JPH01214025A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01214025A JPH01214025A JP3885388A JP3885388A JPH01214025A JP H01214025 A JPH01214025 A JP H01214025A JP 3885388 A JP3885388 A JP 3885388A JP 3885388 A JP3885388 A JP 3885388A JP H01214025 A JPH01214025 A JP H01214025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- nitride film
- etching
- reactive ion
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 29
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にプラズマ窒
化膜をリアクティブイオンエツチング法にてエツチング
を行う方法に関する。
化膜をリアクティブイオンエツチング法にてエツチング
を行う方法に関する。
一般に半導体装置の製造工程における各種膜のパターン
形成方法として、パターンを形成する膜の上に所要のパ
ターンに形成したマスクを形成し、；のマスクを利用し
て膜のエツチングを行う方法がとられている。従来、プ
ラズマ窒化膜をこの種の方法でパターン形成する場合に
は、パターニングされたレジストをマスクとして用い、
これをＣＦ、＋Ｈｚガス系を用いたりアクティブイオン
エツチング法によりエツチングする方法がとられている
。
形成方法として、パターンを形成する膜の上に所要のパ
ターンに形成したマスクを形成し、；のマスクを利用し
て膜のエツチングを行う方法がとられている。従来、プ
ラズマ窒化膜をこの種の方法でパターン形成する場合に
は、パターニングされたレジストをマスクとして用い、
これをＣＦ、＋Ｈｚガス系を用いたりアクティブイオン
エツチング法によりエツチングする方法がとられている
。
例えば、従来の方法の一例を、第２図（ａ）乃至（Ｃ）
にエツチングの進行状態を模式的かつ時系列順に示す。
にエツチングの進行状態を模式的かつ時系列順に示す。
即ち、下地基板１上に形成したプラズマ窒化膜２上に所
要パターンのレジスト３を設け、これに対してＣＦ４
＋）（、プラズマ４を照射してエツチングを行っている
。
要パターンのレジスト３を設け、これに対してＣＦ４
＋）（、プラズマ４を照射してエツチングを行っている
。
上述した従来の方法では、第２図（ｂ）及び（Ｃ）に示
すように、レジスト成分とガス成分の共重合物５をプラ
ズマ窒化膜３上にデボジッションしながらエツチングが
行われ、またＨ２をＣＦ。
すように、レジスト成分とガス成分の共重合物５をプラ
ズマ窒化膜３上にデボジッションしながらエツチングが
行われ、またＨ２をＣＦ。
に添加することによりプラズマ窒化膜のエッチャントで
あるＦラジカルを減少させるため、イオン衝撃の少ない
ウェーハ中央部のエッチングレートが低くなり面内均一
性が悪くなるという問題がある。
あるＦラジカルを減少させるため、イオン衝撃の少ない
ウェーハ中央部のエッチングレートが低くなり面内均一
性が悪くなるという問題がある。
つまり、第４図に示すように、ＣＦ４ ＋）（、という
ガス系を用いているため、Ｆラジカルの減少及びレジス
ト成分とガス成分との共重合物のデボジッションが起き
、エツチングレートはエツチング時間が長くなると急激
に低下する。また、このエツチングレートの低下はウェ
ーハ中央部において著しいためエツチングレートの面内
均一性も極端に悪くなるという問題がある。
ガス系を用いているため、Ｆラジカルの減少及びレジス
ト成分とガス成分との共重合物のデボジッションが起き
、エツチングレートはエツチング時間が長くなると急激
に低下する。また、このエツチングレートの低下はウェ
ーハ中央部において著しいためエツチングレートの面内
均一性も極端に悪くなるという問題がある。
本発明はエツチングレートの面内均一性を向上すること
が可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的と
している。
が可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的と
している。
本発明の半導体装置の製造方法は、レジストをマスクと
してプラズマ窒化膜をエツチングする際に、１０Ｐａ以
下の真空度でＣＦ、に１０％以下のＮ２を添加したガス
系を用いてリアクティブイオンエツチングを行っている
。
してプラズマ窒化膜をエツチングする際に、１０Ｐａ以
下の真空度でＣＦ、に１０％以下のＮ２を添加したガス
系を用いてリアクティブイオンエツチングを行っている
。
上述した方法では、１０Ｐａ以下の真空度でＣＦ。
に１θ％以下のＮ２を添加したガス系を用いることによ
り、プラズマ窒化膜のエッチャントであるＦラジカルを
増加させ、かつレジスト成分とガス成分の共重合による
デボジッションを抑制する。
り、プラズマ窒化膜のエッチャントであるＦラジカルを
増加させ、かつレジスト成分とガス成分の共重合による
デボジッションを抑制する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明によりプラズマ窒化膜
をリアクティブイオンエツチングする場合の縦断面図で
ある。同図（ａ）のように、下地１の表面にプラズマ窒
化膜２を成長させ、この上に所要パターンに形成したレ
ジストマスク３を形成する。そして、１０Ｐａ以下の真
空度でＣＦ ａに１０％以下のＮ２を添加したガス系４
