JPH0121527B2 - - Google Patents
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- JPH0121527B2 JPH0121527B2 JP10602779A JP10602779A JPH0121527B2 JP H0121527 B2 JPH0121527 B2 JP H0121527B2 JP 10602779 A JP10602779 A JP 10602779A JP 10602779 A JP10602779 A JP 10602779A JP H0121527 B2 JPH0121527 B2 JP H0121527B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録体の製造方法に係り、特に垂
直磁化記録用に適する磁気記録体の製造方法に関
する。 磁気記録は、従来一般に記録媒体の面内長手方
向の磁化を用いる方式によつている。しかしてこ
の面内長手方向の磁化を用いる記録方式は記録の
高密度化に限度がありその改善が望まれている。
即ち、面内長手方向の磁化を用いる記録方式では
記録最短波長が約1.2μｍに達しているとは云え、
記録の高密度化を図ると、記録媒体内（記録層）
の減磁界が増加するため、記録の高密度化も自ず
から限度がある。こうした点に着目して記録媒体
の面内垂直方向の磁化を利用する所謂る垂直磁化
記録方式が開発されている。即ちこの垂直磁化記
録方式によれば記録密度の増加とともに媒体内減
磁界が減少するため高密度記録に適するからであ
る。ところで垂直磁化記録に用いる記録媒体は記
録媒体面に垂直な方向に磁化容易軸を有する必要
があり、このような記録媒体としてCo−Crスパ
ツタ薄膜が知られている。しかして上記Co−Cr
スパツタ膜は、不活性ガス１×10-2mmHg以上の
低真空中でグロー放電を行なわせ、この放電によ
りCo−Cr合金またはCo、Crでそれぞれ構成した
ターゲツトとしての金属を陽イオン衝撃してたた
き出された金属微粒子を所定の支持基体面に付着
させることによつて形成している。しかしこのよ
うな方法ではスパツタ速度が非常に遅いため実用
に適する製造法とは云えない。 一方、上記スパツタ速度に着目した場合、マグ
ネトロンスパツタリング法の適用が考えられる。
しかし、上記マグネトロンスパツタリング法によ
つて、例えば0.9μｍ／hsの速度で形成したCo−
Crスパツタ薄膜についてみると垂直磁化記録に
要求される特性、即ち膜面垂直方向を磁化容易軸
とした磁気異方性が減少するため実用に供し難い
と云う問題があり、結局スパツタ速度を単に速め
ればよいと云うことではない。 本発明者らは上記点に着目し、種々検討した結
果、スパツタリング時の不活性ガス圧を７×10-3
mmHg以下とした場合、スパツタ速度を1μｍ／hr
以上の大きさに選んでも垂直磁化記録に要求され
る特性を備えた磁気記録媒体層を容易に形成しう
ることを見出した。 本発明はこのような知見に基づき垂直磁化記録
に適する磁気記録媒体を容易に製造しうる方法を
提供しようとするものである。 以下本発明を詳細に説明すると、本発明はスパ
ツタリングによりCo−Cr系磁気記録層を形成す
る磁気記録媒体の製造において、スパツタリング
時の不活性ガス圧力を７×10-3mmHg以下とする
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法であ
る。 本発明は上記の如く、スパツタリング時の不活
性ガス、例えばArガス圧を７×10-3mmHg以下に
選択することを骨子とする。しかしてここで不活
性ガス圧力を７×10-3mmHg以下に選択したのは
不活性ガス圧力が７×10-3mmHgを超えた場合、
スパツタ膜形成速度の増大に伴ない垂直磁化記録
媒体としての特性が無視し得ない程度に低下する
からである。 次に本発明の実施例を記載する。 実施例 １ Co−Cr合金より成る直径60mmのターゲツトを
有する平板マグネトロン形高周波スパツタ装置を
先ず用意した。次いでこのスパツタ装置のベルジ
