JPS63164431A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS63164431A JPS63164431A JP61312175A JP31217586A JPS63164431A JP S63164431 A JPS63164431 A JP S63164431A JP 61312175 A JP61312175 A JP 61312175A JP 31217586 A JP31217586 A JP 31217586A JP S63164431 A JPS63164431 A JP S63164431A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- preliminary chamber
- dry etching
- heating
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体等の電子部品製造工程に用いるドライエ
ツチング装置に関するものである。
ツチング装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体デバイスの集積化に伴いドライエツチング
は重要な基幹技術となっている。
は重要な基幹技術となっている。
従来よりエツチングは、レジストマスクを介して被エツ
チング物を所望のパターンに加工することを目的として
きた。特に最近、半導体素子の微細化は著しく進展し、
レジストマスクに対する被エツチング物の寸法変化の少
ないドライエツチングが要求されている。
チング物を所望のパターンに加工することを目的として
きた。特に最近、半導体素子の微細化は著しく進展し、
レジストマスクに対する被エツチング物の寸法変化の少
ないドライエツチングが要求されている。
従来、エツチング処理でのレジストマスクの変形を防ぐ
ため、エツチング処理を行なう前に、不活性ガス雰囲気
中でベーク処理を行なってきた。
ため、エツチング処理を行なう前に、不活性ガス雰囲気
中でベーク処理を行なってきた。
ベーク処理を行なうことでレジストマスクの耐熱性が向
上するわけでおる。
上するわけでおる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、レジストマスクの耐熱性はべ一り処理後
の保管状況、例えばベーク処理後の経過時間等によって
変化し、その後のエツチング処理においてレジスト表面
に凹凸が発生したり、レジストのダンが発生し所望の加
工精度がでない場合がある。このようなレジストマスク
の耐熱性の低下は、ベーク後空気雰囲気中にさらされた
際に空気中の水分が吸着されるためであると考えられる
。
の保管状況、例えばベーク処理後の経過時間等によって
変化し、その後のエツチング処理においてレジスト表面
に凹凸が発生したり、レジストのダンが発生し所望の加
工精度がでない場合がある。このようなレジストマスク
の耐熱性の低下は、ベーク後空気雰囲気中にさらされた
際に空気中の水分が吸着されるためであると考えられる
。
本発明は上記問題点に鑑み、レジストマスクの耐熱性を
向上し、所望のエツチングを行なうドライエツチング装
置を提供するものである。
向上し、所望のエツチングを行なうドライエツチング装
置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のドライエラッチン
グ装置は、予備室に被エツチング物を加熱する手段を具
備したものである。
グ装置は、予備室に被エツチング物を加熱する手段を具
備したものである。
作 用
本発明は上記した構成によって、エツチング処理を施こ
す直前にレジストマスクの耐熱性を高め、かつ真空中で
反応室に移載されるため、従来のべ一り処理のようにベ
ーク処理後の時間経過が問題とならず、常に精度良く加
工することができる。
す直前にレジストマスクの耐熱性を高め、かつ真空中で
反応室に移載されるため、従来のべ一り処理のようにベ
ーク処理後の時間経過が問題とならず、常に精度良く加
工することができる。
実施例
以下本発明の一実施例のドライエツチング装置について
、図面を参照しながら説明する。
、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるドライエツチン
グ装置の反応室・予備室概略図を示す。
グ装置の反応室・予備室概略図を示す。
第１図において、１は反応室で、真空中で反応ガスを供
給し扁周波゛戒源３によυ高周波電力を印加しガスプラ
ズマを発生させ、被エツチング物を堆積し几ウェハ４を
レジストマスクを介してエツチングするものである。２
は予備室で、ウニノー移載に際して反応室１を真空状態
で保持するためのものである。予備室２外壁の一部に透
明ガラス６設け、前記透明ガラス６を介して予備室２内
のウェハ４を加熱するための赤外線ランプ６が設置され
−ている。
給し扁周波゛戒源３によυ高周波電力を印加しガスプラ
ズマを発生させ、被エツチング物を堆積し几ウェハ４を
レジストマスクを介してエツチングするものである。２
は予備室で、ウニノー移載に際して反応室１を真空状態
で保持するためのものである。予備室２外壁の一部に透
明ガラス６設け、前記透明ガラス６を介して予備室２内
のウェハ４を加熱するための赤外線ランプ６が設置され
−ている。
以上のように構成されたドライエツチング装置について
、以下その動作を説明する。ウエノＳ４は図示しない搬
送手段によシまず予備室２に移載され、真空引き後赤外
線ランプ６によシ加熱される。
、以下その動作を説明する。ウエノＳ４は図示しない搬
送手段によシまず予備室２に移載され、真空引き後赤外
線ランプ６によシ加熱される。
ウェハ４の加熱温度は赤外線ランプ６とウエノＳ４の距
離や、赤外線ランプ６の電力あるいは赤外線ランプ６の
照射時間等によって容易に制御できる。
離や、赤外線ランプ６の電力あるいは赤外線ランプ６の
照射時間等によって容易に制御できる。
