JPH01218032A - ワイヤーボンディング方法 - Google Patents

ワイヤーボンディング方法

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JPH01218032A
JPH01218032A JP63043697A JP4369788A JPH01218032A JP H01218032 A JPH01218032 A JP H01218032A JP 63043697 A JP63043697 A JP 63043697A JP 4369788 A JP4369788 A JP 4369788A JP H01218032 A JPH01218032 A JP H01218032A
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JP
Japan
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bonding
pellet
semiconductor pellet
semiconductor
wire bonding
Prior art date
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Pending
Application number
JP63043697A
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English (en)
Inventor
Katsuo Takei
武井　勝男
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01218032A publication Critical patent/JPH01218032A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ペレットのワイヤーボンディング方法に
関し、特に表裏両面に素子及び配線を有する半導体ペレ
ットのワイヤーボンディング方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体ペレットの内部電極であるパッドと外部リ
ードを結線するためのワイヤーボンディング方法におい
ては、ワイヤーボンディングの前工程で第５図に示すよ
うにリードフレーム８のアイランド１０に接合剤９によ
り半導体ペレット２の裏面を接合しておき、ワイヤーボ
ンディング時においては、この半導体ペレット２を搭載
したフレーム８を第６図に示すようにボンディングステ
ージ１１上に固定しペレット２の表面にあるパッドとイ
ンナーリード４をワイヤー７にて結線するものであった
。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のワイヤーボンディング方法では、半導体
ペレット２の裏面がアイランド１０への接合に用いられ
ているため、表裏両面にウェハープロセスを施し、表裏
両面に素子及び配線を有するような半導体ペレットにつ
いては、ワイヤーボンディングができないという欠点が
ある。
本発明の目的は前記課題を解決したワイヤーボンディン
グ方法を提供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のワイヤーボンディング方法に対し、本発
明は表裏両面に素子及び配線を形成した半導体ペレット
の表裏両面にワイヤーボンディングを行うことができる
という相違点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明のワイヤーボンディン
グ方法においては、半導体ペレットの片面もしくは両面
に半導体ペレットの内部素子及び配線とは絶縁された突
起もしくは膜よりなる領域を形成し、この領域を外部よ
り支持することにより半導体ペレットを固定してワイヤ
ーボンディングを行うものである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１） 第１図（ａ）〜（ト）は本発明の実施例１を工程順に示
す図である。
本発明において、半導体ペレット２はその片面もしくは
両面に半導体ペレットの内部素子及び配線とは絶縁され
た突起もしくは膜を有し、またワイヤーボンディング装
置は半導体ペレット２の突起及び膜を支持することによ
り半導体ペレット２を固定するペレット用ボンディング
ステージ３を有し、半導体ペレットを加熱する図示しな
い加熱手段が上記ペレット用ボンディングステージ３に
設けられている。あるいは非接触にて半導体ペレット２
を加熱する加熱手段を有している。
第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）　、　（ｄ）　
、　（ｅ）　、　（ｆ）は本発明の実施例１を工程順に
示す説明図である。表裏両面に素子及び配線を有する半
導体ペレット２の両面に絶縁物質よりなるペレットアイ
ランド１が蒸着あるいは塗付あるいは貼付等の手法によ
り固着されている。
ペレット用ボンディングステージ３はその内部が中空と
なっており、図示しない外部配管及び制御機構により半
導体ペレット２を所定のタイミングでボンディングステ
ージ３上に真空吸引し固定する。次に本発明による動作
について説明する。第１図（ａ）において、図示しない
搭載機構により半導体ペレット２及びインナーリード４
をそれぞれペレット用ボンディングステージ３及びイン
ナーリード用ボンディングステージ５上に搭載する。搭
載が完了すると、第１図（ｂ）に示すようにペレット用
ボンディングステージ３の中空部と図示しない外部配管
及び制御機構が作用し１図中の矢印で示すように半導体
ペレット２をペレットアイランド１を介してペレット用
ボンディングステージ３上に固定する。固定後、ボンデ
ィング装置はボンディングを開始し、第１図（ｃ）に示
すように半導体ペレット２の表面（半導体ペレット２で
先にボンディングする面を表面、次にボンディングする
面を裏面とした）のワイヤーボンディングを完了する。
表面のワイヤーボンディングが完了した半導体ペレット
２とインナーリード４は第１図（ｄ）に示すように図示
しない搭載機構によりボンディングされた面を反転させ
、ボンディングステージ３及び５と正対するようにステ
ージ３及び５に搭載される。
次に第１図（ｅ）に示すように半導体ペレット２のペレ
ットアイランド１を真空吸引し半導体ペレット２をペレ
ット用ボンディングステージ３上に固定して裏面のワイ
ヤーボンディングを行う。このようにして第１図（ト）
に示すように半導体ペレット２の表裏両面のワイヤーボ
ンディングが完了する。
尚、この場合のペレットアイランド１及びペレット用ボ
ンディングステージ３の寸法は第２図（ａ）部に示すよ