を用いてリアクティブイオンエツチングを行っている。
をリアクティブイオンエツチングする場合の縦断面図で
ある。同図（ａ）のように、下地１の表面にプラズマ窒
化膜２を成長させ、この上に所要パターンに形成したレ
ジストマスク３を形成する。そして、１０Ｐａ以下の真
空度でＣＦ ａに１０％以下のＮ２を添加したガス系４
を用いてリアクティブイオンエツチングを行っている。
この結果、同図（ｂ）のように、ウェハ面内で均一なエ
ツチングが可能となる。
ツチングが可能となる。
即ち、第３図は本発明によりプラズマ窒化膜をリアクテ
ィブイオンエツチングした場合のエツチングレートを示
したものである。１０Ｐａ以下の真空度でＣＦ、に１０
％以下のＮ２を添加したガス系を用いているため、Ｆラ
ジカル′の減少及びレジスト成分とガス成分との共重合
によるデポジションが少なく、その結果イオン衝撃の少
ないウェーハ中央部でもエツチングレイトの低下がなく
、エツチングレイトはエツチング時間に関係なく一定で
あり、かつ面内均一性も良好である。
ィブイオンエツチングした場合のエツチングレートを示
したものである。１０Ｐａ以下の真空度でＣＦ、に１０
％以下のＮ２を添加したガス系を用いているため、Ｆラ
ジカル′の減少及びレジスト成分とガス成分との共重合
によるデポジションが少なく、その結果イオン衝撃の少
ないウェーハ中央部でもエツチングレイトの低下がなく
、エツチングレイトはエツチング時間に関係なく一定で
あり、かつ面内均一性も良好である。
ここで、１０Ｐａ以上の真空度でエツチングを行った場
合には異方性を保つことが難しくなりサイドエッチが入
りやすくなる。また、１０％以上のＮ２を添加した場合
にはエツチングレートが低下してしまうため注意が必要
である。
合には異方性を保つことが難しくなりサイドエッチが入
りやすくなる。また、１０％以上のＮ２を添加した場合
にはエツチングレートが低下してしまうため注意が必要
である。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明は、１０Ｐａ以下の真空度で
ＣＦ、に１０％以下のＮ２を添加したガス系を用いて、
レジストをマスクに用いたプラズマ窒化膜のりアクティ
ブイオンエツチングを行うので、プラズマ窒化膜のエッ
チャントであるＦラジカルを増加させ、さらにレジスト
成分とガス成分との共重合によるデボジッションを押さ
えるため、エツチング時間によらず一定のエツチングレ
イトを保ち、しかも面内均一性を従来の方法に比較して
２０倍近くも向上させることができる効果がある。
ＣＦ、に１０％以下のＮ２を添加したガス系を用いて、
レジストをマスクに用いたプラズマ窒化膜のりアクティ
ブイオンエツチングを行うので、プラズマ窒化膜のエッ
チャントであるＦラジカルを増加させ、さらにレジスト
成分とガス成分との共重合によるデボジッションを押さ
えるため、エツチング時間によらず一定のエツチングレ
イトを保ち、しかも面内均一性を従来の方法に比較して
２０倍近くも向上させることができる効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明方法を説明するための
工程断面図、第２図（ａ）乃至（Ｃ）は従来方法を工程
順に示す断面図、第３図は本発明方法におけるエツチン
グ時間に対するエツチングレートを示す図、第４図は従
来の方法におけるエツチング時間に対するエツチングレ
ートを示す図である。 １・・・下地、２・・・プラズマ窒化膜、３・・・レジ
ストマスク、４・・−ＣＦ、＋Ｈ，プラズマ、５・・・
デポジション。 第１図 第２図 ＋ １１ ！ ｉ ｊ’″ｊｊＪＩ１
工程断面図、第２図（ａ）乃至（Ｃ）は従来方法を工程
順に示す断面図、第３図は本発明方法におけるエツチン
グ時間に対するエツチングレートを示す図、第４図は従
来の方法におけるエツチング時間に対するエツチングレ
ートを示す図である。 １・・・下地、２・・・プラズマ窒化膜、３・・・レジ
ストマスク、４・・−ＣＦ、＋Ｈ，プラズマ、５・・・
デポジション。 第１図 第２図 ＋ １１ ！ ｉ ｊ’″ｊｊＪＩ１
Claims (1)
- １、レジストをマスクとしてプラズマ窒化膜をリアクテ
ィブイオンエッチングする工程を含む半導体装置の製造
方法において、１０Ｐａ以下の真空度でＣＦ＿４に１０
％以下のＮ＿２を添加したガス系を用いてリアクティブ
イオンエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3885388A JPH01214025A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3885388A JPH01214025A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214025A true JPH01214025A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12536760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3885388A Pending JPH01214025A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999010923A1 (en) * | 1997-08-28 | 1999-03-04 | Lam Research Corporation | Method for selective plasma etch |
