JPH01215068A - 光センサ組み込み半導体装置 - Google Patents
光センサ組み込み半導体装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光センサないしは光センサアレイが組み込まれ
樹脂モールドパッケージ内に埋め込み収納されてなる半
導体装置に関する。
樹脂モールドパッケージ内に埋め込み収納されてなる半
導体装置に関する。
上述の光センサ組み込み半導体装置は単一のセンサとし
であるいは光センサを複数個配列した光センサアレイな
いしはイメージセンサとして広(用いられており、さら
に最近では例えば自動焦点カメラ用に光センサアレイを
集積回路と一緒に組み込んだ形でも利用されるようにな
って来た。いずれの場合にも、半導体装置であるからに
は何らかのパッケージ内に収納した上で使用する要があ
り、開発当初は窓がついた手中ン形パッケージ内に収納
して窓から受光するようにしていた。しかし、キャン形
パフケージでは寸法がどうしても大きくなって利用対象
内への組み込みに不便なのと、生産量が増えて来るとコ
スト低減をしなければならないので、樹脂モールド形の
パフケージが採用されるようになって来た。第4図はこ
の従来例を示すものである。
であるいは光センサを複数個配列した光センサアレイな
いしはイメージセンサとして広(用いられており、さら
に最近では例えば自動焦点カメラ用に光センサアレイを
集積回路と一緒に組み込んだ形でも利用されるようにな
って来た。いずれの場合にも、半導体装置であるからに
は何らかのパッケージ内に収納した上で使用する要があ
り、開発当初は窓がついた手中ン形パッケージ内に収納
して窓から受光するようにしていた。しかし、キャン形
パフケージでは寸法がどうしても大きくなって利用対象
内への組み込みに不便なのと、生産量が増えて来るとコ
スト低減をしなければならないので、樹脂モールド形の
パフケージが採用されるようになって来た。第4図はこ
の従来例を示すものである。
第4図の例では集積回路用の半導体チップlO内に光セ
ンサ11が光センサアレイの形で組み込まれており、図
かられかるようにDIP形の樹脂モールドパッケージ内
に収納される。半導体チップ10はリードフレームのダ
イパッド21上に接着剤13等の手段で、取−り付けら
れ、その接続パッド12がリードフレームのリード22
の一端とボンディング線30を介して接続されている。
ンサ11が光センサアレイの形で組み込まれており、図
かられかるようにDIP形の樹脂モールドパッケージ内
に収納される。半導体チップ10はリードフレームのダ
イパッド21上に接着剤13等の手段で、取−り付けら
れ、その接続パッド12がリードフレームのリード22
の一端とボンディング線30を介して接続されている。
半導体チップ10の上面の光センサ11に光りを受光す
る要があるので、パッケージ用の樹脂モールド体50の
材料には透明なエポキシ樹脂やアクリル樹脂が用いられ
、トランスファモールド法や射出成形法によってモール
ド成形される。よく知られているように、この成形工程
後はリードフレームから余分な部分を除去することによ
りリード22がリードフレームから切り離されて例えば
図示のように折り曲げられる。
る要があるので、パッケージ用の樹脂モールド体50の
材料には透明なエポキシ樹脂やアクリル樹脂が用いられ
、トランスファモールド法や射出成形法によってモール
ド成形される。よく知られているように、この成形工程
後はリードフレームから余分な部分を除去することによ
りリード22がリードフレームから切り離されて例えば
図示のように折り曲げられる。
d1門が解決しようとする課題〕
上述の透明樹脂モールド形の光センサ組み込み半導体装
置は、組み立て作業や成形作業に手間が掛からず低コス
トで製作することができるが、性能上は若干の問題なし
としない、その一つは樹脂の劣化や変色により光透過性
率が次第に下がって使用中に光センサの感度が落ちて来
る問題である。
置は、組み立て作業や成形作業に手間が掛からず低コス
トで製作することができるが、性能上は若干の問題なし
としない、その一つは樹脂の劣化や変色により光透過性
率が次第に下がって使用中に光センサの感度が落ちて来
る問題である。
よく知られているように、フィラーを含まない透明樹脂
