JPH01220238A - 光情報記録カード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光記録層が保護層で覆われた光情報記録カー
ドに関する。

［従来の技術］ 追記型の光情報記録カードは、大記録容量を有し、保存
性に優れていることから、様々な分野での利用の試みが
なされている。例えは、病院のカルテや銀行の預貯金通
帳に代わる記録手段等がその代表的なものである。

従来、この種の光情報記録カードに用いられる光記録手
段として、熱によりゼラチン層に銀粒子を拡散する方式
のものが提案されている。

（特開昭５８−１８８３４６号）しかし、この方式もの
は、ピットサイズが５ｕｍにも達し、高い記録密度が得
られず、実用的でない。

他方、ディスク状の光情報記録媒体に適用されている光
記録手段として、プラスチック板等の基板の上に、Ｔ　
ｅ、　Ｂ　ｉ、　Ｍｎ等の金属層や、シアニン、メロシ
アニン、フタロシアニン等の色素層からなる光記録層を
用い、ここにレーザビームｈしを照射することによ、っ
て、前記光記録層を部分的に蒸発又は昇華させ、その跡
に直径１ｕｍ前後のピット４を形成する方式のものがあ
る。さらに、この他に、色素ポリマーや金属炭化物で光
記録層を形成し、レーザービームの照射により、この光
記録層を部分的に変形させて、ピットを形成する方式の
ディスク状の光情報記録媒体も開発されている。この場
合、何れの方式のものでも、前記光記録層を汚れや傷等
から保護するための、同光記録層を保護層で覆う。

前記両者の光記録手段では、再生時にピットに照射した
レーザビームｈしがピットを通過した後、その一部が前
記光記録層を覆う保護層で反射され、これが再びピット
を通過し・、ピックアップで検知される。このため、ピ
ットで検知される光量と、それ以外の部分で検知される
光量との差が小さく、得られる再生信号のＣ／Ｎが小さ
いという問題があった。また、特に後者の方式の光記録
手段では、光記録層の表面に保護層を密着させた場合、
光記録層の表面の充分な変形が行なわれず、記録感度そ
のものが低くなる。

このため従来に於ける光情報記録ディスクでは、スペー
サを挟んで２枚の基板を重ね合わせることにより、光記
録層２の間に空隙を介在させた、いわゆるエアサンドイ
ッチ方式と呼はれる積層構造が採用されている。

［発明が解決しようとする問題点コ しかし前記のようなエアサンドイッチ構造では、ディス
クが相当厚くなるという欠点があり、カードとして用い
るには適さない。また、光情報記録カートは、可撓性が
特徴であり、通常ケースにも収納せずに、使用すること
も多いため、盤面に大きな衝撃や圧力等の外力が加わる
ことも多い。そうした場合に、前記光記録手段では、光
記録層に様々な状態の傷が発生し、光記録、再生に悪い
影響を与えることが懸念される。

本発明は、前記問題点に鑑み、その第一の目的は、高い
記録感度、再生特性を得ながら、保護層による光記録層
の保護が可能な光情報記録カードを提供することにある
。その第二の目的は、前記の第一の目的を達成しながら
、なおかつより薄くすることが可能な光情報記録カード
を提供することにある。さらに、その第三の目的は、外
力によって、光記録層に傷が発生するのを防止すること
を目的とする。

［問題を解決するための手段］ 即ち、前記目的を達成するため、本発明において採用し
た手段は、次の通りである。

すなわち、第一に、カード状の基板１１の上に光記録部
１４が形成された光情報記録カードにおいて、前記光記
録部１４が、基板１１上に形成された光記録層１２から
なり、該光記録層１２が保護層１３で覆われ、該保護層
１３にし−ザ光の反射を防止する反射防止手段が施され
たことを特徴とする光情報記録カードにある。

第二に、カード状の基板１１の上に光記録部１４が形成
された光情報記録カードにおいて、前記光記録部１４が
、基板１１上に形成された光記録層１２からなり、該光
記録層１２が保護層１３で覆われ、該保護層１３と光記
録層１２との間に、変形自在な緩衝層１７が設けられた
ことを特徴とする光情報記録カードにある。

