JPS5994010A

JPS5994010A - 検出器

Info

Publication number: JPS5994010A
Application number: JP20418582A
Authority: JP
Inventors: Kenzaburo Miura; 三浦　健三郎; Yoshiichi Kenmori; 芳一権守
Original assignee: Kawaguchiko Seimitsu KK
Current assignee: Kawaguchiko Seimitsu KK
Priority date: 1982-11-20
Filing date: 1982-11-20
Publication date: 1984-05-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】この発明は、磁気センサと被測定体とにより主に長さを
検出する検出器に関するもので、とくに磁気センサの改
団に関するものである。

従来のこの種の検出器を第１図以下の図面を用いて説明
する。

第１図は検出器の概略説明図であり、第２図は従来の検
出器における磁気検出体を説明するための要部説明図で
あろう第１図、第２図にお（・て、１は被測定体で、幅りより
なる磁性体１ａが等間隔χで配列されている。

そして、この被測定体１の製作にあたっては、非磁性体
よりなる基板上に磁性体１ａを固着するか、あるいは、
第１図に図示したように、磁性体よりなる基板をプレス
加工などによりパンチングしであるいはエツチング加工
などにより貫通穴ｉｂを加工することによって残余の部
分を磁性体１ａとして形成してやって尤よい。２は磁気
センサで、磁気検出体ろと、この磁気検出体乙の上側に
位置したバイアス用永久磁石４とを有している。

磁気検出体ろは第２図に拡大図示したように、ＩｎＳｂ
、　ＱａＡｓ　　などの化学式で表わされる物質を主成
分とする半導体の磁気抵抗効果を利用した２つの磁気抵
抗素子５ａ、５ｂを、上述した被測定体１の磁気体１ａ
の間隔χに対して１７々χずらして差動接続した第１の
磁気検出体５と、同じく２つの磁気抵抗素子６ａ、６ｂ
を１／２χずらして差動接続した第２の磁気検出体６と
からなり、第１の磁気検出体５と第２の磁気検出体６と
を互いに１／４χずらして一直線上にくし目状に、すな
わち、５ａ、６ａ、５ｂ、６１）の順に交互に位置する
ように形成されている。

７は第１及び第２の磁気検出体５．６の入力端子、８は
アース端子、９．１０はそれぞれ第１及び第２の磁気検
出体５、乙の出力端子である。そして、いま入力端子７
に直流電圧を印加して、磁気センサ２を被測定体１に対
して移動させると、出力端子９．１０から互いに１／４
χ（９０°）位相のずルたほぼ正弦波状の信号が得られ
ることになる。つぎに、磁気センサ２と被測定体１とを
相対的に移動させたときに第１の磁気検出体５より生ず
る正弦波状の信号について第３図に図示した概略図を参
照しながら説明する。

第６図（イ）の状態から同図（ニ）の状態まで、磁気セ
ンサ２と被測定体１の磁性体のうちあるひとつの磁性体
１ａが相対的に移動するものとし、磁性体１ａノ幅トハ
各磁気抵抗素子５ａ、６ａ、５１）、６ｂの幅（／−１
）とこれら磁気抵抗素子同志のすき間ｔの２倍を加えた
長さ、すなわちＩ、＝　ｌ　＋１とする。

また、第６図（イ）〜同図（ニ）における相対的な移動
過程によって生ずる信号の波形状態を第４図の波形図に
示す。尚、第４図中縦軸は印加電圧レベルを、横軸に移
動距離をとり、第６図の（イ）に示すように磁気抵抗素
子５ａの左端面と磁性体１ａの右端面とが一致した状態
では、２つの磁気抵抗素子５ａ、５１〕を差動接続した
ため出力端子９の出力電圧は印加電圧■の１／／２の中
点レベル（１／２　Ｖ　）に安定している。この状態か
ら第３図（ロ）に示す状態まで磁性体１ａを図の矢印方
向（右方向）に徐々に移動する過程では、磁気抵抗素子
５ａにバイアス磁石４（第１図に図示）からの磁束が多
くなり、抵抗値が増加するため、印加電圧Ｖレベルすな
わちピーク値Ｖまで電圧が増加していく。

