JPH01219094A - 液相エピタキシャル成長ボート - Google Patents
液相エピタキシャル成長ボートInfo
- Publication number
- JPH01219094A JPH01219094A JP63045023A JP4502388A JPH01219094A JP H01219094 A JPH01219094 A JP H01219094A JP 63045023 A JP63045023 A JP 63045023A JP 4502388 A JP4502388 A JP 4502388A JP H01219094 A JPH01219094 A JP H01219094A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial growth
- soln
- substrate
- shape
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体工業のスライド形式液相エピタキシャル
成長装置の液相エピタキシャル成長ボートに関するもの
である。
成長装置の液相エピタキシャル成長ボートに関するもの
である。
従来の技術
最近、スライド形式液相エピタキシャル成長装置は、半
導体工業の分野で化合物半導体の多層エピタキシャル成
長に不可欠のものとなっている。
導体工業の分野で化合物半導体の多層エピタキシャル成
長に不可欠のものとなっている。
以下、スライド形式液相エピタキシャル成長装置に使用
される従来の液相エピタキシャル成長ボート（以下成長
ボートと略す）を図面に基づいて説明する。
される従来の液相エピタキシャル成長ボート（以下成長
ボートと略す）を図面に基づいて説明する。
第３図は従来の成長ボートのスライド方向に平行な適所
面図、第４図は従来の成長ボートのスライド方向と垂直
な横断面図である。第３図および第４図において、１は
組成の異なる幾つかの層をエピタキシャル成長させるた
めの複数のＭ液溜２を有する溶液ホルダであり、ボート
３に固定されている。４は上面に基板５を載置させるた
めの凹部６を有する基板ホルダであり、この基板ホルダ
４は溶液ホルダ１と接しながらボート３の上を第３図の
Ａ方向にスライドできるようになっている。
面図、第４図は従来の成長ボートのスライド方向と垂直
な横断面図である。第３図および第４図において、１は
組成の異なる幾つかの層をエピタキシャル成長させるた
めの複数のＭ液溜２を有する溶液ホルダであり、ボート
３に固定されている。４は上面に基板５を載置させるた
めの凹部６を有する基板ホルダであり、この基板ホルダ
４は溶液ホルダ１と接しながらボート３の上を第３図の
Ａ方向にスライドできるようになっている。
また、原料が仕込まれる溶液溜２の壁面の形状は基板ホ
ルダ４に対して垂直な面で構成されている。
ルダ４に対して垂直な面で構成されている。
７は基板ホルダ４をスライドさせる石英棒である。
上記構成において、基板および゛原料が収容された成長
ボートは反応室（図示せず）の中央部に設置され、水素
ガスなどの還元性ガスの雰囲気中ヒータ（図示せず）に
より加熱されて原料が溶融し、エピタキシャル成長開始
温度になると、基板ホルダ４の基板５は溶融した原料溶
液８の入った溶液溜２の下まで石英棒７でスライドされ
、基板５と原料溶液８が接触してエピタキシャル成長が
行われていた。
ボートは反応室（図示せず）の中央部に設置され、水素
ガスなどの還元性ガスの雰囲気中ヒータ（図示せず）に
より加熱されて原料が溶融し、エピタキシャル成長開始
温度になると、基板ホルダ４の基板５は溶融した原料溶
液８の入った溶液溜２の下まで石英棒７でスライドされ
、基板５と原料溶液８が接触してエピタキシャル成長が
行われていた。
発明が解決しようとする課題
しかし、以上のような従来の構成ではエピタキシャル成
長時の原料溶液８の形状は、第３図に示すように表面張
力により角が丸くなってしまうため、原料溶液８と接触
する基板５の中央付近と周辺部では成長状態が異ってい
る。このため、周辺部で異常成長が起こり−て膜厚が厚
くなり、基板上に成長した膜の厚みが面内で均一でなく
なり、しかも、成長膜端部がギザギザ状に厚くなるため
、その後の工程で、この部分にマーカーを入れるなどの
加工ができなかった。さらに、膜厚の制御が不完全であ
るために、半導体素子の特性や歩留りの低下を招くとい
う問題を有していた。
長時の原料溶液８の形状は、第３図に示すように表面張
力により角が丸くなってしまうため、原料溶液８と接触
する基板５の中央付近と周辺部では成長状態が異ってい
る。このため、周辺部で異常成長が起こり−て膜厚が厚
くなり、基板上に成長した膜の厚みが面内で均一でなく
なり、しかも、成長膜端部がギザギザ状に厚くなるため
、その後の工程で、この部分にマーカーを入れるなどの
加工ができなかった。さらに、膜厚の制御が不完全であ
るために、半導体素子の特性や歩留りの低下を招くとい
う問題を有していた。
本発明は上記問題を解決するものであり、基板上に膜厚
の面内均一性の良い膜を成長させることができ、半導体
素子の特性や歩留りを向上させることができる液相エピ
タキシャル成長ボートを提供することを目的とするもの
である。
の面内均一性の良い膜を成長させることができ、半導体
素子の特性や歩留りを向上させることができる液相エピ
タキシャル成長ボートを提供することを目的とするもの
である。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するため本発明の液相エピタキシャル成
長ボートは、溶液ホルダの溶液溜壁面の下部形状を原料
溶液のエピタキシャル成長時の形状と同一にしたもので
ある。
長ボートは、溶液ホルダの溶液溜壁面の下部形状を原料
溶液のエピタキシャル成長時の形状と同一にしたもので
ある。
作用
上記構成により、溶液ホルダの溶液溜壁面の下部形状を
原料溶液のエピタキシャル成長時の形状と同一にしたこ
とによって、エピタキシャル成長時に表面張力により原
料溶液の角が丸くなった状態でも基板全面が原料溶液と
同一の状態で接触し、基板全面にわたって成長膜の厚み
が均一となる。
原料溶液のエピタキシャル成長時の形状と同一にしたこ
とによって、エピタキシャル成長時に表面張力により原
料溶液の角が丸くなった状態でも基板全面が原料溶液と
同一の状態で接触し、基板全面にわたって成長膜の厚み
が均一となる。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。なお