ヤー内部を８×10-7mmHg以下に排気した後、Ar
ガスを3.0×10-3mmHgになる様に導入した。プレ
スバツタを十分に行なつた後、膜厚25μｍのポリ
イミドフイルムを基体として1.8μｍ／hrのスパツ
タ速度で30分間のスパツタを行ない膜厚0.9μｍの
Co−Cr薄膜を形成した。このCo−Cr薄膜は550
ガウスの飽和磁化量（Ms）を示すとともに、膜
面に垂直方向、及び膜面内方向の保磁力はそれぞ
れ1300oe、480oeであつた。又、膜面に垂直及び
面内方向の磁化曲線は第１図に示すごとくであ
り、膜垂直方向の残留磁化Mr 1 が膜面内方向の残
留磁化Mr11より大きく、膜垂直方向に磁化容易
軸を有するすぐれた垂直磁化記録媒体としての特
性を備えていた。 実施例 ２ Co−Cr合金より成る直径60mmのターゲツトを
有する平板マグネトロン型直流スパツタ装置を用
意し、スパツタ室内を６×10-7mmHg以下に排気
した後、Arガス圧を3.0×10-3mmHgとなる様に導
入した。十分なプレスパツタを行なつた後、膜厚
25μｍのポリイミドフイルムを基体として2.8μ
ｍ／hrのスパツタ速度で約20分間スパツタリング
を行ない膜厚0.9μｍ、Ms540ガウスのCo−Cr薄
膜を形成した。このCo−Cr膜は膜面に垂直及び
面内方向の保磁力iHc1、iHc11はそれぞれ
1280oe、490oeであつた。又膜面に垂直及び面内
方のＭ−Ｈ曲線は第２図に示す通りであり、膜垂
直方向の残留磁化Mr 1 が膜面内方向の残留磁化
Mr11より大きく、膜垂直方向に磁化容易軸を有
するすぐれた垂直磁化記録媒体としての特性を示
した。 実施例 ３ Co−Cr合金より成る直径60mmのターゲツトを
有する平板マグネトロン型直流スパツタ装置を用
意し、スパツタ室内を６×10-7mmHg以下に排気
した後、Arガスを圧力が５×10-3mmHgとなる様
に導入した。十分なプレスパツタを行なつた後、
膜厚25μｍのポリイミドフイルムを基体として
2.4μｍ／hrのスパツタ速度で20分間のスパツタリ
ングを行ない膜厚0.8μｍ、Ms560ガウスのCo−
Cr薄膜を形成した。この様にして得られたCo−
Cr薄膜の膜面垂直方向及び膜面方向の保磁力iHc
１、iHc11はそれぞれ1290oe、500oeであつた。同
様にして膜面に垂直及び面内方向のＭ−Ｈ曲線は
第３図に示す通りであり、膜面に垂直方向の残留
磁化Mr 1 が膜面内方向の残留磁化Mr11より大き
く、膜面垂直方向に磁化容易軸を有するすぐれた
垂直磁化記録媒体としての特性を示した。 比較例 １ 高周波２極スパツタ装置を用い先ずスパツタ室
内部を3.0×10-7Torr以下に排気した後、Arガス
を1.0×10-2mmHgになるまで導入した。十分なプ
レスパツタを行なつた後、膜厚25μｍのポリイミ
ドフイルムを基体とし0.5μｍ／hrのスパツタ速度
で1.8時間スパツタリングを行ない膜厚0.9μｍで
Ms540ガウスのCo−Cr薄膜形成した。他の例と
してスパツタ電力を増加させ1.2μｍ／hrのスパツ
タ速度で0.75時間スパツタを行ない、やはり膜厚
0.9μｍのCo−Cr薄膜を形成した。これら２種の
Co−Cr薄膜の膜面垂直方向、及び膜面内方向の
保磁力を表−１に、またそれぞれの膜面垂直方向
及び面内方向のＭ−Ｈ曲線を第４図に示した。 上記表−１および第４図から解るように0.5μ
ｍ／hrのスパツタ速度で形成されたCo−Cr薄膜
は膜垂直方向の残留磁化Mr 1 が膜面内方向の残留
磁化Mr11より大きく、垂直異方性を示す、すぐ
れた垂直磁化記録媒体であるのに対し、1.2μｍ／
hrのスパツタ速度で形成されたCo−Cr薄膜なMr
１はMr11よりも小さく、垂直異方性が低下し、垂
直磁化記録媒体としての特性は大きく低下してい
た。 【表】 比較例 ２ 実施例２の場合と同様、直径60mmのターゲツト
を有する平板マグネトロン型直流スパツタ装置を
用意し、スパツタ室内を６×10-7mmHg以下に排
気した後、Arガスを8.0×10-3mmHgとなる様に導
入した。十分なプレスパツタを行なつた後、0.5μ