第三に、カード状の基板１１の上に光記録部１４が形成
された光情報記録カードにおいて、前記光記録部１４が
、基板１１上に形成された光記録層１２からなり、該光
記録層１２が保護層１３で覆われ、該保護層１３の光記
録層１２に面した側に、該光記録層１２より軟質な外力
吸収層１９が形成されたことを特徴とする光情報記録カ
ードにある。

第四に、カード状の基板１１の上に光記録部１４が形成
された光情報記録カードにおいて、前記光記録部１４が
、基板１１上に形成された光記録層１２からなり、該光
記録層１２が保護層１３で覆われ、該保護［１３と光記
録層１２との間に変形自在な緩衝層１７が設けられ、保
護層１３または緩衝層１７にレーザー光の反射を防止す
る反射防止手段が施されたことを特徴とする光情報記録
カードにある。

第五に、カード状の基板１１の上に光記録部１４が形成
された光情報記録カードにおいて、前記光記録部１４が
、基板１１上に形成された光記録層１２からなり、該光
記録層１２が保護層１３で覆われ、該保護層１３の光記
録層１２に面した側に、該光記録層１２より軟質な外力
吸収層１９が形成され、該外力吸収層１９にレーザー光
の反射を防止する反射防止手段が施されたことを特ｉ敦
とする光情報記録カードにある。

［作　　　用］ 前記第一の発明乙こよる光情報記録カードもこ於て、特
にレーザービームにより、光記録層１２に孔を開設して
ビットを設ける方式の光情報記録カードでは、ピックア
ップから基板１１を通して光記録層１２にレーザビーム
ｈνを照射し、記録データを読み取る際に、前記反射防
止手段により、該光記録層１２に形成されたビットを通
過した光が光記録層１２側へ反射するのが防止される。

このため、光記録層１２のビットとそれ以外の部分で検
知される反削光蛍の差が大きくなり、Ｃ／Ｎの高い再生
信号が得られる。

また、光記録層１２の表面を変形させてビットを設ける
形式の光情報記録カードに於いても、記録時や再生時に
、光記録層１２を通過したレーザービームが保護層１３
で反射されることがなく、ノイズの低い再生信号が得ら
れる。

また、前記第二の発明の光情報記録カードによれば、光
記録層１２にレーザービームｈしを即剥し、その表面を
局部的に変形させて、ビットを形成する際に、緩衝層１
７が光記録層１２の表面の変形を吸収するため、ビット
の形成の障害とならず、高い記録感度が得られる。また
、この緩衝層１７を介して保護層１３を光記録層１２の
表面に重ね合わせることができるため、従来のエアサン
トイ・ンナ方式に比べて、光記録部１４の厚みを大幅に
低減できる。

また、前記第三の発明による光情報記録媒体に於て、保
護層１３を、その外側から圧迫した場合、比較的硬質な
保護層１３の表層側で、前記圧迫力が広い範囲に分散さ
れる。そして、この分散された圧迫力は光記録層１２に
面したこれより軟質な外力吸収層１９によって吸収され
、光記録層１２に加わる圧力が大きく減殺される。

これによって、光記録層１２に傷が付きにくい。

さらに、前記第四と第五の発明によれは、前記第一の発
明と同様、Ｃ／Ｎの高い信号が得られると同時に、各々
カードの厚みを薄くできる、或は外力による光記録層１
２への影響を回避できるといった、前記第一と第三の発
明の作用が併せて得られる。

［実　施　例コ 次に、第１図〜第４図を参す、？シながら、本発明の実
施例について説明すると、第１図で示すように、透明な
カード状の基板１１の表面の−部に光記録部１４を形成
し、これを保護層１３で覆う。

第２図〜第４図に、この光記録部１４の具体的な層構造
の例を示している。第２閏は、前記カード状の基板１の
上に、金属や有機色素をもって光記録層１２を形成し、
この表面側を保護＋ｇｔａで覆う場合に、この保護層１
３と光記録層との開に緩衝層１７を介在させたものであ
る。

また、第３図は、前記緩衝層１７を挿入した場合におい
て、保護層１３の光記録層１２に面する側に反射防止手
段を施したものである。なお、緩衝層１７が光を透過さ
せにくいものであるときは、緩衝層１７の光記録層１２
に面する側に反射防止手段を施す。ざらに、第４図は、
前記光記録層１２と保護層１３との間に緩衝層１７とし
て若干の間隙をおき、保護層１３の光記録層１２に面す
る側に外力吸収層１９を設けたものである。

