JPH1098135A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH1098135A JPH1098135A JP24962796A JP24962796A JPH1098135A JP H1098135 A JPH1098135 A JP H1098135A JP 24962796 A JP24962796 A JP 24962796A JP 24962796 A JP24962796 A JP 24962796A JP H1098135 A JPH1098135 A JP H1098135A
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- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- sealing resin
- resin
- thickness
- sealing
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 48
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】樹脂封止後の熱処理において、封止樹脂７の収
縮によりパッケージが反るのを防止し、リード成型時の
外形寸法精度を向上させた半導体装置を提供することに
ある。 【解決手段】半導体チップ３の表面に形成する封止樹脂
７の厚さＨ５と、半導体チップ３の裏面側に形成する封
止樹脂７の厚さＨ６とが等しくなるような封止金型を用
いて、半導体チップ３とアイランド２及びインナーリー
ド４とを樹脂封止する。このとき、インナーリード４の
両側に形成される封止樹脂７の厚さＨ１，Ｈ２に対し
て、半導体チップ３の裏面側に形成する封止樹脂７の厚
さＨ６を大きくとる。樹脂歪は、半導体チップ３の両側
でバランスするためパッケージに反りが生じるという問
題は解決する。
縮によりパッケージが反るのを防止し、リード成型時の
外形寸法精度を向上させた半導体装置を提供することに
ある。 【解決手段】半導体チップ３の表面に形成する封止樹脂
７の厚さＨ５と、半導体チップ３の裏面側に形成する封
止樹脂７の厚さＨ６とが等しくなるような封止金型を用
いて、半導体チップ３とアイランド２及びインナーリー
ド４とを樹脂封止する。このとき、インナーリード４の
両側に形成される封止樹脂７の厚さＨ１，Ｈ２に対し
て、半導体チップ３の裏面側に形成する封止樹脂７の厚
さＨ６を大きくとる。樹脂歪は、半導体チップ３の両側
でバランスするためパッケージに反りが生じるという問
題は解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に半導体チップをプラスチックなどの樹脂により封止
する樹脂封止型の半導体装置に関する。
特に半導体チップをプラスチックなどの樹脂により封止
する樹脂封止型の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、図２（ａ）及び図
２（ｂ）に示すように半導体チップ３を吊りピン１に接
続しているアイランド２に銀ペーストなどのダイボンド
材を用いて固着し、ボンディングワイヤー５で半導体チ
ップ３上に固定して配置しているボンディングパッド
（図示せず）とインナーリード４とを結線し、樹脂封止
を行った後、アウターリード６を加工成形する方法が採
られている。
２（ｂ）に示すように半導体チップ３を吊りピン１に接
続しているアイランド２に銀ペーストなどのダイボンド
材を用いて固着し、ボンディングワイヤー５で半導体チ
ップ３上に固定して配置しているボンディングパッド
（図示せず）とインナーリード４とを結線し、樹脂封止
を行った後、アウターリード６を加工成形する方法が採
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は、
図２（ｂ）に示すようにインナーリード４の領域の樹脂
歪を均等化するため、インナーリード４の両側に形成さ
れた封止樹脂７の厚さＨ１，Ｈ２を等しく形成してい
た。このため、半導体チップ３の表面に形成されている
封止樹脂７の厚さＨ３は、半導体チップ３の裏面側に形
成されている封止樹脂７の厚さＨ２に比べて、半導体チ
ップ３の厚さＨ４だけ薄く形成されることになる。
図２（ｂ）に示すようにインナーリード４の領域の樹脂
歪を均等化するため、インナーリード４の両側に形成さ
れた封止樹脂７の厚さＨ１，Ｈ２を等しく形成してい
た。このため、半導体チップ３の表面に形成されている
封止樹脂７の厚さＨ３は、半導体チップ３の裏面側に形
成されている封止樹脂７の厚さＨ２に比べて、半導体チ
ップ３の厚さＨ４だけ薄く形成されることになる。
【０００４】また、封止樹脂７は成形加工時の熱処理に
よって収縮し、収縮による歪は封止樹脂７の厚さと共に
大きくなるので、半導体チップ３の裏面側に形成されて
いる封止樹脂７の樹脂歪は、半導体チップ３の表面に形
成されている封止樹脂７の樹脂歪に対して大きくなる。
このため、従来の半導体装置では、パッケージが半導体
チップ３の表面に向かって凸状に反ってしまい、樹脂封
止の後工程であるリード成形において、外形寸法の精度
を保つことが困難であるという問題があった。
よって収縮し、収縮による歪は封止樹脂７の厚さと共に
大きくなるので、半導体チップ３の裏面側に形成されて
いる封止樹脂７の樹脂歪は、半導体チップ３の表面に形
成されている封止樹脂７の樹脂歪に対して大きくなる。
