JPH01217974A

JPH01217974A - ゲートターンオフ半導体素子

Info

Publication number: JPH01217974A
Application number: JP1019379A
Authority: JP
Inventors: Andre Jaecklin; アンドレ　ジャックリーン; Wolfgang Zimmermann; ヴォルフガンク　ツィンメルマン
Original assignee: ABB Asea Brown Boveri Ltd; Asea Brown Boveri AB
Current assignee: ABB Asea Brown Boveri Ltd; ABB AB
Priority date: 1988-01-27
Filing date: 1989-01-27
Publication date: 1989-08-31
Anticipated expiration: 2013-10-08
Also published as: JP2809419B2; EP0325774A1; DE3869382D1; CN1035024A; EP0325774B1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野及び従来の技術〉本発明は、動力用半導体の分野に関する。

本発明は特に、１枚のウェーハと、該ウェーハの第１領
域において、陰極側と陽極側との間に配置されており且
つゲートを介してカットオフ可能なサイリスタ（ＧＴＯ
）を形成しているさまざまに不純物がドーピングされた
第１Ｎ列と、少くとも陰極側の第１領域において、深く
位置しているゲート領域により包囲されている複数個の
突出した陰極フィンガを有する段状のゲート陰極構体と
、第１領域の陰極フィンガ上に各々１つの金属陰極層と
、ウェーハ上の金属陽極層と、ウェーハの第２領域にお
いて、陰極側と陽極側との間に配置されており且つＧＴ
Ｏサイリスタに対し並列接続されている構体素子を形成
しているさまざまに不純物がドーピングされた第２層列
と、第２領域において、陽極側と陰極側とをコンタクト
する為につ工−ハ上へ配置されている金属層と、陰極層
へのコンタクトの為及び第２領域において層をプレスし
ている陰極側プレスコンタクト板とを包含しているカッ
トオフ半導体構体素子に関する。

この種の構体素子は、例えば、欧州出願（ＥＰ−ＡＩ−
０，２００，８６３）によって知られている。

エネルギーの伝達と制御或は電気駆動の分野におけるパ
ワーエレクトロニクスの一層普及により、更に大きな直
径のウェーハと、更に大きな電流負荷容量と、更に大き
な遮断電圧とを有する常に効率の良い動力用半導体、特
にダイオード及びサイリスタの開発が促されてきた。こ
の種の高負荷可能な動力用半導体を製造する際の問題は
、ウェーハの準備自体だけにあるのではな（、特にウェ
ーハを適切なケーシング内へ組込む際にもある。

組込みの際、ウェーハと周辺との間の良好な電気的及び
熱的コンタクトに配慮を必要とするばかりでなく、十分
な耐負荷交番性、つまり、組込まれた素子を交番する負
荷の疲労から十分に保護することにも配慮する必要があ
る。その場合、特に、ケーシング内部におけるウェーハ
のコンタクトが重要となる。

従来から、動力用半導体のためのいわゆる「合金プレス
コンタクト」の使用が知られている（例えば、クツブロ
ッホ、ブロー著のＩＡＳ会議の会報、１９７７　ｒ大形
直径のシリコン電力装置の無はんだ構造」参照）がこの
場合には、ウェーハは一方の側が特殊なはんだ（例えば
アルミニウム合金）により金属ベース（例えば、モリブ
デン（１’ｉｏ）又はタングステン（Ｗ）から成る）上
へはんだ付けされており９．他方の側から加圧された金
属板がプレスコンタクトされている。

はんだ付けにより作られた半導体金属層構体は、熱膨張
係数の僅かな相違により、ウェーハの直径が大きくなる
につれて力学的な曲げ応力も増大するが、該曲げ応力は
、構体素子の耐負荷交番性を悪化させる。特にウェーハ
の湾曲は、はんだ付は作業の後に必要とされる写真石版
プロセスの際に、不十分な光学的分解度を招く。更に、
大形直径の場合には、縁領域に収縮空洞の生じる危険性
が大きい。