基板１１には、ポリカーボネート板、ポリメチルメタク
リレート板、エポキシ板等、透明なカード状の十反体か
使用される。また、保護層１３には、ポリカーボネート
、ポリメチルメタクリレートポリエチレンテレフタレー
ト等が一般に使用される。

緩衝層１７は、流動性のある気体、液体、粉体等の他、
伸性変形、塑性変形可能な固体を用いる。例えは、ゼラ
チン、ゴム、エラストマー、ニトロセルロース、酉乍酸
セルロース、ボリピ゛ニルアルコール、コロジオン、ア
クリル樹脂、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラ
ール、発泡ウレタン、粒径１〜２０Ｂｍの金属粉、粒径
１〜２０　／ｌｒｎのセラミック粉、粒径１〜２０　ｔ
、ｔ　ｍの樹脂粉、多孔質高分子材料、及びこれらの結
合体、並びにフロンカス、空気、窒素カス、アルゴンカ
ス等である。何れにしても、安定性があり、かつ流動、
変形が容易なものがよい。

前記緩衝層１７として固体を使用した場合は、光記録層
１２を形成した基板１１と保護層１３との間に緩衝層１
７を挿入して密着することができる。他方、緩衝層１７
として、流体や粉体を使用する場合は、基板１１の光記
録部１４の閉囲を保護層１３でシールする。

外力吸収層１９には、弾性変形、塑性変形が可能で、光
記録層より軟質なものを用いる。例えは、弾性体として
は、アクリルゴム、アクリル樹脂、クロロブレンゴム、
ＥＶＡ、ウレタン等が適当である。また、塑性体では、
竿繊維を樹脂等のバインダで結合したもの等が適当であ
る。さらに、これらを組み合わせ、いわば複合層として
構成することも可能であり、例えは、前記のような塑性
体の表面に弾性体を薄くコーティングしたものなどであ
る。

反射防止手段は、基板１１から光記録層１２を通して大
月するレーザービームｈνを、緩衝層１７や保護層１３
の内部に吸収し、散乱させ、或は保護層１３の中に透過
させるものである。

緩踵ｊ層１７を設ける場合は、この反り防止手段を緩衝
層１７に、これを設けない場合は保護層１３に施すが、
前者の場合、緩衝層１７が透光性を有するのであれば、
緩衝層１７と保護層１３の双方、或は保護層１３のみに
反射防止手段を施すこともできる。ざらに、この反射防
止手段は、その手段の特質等に応じて、保護層１３（ま
たは緩衝層１７）の全体に施すことも、また、保護層１
３（または緩衝層１７）の光記録層１２に面した側にの
み施す乙ともある。

例えは、レーザー光を吸収する反射防止手段を、反射防
止層１日として緩衝層１７や保護層１３の表面にのみ形
成する場合は、ベルベットコーティング塗料やカーボン
ブラック塗料等により、緩衝層１７や保護層１３の光記
録層１２と面する側を反射防止塗装する手段、或は黒色
静電植毛等、反射防止処理をしｌたフィルムを緩衝層１
７や保護層１３の光記録層１２と面する側に貼り付けろ
手段等によることができろ。緩衝層１７や保護層１３全
体を反射防止層とする場合は、カーボンブラック、或は
半導体レーザー波長帯域で光吸収性を有するシアニン染
料、フタロシアニン、ナフトキノン、チタンブラック等
の染料を、保護層１３の中に分散させる手段によること
ができる。

また、レーザー光を散乱させる反射防止層１日を緩衝層
１７や保護層１３に形成する手段としては、例えば、こ
れらの層の光記録層１２側へ向いた表面を粗くする手段
等が採用できる。