このため、従来の半導体装置では、パッケージが半導体
チップ３の表面に向かって凸状に反ってしまい、樹脂封
止の後工程であるリード成形において、外形寸法の精度
を保つことが困難であるという問題があった。
【０００５】最近、パッケージの厚さは１ｍｍ程度と非
常に薄くなっており、封止樹脂７の厚さＨ２，Ｈ３の違
いによる樹脂歪によって、パッケージが反りやすくなっ
ている。
常に薄くなっており、封止樹脂７の厚さＨ２，Ｈ３の違
いによる樹脂歪によって、パッケージが反りやすくなっ
ている。
【０００６】さらに、パッケージに対し高温状態と低温
状態を交互に繰り返す温度サイクル試験を課すと、パッ
ケージの反りの大きさが温度によって変化するため、半
導体チップ３がアイランド２から剥離し易くなり、信頼
性が低下するという問題があった。
状態を交互に繰り返す温度サイクル試験を課すと、パッ
ケージの反りの大きさが温度によって変化するため、半
導体チップ３がアイランド２から剥離し易くなり、信頼
性が低下するという問題があった。
【０００７】このため、本発明の目的は樹脂封止後の熱
処理において、封止樹脂７の収縮によりパッケージが反
るのを防止し、リード成型時のリード平坦性（コプラナ
リティ）に代表される外形寸法精度を向上させた半導体
装置を提供することにある。
処理において、封止樹脂７の収縮によりパッケージが反
るのを防止し、リード成型時のリード平坦性（コプラナ
リティ）に代表される外形寸法精度を向上させた半導体
装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明による
半導体装置は、半導体チップ搭載部に半導体チップを搭
載固定し、前記半導体チップ搭載部と同一水平面状に位
置する複数のリードと前記半導体チップの各電極とを複
数のボンディングワイヤーにより接続し、前記半導体チ
ップ搭載部と前記半導体チップと前記リードの所定の部
分と前記ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止
した半導体装置において、前記半導体チップの表面に形
成した前記封止樹脂の厚さと、前記半導体チップの裏面
側に形成した前記封止樹脂の厚さとを等しくしたことを
特徴としている。
半導体装置は、半導体チップ搭載部に半導体チップを搭
載固定し、前記半導体チップ搭載部と同一水平面状に位
置する複数のリードと前記半導体チップの各電極とを複
数のボンディングワイヤーにより接続し、前記半導体チ
ップ搭載部と前記半導体チップと前記リードの所定の部
分と前記ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止
した半導体装置において、前記半導体チップの表面に形
成した前記封止樹脂の厚さと、前記半導体チップの裏面
側に形成した前記封止樹脂の厚さとを等しくしたことを
特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１０】図１（ａ）は本発明の半導体装置の実施の
形態を示す透視的平面図、図１（ｂ）は本発明の半導体
装置の実施の形態を示す構造断面図である。なお、従来
例と対応する部分には同一符号を付している。
形態を示す透視的平面図、図１（ｂ）は本発明の半導体
装置の実施の形態を示す構造断面図である。なお、従来
例と対応する部分には同一符号を付している。
【００１１】本発明の半導体装置は、図１（ａ）及び図
１（ｂ）に示すように従来の半導体装置と同じく、半導
体チップ３を吊りピン１に接続しているアイランド２に
銀ペーストなどのダイボンド材を用いて固着し、ボンデ
ィングワイヤー５で半導体チップ３上に固定して配置し
ているボンディングパッド（図示せず）とインナーリー
ド４とを結線する。
１（ｂ）に示すように従来の半導体装置と同じく、半導
体チップ３を吊りピン１に接続しているアイランド２に
銀ペーストなどのダイボンド材を用いて固着し、ボンデ
ィングワイヤー５で半導体チップ３上に固定して配置し
ているボンディングパッド（図示せず）とインナーリー
ド４とを結線する。
【００１２】次に、半導体チップ３の表面に形成する封
止樹脂７の厚さＨ５と、半導体チップ３の裏面側に形成
する封止樹脂７の厚さＨ６とが等しくなるような封止金
型を用いて、半導体チップ３とアイランド２及びインナ
ーリード４とを樹脂封止する。このとき、インナーリー
ド４の両側に形成される封止樹脂７の厚さＨ１，Ｈ２に
対して、半導体チップ３の裏面側に形成する封止樹脂７
の厚さＨ６を大きくとる。したがって、パッケージの外
形は、アイランド２の両面に対して凸状に突出した形状
となる。
止樹脂７の厚さＨ５と、半導体チップ３の裏面側に形成
する封止樹脂７の厚さＨ６とが等しくなるような封止金
型を用いて、半導体チップ３とアイランド２及びインナ
ーリード４とを樹脂封止する。このとき、インナーリー
ド４の両側に形成される封止樹脂７の厚さＨ１，Ｈ２に
対して、半導体チップ３の裏面側に形成する封止樹脂７
の厚さＨ６を大きくとる。したがって、パッケージの外
形は、アイランド２の両面に対して凸状に突出した形状
となる。
【００１３】いま、パッケージの最大厚さ（＝Ｈ４＋Ｈ
５＋Ｈ６＋アイランド２の厚さ）を１ｍｍ程度とする
と、半導体チップ３の厚さＨ４は３５０μ、アイランド
２の厚さは２００μ、封止樹脂７の厚さＨ５，Ｈ６は共
に２５０μ程度である。
５＋Ｈ６＋アイランド２の厚さ）を１ｍｍ程度とする
と、半導体チップ３の厚さＨ４は３５０μ、アイランド