第３図（ロ）の状態から第６図（ハ）の状態まで磁性体
１ａが距離２ｔだけ移動する過程においては、磁気抵抗
素子５ａへの磁束は一定のため、すなわち抵抗値は変化
しないためピーク値Ｖはそのまま保持される。第３図（
ハ）の状態から第ろ図（ニ）の状態まで磁性体１ａが移
動する過程においては、磁気抵抗素子５ａへ作用する磁
石よりの磁束が低下されるため徐々に出力電圧が低下し
て行き、第６図（ニ）の状態では第６図（イ）の状態の
時と同じ位加電圧Ｖの１／２の中点レベル１／２Ｖに達
する。また、図示はしな（・が、以下同様に磁性体１ａ
を第６図（ニ）の状態からさらに矢印方向（右方向）に
移動していくと、今度は、磁気抵抗素子５ａと差動接続
さ八たアース側の磁気抵抗素子５１）ンよって、第４図
に図示したように電圧のゼロレベル側で波形が変化して
いくことになる。尚、と八までは第１の磁気検出体５に
ついてのみ説明してきたが、第１の磁気検出体５と１／
４χ（９０°）位相をずらして２つの磁気抵抗素子６ａ
、６ｂを差動接続した第２の磁気検出体６の出力端子１
０からも同様に正弦波状の出力信号が得られる。この第
２の磁気検出体６の出力信号波形を第４図中破線で図示
する。そこで、つぎに第４図に示したピーク値■での波
形の平坦部分を解消すべ（、第５図に図示したように磁
性体１ａの幅りを各磁気抵抗素子５ａ、６ａ、５１）、
６＋）の幅（ｌ−１）と等しく、すなわち■ノー１−１
として第６図及び第４図で説明したと同様に磁性体１ａ
を第１の磁気検出体５の差動接続された磁気抵抗素子５
ａ、５１）に対して第５図（イ）から（ニ）まで移動さ
せたとき、第６図の実線で示したような出力波形が得ら
れた。第６図に示した出力波形をみると、ピーク値■に
おける波形の平坦部分はなくなったが、今度は中点レベ
ルである１／２■において波形の平坦部分が現わｎでし
まった。（尚、第６図中破線で示した波形は第２の磁気
検出体乙による出力波形を示す。）このことは、第５図
（ハ）の状態から同図（ニ）の状態までの移動距離であ
るすき間ｔの２倍の距離間において、入力端子７側に接
続された磁気抵抗素子５ａとアース端子８側に接続され
た磁気抵抗素子５１〕との不感帯域すなわち安定位置に
磁性体１ａが位置しているためであることが分った。こ
のように、第２図に図示した従来の磁気検出体の配置構
造のように、第１と第２の磁気検出体５．６を同一直線
」二に交互に配着する構造では、それぞへの磁気抵抗素
子間にすき間ｔを設けてやらなければならず、どうして
も出力波形に平坦部分が生じてしまい、この平坦部分を
有した出力信号をゼロクロス点でコンパレータを通して
矩形波に波形整形してパルスを作り、これを計測信号と
して分割したとき、分割精度の悪化を起たし検出器と１
−ての粘度が低下するといった不都合を生じていた。

この発明は係る上記の欠点に鑑みなされたもので、出力
波形上の平坦部分を引きおこす要因である磁気抵抗素子
間のすき間ｔに着目して実験を重ね、このすき間ｔを無
（すことによって、波形上の平坦部分の全く生じない出
力信号が得ら九る精度の向上した検出器の補供をその目
的としたものである。

上記の目的を達成するための、この発明の要旨とすると
ころは、前掲の特許請求の範囲に掲記した通りである。

つぎに、この発明の好適な実施例につい・で、第７図以
下の図面を参照して詳細に説明する。尚、以下に説明す
る磁気検出体の配置構造以外は第１図に示した構造と同
一である、第７図はこの発明の磁気検出体の配置構造を示した説明
図で、符号１１はＩｎｃｈ、ＧａＡ、ｓ　　などの物質
を主成分とする半導体の磁気抵抗効果を利用した２つの
磁気抵抗素子ｔ１ａ、１１１）を被測定体１の磁性体１
ａの間隔χに対して１／／２χずらして差動接続した第
１の磁気検出体であり、符号１２は同じく半′導体の磁
気抵抗効果を利用した２つの磁気抵抗素子１２ａ、１２
ｂを磁性体１ａの間隔χに対して１／２χずらして差動
接続した第２の磁気検出体である。