さらに、レーザービームを緩衝層１７や保護層１３の内
部に透過させる反射防止層１日を形成する手段としては
、これらの層の光記録層１２に面した側からその他面側
へ向かうに従って、屈折率が連続的或は断続的に高くな
るような屈折率の勾配ないしは変化を形成する手段が採
用できる。これら屈折率の変化は、屈折率の異なる物質
層の張り合わせや、積層成長、或は光学カラスの屈折率
の調整に一般に使用される金属化合物の　部分的な添加
等の手段により、容易に形成できる。なお、緩衝層１７
や保護層１３の表面層とこれより深層部分の屈折率の比
は、１／ｌ／：付近であり、表面層の厚さが入／４ｎ（
ｎ：表面層の屈折率、λ：半導体レーザーの波長）であ
ることが望ましい。

前記レーザー光の吸収、散乱及び透過の手段は、可能な
限り適宜組み合わせることが可能である。例えは、レー
ザー光の吸収手段を備えた緩衝層１７や保護層１３の表
面を粗くし、該表面で光を散乱させる反射防止手段、或
は、緩衝層１７や保護層１３の表面側に、レーザー光の
透過手段を施し、その深層部にレーザー光の吸収手段を
施し、表面で透過させたレーザー光を、保護層１３の深
層部で吸収する手段等である。

次に、本発明の具体的な実施例について説明する。

（実施例１） シアニン系色素の一つである３−メチル−２−［７−（
３’−メチル−２′−ベンゾチアゾリン）−１−３−５
−ヘブタトリエニル］−ベンゾチアソールバークロレイ
トを、メタノールに２重量％溶解した。この溶液をスピ
ンナー法により、縦５５ｍｍ、長さ８５ｍｍ、厚さ５０
０ｕｍのカード形のプリグループ付ポリメチルメタクリ
レート基板１１の上に塗布して乾燥し、厚さ約６０ｎｍ
の光記録層１２を形成した。

さらに、縦５５ｍｍ、長さ８５ｍｍ、厚さ１１００Ｊｉ
のポリエチレンテレフタレートフィルムの光記録部１４
（第１図参照）に対応する部分の片面にベルベットコー
テイング膜（住友３Ｍ社製２０１０）をグラビアコート
して反射防止層１日を形成した。そして、これを反射防
止層１日が光記録層１２側に面するよう同記録層１２の
上に重ねて置き、前記光記録部１４以外の部分を基板１
１に固着し、保護層１３とした。こうして、第１図で示
すような光記録部１４の構造を有する光情報記録カード
を製造した。

この光情報記録カードは、保護層１３の反射防止層１８
側が光記録層１２に密着しておらず、単に接触している
だけであり、その間の僅かな空気層が緩衝層１７となる
。なお、分光光度計により測定した前記反飼防止層１８
の積分反射率は１％であった。

前記光情報記録カードに、波長７８０ｎｍの半導体レー
ザを用い、線速２．０ｍ／Ｓｅ（：’、記録周波数５０
ＯｋＨｚのレーザビームｈしを基板１１側から光記録層
１２にす、！躬し、同層１２にビットを形成し、記録を
行った。このとき、記録面で測定、確認された前記レー
ザビームｈνの最適記録パワーは４．０ｍＷであった。

また記録後、光記録層１２に出力０．３ｍＷのレーザビ
ームｈ、νを当て、記録面のＣ／Ｎを測定したところ、
４３ｄＢであった。

（実施例２） 実施例１に於いて、ベルベットコーテイング膜による反
射防止層１日の形成手段に代えて、カーボンブラックと
アクリル系樹脂とからなるペーストをスプレー法で塗布
したこと以外は、同実施例１と同じ方法と条件で光情報
記録カードを作った。なお、分光光度計により測定した
反射防止層１日の積分反射率は４％であった。

また、前記光情報記録カードについて実施例１と同様に
して、記録と再生を行ったところ、記録パワーは４．０
ｍＷ、再生信号のＣ／Ｎは、４２ｄＢであった。

（実施例３） 色素として前記実施例１で用いたのと同じ３−メチル−
２−［７−（３’−メチル−２′−ベンゾチアゾリン）
−１−３−５−ヘブタトリエニル］−ベンゾチアゾール
バークロレイトを用い、これをエタノールに３重量％溶
解した。

また、基板１１として、前記実施例と同じ寸法のカード
形のプレグルーブ付きポリカーボネート基板１１を用い
、この片面に前記実施例１と同様の手段で厚さ約６０ｎ
ｍの光記録層１２を形成した。