| US6143125A (en) * | 1996-09-20 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Apparatus and method for dry etching |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111222A (en) * | 1980-01-31 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Dry etching method on silicon nitride film |
| JPS58101428A (ja) * | 1981-12-12 | 1983-06-16 | Toshiba Corp | シリコン窒化膜のエツチング方法 |
| JPS62194623A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマエツチング方法 |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP3885388A patent/JPH01214025A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111222A (en) * | 1980-01-31 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Dry etching method on silicon nitride film |
| JPS58101428A (ja) * | 1981-12-12 | 1983-06-16 | Toshiba Corp | シリコン窒化膜のエツチング方法 |
| JPS62194623A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマエツチング方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143125A (en) * | 1996-09-20 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Apparatus and method for dry etching |
| WO1999010923A1 (en) * | 1997-08-28 | 1999-03-04 | Lam Research Corporation | Method for selective plasma etch |
| US6090304A (en) * | 1997-08-28 | 2000-07-18 | Lam Research Corporation | Methods for selective plasma etch |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61194834A (ja) | ポリシリコンのエツチング方法 | |
| JPH01309329A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH01214025A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2950110B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| CA2006175A1 (en) | Method of forming patterned silicone rubber layer | |
| CN1103493C (zh) | 降低在蚀刻氮化物时产生微负载的方法 | |
| JPS6227384B2 (ja) | ||
| JPH0485928A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS6213813B2 (ja) | ||
| US5961718A (en) | Process for selectively depositing diamond films | |
| JPH05166769A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59163829A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0265256A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100236089B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR930008841B1 (ko) | 반도체 제조중 콘택트홀의 형성방법 | |
| KR100311495B1 (ko) | 반도체소자의 절연막 평탄화방법 | |
| KR960013140B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR100317310B1 (ko) | 반도체소자의콘택홀형성방법 | |
| JP2600839B2 (ja) | 窒化シリコン膜のエッチング方法 | |
| JPS60175425A (ja) | 選択エツチング方法 | |
| JPS62104139A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0394425A (ja) | レジスト除去方法 | |
| KR0172856B1 (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| KR20010047180A (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 | |
| JPS6043829A (ja) | ドライエッチング方法 |