これら第１及び第２の磁気検出体１１及び１２は、同一
平面上で、互いに１／４χ位相をずらして、しかも互い
に交わることがないように適宜なギャップＧを隔てて平
行線上に平行配置さｒている。そして、各磁気抵抗素子
１１ａ、１１１）、１２ａ、　１２＋）　ノ幅ｌは等し
く、−シかも第２図に図示した従来例のように一直線上
にくし目状に配列したとき、各磁気抵抗素子間にはすき
間（第２図中符号ｔで示された部分）が生じることがな
いように形成されてぃる。１６及び１４は第１の磁気検
出体１１の入力端子及び出力端子、１５及び１６は第２
の磁気検出体１２の入力端子及び出力端子、１７はアー
ス端子である。尚、第１及び第２の磁気検出体１１及び
１２にそれぞれ入力端子１３．１４を設けたのは、異な
る入力波形、たとえば交流のようにＳＩＮ波形とＣＯ８
波形をそれぞれに入力できるようにしたものであり、直
流電圧を印加する場合には、第２図の従来例のように共
通入力端子としてやっても勿論よい。

このような構成において、入力端子１３及び１５に直流
電圧を印加し、磁気センサ２を被゛測定体１に対して移
動さぜたときの、第１の磁気検出体１１の出力端子１４
に得られる出力信号波形について、第８図及び第９図を
参照して説明する。尚、磁性体１ａの幅［Ｊは各磁気抵
抗素子１１ａ、１１１］、１２ａ　、１２１）の幅ｅと
同一であるものとして説明する。

第８図（イ）に示すように磁気抵抗素子１１ａの左端面
と磁性体１ａの右端面とが一致した状態では、２つの磁
気抵抗素子１１ａ、１１１〕を差動接続したため出力端
子１４の出力電圧は印加電圧Ｖの１／／２の中点レベル
＜　１／２　Ｖ　）で安定している。この状態から第８
図（ロ）に示す状態まで磁性体１ａを図の矢印方向（右
方向）に徐々に移動する過程では、磁気抵抗素子１１ａ
にバイアス磁石４からの磁束が多くなり、磁気抵抗素子
１１ａの抵抗値が増加するため、印加電圧Ｖレベルすな
わちピーク値■まで電圧が増加して行く。第８図（ロ）
の状態から第８図（）・）の状態まで磁性体１ａが移動
する過程においては、磁気抵抗素子１１ａへ作用する磁
束が徐々に低下するため、出力電圧も徐々に低下し、第
８図（・・）の状態では第８図（イ）の出力電圧と同様
中点レベルの電圧１／２Ｖとなる。第８図（・・）の状
態から第８図（ニ）の状態　まで移動する過程において
は、今度は磁気抵抗素子１１ａと差動接続さ九たアース
側の磁気抵抗素子１１１〕と磁性体１ａとの関係になる
ため、出力端子１４よりの出力電圧はアース、すなわち
ゼロレベル側に振られることになるため、出力波形は、
１／／２ｖレベルからゼロレベルに向って徐々に低下し
ていき、第８図（ニ）の時点では、ゼロレベル点に達す
る。第８図（ニ）の状態から、さらに磁性体１ａを移動
して第８図（ホ）、すなわち第８図（イ）の状態まで移
動する過程では、アース側の磁気抵抗素子１１１）の磁
束が低下するため、出力波形は１／２Ｖレベルに向って
徐々に増加していき、第８図（ホ）（第８図（イ））の
時点では１／２Ｖレベル点に達して、出力波形の１周期
すなわち磁性体１ａの間隔χの１サイクルが終り、第８
図（ホ）の状態からさらに磁性体１ａを移動すると第９
図に示した出力波形が周期的に出力されることになる。