ｍ／hrのスパツタ速度で1.8時間のスパツタリン
グを行ない、膜厚0.9μｍ、飽和磁化540ガウスの
Co−Cr薄膜を形成した。また他の例としてスパ
ツタ電力を増加させ1.8μｍ／hrのスパツタ速度で
0.6時間スパツタを行ない膜厚1.1μｍ、飽和磁化
540ガウスのCo−Cr薄膜を形成した。これら２種
のCo−Cr薄膜の膜面垂直方向、及び膜面内方向
の保磁力を表−２に、またそれぞれの膜面垂直方
向及び面内方向の磁化曲線を第５図に示した。表
−２および第５図から解るように0.5μｍ／hrのス
パツタ速度で形成されたCo−Cr薄膜は膜垂直方
向の残留磁化Mr 1 が膜面内方向の残留磁化Mr11
より大きく膜面に垂直異方性をもち、すぐれた垂
直磁化記録媒体であるのに対し、1.8μｍ／hrのス
パツタ速度で形成されたCo−Cr薄膜はMr 1 は
Mr11よりも小さく、膜の示す垂直異方性が低下
し、垂直磁化記録媒体としての特性は大きく低下
していた。 【表】
直磁化記録用に適する磁気記録体の製造方法に関
する。 磁気記録は、従来一般に記録媒体の面内長手方
向の磁化を用いる方式によつている。しかしてこ
の面内長手方向の磁化を用いる記録方式は記録の
高密度化に限度がありその改善が望まれている。
即ち、面内長手方向の磁化を用いる記録方式では
記録最短波長が約1.2μｍに達しているとは云え、
記録の高密度化を図ると、記録媒体内（記録層）
の減磁界が増加するため、記録の高密度化も自ず
から限度がある。こうした点に着目して記録媒体
の面内垂直方向の磁化を利用する所謂る垂直磁化
記録方式が開発されている。即ちこの垂直磁化記
録方式によれば記録密度の増加とともに媒体内減
磁界が減少するため高密度記録に適するからであ
る。ところで垂直磁化記録に用いる記録媒体は記
録媒体面に垂直な方向に磁化容易軸を有する必要
があり、このような記録媒体としてCo−Crスパ
ツタ薄膜が知られている。しかして上記Co−Cr
スパツタ膜は、不活性ガス１×10-2mmHg以上の
低真空中でグロー放電を行なわせ、この放電によ
りCo−Cr合金またはCo、Crでそれぞれ構成した
ターゲツトとしての金属を陽イオン衝撃してたた
き出された金属微粒子を所定の支持基体面に付着
させることによつて形成している。しかしこのよ
うな方法ではスパツタ速度が非常に遅いため実用
に適する製造法とは云えない。 一方、上記スパツタ速度に着目した場合、マグ
ネトロンスパツタリング法の適用が考えられる。
しかし、上記マグネトロンスパツタリング法によ
つて、例えば0.9μｍ／hsの速度で形成したCo−
Crスパツタ薄膜についてみると垂直磁化記録に
要求される特性、即ち膜面垂直方向を磁化容易軸
とした磁気異方性が減少するため実用に供し難い
と云う問題があり、結局スパツタ速度を単に速め
ればよいと云うことではない。 本発明者らは上記点に着目し、種々検討した結
果、スパツタリング時の不活性ガス圧を７×10-3
mmHg以下とした場合、スパツタ速度を1μｍ／hr
以上の大きさに選んでも垂直磁化記録に要求され
る特性を備えた磁気記録媒体層を容易に形成しう
ることを見出した。 本発明はこのような知見に基づき垂直磁化記録
に適する磁気記録媒体を容易に製造しうる方法を
提供しようとするものである。 以下本発明を詳細に説明すると、本発明はスパ
ツタリングによりCo−Cr系磁気記録層を形成す
る磁気記録媒体の製造において、スパツタリング
時の不活性ガス圧力を７×10-3mmHg以下とする
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法であ
る。 本発明は上記の如く、スパツタリング時の不活
性ガス、例えばArガス圧を７×10-3mmHg以下に
選択することを骨子とする。しかしてここで不活
性ガス圧力を７×10-3mmHg以下に選択したのは
不活性ガス圧力が７×10-3mmHgを超えた場合、
スパツタ膜形成速度の増大に伴ない垂直磁化記録
媒体としての特性が無視し得ない程度に低下する
からである。 次に本発明の実施例を記載する。 実施例 １ Co−Cr合金より成る直径60mmのターゲツトを