加熱処理後のクエ／％４はＸを中で反応室１に移載され
るため、レジストマスクは水分等を含んで耐熱性が劣化
することがない。
るため、レジストマスクは水分等を含んで耐熱性が劣化
することがない。
第２図は本発明の第２の実施例におけるドライエツチン
グ装置の反応室・予備室概略図である。
グ装置の反応室・予備室概略図である。
第２図において第１図と同一構成要素については同一番
号を用いている。７は予備室内でウェハを載置する載置
台であシ、載置台７には電熱線８が埋め込まれてあシ載
置台７を加温できるようになっている。温度設定は電源
線８に印加する電流量によシ容易に制御される。ウェハ
４は図示しない搬送系によシ予備室２内の載置台７に移
載され、真空引きされると共に載置台７によシ昇温され
る。
号を用いている。７は予備室内でウェハを載置する載置
台であシ、載置台７には電熱線８が埋め込まれてあシ載
置台７を加温できるようになっている。温度設定は電源
線８に印加する電流量によシ容易に制御される。ウェハ
４は図示しない搬送系によシ予備室２内の載置台７に移
載され、真空引きされると共に載置台７によシ昇温され
る。
昇温され耐熱性の向上したレジストマスクは真空状態で
そのまま反応室に移載されるため、レジストマスク耐熱
性は保持され、エツチングも加工精度良く仕上がる。
そのまま反応室に移載されるため、レジストマスク耐熱
性は保持され、エツチングも加工精度良く仕上がる。
上記第１の実施例、第２の実施例とも条件設定てより反
応室２での工°ツチング待ち時間中に、予備室２での加
熱処理ができるため、何ら処理時間を遅らせることはな
い。そればかシか、従来ボストベークとしてエツチング
処理を施こす前に行なわれていた工程が省略できること
よシ、生産性は同上する。
応室２での工°ツチング待ち時間中に、予備室２での加
熱処理ができるため、何ら処理時間を遅らせることはな
い。そればかシか、従来ボストベークとしてエツチング
処理を施こす前に行なわれていた工程が省略できること
よシ、生産性は同上する。
発明の効果
以上のよう忙本発明は、予備室に加熱手段を設けること
によシ、レジストマスクの耐熱性を高めエツチング加工
精度を高めるとともに、従来のボストベーク時間を省略
でき生産性を向上させるものである。
によシ、レジストマスクの耐熱性を高めエツチング加工
精度を高めるとともに、従来のボストベーク時間を省略
でき生産性を向上させるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例におけるドライエツチン
グ装置の反応室・予備室の概略図、第２図は本発明の第
２の実施例における反応室・予備室の概略図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・予備室、６・・
・・・・赤外線ランプ（加熱手段）、８・・・・・・電
熱線（加熱手段）。
グ装置の反応室・予備室の概略図、第２図は本発明の第
２の実施例における反応室・予備室の概略図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・予備室、６・・
・・・・赤外線ランプ（加熱手段）、８・・・・・・電
熱線（加熱手段）。
Claims (3)
- （１）真空容器内で反応ガスプラズマによりエッチング
を行なう反応室と、反応室の真空を保持するための予備
室とからなるドライエッチング装置において、上記予備
室に被エッチング物を加熱する手段を設けたことを特徴
とするドライエッチング装置。 - （２）被エッチング物を加熱する手段が予備室に設けた
赤外線加熱ランプで構成された特許請求の範囲第１項記
載のドライエッチング装置。 - （３）被エッチング物を加熱する手段が、被エッチング
物を載置する載置台に配設した電熱線で構成された特許
請求の範囲第１項記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312175A JPS63164431A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312175A JPS63164431A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164431A true JPS63164431A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18026124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61312175A Pending JPS63164431A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164431A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0285378A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| JPH0339837U (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-17 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312175A patent/JPS63164431A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0285378A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| JPH0339837U (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-17 |
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