ざらに、前記カードと同形の厚さ１５０ｕｍ…のポリエ
チレンテレフタレートフィルムの片面に反射防止アクリ
ル塗料（アサヒペン社製）をスプレーコートして反射防
止層１８を形成し、前記実施例と同様にしてこれで光記
録層１２を覆い、保護層１３を形成した。なお、分光光
度計により測定した反射防止層１８の積分反射率は１％
であった。

前記光情報記録カードの光記録層１２に、実施例１と同
じ方法（但し、レーザービームの線速２．２ｍ／ｓｅｃ
、記録周波数４５０ｋＨ２）でピットを形成し、記録を
行った。このとき、記録面で測定、確認された前記レー
ザビームｈνの最適記録パワーは、４．０ｍＷであった
。また記録後、同様にして記録面のＣ／Ｎを測定したと
ころ４５　ｄ　Ｂであった。

（実施例４） 前記実施例３と同じ種類の基板１１を用い、この表面の
光記録部１４にＴｅ合金を真空蒸着し、厚さ４５ｎｍの
光記録層１２を形成した。

この光記録層１２の表面にカーボンブラックを分散した
エラストマー塗料をスプレーし、約２０ノ１ｍの厚さの
緩衝層１７を形成した。この緩衝層１７の上にベルベッ
トコーティング（住友３Ｍ社製２０１０）をスプレーコ
ートし、予め反射防止層１８を形成した後、真空蒸着に
よりアルミニュウム層を施し、さらにアクリルハードコ
ーティングを施し、保護層１３を形成した。これにより
、光情報記録カードを製造しＩた。

前記光情報記録カードについて実施例３と同じ方法で記
録とその再生を行った。このときの最適記録パワーは５
．５ｍＷ、再生信号のＣ／Ｎは４８ｄＢであった。

（実施例５） 前記実施例３において、保護層１３を形成するポリエチ
レンテレフタレートフィルムに代えて、反射防止層１日
として黒色静電植毛を施したアルミナセラミックシート
を用い、光情報記録カードを製造した。なお、前記反射
防止層１日の積分及利率は１．２％であった。

前記光情報記録カードについて実売例３と同じ方法で記
録とその再生を行った。このときの最適記録パワーは４
．１ｍＷ、再生信号のＣ／Ｎは４２ｄＢであった。

（実施例６） 前記実施例４において、反射防止層１８を形成するベル
ベットコーテイング膜に代えて、チタンブラックとシリ
カゲルを主成分とした多孔性反射防止アクリル塗料スプ
レー膜を使用し、光情報記録カードを製造した。

前記光情報記録カードについて実施例３と同じ方法で記
録とその再生を行った。このときの＠適記録パワーは５
　、０　＋ｎＷ、再生信号のＣ／Ｎは４６ｄＢであった
。

（実施例７） プリグループを施した厚さ７００ｕｍのポリカーボネー
ト基板１１上に、ナフトールグリーン染料で染めたエポ
キシ樹脂をスピンナー法により塗布し、厚さ約５０ｎｍ
の光記録層１２を形成した。

さらに、厚さ約２００１ｔ　ｍ、屈折率１．５９の透明
なポリカーボネートフィルムに、屈折率１，３８のＭｇ
Ｆ２を真空蒸着法で、１３０ｎｍの膜厚に成膜し、Ｍｇ
Ｆ２膜側を前記光記録層１２の上に重ね合わせ、光記録
部１４の周辺部を基板１１に固着した。以上により、光
情報記録カードを作った。

この光情報記録カードについて、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを用い、線速２．２ｍ／ｓｅｃ、記録周波数５
００ｋＨｚのレーザビームｈｖを基板１１側から光記録
層１２に照射し、記録を行なった。このときの最適化さ
れた記録レーザーパワーは、４、　３ｎ＋Ｗであった。

その後、光記録層１２に出力０．３ｍ−のレーザビーム
ｈしを当て、記録面のＣ／Ｎを測定したところ、４５ｄ
Ｂであった。

（実施例８） 予め表面に微細な凹凸を形成した厚さ５００１Ｌｍのエ
ポキシ基板の表面に、Ｔｅ合金を５０ｎｍの厚さに真空
蒸着し、光記録層１２を形成した。さらに、カーボンブ
ラックを分散させたポリビニルアルコール上にアクリル
ハードコートを施し、前記光記録層１２の上に緩衝層１
７と保護層１３とを形成し、光情報記録カードを作った
。