尚、この第１の磁気検出体１１と１／４χ（９０°）位
相をずらして配置された第２の磁気検出体１２の差動接
続された２つの磁気抵抗素子１２ａ、１２ｂと磁性体１
ａとの移動によって出力端子１６より得ら汎る出力波形
については第９図中破線で図示さ扛るように第１の磁気
検出体１１の出力端子１４より得らする出力波形と９０
°位相がずれた同一波形となることは容易に理解できよ
う。このように、この発明よりなる第７図図示の磁気検
出体配置構造をとることにより、その出力端子からの出
力波形は、従来の出力波形と比べ、ピーク値Ｖレベル、
ゼロレベルあるいは１／２Ｖレベル点を含む全ての時点
において平坦部分を生ずることがない連続した一様な出
力波形が得られ、後段の分割精度の向上が得られること
になろうまた、上記実施例では、磁気検出体（１１，１２）は出
力端子の左右にひとつづつの磁気抵抗素子を直列接続し
て、一方に入力端子を、他方にアース端子を設けた差動
接続の場合について説明してきたが、磁気抵抗素子間の
配列ピッチの製作誤差、磁気抵抗素子における抵抗変化
特性のバラツキ、あるいは磁性体間隔のバラツキなど実
際の製作工程上で生ずる種々のバラツキを平均化して安
定した出力波形を得るため、および磁気抵抗素子による
消費電流の低減化な計るために、出力端子を中心にして
入力端子側とアース端子側に複数の等しい数の磁気抵抗
素子な差動接続した場合の磁気検出体について以下の図
面を参照しながら説明する。

第１０図はこの発明に係る検出器の磁気−検出体の他の
実施例を示した説明図である。

この実施例においては、先に第７図乃至第９図にお（°
て説明した第１実施例の第１及び第２の磁気検出体の場
合に比べ、出力端子を中心にして入力端子側とアース端
子側にそｔぞれ２つ・づつの磁気抵抗素子を接続し、１
つの磁気検出体とし′でヲマ２ｎ　（ｎ　＝　１．２．
４．６、・・・）における１１−２、すなわち合芭１４
つの磁気抵抗素子をイ史用して、差動接続した場合の例
が示され・て（・る、第１０図において、符号２０は第
１の磁気検出体で、４つの磁気抵抗素子２０ａ　、　２
０ｂ　、　２０ｃ、２０ｄを有している。これら４つの
磁気抵抗素子２０ａ・・・２０ｄは出力端子２ろを中心
にして、入力端子２２４ｆＡ＋１に２つの磁気抵抗素子
２０ａ、２０Ｃカ１前述の被氾１１定体１の磁性体１ａ
の間隔χと等し噂間隔入で重々１１接続されており、ま
たアース端子２４側に２つの磁気抵抗素子２０１〕、２
０ｄが間隔χで直列接続されて℃・る。

そして、これら４つの磁気抵抗素子間家、幅ｌ＝１／４
χで、全体として２０ａ、２０ｂ、２０Ｃ５２０ｄの１
１＠にそれぞれ１／２λ間隔で一直線上に配列され゛て
（・る。

符号２１は第２の磁気検出体で、第１の磁気検出体２０
と同様４つの磁気抵抗素子２１ａ、２１ｂ、２１Ｃ１２
１ｄを有している。こｒも４つのイａ気抵抗素子２１ａ
、・・・２１ｄは出力端子２６を１１＋　４１”にし゛
て、入力端子２５側に２つの磁気抵抗素子２１ａ、２１
Ｃ力１間隔χで直列接続されており、アース端子２４４
１１１に２つの磁気抵抗２１１）、２１ｄが間隔χで重
々１１接続されている。これら４つの磁気抵抗素子＆−
１Ｉｆｆ、　ｌ　＝　１／４χで、全体として２１ａ　
、　２１ｂ、２１Ｃ１２１（１の１順に、それぞれ１／
２λ間隔で一直線上に自己グ１ｊさｎ′で（・る。

そして、第１及び第２の磁気検出体２０及び２１（ま同
一平面上で、互いに１／４λ（１）Ｑ相をすらし゛てじ
かも互いに交わることがな（・、Ｌうに適宜なギャップ
Ｇを隔てて平行線りに平行配置され・て（・る、このよ
うな構成におい゛て、入力す；動子２２及び２５にｉｆ
流雷電圧印加し、磁気センサ２を被泪１１定体１に対し
て移動させたときの、第１の磁気検出体２０の出力端子
２６に得られる出力信号波形につ（・“て、第１１図お
よび第１２図を参照し゛て貢見明する。尚、磁性体１ａ
の幅りは各磁気抵抗素子２０ａ、・・−２ｎｄ、２１ａ
、・・・２１ｄの幅ｌと１司−であるものとし′で説明
する。