従って、従来のサイリスタ及びダイオードの場合には、
合金プレスコンタクトの代わりにいわゆる「直接プレス
コンタクトｊの使用へと移行してきたが、その場合には
、ウェーハは、加圧された金属板により両側からプレス
コンタクトされる（例えば、クツブロッホ他著の上記論
文又はブラウンボベリ：会報１（１９７９年）第５−１
Ｏ頁参照）。

この様なコンタクトは、ウェーハの両側が平坦な表面を
備えている従来のサイリスタの場合には、適切であると
認められていた。何故ならば、平坦さのためウェーハ内
部において十分均一な圧力分配が保証されているからで
ある。

しかし、段状のゲート陰極構体を有するゲート・ターン
・オフ（ＧＴＯ）カットオフサイリスタの場合には事情
は違っており（例えば、米国特許第４．１２７，８６３
号参照）、陰極側上には、コンタクトとして複数の突出
した陰極フィンガが提供されているだけであり、該陰極
フィンガは、全体として比較的小さな平面で比較的大き
な圧力を吸収し、出来るだけ均一にウェーハの容量中へ
案内しなければならない。

西独公開公報第２．７１９．２１９号（第６Ｆ図及び関
連記載）においては、この種のＧＴＯサイリスタの場合
でも直接プレスコンタクトを使用することが原理的には
提案されている。しかし、この提案は原理の枠を越えて
おらず、ＧＴＯがか＼えている厳しい条件下において直
接プレスコンタクトを実現できる特別な記載はどこにも
見当らない。

段状のゲート陰極構体を有するＧＴＯの場合には、条件
が相当厳しいものであることが西独公開公報第３１３４
０７４号（２０頁２−２１行）から推察されるが、そこ
で使用されている単純な合金プレスコンタクトの場合で
さえもゲート領域は、陰極フィンガの圧力を軽減する為
に陰極フィンガの高さに配置されている。

前記ＧＴＯサイリスタにおける直接プレスコンタクトに
伴う技術的な問題により、従来の市販のハイパワーＧＴ
Ｏは合金プレスコンタクトを備えたものだけになってい
る。（例えば、電気電子技術者協会の電子装置に関する
会報、ＥＤ２８巻、Ｎ１３．１９８１年３月、２７０−
２７４頁参照）。

既述の技術的問題を解決する為に、先願に係る欧州特許
出願第８７１０９６５２．５号（米国特許出願第０７１
０７１３９９号に相当）では、直接プレスコンタクトを
有するＧＴＯサイリスタが提案されているが、該ＧＴＯ
サイリスタの場合には、安定したコンタクト関係は、プ
レスコンタクトのプレス平面及び幾何学的配列に関して
初期設定されている許容範囲により得られる。

前述の従来技術は、個々のＧＴＯ素子のプレスコンタク
トに関するものであり、該ＧＴＯ素子の場合、陰極側上
又は陽極側上では、プレス面配分の点ではり均一な関係
を示している。

個々のＧＴＯ構体素子の他に、組合わされたカットオフ
構体素子（例えば、ＧＴＯサイリスタ及びダイオードの
逆手列回路を有する上述の欧州出願Ａ　（０２００８６
３の逆導電体ＧＴＯサイリスタ）もあるが、その場合、
ウェーハ内の複数領域においてさまざまな構体素子が統
合されており、それらは、陽極側又は陰極側でジヨイン
トコンタクトされている。

この種の段状ゲート陰極構体を備えた少くとも１つのＧ
ＴＯサイリスタを有する組合わされた構体素子の場合に
は、その構造のために、先づＧＴＯ独立素子の場合に記
載した様な直接プレスコンタクトに伴うものと同一の技
術的問題が生ずる。