２の厚さは２００μ、封止樹脂７の厚さＨ５，Ｈ６は共
に２５０μ程度である。
【００１４】一方、インナーリード４の両側に形成され
る封止樹脂７の厚さＨ１，Ｈ２は共に約１５０μであ
る。したがって、インナーリード４の両側に形成された
封止樹脂７は、半導体チップ３の表面に形成された封止
樹脂７の凸部８に対して約４５０μ、半導体チップ３の
裏面側に形成された封止樹脂７の凸部９に対しては、約
１００μ薄く形成されパッケージ全体としては薄くなっ
ており、非常に薄いパッケージが必要とされる携帯用機
器などに容易に実装することができる。
る封止樹脂７の厚さＨ１，Ｈ２は共に約１５０μであ
る。したがって、インナーリード４の両側に形成された
封止樹脂７は、半導体チップ３の表面に形成された封止
樹脂７の凸部８に対して約４５０μ、半導体チップ３の
裏面側に形成された封止樹脂７の凸部９に対しては、約
１００μ薄く形成されパッケージ全体としては薄くなっ
ており、非常に薄いパッケージが必要とされる携帯用機
器などに容易に実装することができる。
【００１５】また、半導体チップ３の表面に形成された
封止樹脂７の厚さＨ５と、半導体チップ３の裏面側に形
成された封止樹脂７の厚さＨ６とは等しくなるように形
成される。このため、樹脂封止後の１７０〜１８０℃の
熱処理で封止樹脂７が収縮しても、半導体チップ３の表
面と裏面側の封止樹脂７による樹脂歪が等しく、パッケ
ージが反るという問題は発生しない。
封止樹脂７の厚さＨ５と、半導体チップ３の裏面側に形
成された封止樹脂７の厚さＨ６とは等しくなるように形
成される。このため、樹脂封止後の１７０〜１８０℃の
熱処理で封止樹脂７が収縮しても、半導体チップ３の表
面と裏面側の封止樹脂７による樹脂歪が等しく、パッケ
ージが反るという問題は発生しない。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置は、樹脂封止後の熱処理において、封止樹脂７の
収縮によりパッケージが反るのを防止し、リード成型時
のリード平坦性（コプラナリティ）に代表される外形寸
法精度を向上することができる。
体装置は、樹脂封止後の熱処理において、封止樹脂７の
収縮によりパッケージが反るのを防止し、リード成型時
のリード平坦性（コプラナリティ）に代表される外形寸
法精度を向上することができる。
【００１７】さらに、パッケージに対し高温状態と低温
状態を交互に繰り返す温度サイクル試験を課しても、パ
ッケージの反りが基本的にないため、半導体チップがア
イランドから剥離し易くなり信頼性が低下するという問
題は改善する。
状態を交互に繰り返す温度サイクル試験を課しても、パ
ッケージの反りが基本的にないため、半導体チップがア
イランドから剥離し易くなり信頼性が低下するという問
題は改善する。
【図１】本発明の半導体装置の実施の形態を示す図面で
あり、図１（ａ）は透視的平面図、図１（ｂ）は構造断
面図である。
あり、図１（ａ）は透視的平面図、図１（ｂ）は構造断
面図である。
【図２】従来の半導体装置を示す図面であり、図２
（ａ）は透視的平面図、図２（ｂ）は構造断面図であ
る。
（ａ）は透視的平面図、図２（ｂ）は構造断面図であ
る。
１ 吊りピン ２ アイランド ３ 半導体チップ ４ インナーリード ５ ボンディングワイヤー ６ アウターリード ７ 封止樹脂 ８ 半導体チップ３の表面に形成された封止樹脂７の
凸部 ９ 半導体チップ３の裏面側に形成された封止樹脂７
の凸部
凸部 ９ 半導体チップ３の裏面側に形成された封止樹脂７
の凸部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップ搭載部に半導体チップを搭
載固定し、前記半導体チップ搭載部と同一水平面状に位
置する複数のリードと前記半導体チップの各電極とを複
数のボンディングワイヤーにより接続し、前記半導体チ
ップ搭載部と前記半導体チップと前記リードの所定の部
分と前記ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止
した半導体装置において、 前記半導体チップの表面に形成した前記封止樹脂の厚さ
と、前記半導体チップの裏面側に形成した前記封止樹脂
の厚さとを等しくしたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24962796A JPH1098135A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24962796A JPH1098135A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098135A true JPH1098135A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17195846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24962796A Pending JPH1098135A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1098135A (ja) |
-
1996
- 1996-09-20 JP JP24962796A patent/JPH1098135A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990817 |