は比較的劣化が早い欠点がある。もう一つはモールド樹
脂の硬度があまり高くないので光センサの直ぐ上の樹脂
の表面に傷が付きやすいことであって、入射光りがこれ
によって散乱ないしは特定の方向に反射されてしまうの
で、この場合にも光センサの感度低下が生じる。さらに
もう一つの欠点は、図示のような迷光Lsの影響を受け
やすいことであって、種々の方向から樹脂パッケージに
侵入する光がその表面で内部反射されながら迷光L3と
なっそ光センサ11に混入するので、その光電出力値に
狂いが生じ、とくに光センサが光センサアレイである場
合はそれが受ける映像パターンと異なるパターンが検出
されたり、パターンが本来もつコントラストが低下して
パターンの検出が困難になる不都合が生じる。
は比較的劣化が早い欠点がある。もう一つはモールド樹
脂の硬度があまり高くないので光センサの直ぐ上の樹脂
の表面に傷が付きやすいことであって、入射光りがこれ
によって散乱ないしは特定の方向に反射されてしまうの
で、この場合にも光センサの感度低下が生じる。さらに
もう一つの欠点は、図示のような迷光Lsの影響を受け
やすいことであって、種々の方向から樹脂パッケージに
侵入する光がその表面で内部反射されながら迷光L3と
なっそ光センサ11に混入するので、その光電出力値に
狂いが生じ、とくに光センサが光センサアレイである場
合はそれが受ける映像パターンと異なるパターンが検出
されたり、パターンが本来もつコントラストが低下して
パターンの検出が困難になる不都合が生じる。
本発明の課題は従来のかかろ問題点を解消して、使用中
に光センサの感度や検出能力が低下することがない光セ
ンサを組み込んだ半導体装置を得ることにある。
に光センサの感度や検出能力が低下することがない光セ
ンサを組み込んだ半導体装置を得ることにある。
上述の課題は、光センサ組み込み半導体装置を光センサ
が組み込まれた半導体チップと、半導体チップの光セン
サが組み込まれた部分の表面を少なくとも覆うように半
導体チップ上に配置された光透過性材料からなる板状の
透光体と、半導“体チップにそれぞれ接続された複数個
のリードと、透光体の周縁部、半導体チップおよびリー
ドの半導体チップとの接続部を包み込みかつリードを外
方に突出させるように成形された遮光性の樹脂からなる
樹脂モールド体とで構成して、樹脂モールド体がら透光
体の中央部の表面を露出させることによって解決される
。
が組み込まれた半導体チップと、半導体チップの光セン
サが組み込まれた部分の表面を少なくとも覆うように半
導体チップ上に配置された光透過性材料からなる板状の
透光体と、半導“体チップにそれぞれ接続された複数個
のリードと、透光体の周縁部、半導体チップおよびリー
ドの半導体チップとの接続部を包み込みかつリードを外
方に突出させるように成形された遮光性の樹脂からなる
樹脂モールド体とで構成して、樹脂モールド体がら透光
体の中央部の表面を露出させることによって解決される
。
上記の透光体としては硬度の高いものとぐに薄手のガラ
ス板を用い墨のがよく、光センサの感光波長帯を調節す
るためのフィルタ等をこれに組み合わせて用いることが
できる。
ス板を用い墨のがよく、光センサの感光波長帯を調節す
るためのフィルタ等をこれに組み合わせて用いることが
できる。
上記の構成かられかるように、本発明は半導体チップの
光センサの受光部の前に透光体を配し、樹脂モールドを
この透光体の周縁部を包み込むように施し、透光体の中
央部をパッケージの表面に露出させて光をこの露出面か
ら光センサに皐り込むようにすることにより、モールド
樹脂6と劣化が生じても光センサの感度に影響を与えず
、かつ透光体のその周縁部のモールド樹脂の表面より凹
んだ露出面が外部から傷を受1jμくし、さらにモール
ド樹脂に遮光性のものを用いて透光体の側面や半導体チ
・ノブを囲み込むことにより、迷光が光センサに侵入し
えないようにして、前述の11題を解決するものである
。
光センサの受光部の前に透光体を配し、樹脂モールドを
この透光体の周縁部を包み込むように施し、透光体の中
央部をパッケージの表面に露出させて光をこの露出面か
ら光センサに皐り込むようにすることにより、モールド
樹脂6と劣化が生じても光センサの感度に影響を与えず
、かつ透光体のその周縁部のモールド樹脂の表面より凹
んだ露出面が外部から傷を受1jμくし、さらにモール