第１１図（イ）に示すように磁気抵抗素子２０ａの左端
面とひとつの磁性体１ａの右端面とが一致した状態では
磁気抵抗素子２０Ｃは磁気抵抗素子２０ａと間隔χで配
置されているため、他の磁性体１ａの右端面とこの磁気
抵抗素子２０Ｃの左端面とが一致する。

この状態では第１の磁気検出体２０は出力端子２６を中
心にして差動接続されているため、入力端子２２側とア
ース端子２４側の抵抗値が等しくなり、出力端子２３は
入力端子２２の印加電圧Ｖの１／２の中点レベルの電圧
、すなわち１／２Ｖが出力される。この状態から第１１
図（ロ）に示す状態まで磁性体１ａを図の矢印方向（右
Ｊｊ向）に徐々に移動する過程では磁気抵抗素子２０ａ
と２０ｃにバイアス磁石４からの磁束が多くなり、磁気
抵抗素子２０ａと２０Ｃの抵抗値が増加するため、印加
電圧ｖレベルすなわちピーク値■まで電圧が増加して行
く。第１１図（ロ）の状態から第１１図（ハ）の状態ま
で磁性体１ａが移動する過程においては、２つの磁気抵
抗素子２０ａと２０ｃへ作用する磁束が徐々に低下する
ため出力電圧が徐々に低下し、第１１図（ハ）の状態で
は第１１図（イ）の出力電圧と同様中点レベルの電圧１
／２’Ｖとなる。第１１図（ハ）の状態から第１１図（
ニ）の状態まで移動する過程においては、今度は磁気抵
抗素子２０ａ、２０ｃと差動接続さｔたアース側の磁気
抵抗素子２０ｂ、２０ｄと磁性体１ａとの関係になるた
め、出力端子２３よりの出力電圧はアース、すなわち七
ロレベル側に振られることになり、出力電圧は１／２ｖ
レベルからゼロレベルに向って徐々ｃ低下していき、第
１１図（ニ）の時点ではゼロレベルに達する。第１１図
（ニ）の状態からさらに磁性体１ａを移動して第１１図
（ホ）、すなわち第１１図（イ）の状態まで移動する過
程では、アース側の磁気抵抗素子２０１）、２０ｄの磁
束が低下するため、出力電圧は１／２Ｖレベルに向って
徐々に増加して行き、第１１図（ホ）（第１１図（イ）
）の時点では１／２　Ｖレベル点に戻り、出力波形の１
周期、すなわち磁性体１ａの間隔χの１サイクルが終り
、第１１図（ホ）の状態からさらに磁性体１ａ（被測定
体１）を移動すると第１２図に示した出力波形が周期的
に出力されることになる。

また、この第１の磁気検出体２０と１／４χ（９０°）
位相をずらして差動接続された４つの磁気抵抗素子２１
ａ、・・・２１（１を有する第２の磁気検出体２１の出
力端子２６より得られる出力波形については第１２図中
破線で図示されるように、第１の磁気検出体２０の出力
端子２ろより得られる出力波形と９０°位相がずれた同
一波形となることはこれまでの説明から容易に理解でき
よう。

・このように、第１０図乃至第１２図で説明した第２実
施例のように出力端子を中心に入力端子側及びアース端
子側に複数の同数よりなる磁気抵抗素子を配列して全体
として差動接続した磁気検出体を互いに１／４χずらし
て平行配置した構成をとることによって、平坦部分のな
い連続した一様な出力波形が得られ、後段の分割精度の
向上が得られることになる。