有する平板マグネトロン形高周波スパツタ装置を
先ず用意した。次いでこのスパツタ装置のベルジ
ヤー内部を８×10-7mmHg以下に排気した後、Ar
ガスを3.0×10-3mmHgになる様に導入した。プレ
スバツタを十分に行なつた後、膜厚25μｍのポリ
イミドフイルムを基体として1.8μｍ／hrのスパツ
タ速度で30分間のスパツタを行ない膜厚0.9μｍの
Co−Cr薄膜を形成した。このCo−Cr薄膜は550
ガウスの飽和磁化量（Ms）を示すとともに、膜
面に垂直方向、及び膜面内方向の保磁力はそれぞ
れ1300oe、480oeであつた。又、膜面に垂直及び
面内方向の磁化曲線は第１図に示すごとくであ
り、膜垂直方向の残留磁化Mr 1 が膜面内方向の残
留磁化Mr11より大きく、膜垂直方向に磁化容易
軸を有するすぐれた垂直磁化記録媒体としての特
性を備えていた。 実施例 ２ Co−Cr合金より成る直径60mmのターゲツトを
有する平板マグネトロン型直流スパツタ装置を用
意し、スパツタ室内を６×10-7mmHg以下に排気
した後、Arガス圧を3.0×10-3mmHgとなる様に導
入した。十分なプレスパツタを行なつた後、膜厚
25μｍのポリイミドフイルムを基体として2.8μ
ｍ／hrのスパツタ速度で約20分間スパツタリング
を行ない膜厚0.9μｍ、Ms540ガウスのCo−Cr薄
膜を形成した。このCo−Cr膜は膜面に垂直及び
面内方向の保磁力iHc1、iHc11はそれぞれ
1280oe、490oeであつた。又膜面に垂直及び面内
方のＭ−Ｈ曲線は第２図に示す通りであり、膜垂
直方向の残留磁化Mr 1 が膜面内方向の残留磁化
Mr11より大きく、膜垂直方向に磁化容易軸を有
するすぐれた垂直磁化記録媒体としての特性を示
した。 実施例 ３ Co−Cr合金より成る直径60mmのターゲツトを
有する平板マグネトロン型直流スパツタ装置を用
意し、スパツタ室内を６×10-7mmHg以下に排気
した後、Arガスを圧力が５×10-3mmHgとなる様
に導入した。十分なプレスパツタを行なつた後、
膜厚25μｍのポリイミドフイルムを基体として
2.4μｍ／hrのスパツタ速度で20分間のスパツタリ
ングを行ない膜厚0.8μｍ、Ms560ガウスのCo−
Cr薄膜を形成した。この様にして得られたCo−
Cr薄膜の膜面垂直方向及び膜面方向の保磁力iHc
１、iHc11はそれぞれ1290oe、500oeであつた。同
様にして膜面に垂直及び面内方向のＭ−Ｈ曲線は
第３図に示す通りであり、膜面に垂直方向の残留
磁化Mr 1 が膜面内方向の残留磁化Mr11より大き
く、膜面垂直方向に磁化容易軸を有するすぐれた
垂直磁化記録媒体としての特性を示した。 比較例 １ 高周波２極スパツタ装置を用い先ずスパツタ室
内部を3.0×10-7Torr以下に排気した後、Arガス
を1.0×10-2mmHgになるまで導入した。十分なプ
レスパツタを行なつた後、膜厚25μｍのポリイミ
ドフイルムを基体とし0.5μｍ／hrのスパツタ速度
で1.8時間スパツタリングを行ない膜厚0.9μｍで
Ms540ガウスのCo−Cr薄膜形成した。他の例と
してスパツタ電力を増加させ1.2μｍ／hrのスパツ
タ速度で0.75時間スパツタを行ない、やはり膜厚
0.9μｍのCo−Cr薄膜を形成した。これら２種の
Co−Cr薄膜の膜面垂直方向、及び膜面内方向の
保磁力を表−１に、またそれぞれの膜面垂直方向
及び面内方向のＭ−Ｈ曲線を第４図に示した。 上記表−１および第４図から解るように0.5μ
ｍ／hrのスパツタ速度で形成されたCo−Cr薄膜
は膜垂直方向の残留磁化Mr 1 が膜面内方向の残留
磁化Mr11より大きく、垂直異方性を示す、すぐ
れた垂直磁化記録媒体であるのに対し、1.2μｍ／
hrのスパツタ速度で形成されたCo−Cr薄膜なMr
１はMr11よりも小さく、垂直異方性が低下し、垂
直磁化記録媒体としての特性は大きく低下してい
た。 【表】 比較例 ２ 実施例２の場合と同様、直径60mmのターゲツト
を有する平板マグネトロン型直流スパツタ装置を
用意し、スパツタ室内を６×10-7mmHg以下に排
気した後、Arガスを8.0×10-3mmHgとなる様に導