更にこの場合には、不均一なプレス面配合を考慮しなけ
ればならない（前記逆導電性ＧＴＯサイリスタの場合、
陰極側のプレスコンタクト板は一方の側ではＧＴＯサイ
リスタの細く配分された陰極フィンガ面をプレスし、他
方の側では統合されたダイオードの比較的大きなコンタ
クト領域をプレスする）。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、ＧＴＯサイリスタが共通のウェーハ内
で少くとももう１つの構体素子と統合されており、且つ
１つの直接プレスコンタクトを備えており、且つ十分な
耐負荷交番性を有するカットオフ半導体構体素子を提供
することにある。

〔課題を解決するための手段〕

この課題は、導入部に記載の半導体構体素子の場合、 −陽極側プレスコンタクト板を有しており、該プレスコ
ンタクト板は、第２領域に見られる陽極層及び層へコン
タクトする為めにプレスされており、 −プレスコンタクト板及びウェーハは、その荷重されて
いるコンタクト平面上で±５マイクロメータ以下の平坦
誤差を示しており、プレスコンタクト板は相互に、それ
らの軸線誤差が５００マイクロメータ以下の値である様
に配置されていることにより解決された。

これらの措置の協力により、構体素子上に生ずる交番性
負荷がしかるべき力学的応力により構体素子の機能性を
妨げることが効率よく阻止される。

本発明の好適な第１実施例においては、ウェーハの第２
領域に見られる構体素子は、ダイオードであり、該ダイ
オードは、第１Ｎ域のＧＴＯサイリスタと共に逆導電性
ＧＴＯサイリスタを形成している。

本発明の好適な第２実施例においては、ウェファの第２
領域に見られる構体素子は、段状のゲート陰極構体と、
陰極フィンガとを有する同じくＧＴＯサイリスタである
が、両ＧＴＯサイリスタは逆手列に配置されている。

本発明に基づく構体素子のプレスコンタクト板は、モリ
ブデン又はタングステンで作られていることが好ましい
。

平坦誤差が±１μｍ以下であり且つ軸線誤差が１００μ
ｍ以下である場合、特に良好な結果が得られる。

プレスコンタクトの利点は、直径が大きくなるにつれて
非常に重要になってくる（湾曲、空洞問題）ので、２０
龍よりも大きな直径に対し使用することが有益である。

本発明のその他の実施例は、従属請求項から明らかであ
る。

〈実施例〉次に本発明を実施例に基づき図面を参照しながら詳細に
説明する。

既述の如く、直接プレスコンタクトの使用は、今日まで
動力用半導体、特に広い陰極面を有するダイオード及び
トランジスタに限られていたが、タングステン又はモリ
ブデンから成る加圧された金属プレスコンタクト板は、
陰極面とはソ゛同じサイズであった。

最も重要な特徴は、その場合、単純に関係している陰極
面であった。極端な場合、せいぜい独立した溝が設けら
れている（例えば、いわゆる「フィンガゲートｊの場合
）だけで、該溝は、陰極面のごくわずかな部分を占めて
いるにすぎなかった。

従って、平面の大部分にわたって均一な圧力配分が保証
されていたので、場合によっては、縁領域での僅かな局
所的な圧力超過を考慮しなければならなかった。

ＧＴＯサイリスタの場合には、ウェーハは陰極側に複数
の縦長の島状陰極フィンガを有しており、該陰極フィン
ガは、多くの場合、ロゼツト構造状（例えば西独公開公
報第３１３４０７４号の第３図参照）に配置されている
。陽極側のコンタクト面は、単純な構造の場合には細分
されておらず、例えば、分配された陽極短絡又は、陽極
側の深く位置するゲート領域の形の段状構造を示してい
る場合もある。

平坦な陽極面を有するこの種のサイリスタは、第１図に
示されている。構造体の中央の素子は、不純物を種々に
ドーピングした一連の層を有するウェーハ２であり、層
の境界は破線で示されている。

ウェーハは、陰極側（第１図では上側）に段状のゲート
陰極構体を有しており、該構体では、多数の突出した陰
極フィンガ７がより下側に位置しているゲート領域によ
って包囲されている。

陰極フィンガ７は、例えばアルミニウム製の金属陰極層
６で被覆されている。その間に位置しているゲート領域
も、金属ゲート電極５を備えているが、該電極５は陰極
層６よりも下側に位置している。