尚、これまでの説明においては、磁性体１ａの幅りを磁
気抵抗素子の幅ｅと等しい場合について説明してきたが
、磁性体の幅りは、間隔χから磁気抵抗素子の幅ｌを差
し引いたＬ−（χ−ｌ）であっても、第９図及び第１２
図に示した連続した一様な出力波形を周期的に得ること
ができる。また、第１の磁気検出体の入力端子に交流の
Ｓｉｎ波、第２の検出体の入力端子に交流のＣＯ８波を
入力し、磁気センサと被測定体とを相対的に移動させ第
１、第２の磁気検出体の出力端子より出力を得る場合、
従来例の素子パターンでは、第１、第２の磁気検出体が
同一平面上でかつ、同−右線一ヒに並んで、近接してい
る為、第１、第２の磁気検出体に入力したＳｉｎ波、Ｃ
ｏｓ波が、互いに影響し合い、出力端子より得られる出
力波形がひずんでしまうという現象が起き、分割精度を
低下させてしまうという不都合もあったが、この発明よ
りなる素子パターンでは、第１、第２の磁気検出体は互
いに交わることなく平行配置されているので入力するＳ
ｉｎ波、Ｃｏｓ波相方での影響が少なくなり、出力波形
のひずみを押えることができ、精度を向上することもで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は検出器の概略説明図、第２図は従来の検出器に
おける磁気検出体の配列構造説明図、第６図は第２図に
示した磁気検出体と被測定体とを相対的に移動した状態
を示した説明図、第４図は第ろ図に示した各状態におけ
る出力端子よりの出力波形図、第５図は第２図に示した
従来の磁気検出体の配列構造において被測定体の磁性体
の幅りを変化した場合における磁気検出体と被測定体と
を相対的に移動した状態を示した説明図、第６図は第５
図に示ｔ〜だ各状態における出力端子よりの出力波形図
、第７図はこの発明よりなる検出器の磁気検出体の配列
構造説明図、第８図は第７図に示した磁気検出体と被側
定体とを相対的に移動した状態を示す説明図、第９図は
第８図に示した各状態における出力端子よりの出力波形
図、第１０図はこの発明よりなる検出器の他の磁気検出
体の配列構造説明図、第１１図は１０図に示した磁気検
出体と被測定体とを相対的に移動した状態を示す説明図
、第１２図は第１１図に示した各状態における出力端子
よりの出力波形図である。１・被測定体、１ａ・磁性体、Ｌ・・磁性体の幅、χ・
・磁性体の間隔、２　磁気センサ、３・・磁気検出体、
４　・バイアス用永久磁石、５．１１．２ｏ・第１の磁
気検出体、６．１２．２１　・第２の磁気検出体、５ａ
、５ｂ、６ａ、６１）、１１ａ、　　１１ｂ、１２ａ、
　　１２ｂ、２０ａ、２０ｂ、２０Ｃ１２０ｄ　、　２
１ａ　、　２１ｂ、２ＩＣ１２１ｄ　・＝磁気抵抗素子
、７．１３．１５．２２．２５　　人力端子、８．１７
．２４・アース端子、９．１０．１４．１６．２３．２
６・・・出力端子。手　　続　　補　　正　　書　（自　発−）特許庁長官
　若杉　和夫　殿〕事件の表示昭和５７年特許願第　２０４１８５　　号２、発明の名
称検　　出　　器３、補正をする者電話０５５５−３−１２３１自　　　　　　　発６、補正の対象（１）　　　願　　　　　　書（２）　　　明　　細　　書７補正の内容（１）　　別紙の通シ（２）　　明細書の浄書（内容に変更なし）手　　続　
　補　　正　　書昭和　　年　　月　　日特許庁長官若杉和夫殿］事件の表示昭和５７年特許願第　２０４１８５　　号２、発明の名
称検　　出　　器３、補正をする者電話０５５５−３−１２３　：Ｌ６、補正の対象明細書の「発明の詳細な説明」の欄７、補正の内容（１）明細書２頁１９行目「磁気体１ａの」とあるを「
磁性体１ａの」と訂正する。（２）明細書４頁５行目「印加電圧しべ」とあ石を「出
力電圧レベ」と訂正する。（３）明細書１４頁５行目「磁気抵抗２１ｂ１２１（ｌ
が」とあるを「磁頷抵抗素子２１ｂ１２１ｄが」と訂正
する。

Claims

【特許請求の範囲】

複数の磁性体を等間隔χで配列した被測定体とこの被測
定体に対向配置で少なくとも２ｎ（但し、１１−１．２
．３．４．５、・・・）の磁気抵抗素子を１／２χ間隔
で差動接続した第１及び第２の磁気検出体と、この第１
及び第２の磁気検出体の上に近接配置されたバイアス用
永久磁石とを有した磁気センサとを備え、前記第１の磁
気検出体と第２の磁気検出体とは同一平面」二で互いに
１／４χ位相をずらして、しかも互いに交わることなく
平行配置してなる検出器。