、従来例の第３図および第４図と同一の構成には同一の
符号を付して説明を省略する。
、従来例の第３図および第４図と同一の構成には同一の
符号を付して説明を省略する。
第１図に本発明の液相エピタキシャル成長ボートのスラ
イド方向に平行な縦断面図、第２図は同液相エピタキシ
ャル成長ボートのスライド方向と垂直な横断面図である
。第３図および第４図の従来例とは溶液ホルダの溶液溜
の形状が異なっており、溶液ホルダ１１の溶液溜１２の
壁面の下部形状を・ 原料溶液８のエピタキシャル成
長時の形状、すなわち角が丸みをおびた形状と同一にし
ている。
イド方向に平行な縦断面図、第２図は同液相エピタキシ
ャル成長ボートのスライド方向と垂直な横断面図である
。第３図および第４図の従来例とは溶液ホルダの溶液溜
の形状が異なっており、溶液ホルダ１１の溶液溜１２の
壁面の下部形状を・ 原料溶液８のエピタキシャル成
長時の形状、すなわち角が丸みをおびた形状と同一にし
ている。
上記構成により、エピタキシャル成長開始温度となり、
基板５が所望の温度で溶融された原料溶液８の入った溶
液ホルダ１１の溶液溜１２の下まで石英棒７でスライド
されて、エピタキシャル成長が行われるとき、基板５の
全面が原料溶液８と同一の状態で接触することができ、
基板５の全面にわたって均一な厚みをもつ成長膜を得る
ことができる。よって、この基板５を用いて作製した半
導体素子の特性や歩留りを向上させることができ、さら
に成長膜の端部を直線状にできるためこの端部にマーカ
ーを入れるなどの加工も可能となる。
基板５が所望の温度で溶融された原料溶液８の入った溶
液ホルダ１１の溶液溜１２の下まで石英棒７でスライド
されて、エピタキシャル成長が行われるとき、基板５の
全面が原料溶液８と同一の状態で接触することができ、
基板５の全面にわたって均一な厚みをもつ成長膜を得る
ことができる。よって、この基板５を用いて作製した半
導体素子の特性や歩留りを向上させることができ、さら
に成長膜の端部を直線状にできるためこの端部にマーカ
ーを入れるなどの加工も可能となる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、溶液ホルダの溶液溜壁面
の下部形状を原料溶液のエピタキシャル成長時の形状と
同一にしたことによって、エピタキシャル成長時に表面
張力により原料溶液の角が丸くなった状態でも基板全面
が原料溶液と同一の状態で接触することができ、基板上
に全面にわたって均一な厚みをもつ成長膜を得ることが
でき、膜厚の制御が必要な半導体素子の特性や歩留りを
向上させることができる。さらに、成長膜端部を直線状
にできるため、この部分にマーカーを入れるなどの加工
も可能となり、その効果は大きい。
の下部形状を原料溶液のエピタキシャル成長時の形状と
同一にしたことによって、エピタキシャル成長時に表面
張力により原料溶液の角が丸くなった状態でも基板全面
が原料溶液と同一の状態で接触することができ、基板上
に全面にわたって均一な厚みをもつ成長膜を得ることが
でき、膜厚の制御が必要な半導体素子の特性や歩留りを
向上させることができる。さらに、成長膜端部を直線状
にできるため、この部分にマーカーを入れるなどの加工
も可能となり、その効果は大きい。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示すエピタキ
シャル成長時の液相エピタキシャル成長ボートのスライ
ド方向に平行な縦断面図およびスライド方向に垂直な横
断面図、第３図および第４図は従来のエピタキシャル成
長時の液相エピタキシャル成長ボートのスライド方向に
平行な縦断面図およびスライド方向に垂直な横断面図で
ある。 ３・・・ボート、４・・・基板ホルダ、５・・・基板、
８・・・原料溶液、１１・・・溶液ホルダ、１２・・・
溶液溜。 代理人 森 本 義 弘 ・第１図 ４−リド、寥々１丁、ルダ ５−蕃１及 ８沸Ｉ汁；８液 ｊ 第３図 第４ワ ６．５
シャル成長時の液相エピタキシャル成長ボートのスライ
ド方向に平行な縦断面図およびスライド方向に垂直な横
断面図、第３図および第４図は従来のエピタキシャル成
長時の液相エピタキシャル成長ボートのスライド方向に
平行な縦断面図およびスライド方向に垂直な横断面図で
ある。 ３・・・ボート、４・・・基板ホルダ、５・・・基板、
８・・・原料溶液、１１・・・溶液ホルダ、１２・・・
溶液溜。 代理人 森 本 義 弘 ・第１図 ４−リド、寥々１丁、ルダ ５−蕃１及 ８沸Ｉ汁；８液 ｊ 第３図 第４ワ ６．５
Claims (1)
- １、溶液ホルダの溶液溜壁面の下部形状を原料溶液のエ
ピタキシャル成長時の形状と同一にした液相エピタキシ
ャル成長ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045023A JPH01219094A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 液相エピタキシャル成長ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045023A JPH01219094A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 液相エピタキシャル成長ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219094A true JPH01219094A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12707737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63045023A Pending JPH01219094A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 液相エピタキシャル成長ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01219094A (ja) |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63045023A patent/JPH01219094A/ja active Pending
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