JPH01217949A - 気密封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はガラス封止の気密封止型半導体装置に関し、特
に、そのガラス封止部の改良に関する。

〔従来の技術〕

従来のガラス封止の半導体装置（パッケージ）にあって
は、パッケージベース（以下単にベースという）にキャ
ップを封止用ガラスで取着するに、ベースとキャップの
封止専用部分に限定して封止用ガラスを固着させていた
。

しかるに１当該パツケージ内に収納する半導体ベレット
（以下単にペレットという）はその高集積化に伴ない益
々大型化しているのに対し、パッケージは規格化されて
おシ、カラスで封止する封止部は益々狭くなってきてい
る。

その為、機械的強度が弱くなり、ガラス封止部にクラッ
クが生じ、気密リーク不良を起こす確率が高くなってき
ている。

なお、ガラス封止の気密封止型半導体装置について述べ
九特許の例としては、特願昭５４−８１３６５号が挙げ
られる。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明はかかるガラス封止の父、密封止型半導体装置に
おける封止部の機械的強度を向上させ、クラックの発生
を防止し２、気密リーク不良を阻止する技術を提供１゛
ることを目的とする。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらか圧なるであ
ろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示さｉる発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

本発明では、従来のベー・・スとキャップの封止専用部
分に限定して封止用ガラスを固着させていたのを、尚核
封止用ガラスをパッケージの内部Ｋｔで流入させるよっ
てし７た。

〔作用〕 これにより、ガラスで封止される巾が拡大（７、ガラス
耕止邪の機械的強度が増加１−２、クラック発生が少な
くなり、気密リーク不良を回避することができる。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明−する。

第１図は本発明の実施例を示′ｉ″ＬＣＣ（１）−ドレ
スチップキャリア）パッケージの断面図で、同図にて、
１はベース、２けベレット、３は導電部、４はコネクタ
用ワイヤ、５は封止用ガラスによる封止部、６はキャッ
プである。

四辺形のべ・−ス１の中央部にはベンツｌ１−２ｋ載す
る念めの溝があり、ベレット２はこの溝内に固着する。

ベース１における導電部３は、ＬＣＣバッタージのため
、ベース１の表面から側面￥ｒ経て２あ面にかけて形成
されている。

ベース１は多ｌ−基板よりなる。

ベレット２の［極（図示せず）と、上記導′冴部３のワ
イヤボンディングを行なうボンディングポスト部３′と
をコネクタ用ワイヤ４で電気的に接続する。

第１図に示す本発明の実施例（・ゴ、第４図に示す従来
例と対比される。

第４図に示すように、従来例では、ベース１とキャップ
６とを封止用カラス５で固着するに、そ）１ぞれの封止
専用部分に限定して封止を行ってなる。

［７かるに、本発明では、ベース１の導電部３のボンテ
ィングポスト部３′の端Ｒｉで、封止用ガラスによるガ
ラス封止部５を形成してなる。

当校ガラス封止部５の形成に際し、溶融したガラスはボ
ンティングポスト部３′にまで流入し、コネクタ用ワイ
ヤ４の一部を被覆する形になる。

この結果、第４図に示す従来例におけるガラス封止部ｌ
！＋に対し、第１図に示すような本発明におけるカラス
封止部ｌ、は大となる。

第２図および第３図は本発明の他の実施例を示す。

本発明では、従来のごとくガラス封止に際し、ベース１
やキャンプ６の封止専用部分の４にて封着を行うのでは
なく、パッケージのベース１の内部にまで、加熱炉にお
いて封止用ガラスを溶融流入させたことを特長とする。

これら第２図および第３図に示す実施例は、ベース１と
キャップ６とで形成されるキャビティ全体に、溶融ガラ
スを充填しＸうとするもので、ベレット２表面を、例え
ばポリイミド膜よ０なるベレット表面保獲膜７により被
覆後に、封止用ガラス５を溶融流入させたものが第２図
に示す例で、第３図では、ベレット２のみならず、コネ
クタ用ワイヤ４およびボンディングポスト部３′の一部
を上記保護＠７により被覆後に、封止用ガラス５を溶融
流入させてなる例を示す。

ベース１ば、例えば多層セラミック基板により構成され
る。

ベレット２￥ｉ、例えばシリコン単結晶基板から成ｐ、
周知の技術によってこのベレット（チップ）内には多数
の回路素子が形成さり１．１つのＭ路機能が与えられて
いる。回路素子の具体例は、ト１１えばＭＯＳトランジ
スタから成り、これらの回路素子によって、倒木げ論理
回路およびメモリの１０１路機能が形成さルている。

導電部３は、例えばＷなどのメタライズ層により構成さ
れる。

コネクタ用ワイヤ４け、例えばＡｕｇやＡｌ線により構
成される。

封止用ガラス５は、例えば低融点の封着用のガラスによ
り構成される。

キャップ６は、例えばセラミック材により構成される。

本発明によればガラス封止中（ｌ、）が従来に比して犬
となるため、それだけ機械的強度が増加し、クラックを
低減し、気密リーク不良を防止することができた。

第１図に示すように電極パッド部の１部を封止ガラスで
被覆した場合、又第２図や第３図に示すように、ペレッ
ト２の表面又はペレット２の表面及び１ぎ極パッド部の
１部の両方を保護膜７で被覆した場合、ベレット２上、
電極バッド３上等パッケージ内部に不完全な強度で付着
した導電性異物の機械的振動等に起因した移動によるピ
ン間シート不良の防止対策をも兼ねることができる。

以上本発明者だよってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

以上の説明では主として本発明者によってなされ次発間
をその背景となった利用分野であるＬＣＣパッケージに
適用し次側を示Ｌ７？：が、ピングリッドアレイ型パッ
ケージやデュアルインクイン型パッケージなどの他のパ
ッケージにも適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明によれば、ガラス封止の気密封止型半導体装置の
気密リーク不良を防止して、その信頼性を向上させるこ
とができ念。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図は本発明
の他の実施例を示す断面図、第３図は本発明のさらに他
の実施例を示す断面図、 第４図は従来例を示す断面図である。 １・・・ベース、２・・・ベレット、３・・・導’Ｆ１
ｍ、３’−ボンティングポスト部、４・・・コネクタ用
ワイヤ、５・・・制止部（封止ガラス）、６・・・キャ
ップ。 へ′）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、パッケージベースに半導体ペレットを取付け、該半
   導体ペレットの電極と前記パッケージベースの導電部と
   をコネクタ用ワイヤでワイヤボンディングし、封止用ガ
   ラスを溶融させて前記パッケージベースにキャップを取
   着して成るガラス封止の気密封止型半導体装置において
   、前記パッケージベースの導電部にまで前記封止用ガラ
   スを溶融流入させるか、あるいは前記導電部を越えてパ
   ッケージ内部に封止用ガラスを溶融流入させて成ること
   を特徴とする気密封止型半導体装置。 ２、半導体ペレットが、その表面に封止用ガラスに対す
   るペレット表面保護膜を有して成る、請求項１記載の気
   密封止型半導体装置。