ド樹脂に遮光性のものを用いて透光体の側面や半導体チ
・ノブを囲み込むことにより、迷光が光センサに侵入し
えないようにして、前述の11題を解決するものである
。
(実施例〕
以下、図を参照しながら本発明の詳細な説明する。第1
図は本発明の実施例の完成1専の断面図。
図は本発明の実施例の完成1専の断面図。
第2図iそれを樹脂モールドを施す前の状態で示す上面
図である。第3図にはその主な一造工程ごとの状態が断
面で示されている。
図である。第3図にはその主な一造工程ごとの状態が断
面で示されている。
第1図において、この実施例における半導体チップ10
は第4図の場合と同じ(集積回路用で、その上面の中央
部に光センサアレイ11が組み込まれ、その左右の周縁
部に接続パッド12が図の前後方向に並べて設けられて
おり、リードフレームの接続パッド12上にその下面を
接着ないしははんだ付けすることにより取り付けられる
0図示されていないが、半導体チップlOの接続パッド
部以外の上面は窒化シリコン膜等のごく薄い保護膜で覆
わ□れている。透光体40は例えば0.5鶴程度の薄い
ガラス板で、半導体チップ10の上面に光センサ11や
その周辺部を覆うように接着等の手段で取り付けないし
は配置されている。半導体チップ10の接続パッド12
とリードフレームのり一ド22とめ接続はボンディング
線30によりなされるが、この様子が第2図に詳しく示
されている。
は第4図の場合と同じ(集積回路用で、その上面の中央
部に光センサアレイ11が組み込まれ、その左右の周縁
部に接続パッド12が図の前後方向に並べて設けられて
おり、リードフレームの接続パッド12上にその下面を
接着ないしははんだ付けすることにより取り付けられる
0図示されていないが、半導体チップlOの接続パッド
部以外の上面は窒化シリコン膜等のごく薄い保護膜で覆
わ□れている。透光体40は例えば0.5鶴程度の薄い
ガラス板で、半導体チップ10の上面に光センサ11や
その周辺部を覆うように接着等の手段で取り付けないし
は配置されている。半導体チップ10の接続パッド12
とリードフレームのり一ド22とめ接続はボンディング
線30によりなされるが、この様子が第2図に詳しく示
されている。
リードフレーム20は通常のように薄い金属板から打ち
抜かれた複数個の半導体装置に共用に設けられるもので
、図の1対の縦の一点鎖線間がその繰り返えしの単位2
0mになっている。その図の上下1対の横桁23と左右
1対の縦桁24とで1個のフレームが形成されていて、
その中央に半導体チップ10が取り付けられるグイパッ
ド21が1対の支え25を介して横桁23により支承さ
れている。?jI数本のリード22はそれらの先端がグ
イバンド21を取り囲むように配置されて縦桁24によ
りそれぞれ基部が支承され、中間部は連絡桁26により
相互に連結されかつ横桁23とも連絡されている。上述
のボンディング線30による接続は、半導体チップの左
右の周縁に並んだ接続パッド12のそれぞれとり一ド2
2のやや広げられた各先端との間で図示のように行なわ
れる。このボンディング線による半導体チップlOとリ
ード22との接続と前述の透光体40の半導体テンプ1
0上への配置をすませた後、1対の横桁23と1対の連
絡桁26とによって囲まれた図では部分ハンチングを付
して示した範囲に樹脂モールドが施される。
抜かれた複数個の半導体装置に共用に設けられるもので
、図の1対の縦の一点鎖線間がその繰り返えしの単位2
0mになっている。その図の上下1対の横桁23と左右
1対の縦桁24とで1個のフレームが形成されていて、
その中央に半導体チップ10が取り付けられるグイパッ
ド21が1対の支え25を介して横桁23により支承さ
れている。?jI数本のリード22はそれらの先端がグ
イバンド21を取り囲むように配置されて縦桁24によ
りそれぞれ基部が支承され、中間部は連絡桁26により
相互に連結されかつ横桁23とも連絡されている。上述
のボンディング線30による接続は、半導体チップの左
右の周縁に並んだ接続パッド12のそれぞれとり一ド2
2のやや広げられた各先端との間で図示のように行なわ
れる。このボンディング線による半導体チップlOとリ
ード22との接続と前述の透光体40の半導体テンプ1
0上への配置をすませた後、1対の横桁23と1対の連
