JPH01218015A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH01218015A JPH01218015A JP4545888A JP4545888A JPH01218015A JP H01218015 A JPH01218015 A JP H01218015A JP 4545888 A JP4545888 A JP 4545888A JP 4545888 A JP4545888 A JP 4545888A JP H01218015 A JPH01218015 A JP H01218015A
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- JP
- Japan
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- substrate
- semiconductor substrate
- opening
- semiconductor
- manufacturing apparatus
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体基板を保持して熱処理を行うための半導
体製造装置に関する。
体製造装置に関する。
［従来の技術］
一般に、半導体装置の製造工程では、例えば、不純物を
拡散させるために半導体基板を加熱する所謂熱処理が行
われている。
拡散させるために半導体基板を加熱する所謂熱処理が行
われている。
従来、このような熱処理工程には第２図に示すような装
置が用いられている。同図において、１１は基板保持部
である。この基板保持部１１には上面に平坦面１１ａが
形成されており、この平坦面１１ａ上に半導体基板１２
を載置すると共に、平坦面１１ａの周部に突設した落下
防止壁１１ｂにより半導体基板１２の落下を防止するよ
うになっている。また、載置した半導体基板１２の加熱
は、基板保持部１１の内部に設けた加熱コイル１３・に
より基板保持部１１を介して半導体基板１２−の裏面側
から行うようになっている。
置が用いられている。同図において、１１は基板保持部
である。この基板保持部１１には上面に平坦面１１ａが
形成されており、この平坦面１１ａ上に半導体基板１２
を載置すると共に、平坦面１１ａの周部に突設した落下
防止壁１１ｂにより半導体基板１２の落下を防止するよ
うになっている。また、載置した半導体基板１２の加熱
は、基板保持部１１の内部に設けた加熱コイル１３・に
より基板保持部１１を介して半導体基板１２−の裏面側
から行うようになっている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、この従来装置は基板保持部１１の平坦部
１１ａに半導体基板１２を載置させる構造であり、従っ
て、半導体基板１２はその裏面側が平坦面１１ａに完全
に密着した状態となっていた。このため、半導体基板１
２の裏面には平坦面１１ａ上のほこり等が熱処理中に無
数に付着してしまい、これらのほこり等が半導体基板１
２の運搬時又は液中での処理時に半導体基板表面に再付
着してしまうことがある。この再付着が製品の歩留り低
下の大きな要因となっていた。
１１ａに半導体基板１２を載置させる構造であり、従っ
て、半導体基板１２はその裏面側が平坦面１１ａに完全
に密着した状態となっていた。このため、半導体基板１
２の裏面には平坦面１１ａ上のほこり等が熱処理中に無
数に付着してしまい、これらのほこり等が半導体基板１
２の運搬時又は液中での処理時に半導体基板表面に再付
着してしまうことがある。この再付着が製品の歩留り低
下の大きな要因となっていた。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
熱処理工程中に基板保持部側から半導体基板側に付着す
るほこり等の量を低減することができ、製品の歩留り向
上を図ることができる半導体製造装置を提供することを
目的とする。
熱処理工程中に基板保持部側から半導体基板側に付着す
るほこり等の量を低減することができ、製品の歩留り向
上を図ることができる半導体製造装置を提供することを
目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板を保持し、
該半導体基板に熱処理を施す半導体製造装置において、
開口を有し該開口の周部に設けた支持部により前記半導
体基板を保持する基板保持部と、前記開口に面する領域
を介して前記半導体基板を加熱する加熱手段とを備えた
ことを特徴とする。
該半導体基板に熱処理を施す半導体製造装置において、
開口を有し該開口の周部に設けた支持部により前記半導
体基板を保持する基板保持部と、前記開口に面する領域
を介して前記半導体基板を加熱する加熱手段とを備えた
ことを特徴とする。
［作用］
上記構成の本発明の半導体製造装置では、半導体基板は
その周縁部のみが基板保持部の支持部と接触し、従って
、半導体基板と基板保持部との接触面積が少なくなり、
そのため、基板保持部側から半導体基板側に付着するほ
こり等の量が低減される。
その周縁部のみが基板保持部の支持部と接触し、従って
、半導体基板と基板保持部との接触面積が少なくなり、
そのため、基板保持部側から半導体基板側に付着するほ
こり等の量が低減される。
［実施例］
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例について具
体的に説明する。
体的に説明する。
第１図は本発明の実施例に係る半導体製造装置の断面構
造を示すものである。図中、１は半導体基板２を水平に
吸着保持するための基板保持部である。この基板保持部
１には上面に半導体基板２の径より小さい径の開口３が
設けられており、この間口３の周部に設けた支持部４に
より半導体基板２の裏面側の周縁部を支持すると共に、
支持部４の周囲に突設した落下防止壁４ａにより半導体
基板２の落下を防止するようになっている。また、支持
部４には真空吸着ポンプ（図示せず）に連通した吸着溝
５が設けられており、この吸着溝５を介して半導体基板
２を支持部４上に吸着保持するようになっている。
造を示すものである。図中、１は半導体基板２を水平に
吸着保持するための基板保持部である。この基板保持部
１には上面に半導体基板２の径より小さい径の開口３が
設けられており、この間口３の周部に設けた支持部４に
より半導体基板２の裏面側の周縁部を支持すると共に、
支持部４の周囲に突設した落下防止壁４ａにより半導体