ウェーハ２の陽極側（第１図では下側）は、最も単純な
構造の場合には、は−°全面にわたって同じくアルミニ
ウム製の陽極層４で被覆されている。

ウェーハ２の縁は普通の方法で面取りされており、不動
態化した縁部９を備えている。図示の例ではプレスコン
タクトされていないゲート電極５は、防護用として、例
えばポリイミドの絶縁層８で被覆されている。

直接プレスコンタクトは、陰極側プレスコンタクト板１
と、陽極側プレスコンタクト板３とを含み、該プレスコ
ンタクト板は好ましくはモリブデン板又はタングステン
板で作られている。両方のプレスコンタクト板１．３は
、構体素子内での電気的及び熱的なコンタクトを確実に
するために、両側から十分な加圧力（Ｐ）でウェーハ２
に向ってプレスされる。

ロゼツト構造状の陰極フィンガ７について、陰極面Ａｌ
ｌに対する陽極面ＡＡの典型的な比は、Ａ× によって得られる。

許容しうる熱伝達を確実にするために、陽極面での圧力
は、この種の構体素子において通常の例えば１０〜１５
ＭＰａの値に一致しなければならない。陰極側の圧力に
ついては、ＡＡ／Ａにの値に応じて高められた値が生ず
る。

不都合な平面比による圧力の増大に加えて、別の局所的
な圧力超過、つまりａ）　プレスコンタクト付近における著し圧力超過（い
わゆるスタンプ効果）と、ｂ）　ウェーハの刻み目領域の圧力超過とを考慮しなけ
ればならない。

特定の形態について、これらの機械的応力を数値計算す
ることができる（例えば、マグロ−ヒル社から１９７０
年に出版された（ツィエンキーヴイッツ及びチキン著の
「構造力学及び連続体力学における有限要素法ｊを参照
のこと）。

実際には、圧力超過（ａｌにより、例えば陰極Ｎ６の縁
又は陽極層４の縁において先ず降伏点に達する。しかし
ながら、かかる僅かな流れにより、圧力超過は自動的に
平均化する。従って、圧力技術から見れば、この場合、
金属被覆された領域が著しく拡大されない限りにおいて
は、原則的に危険ではない。

圧力超過（ｂｌにより、刻み目効果を招く。典型的な応
用例の理論上の計算は、ウェーハ２の局部応力が２倍だ
け増大することを示している。この付加的応力は、特に
危険である。何故ならば、種々の材料の熱膨張により引
き起こされる引張応力又は剪断応力がこれに重畳される
からである。機械的にプレスされた板の厚さがプレスさ
れていない領域の側方膨張よりもはるかに大きい場合（
ＧＴＯの場合には、陰極フィンガ７間の隙間）には、板
の内部応力は、陰極表面からの距離が大きくなるにつれ
て完全に平均化される。この効果は、サン・ヴナン（Ｄ
ｅ　５ａｉｎｔ−Ｖｅｎａｎｔ）の原理として知られて
いる（例えば、スプリンガー社から１９６６年に出版さ
れた「工業力学入門（第７版）Ｊの第１３０頁を参照の
こと）。この効果は、合金プレスコンタクトの場合に有
効である。何故ならば、ウェーハ及びはんだ付けされた
ベースがかなり厚い均一な板を形成しているからである
。

プレスされたウェーハが合金されていない直接プレスコ
ンタクトの場合には、上記の条件は満たされていない。

機械的応力はウェーハ全体にわたって不均一であり、局
部的には符号を変更することすら可能である（いわゆる
Ｆｉｌｏｎ効果、つまり、平坦な背面側におけるプレス
された板の局部的な浮上）。この様な理由のため、直接
プレスコンタクトにより、上記の島状構体のウェーハが
破壊されるということを規定しなければならない。

直接プレスコンタクトを有するＧＴＯサイリスタに関し
、極端な圧力及び温度負荷下において一連の実験が行わ
れた結果、驚くべきことに、特定の措置がとられた場合
、構体を成している陰極表面を有するＧＴＯにおいては
、直接プレスコンタクトの使用が可能であることが判明
した。