絡桁26とによって囲まれた図では部分ハンチングを付
して示した範囲に樹脂モールドが施される。
この樹脂モールドは第1図で樹脂モールド体50により
示されたように、半導体チップ10やそのリード22と
の接続部を包み込むようになされるのは従来と同じであ
るが、透光体40に対してはその上面の中央部を除いて
その周縁部および側面を覆うように施される。これ用の
樹脂としては例えば黒色の遮光性ないしは光吸収性のも
の管用いるのが望ましい、具体的な手段は後述するが、
遮光性の樹脂モールド体50の透光体40の図の上側に
当たる部分にjj:50aが明けられ、この窓の底に透
光体40の中央部が露出されて、そこに入射する光りが
透光体40を通過して光センサ11に与えられる0図か
られかるように、光センサ11に入射される光りはその
正面の窓50aから入って来るものだけで、側方から迷
光が混入する余地は実質上なくなる。透光体40は樹脂
モールド体50の上面から沈んでいるので、少々手荒に
扱ってもその表面に物が当たって傷がつくおそれがずっ
と少なくなる。もちろん、樹脂モールド体50用の樹脂
が使用中劣化しても光センサが受ける光の量がその影響
を受ける心配もなくなる。
示されたように、半導体チップ10やそのリード22と
の接続部を包み込むようになされるのは従来と同じであ
るが、透光体40に対してはその上面の中央部を除いて
その周縁部および側面を覆うように施される。これ用の
樹脂としては例えば黒色の遮光性ないしは光吸収性のも
の管用いるのが望ましい、具体的な手段は後述するが、
遮光性の樹脂モールド体50の透光体40の図の上側に
当たる部分にjj:50aが明けられ、この窓の底に透
光体40の中央部が露出されて、そこに入射する光りが
透光体40を通過して光センサ11に与えられる0図か
られかるように、光センサ11に入射される光りはその
正面の窓50aから入って来るものだけで、側方から迷
光が混入する余地は実質上なくなる。透光体40は樹脂
モールド体50の上面から沈んでいるので、少々手荒に
扱ってもその表面に物が当たって傷がつくおそれがずっ
と少なくなる。もちろん、樹脂モールド体50用の樹脂
が使用中劣化しても光センサが受ける光の量がその影響
を受ける心配もなくなる。
なお、樹脂モールド体50の成形後は、通例のよう・に
リードフレーム20の横桁23.縦桁24および連絡桁
26をすべて打ち抜き作業等により切り落としてリード
22を相互に分離し、適宜に折り曲げることにより第1
図の状態にされる。
リードフレーム20の横桁23.縦桁24および連絡桁
26をすべて打ち抜き作業等により切り落としてリード
22を相互に分離し、適宜に折り曲げることにより第1
図の状態にされる。
第3図は本発明による光センサ組み込み半導体装置の主
な製造工程を示すものである。同図(司の工程では、半
導体チップ1Gをリードフレームのグイパッド21上に
at粉入りの導電性のエポキシ系接着剤13等で接着し
、あるいははんだ付けすることにより取り付けた上で、
ふつうは金線であるボンディング線30により半導体チ
ップの接続パッド12 ’とリード22の先端とを
相互に接続する。同図山)の工程では、ガラス板等の透
光体40を透明なアクリル形接着剤ないしはエポキシ樹
脂41により半導体チップ10の上面に光センサ11を
覆うように取り付ける。この際、透光体40の光透過性
を利用して接着剤41に紫外線硬化形のものを用いると
便利である。
な製造工程を示すものである。同図(司の工程では、半
導体チップ1Gをリードフレームのグイパッド21上に
at粉入りの導電性のエポキシ系接着剤13等で接着し
、あるいははんだ付けすることにより取り付けた上で、
ふつうは金線であるボンディング線30により半導体チ
ップの接続パッド12 ’とリード22の先端とを
相互に接続する。同図山)の工程では、ガラス板等の透
光体40を透明なアクリル形接着剤ないしはエポキシ樹
脂41により半導体チップ10の上面に光センサ11を
覆うように取り付ける。この際、透光体40の光透過性
を利用して接着剤41に紫外線硬化形のものを用いると
便利である。
同図(0)は樹脂モールド時の状態を示す、このため、
半導体チップおよび透光体を取り付けたリードフレーム
20を金型61.62に挿入するのであるが、その前に
樹脂モールド体50に前述の窓50aを明けるための一