基板２の落下を防止するようになっている。また、支持
部４には真空吸着ポンプ（図示せず）に連通した吸着溝
５が設けられており、この吸着溝５を介して半導体基板
２を支持部４上に吸着保持するようになっている。
基板保持部１の底部には気体排気口６及び気体供給口９
が設けである。これら気体排気口６と気体供給口９間に
は熱媒体としての気体を循環させるためのポンプ７及び
この気体の温度を適正温度に調節するための温度調節器
８が配管１０により連結されている。
が設けである。これら気体排気口６と気体供給口９間に
は熱媒体としての気体を循環させるためのポンプ７及び
この気体の温度を適正温度に調節するための温度調節器
８が配管１０により連結されている。
即ち、上記構成の半導体製造装置においては、半導体基
板２は、基板保持部１における開口３の周部に設けた支
持部４上に載置されると共に、吸着溝５を介して真空吸
着ポンプ（図示せず）により吸着保持される。そして、
この保持された半導体基板２の裏面側表面を温度調節器
８により温度調節された気体がポンプ７により循環され
ることにより熱処理が施されるものである。
板２は、基板保持部１における開口３の周部に設けた支
持部４上に載置されると共に、吸着溝５を介して真空吸
着ポンプ（図示せず）により吸着保持される。そして、
この保持された半導体基板２の裏面側表面を温度調節器
８により温度調節された気体がポンプ７により循環され
ることにより熱処理が施されるものである。
このように本実施例の半導体製造装置では、開口３の周
部に設けた支持部４により半導体基板２の周縁部を支持
するようになっている。従って、半導体基板２が基板保
持部１と接触するのはその周縁部の素子領域に影響を与
えない部分のみとなり、従来の製造装置に比して接触面
積が大幅に低減される。このため半導体基板２の裏面側
に付着されるほこり等の量が著しく少なくなる。
部に設けた支持部４により半導体基板２の周縁部を支持
するようになっている。従って、半導体基板２が基板保
持部１と接触するのはその周縁部の素子領域に影響を与
えない部分のみとなり、従来の製造装置に比して接触面
積が大幅に低減される。このため半導体基板２の裏面側
に付着されるほこり等の量が著しく少なくなる。
なお、上記実施例においては、半導体基板２を加熱する
ために、基板保持部１の開口３内に気体を循環させるよ
うにしたが、本発明はこれに限定するものではなく気体
の代わりに液体を熱媒体として使用してもよいことは勿
論である。更に、加熱手段としては、その他の加熱コイ
ル等によるものであってもよい。
ために、基板保持部１の開口３内に気体を循環させるよ
うにしたが、本発明はこれに限定するものではなく気体
の代わりに液体を熱媒体として使用してもよいことは勿
論である。更に、加熱手段としては、その他の加熱コイ
ル等によるものであってもよい。
［発明の効果］
以上のように本発明の半導体製造装置によれば、基板保
持部に開口を設け、該開口の周部に設けた支持部により
半導体基板の周縁部を支持するようにしたので、半導体
基板の基板保持部との接触面積が大幅に少なくなり、こ
れにより基板保持部から半導体基板側に付着するほこり
等の量が大幅に低減されると共に基板表面側に再付着さ
れるほこり等の量が大幅に低減され、製品の歩留りが著
しく向上する。
持部に開口を設け、該開口の周部に設けた支持部により
半導体基板の周縁部を支持するようにしたので、半導体
基板の基板保持部との接触面積が大幅に少なくなり、こ
れにより基板保持部から半導体基板側に付着するほこり
等の量が大幅に低減されると共に基板表面側に再付着さ
れるほこり等の量が大幅に低減され、製品の歩留りが著
しく向上する。
第１図は本発明の実施例に係る半導体製造装置の断面図
、第２図は従来の半導体製造装置を示す断面図である。 １．１１．基板保持部、２，１２．半導体基板、３；開
口、４；支持部、５；吸着溝、６；気体排気口、７；ポ
ンプ、８；温度調節器、９；気体供給口、１０；配管、
１１ａ：平坦部、１３；加熱コイル
、第２図は従来の半導体製造装置を示す断面図である。 １．１１．基板保持部、２，１２．半導体基板、３；開
口、４；支持部、５；吸着溝、６；気体排気口、７；ポ
ンプ、８；温度調節器、９；気体供給口、１０；配管、
１１ａ：平坦部、１３；加熱コイル
Claims (1)
- （１）半導体基板を保持し、該半導体基板に熱処理を施
す半導体製造装置において、開口を有し該開口の周部に
設けた支持部により前記半導体基板を保持する基板保持
部と、前記開口に面する領域を介して前記半導体基板を
加熱する加熱手段とを備えたことを特徴とする半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4545888A JPH01218015A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4545888A JPH01218015A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01218015A true JPH01218015A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12719914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4545888A Pending JPH01218015A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01218015A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015095599A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | シャープ株式会社 | 化合物半導体薄膜成長装置 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP4545888A patent/JPH01218015A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015095599A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | シャープ株式会社 | 化合物半導体薄膜成長装置 |
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