その場合に重要なことは、先づ平坦性、つまり、相互に
コンタクトを成しているウェーハ及びプレスコンタクト
の平面の平滑性である。これらの平面の粗面性、平坦誤
差は、ｌＩＩｍ以下であれば好都合であるが５μｍより
も大きくてはならない。

更に、プレスコンタクトがウェーハの平面内で終ってい
る場合には、既述の流動プロセスを招くプレスコンタク
ト板１及び３上の尖った縁は回避しなければならない。

平坦な陽極側（第１図参照）の最も単純な場合には、少
くとも陽極側のプレスコンタクト板３を、ウェーハ２に
面した側の縁を面取りするか丸味をつけるかしなければ
ならない。

最後に、対向して位置しているプレスコンタクト板１及
び３の外側の境界を、僅かな許容範囲内に調整しなけれ
ばならない。これに関連して、プレスコンタクト板１及
び３がその軸線内で５００μｍより小さな値だけ相互に
相違しているのであれば十分であるが、これは、同一直
径の場合、同じ大きさの半径差Δｒ　（図示されている
）に相当する。

陰極側プレスコンタクト板の縁が陰極フィンガ７から側
方に突出するように、陰極側プレスコンタクト板の直径
を選定することが好ましい。しかし、両プレスコンタク
ト板１．３に対して比較的小さな直径を選定することも
可能である（図面中に破線で示されている）。

具体的には、下記の寸法が好ましいニブレスコンタクト板の直径　　　　〉２０鶴陰極フイン
ガの巾　　　　　　　　〉０．１龍陰極フインガの長さ
　　　　　　　＞　ｌ　＊＊陰極フィンガ間の溝の深さ
　　　５−５０μｍ陰極フィンガの数　　　　　　　　
〉１００第１図との関連において今までに記載してきた
方法は全て、既述の先頭に係る欧州特許出願において取
扱われていた直接プレスコンタクトを有するＧＴＯ独立
素子の場合に関するものである。

驚くべきことに、この同じ方法を用いて、組合わせられ
たカットオフ半導体構体素子の為の直接プレスコンタク
トを実現することができることが判明したが、その場合
、プレス面の他の配分が提案されてはいるものの、ＧＴ
Ｏサイリスタは、ウェーハ内において他の構体素子へ統
合されている。

本発明に基づき組合わせられたこの種の構体素子に関す
る第１実施例は、第２図に示されている（第１図と照合
できる素子には、同一参照番号が付されている）。

第２図のウェーハは、（１点鎖線により分けられた）少
くとも２つの領域を有している。左側の第１８１域は、
暦月と、第１図に基づ＜ＧＴＯ構体とを有している。

右側の第２領域は、暦月と、ＧＴＯサイリスタと逆平行
に接続されたダイオード構体とを有している。これは、
陽極側でＧＴＯのｐ゛型ゾーン１）が領域の境界上で終
っており、そこからｎ゛型ゾーン１２が始まることによ
り得られる。

ダイオード領域の陰極側では、内側ｐ型ゾーン１３は直
接、金属ダイオード陽極層１０に通じており、該陽極層
１０は、陰極層６と同じ高さに位置しており且つ陰極側
プレスコンタクト板ｌにより該陰極層とコンタクトして
いる。

陽極側では、陽極層４は２つの領域全体に連続的に形成
されている。

プレスコンタクト板１．３の縁領域は、第２図には示さ
れていない。連続した陽極層４のために、この実施例の
陽極側プレスコンタクト板３に対し第１図のＧＴＯ独立
素子の場合と同一の判断があてはまる。