種のスペーサ42として、所定の厚みのポリエチレンや
テフロン等のフィルムの小片を透光体40の上に貼着す
る。このフィルムとしてはやや厚めのいわゆる粘着テー
プを利用すると便利である。リードフレームを挟んで両
金型61.62を図示のように閉じ合わせたとき、両金
型の凹み61a。
半導体チップおよび透光体を取り付けたリードフレーム
20を金型61.62に挿入するのであるが、その前に
樹脂モールド体50に前述の窓50aを明けるための一
種のスペーサ42として、所定の厚みのポリエチレンや
テフロン等のフィルムの小片を透光体40の上に貼着す
る。このフィルムとしてはやや厚めのいわゆる粘着テー
プを利用すると便利である。リードフレームを挟んで両
金型61.62を図示のように閉じ合わせたとき、両金
型の凹み61a。
62aにより成形キャビティが形成され、図示のように
リードフレーム20の連絡桁26が下金型61の突起6
1bにより上金型62の下面に抑え付けられてキャビテ
ィが完全閉鎖される。モールド用樹脂としては黒色のフ
ィラーを含むエポキシ樹脂を用いるのがよく、通例のよ
うにトランスファモールド法や射出成形法によって短時
間内で成形を完了させることができる。
リードフレーム20の連絡桁26が下金型61の突起6
1bにより上金型62の下面に抑え付けられてキャビテ
ィが完全閉鎖される。モールド用樹脂としては黒色のフ
ィラーを含むエポキシ樹脂を用いるのがよく、通例のよ
うにトランスファモールド法や射出成形法によって短時
間内で成形を完了させることができる。
同図(cl)は樹脂モールド工程の異なる態様を示し、
この例ではリードフレーム20は前例とは上下を逆にし
て金型63.64間に挿入されており、下金型63の凹
み63aの中央部に窓用の突起63cが設けられている
0両金型の凹み63a、64aにより成形キャビティが
形成され、下金型の突起63bによってリードフレーム
の連絡桁26が抑えられてキャピテイが閉鎖されるのは
前と同じである。また、この図には上金型64に設けら
れた樹脂用通路64bとこれから成形キャビティに樹脂
が注入されるゲート64cが示されており、その形状は
前の第2図の下の横桁23上に細線で示されている0図
かられかるように、ゲート64cから樹脂がキャビティ
に注入されたとき成形圧力によってリードフレーム20
が下方に押され、透光体40のこの図では下面が下金型
63の突起63cに押し付けられ、これによって樹脂モ
ールド体に窓が明けられる。
この例ではリードフレーム20は前例とは上下を逆にし
て金型63.64間に挿入されており、下金型63の凹
み63aの中央部に窓用の突起63cが設けられている
0両金型の凹み63a、64aにより成形キャビティが
形成され、下金型の突起63bによってリードフレーム
の連絡桁26が抑えられてキャピテイが閉鎖されるのは
前と同じである。また、この図には上金型64に設けら
れた樹脂用通路64bとこれから成形キャビティに樹脂
が注入されるゲート64cが示されており、その形状は
前の第2図の下の横桁23上に細線で示されている0図
かられかるように、ゲート64cから樹脂がキャビティ
に注入されたとき成形圧力によってリードフレーム20
が下方に押され、透光体40のこの図では下面が下金型
63の突起63cに押し付けられ、これによって樹脂モ
ールド体に窓が明けられる。
以上のようにして製作された半導体装置はアルコール等
の溶剤で透光体の表面を清浄にした上で使用に供される
0本発明による光センサ組み込み半導体装置は長期の使
用後にも光センサの感度や光センサアレイのパターン検
出能力の低下がほとんどないことが実証されている。
の溶剤で透光体の表面を清浄にした上で使用に供される
0本発明による光センサ組み込み半導体装置は長期の使
用後にも光センサの感度や光センサアレイのパターン検
出能力の低下がほとんどないことが実証されている。
以上説明した実施例のほか、本発明は種々の態様で実施
をすることができる0例えば透光体は単一の例えばガラ
ス板であるとしたが、半導体チップに組み込まれた光セ
ンサや光センサアレイは赤外に近い領域の感度が高いの
で他の波長領域をカットするフィルタが用いられる場合
があり、透光体を利用してこれにフィルり作用を持た・
瞼あるむ1は透光体にフィルタとを組み合わせることが
できる。