入した。十分なプレスパツタを行なつた後、0.5μ
ｍ／hrのスパツタ速度で1.8時間のスパツタリン
グを行ない、膜厚0.9μｍ、飽和磁化540ガウスの
Co−Cr薄膜を形成した。また他の例としてスパ
ツタ電力を増加させ1.8μｍ／hrのスパツタ速度で
0.6時間スパツタを行ない膜厚1.1μｍ、飽和磁化
540ガウスのCo−Cr薄膜を形成した。これら２種
のCo−Cr薄膜の膜面垂直方向、及び膜面内方向
の保磁力を表−２に、またそれぞれの膜面垂直方
向及び面内方向の磁化曲線を第５図に示した。表
−２および第５図から解るように0.5μｍ／hrのス
パツタ速度で形成されたCo−Cr薄膜は膜垂直方
向の残留磁化Mr 1 が膜面内方向の残留磁化Mr11
より大きく膜面に垂直異方性をもち、すぐれた垂
直磁化記録媒体であるのに対し、1.8μｍ／hrのス
パツタ速度で形成されたCo−Cr薄膜はMr 1 は
Mr11よりも小さく、膜の示す垂直異方性が低下
し、垂直磁化記録媒体としての特性は大きく低下
していた。 【表】
第１図乃至第３図は本発明に係るスパツタリン
グ法によつて製造した磁化記録媒体例について膜
面に垂直および面内方向の磁化容易さを示す磁化
曲線図、第４図ａ，ｂおよび第５図ａ，ｂはそれ
ぞれ本発明外のスパツタリング法によつて製造し
た磁化記録媒体例について膜面に垂直および面内
方向の磁化容易さを示す磁化曲線図である。
グ法によつて製造した磁化記録媒体例について膜
面に垂直および面内方向の磁化容易さを示す磁化
曲線図、第４図ａ，ｂおよび第５図ａ，ｂはそれ
ぞれ本発明外のスパツタリング法によつて製造し
た磁化記録媒体例について膜面に垂直および面内
方向の磁化容易さを示す磁化曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スパツタリングによりCo−Cr系磁気記録層
を形成する磁気記録媒体の製造方法において、ス
パツタリング時の不活性ガス圧力を７×10-3mm
Hg以下とすることを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 ２ 前記不活性ガス圧力が３×10-3mmHg乃至７
×10-3mmHgであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10602779A JPS5634147A (en) | 1979-08-22 | 1979-08-22 | Manufacture of magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10602779A JPS5634147A (en) | 1979-08-22 | 1979-08-22 | Manufacture of magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5634147A JPS5634147A (en) | 1981-04-06 |
| JPH0121527B2 true JPH0121527B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=14423149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10602779A Granted JPS5634147A (en) | 1979-08-22 | 1979-08-22 | Manufacture of magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5634147A (ja) |
-
1979
- 1979-08-22 JP JP10602779A patent/JPS5634147A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5634147A (en) | 1981-04-06 |
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