陰極側プレスコンタクト板１の場合には、必要条件は、
側構体素子領域の幾何学的配列によって左右される。例
えば、Ｇ　Ｔ　Ｏ領域（Ｔｈ）が内部に位置しており且
つ環状ダイオード領域（Ｄ）により同心円状に包囲され
ている（第３Ａ図）場合には、陰極側プレスコンタクト
板Ｉの内縁に対し、第１図に基づく配列に見られる場合
と同一の判断があてはまる。何故ならば、この場合には
、圧力が個々の陰極フィンガ７に及ぼされるからである
。

しかしながら、外縁については、負荷状態は陽極側プレ
スコンタクト３に匹敵する。何故ならば、この場合には
、プレス面として面の広い貫通したダイオード陽極層１
０が提供されているからである。

ダイオード領域（Ｄ）が内部に配置されておりＧ　Ｔ　
ＯＳｆｆ域（Ｔｈ）により包囲されている場合には、逆
の判断があてはまる。

しかしながら、（Ｄ）及び（Ｔｈ）ｊＩ域の他の幾何学
的配置も考えられる。かくして、例えば、第３Ｂ図に図
示されている様に、ＧＴＯ領域（Ｔｈ）及びダイオード
領域（Ｄ）を各々扇形構造に形成することも可能である
。

更に、領域（Ｄ）及び（Ｔｈ）の各々が独立した部分に
細分されており、例えば、構体素子における均一な熱的
関係を得る為に、各々の部分を交互に配置することも可
能である。

第３Ｂ図に基づく最後に記載されている事例において、
ＧＴＯ領域（Ｔｈ）は、第１図のＧＴＯ独立素子の場合
と同じ半径方向の広がりを有しているので、こ＼では第
１図における配列とはゾ同じ関係が示される。

他の実施例に基づき、第２領域の構体素子が（逆平列）
ＧＴＯサイリスタである場合（第４図）には他の状態が
生ずるが、該ＧＴＯサイリスタは、しかるべき陰極フィ
ンガ７′、陰極層６′、ゲート電極５′及び陽極層４′
を有している。

両ＧＴＯサイリスタが例えば同心円状に配置されている
（第３Ａ図、ＧＴＯ１内側、ＧＴＯ２外側を比較のこと
）場合には、両プレスコンタクト１．３に対し、第２図
に基づくプレスコンタクト１の場合に出された判断があ
てはまる。

扇形構造（第３Ｂ図に匹敵する）の場合には、両プレス
コンタクト１．３に対しては、第１図又は第３Ｂ図に基
づくプレスコンタクト１に対し有効な判断が該当する。

更に、本発明に基づく配列の各ＧＴＯサイリスタが陽極
側にゲートと、段状のゲート陽極構体とを有しているこ
とも考えられる。この実施形態の場合、陰極フィンガ７
．７′の効果ばかりでな（、陽極フィンガの圧力配分も
考慮すべきである。

いずれにせよ、プレス面の平坦性（±５マイクロメータ
以下の誤差）と、プレスコンタクト１）３のセンタリン
グ（１００マイクロメータ以下であれば好都合であるが
、５００マイクロメータ以下の軸線誤差）とに関する既
述の必要条件を備えた構体素子が提供されるが、該構体
素子は、良好な電気的及び熱的コンタクトと共に高い耐
負荷交番性を備えている。

