子を定電流源により駆動するので
、磁気抵抗ストライプの直列に接続された本数が増えて
その抵抗値が大きくなり、消費電流を小さくすることが
できる。また磁気抵抗ストライプの配置の広がりを小さ
くして検出信号電圧を大きくすることも可能である。
を１磁記録した磁気記録媒体と、該磁気記録媒体と対向
する磁気抵抗素子を備えた磁気検出装置において、上記
磁気抵抗素子は少なくとも１往復折り返した磁気抵抗ス
トライプを単位セグメントとし、該単位セグメントをλ
／４毎の間隔で単位セグメントからの引き出し線源出方
向が互い違いになるよう複数個並列に配置し、１相分の
上記単位セグメントの内奇数番目に位置する同士を直列
に接続し、偶数番目に位置する同士を直列に接続すると
共に、上記磁気抵抗素子を定電流源により駆動するので
、磁気抵抗ストライプの直列に接続された本数が増えて
その抵抗値が大きくなり、消費電流を小さくすることが
できる。また磁気抵抗ストライプの配置の広がりを小さ
くして検出信号電圧を大きくすることも可能である。
第１図及び第２図は本発明の各実施例を示す概略図、第
３図はＭＲストライプの特性図、第４図及び第５図は上
記実施例を説明するための図、第６図乃至第８図は本発
明の他の各実施例を示す図、第９図は磁気検出装置の一
例を示す概略図である。 １・・・磁気記録媒体、３１〜３８．５１〜５８゜８５
〜１００，１０４〜１０７，１１１〜１１８・・・ＭＲ
ストライプ、３９，５９，１０１，１０８゜１１９・・
・ＭＲ素子、４０〜４３．７０〜７３゜８１〜８４，１
０２，１０３・・・定電流源。
３図はＭＲストライプの特性図、第４図及び第５図は上
記実施例を説明するための図、第６図乃至第８図は本発
明の他の各実施例を示す図、第９図は磁気検出装置の一
例を示す概略図である。 １・・・磁気記録媒体、３１〜３８．５１〜５８゜８５
〜１００，１０４〜１０７，１１１〜１１８・・・ＭＲ
ストライプ、３９，５９，１０１，１０８゜１１９・・
・ＭＲ素子、４０〜４３．７０〜７３゜８１〜８４，１
０２，１０３・・・定電流源。
Claims (1)
- 一定波長λの繰り返し信号を着磁記録した磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体と対向する磁気抵抗素子を備えた磁
気検出装置において、上記磁気抵抗素子は少なくとも１
往復折り返した磁気抵抗ストライプを単位セグメントと
し、該単位セグメントをλ／４毎の間隔で単位セグメン
トからの引き出し線導出方向が互い違いになるよう複数
個並列に配置し、１相分の上記単位セグメントの内奇数
番目に位置する同士を直列に接続し、偶数番目に位置す
る同士を直列に接続すると共に、上記磁気抵抗素子を定
電流源により駆動することを特徴とする磁気検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036913A JP2682630B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 磁気検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036913A JP2682630B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 磁気検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212313A true JPH01212313A (ja) | 1989-08-25 |
| JP2682630B2 JP2682630B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=12483008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1988
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