をすることができる0例えば透光体は単一の例えばガラ
ス板であるとしたが、半導体チップに組み込まれた光セ
ンサや光センサアレイは赤外に近い領域の感度が高いの
で他の波長領域をカットするフィルタが用いられる場合
があり、透光体を利用してこれにフィルり作用を持た・
瞼あるむ1は透光体にフィルタとを組み合わせることが
できる。
以上述べたとおり本発明では、光センサ組み込み半導体
装置を光センサが組み込まれた半導体チップと、半導体
チップの光センサが組み込まれた部分の表面を少なくと
も覆うように半導体チップ上に配置された光透過性材料
からなる板状の透光体と、半導体チップにそれぞれ接続
された複数個のリードと、透光体の周縁部、半導体チッ
プおよびリードの半導体チップとの接続部を包み込みか
つリードを外方に突出させるように成形された遮光性の
樹脂からなる樹脂モールド体とで構成して、樹脂モール
ド体から透光体の中央部の表面を露出させるようにした
ので、パッケージとしてのモールド樹脂が劣化しても光
センサの感度や検出能力が低下することがなく、透光体
の表面がパッケージから若干沈んでいて外物の衝突によ
り傷かつ(おそれが少なく、光センサにはその正面から
の光のみが入射されて迷光が混入することがない利点が
得られる0本発明の実施に際してはごく小さな透光体を
半導体チップの表面に配置した状態で樹脂モールドを施
せばよいので、製作コストは従来とほとんど変わらず、
最低の費用で上述の効果が得られる。
装置を光センサが組み込まれた半導体チップと、半導体
チップの光センサが組み込まれた部分の表面を少なくと
も覆うように半導体チップ上に配置された光透過性材料
からなる板状の透光体と、半導体チップにそれぞれ接続
された複数個のリードと、透光体の周縁部、半導体チッ
プおよびリードの半導体チップとの接続部を包み込みか
つリードを外方に突出させるように成形された遮光性の
樹脂からなる樹脂モールド体とで構成して、樹脂モール
ド体から透光体の中央部の表面を露出させるようにした
ので、パッケージとしてのモールド樹脂が劣化しても光
センサの感度や検出能力が低下することがなく、透光体
の表面がパッケージから若干沈んでいて外物の衝突によ
り傷かつ(おそれが少なく、光センサにはその正面から
の光のみが入射されて迷光が混入することがない利点が
得られる0本発明の実施に際してはごく小さな透光体を
半導体チップの表面に配置した状態で樹脂モールドを施
せばよいので、製作コストは従来とほとんど変わらず、
最低の費用で上述の効果が得られる。
本発明はとくに自動焦点カメラ用の集積回路と光センサ
アレイとを一体化した半導体装置に有用で、本発明の実
施によりその被写体の映像パターンの検出能力を長期に
亘って膚定に保つことができる著効が得られる。
アレイとを一体化した半導体装置に有用で、本発明の実
施によりその被写体の映像パターンの検出能力を長期に
亘って膚定に保つことができる著効が得られる。
第1図から第3図までが本発明に関し、第1図は本発明
による光センサ組み込み半導体装置の実施例の断面図、
第2図はそれを樹脂モールド前の状態で示す上面図、第
3図はその主な製造工程ごとの状態を示す断面図である
。第4図は従来技術による光センサ組み込み半導体装置
の断面図である0図において、 10:半導体チップ、11:光センサないしは光センサ
アレイ、12:接続バンド、11接着剤層、20:リー
ドフレーム、20a:リードフレームの単位、21;ダ
イパッド、22:リード、23:横桁23.24:縦桁
、25;ダイパッドの支え、26:連絡桁、30:ボン
ディング線、40:透光体、41:接着剤層、42ニス
ペーサ、50:樹脂モールド体、50a:窓、61:下
金型、61a:凹み、61b+突起、62:上金型、6
2a:凹み、63:下金型、63a:凹み、63b:突
起、63c:窓形成用突起、64:上金型、64a:凹
み、64b:樹脂用通路、64c:樹脂注入ゲート、L
:光、L3:第1図 第2図
による光センサ組み込み半導体装置の実施例の断面図、
第2図はそれを樹脂モールド前の状態で示す上面図、第
3図はその主な製造工程ごとの状態を示す断面図である
。第4図は従来技術による光センサ組み込み半導体装置
の断面図である0図において、 10:半導体チップ、11:光センサないしは光センサ
アレイ、12:接続バンド、11接着剤層、20:リー