【図面の簡単な説明】

第１図は、先願に係る欧州出願第８７１０９６５２．５
に基づ＜ＧＴＯ独立素子の為の直接プレスコンタクトを
示す図、第２図は、本発明の第１実施例に基づく組合わされたカ
ットオフ構体素子の為の直接プレスコンタクトを示す図
、第３Ａ図および第３Ｂ図は、第２図に基づく構体素子に
おける構体素子領域のさまざまな配列を示す図、第４図は、本発明の第２実施例に基づく組合わされたカ
ットオフ構体素子の為の直接プレスコンタクトを示す図
である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）（ａ）１個のウェーハ（２）と、（ｂ）該ウェーハの第１領域において、陰極側と陽極側
との間に配置されており且つゲートを介してカットオフ
可能なサイリスタ（ＧＴＯ）を形成しているさまざまに
不純物がドーピングされた第１層列と、（ｃ）少くとも陰極側の前記第１領域において、深く位
置しているゲート領域により包囲されている複数個の突
出した陰極フィンガ（７）を有する段状のゲート陰極構
体と、（ｄ）前記第１領域の前記陰極フィンガ（７）上の各々
１つの金属陰極層（６）および陽極側の前記ウェーハ（
２）上の金属陽極層と、（ｅ）前記ウェーハ（２）の第２領域において、前記陰
極側と前記陽極側との間に配置されており且つ前記ＧＴ
Ｏサイリスタに対し並列接続されている構体素子を形成
しているさまざまに不純物がドーピングされた第２層列
と、（ｆ）前記第２領域において、陽極側と陰極側とを
コンタクトする為に前記ウェーハ（２）上へ配置されて
いる金属層（１０、４又は４′、６′）と、（ｇ）前記第２領域に見られる前記陰極層（６）及び前
記層（１０又は４′）へコンタクトする為にプレスされ
ている陰極側プレスコンタクト板（１）とを包含してい
るカットオフ半導体構体素子にして、（ｈ）陽極側プレスコンタクト板（３）を有しており、
前記陽極側プレスコンタクト板は、前記第２領域に見ら
れる前記陽極層及び前記層（４又は６′）へコンタクト
する為にプレスされており、（ｉ）前記プレスコンタクト板（１、３）及び前記ウェ
ーハ（２）の圧力荷重されているコンタクト面は、±５
マイクロメータ以下の平坦誤差を有しており、（ｋ）前記プレスコンタクト板（１、３）は、前記軸線
が相互に５００マイクロメータ以下の誤差を備えている
様に互いに調整されていることを特徴とする半導体構体
素子。
（２）前記ウェーハ（２）の第２領域に見られる前記構
体素子は、ダイオードであり、該ダイオードは、前記第１領域のＧＴＯサイリスタと共
に逆電導性ＧＴＯサイリスタを形成していることを特徴
とする請求項（１）に記載の半導体構体素子。
（３）前記ウェーハ（２）の第２領域に見られる構体素
子は、段状のゲート陰極構体と、陰極フィンガ（７′）
とを有する同じくＧＴＯサイリスタであり、前記両ＧＴＯサイリスタは、逆並列配置されていること
を特徴とする請求項（１）に記載の半導体構体素子。
（４）前記ウェーハの第１及び第２領域は、同心状に相
対して配置されていることを特徴とする請求項（１）乃
至（３）の何れか１つに記載の半導体構体素子。
（５）前記ウェーハ（２）の第１及び第２領域は、扇形
構造を呈していることを特徴とする請求項（１）乃至（
３）の何れか１つに記載の半導体構体素子。
（６）前記プレスコンタクト板（１、３）は、前記ウェ
ーハ（２）に対向した側上でその縁が研磨又は、角が丸
くされていることを特徴とする請求項（１）に記載の半
導体構体素子。
（７）前記プレスコンタクト板（１、３）は、モリブデ
ン又はタングステンから構成されていることを特徴とす
る請求項（１）に記載の半導体構体素子。
（８）前記プレスコンタクト板（１、３）及び前記ウェ
ーハ（２）の平坦誤差は、±１マイクロメータ以下であ
り、前記プレスコンタクト板（１、３）の軸線誤差は、１０
０マイクロメータ以下であることを特徴とする請求項（
１）に記載の半導体構体素子。
（９）前記プレスコンタクト板（１、３）の直径は、２
０ｍｍよりも大きいことを特徴とする請求項（１）に記
載の半導体構体素子。
（１０）前記陰極フィンガ（７、７′）の巾は０．１ｍ
ｍよりも大きく、前記陰極フィンガの長さは、１ｍｍよ
りも大きく、前記陰極フィンガ間の溝の深さは、５から
５０マイクロメータの間であり、前記陰極フィンガの数
は、各ＧＴＯサイリスタにおいて１００よりも多いかほ
ゞ同数であることを特徴とする請求項（１）又は（３）
に記載の半導体構体素子。