うにボンディングツール６とペレットアイランド１がボ
ンディング時に干渉することなく。
また第２図（ｂ）部に示すようにワイヤーボンディング
された半導体ペレット２を反転させボンディングステー
ジ３上に搭載するときに結線されたワイヤー７とボンデ
ィングステージ３が干渉することのない寸法とする。さ
らにインナーリード用ボンディングステージ５の寸法及
び表裏両面のインナーリード４上のボンディング位置は
、第３図（ａ）。
（ｂ）に示すように表面ボンディング時に結線されたワ
イヤー７が裏面ボンディング時にインナーリード用ボン
ディングステージ５と干渉することがないように、表面
側のインナーリード４上のボンディング位置が裏面側の
ボンディング位置よりもインナーリード４の先端近くま
たインナーリード用ボンディングステージ５の寸法は裏
面ボンディング時には表面ボンディング時よりもΔＱ短
くなり（図示しない伸縮機構により裏面ボンディング時
にはΔＱだけ短くなる。あるいは裏面ボンディング時に
はΔαだけ短いインナーリード用ボンディングステージ
５を用いる）、ワイヤー７との干渉がないような寸法及
び位置となっている。またペレットアイランド１の強度
及びペレットアイランド１と半導体ペレット２との接合
強度は半導体ペレット２をペレットアイランド１を介し
てペレット用ボンディングステージ３に搭載し、保持す
る場合に作用する外部力によって半導体ペレット２に損
傷を生じない強度を有するものとする。一方、前記ボン
ディングステージ３は図示しない加熱体が先端に配備さ
れており、半導体ペレットを接触にて加熱することがで
きる。また、この加熱については赤外線ランプにより非
接触にて加熱することもできる。
（実施例２） 第４図は本発明の実施例２の説明図である。
アイランド１は２段形状よりなり、その先端部をオス型
１ａとするとペレット用ボンディングステージ３はその
先端部にオス型に対応したメス型の溝３ａを有する。型
の断面（Ａ−Ａ断面矢視方向）の形状は円形ではないも
のとする。
この実施例ではアイランド１及びアイランド１を搭載す
るペレット用ボンディングステージ３がそれぞれ円形で
ない（オス型をメス型に挿入した場合、挿入方向と直交
する平面内での半導体ペレット２の回転による移動がな
い）ため、ボンディング時において半導体ペレット２を
そのアイランド１の先端部のオス型１ａがペレット用ボ
ンディングステージ３のメス型溝３ａに挿入されるよう
に搭載すれば、常に一定の位置精度で半導体ペレット２
をペレット用ボンディングステージ３上に搭載できると
いう利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は半導体ペレットのボンディ
ング面に半導体ペレットの内部素子及び配線とは絶縁さ
れた所定厚の突起もしくは膜よりなる領域を形成し、こ
の領域のみを外部より支持することにより半導体ペレッ
トを固定してワイヤーボンディングを行うため、半導体
ペレットの内部素子及び配線には何らの損傷を与えるこ
となく、半導体ペレットの表裏両面にワイヤーボンディ
ングを行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図（ａ）〜（ト）は本発明の実施例１を工程順に示
す説明図、第２図及び第３図（ａ）、　（ｂ）は実施例
１の形状寸法を示す説明図、第４図は本発明のワイヤー
ボンディング方法の実施例２を示す説明図、第５図は従
来のワイヤーボンディングの前工程が完了したワークを
示す斜視図、第６図は従来のワイヤーボンディング方法
によるワークの縦断面図である。 １・・・ペレットアイランド　２・・・半導体ペレット
３・・・ペレット用ボンディングステージ４・・・イン
ナーリード ５・・・インナーリード用ボンディングステージ６・・
・ボンディングツール７・・・ワイヤー８・・・リード
フレーム　　　９・・・接合剤１０・・・アイランド　
　　１１・・・ボンディングステージ（ｂ） 第１図 Ｃｆ） 第１図 （ａ） 第３図 （ｂ） 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体ペレットの片面もしくは両面に半導体ペレッ
    トの内部素子及び配線とは絶縁された突起もしくは膜よ
    りなる領域を形成し、この領域を外部より支持すること
    により半導体ペレットを固定してワイヤーボンディング
    を行うことを特徴とするワイヤーボンディング方法。
JP63043697A 1988-02-26 1988-02-26 ワイヤーボンディング方法 Pending JPH01218032A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63043697A JPH01218032A (ja) 1988-02-26 1988-02-26 ワイヤーボンディング方法

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63043697A JPH01218032A (ja) 1988-02-26 1988-02-26 ワイヤーボンディング方法

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Publication Number Publication Date
JPH01218032A true JPH01218032A (ja) 1989-08-31

Family

ID=12671021

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63043697A Pending JPH01218032A (ja) 1988-02-26 1988-02-26 ワイヤーボンディング方法

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JP (1) JPH01218032A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6423102B1 (en) 1994-11-30 2002-07-23 Sharp Kabushiki Kaisha Jig used for assembling semiconductor devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6423102B1 (en) 1994-11-30 2002-07-23 Sharp Kabushiki Kaisha Jig used for assembling semiconductor devices

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