ドフレーム、20a:リードフレームの単位、21;ダ
イパッド、22:リード、23:横桁23.24:縦桁
、25;ダイパッドの支え、26:連絡桁、30:ボン
ディング線、40:透光体、41:接着剤層、42ニス
ペーサ、50:樹脂モールド体、50a:窓、61:下
金型、61a:凹み、61b+突起、62:上金型、6
2a:凹み、63:下金型、63a:凹み、63b:突
起、63c:窓形成用突起、64:上金型、64a:凹
み、64b:樹脂用通路、64c:樹脂注入ゲート、L
:光、L3:第1図 第2図
Claims (1)
- 光センサが組み込まれた半導体チップと、半導体チッ
プの光センサが組み込まれた部分の表面を少なくとも覆
うように半導体チップ上に配置された光透過性材料から
なる板状の透光体と、半導体チップにそれぞれ接続され
た複数個のリードと、透光体の周縁部、半導体チップお
よびリードの半導体チップとの接続部を包み込みかつリ
ードを外方に突出させるように成形された遮光性の樹脂
からなる樹脂モールド体とを備え、樹脂モールド体から
透光体の中央部の表面を露出させてなることを特徴とす
る光センサ組み込み半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041140A JPH01215068A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 光センサ組み込み半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041140A JPH01215068A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 光センサ組み込み半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215068A true JPH01215068A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12600125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63041140A Pending JPH01215068A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 光センサ組み込み半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215068A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863810A (en) * | 1994-05-09 | 1999-01-26 | Euratec B.V. | Method for encapsulating an integrated circuit having a window |
| JP2006229108A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
| JP2010093285A (ja) * | 2003-02-28 | 2010-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63041140A patent/JPH01215068A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863810A (en) * | 1994-05-09 | 1999-01-26 | Euratec B.V. | Method for encapsulating an integrated circuit having a window |
| JP2010093285A (ja) * | 2003-02-28 | 2010-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006229108A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
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