この光情報記録カードについて、前記実施例１と同様に
して、記録と再生を行ったところ、再生信号のＣ／Ｎは
、４６ｄＢ、最適化された記録パワーは５．４ｍＷであ
った。

（実施例９） シアニン系色素の一つである１−１′−ジブチル−３−
３−３’−３’テトラメチル４−５−４’−５’ジベン
ゾインドジカーボシアニンバークロレートを３重量％、
及びＮｉ−ビス（トリクロロペンセノシチオーノリテト
ラ（１，−ブチル）アンモニウム（三井東圧ファイン社
製のＰＡ−１００６’）を０．６重量％、メチルエチル
ケトンに溶解した。透明なアクリル系ＵＶ硬化樹脂を塗
布した後、硬化した。縦横５５ｍｍ、　８５ｍｍ、厚さ
５００Ｊｉｍのカード形のプリグループ付ポリカーボネ
ート基板１１の上に、前記溶液をスピンナー法により塗
布して乾燥し、厚さ約７０ｎｍの光記録層１２を形成し
た。

さらに、ヒートシーラントとアルミニウムをラミネート
した縦横５５ｍｍ、　８５ｍｍ、厚さ２００Ｊ１ｍのポ
リカーボネートフィルムの片面の前記光記録層１２と対
応する部分に、カーボンを分散したウレタン系塗料をス
プレー塗装し、これを前記塗装面が光記録層１２側に面
するよう置き、光記録部１４を除く部分を基板１１にヒ
ートシールした。これにより、保護層１３と反射防止層
１８を有する光情報記録カードを製造した。なお、分光
光度計により測定した前記反射防止層１日の積分反射率
は１％であった。

この光情報記録カードに、波長７８０ｎｍの半導体レー
ザを用い、線速２．２ｍ／ｓｅｃでレーザビームｈしを
基板１１側から光記録層１２に照射し、データを記録し
た。記録後、光記録層１２に０、３ｍＷのレーザービー
ムを当てて、上記信号を再生したところ、再生信号は４
７ｄＢであった。

（実施例１０） シアニン系色素であるところの１−１′−ジエチル３−
３−３’−３’テトラメチルインドトリカーポジアニン
アイオダイドを４重量％エタノールに溶解した。透明な
アクリル板にｒＪＶ硬化樹脂でプリグループ付を施した
縦横５５ｍｍ、８５ｍｍ、厚さ５００１Ｊｍのカード形
の基板１１の上に、前記溶液をスピンナー法により塗布
して乾燥し、厚さ約７０ｎｍの光記録層１２を形成した
。

さらに、カーボンブラックを分散したアクリルフィルム
の表面をサンドブラストして適当な表面粗さとした前記
基板と同じ形状のフィルムを用意し、これをサンドブラ
ストした面が光記録層１２側に面するよう、中心を合わ
せて基板１１の上に置き、高温溶融性の接着剤で基板１
１に接着した。これにより、反射防止処理を施した保護
層１３を有する厚さ８０Ｃ１ｃｍの光記録カードを製造
した。

（比較例１） 四塩化炭素に、その重量の３％に相当するニトロセルロ
ーズを溶解させた溶液に、実施例１と同様にして基板１
の上に形成した光記録層２を浸漬し、該光記録層２の上
に多孔質ニトロセルロース膜からなる保護層を形成し、
光情報記録カードを作った。

前記光情報記録カードについて実施例１と同じ方法と条
件で試験を行ったところ、最適記録パワーは４．２ｍＷ
、再生信号のＣ／Ｎは、３２ｄＢであった。

（比較例２） 前記実施例３に於て、保護層を形成するポリエチレンテ
レフタレートフィルムに反射防止処理を施さずに光情報
記録カードを作った。

前記光情報記録カードについて実施例３と同じ方法と条
件で試験を行ったところ、最適記録パワーは４．０ｍＷ
、再生信号のＣ／Ｎは３４ｄＢであった。

（比較例３） 前記実施例３に於て、反射防止層１８を形成する反射防
止アクリル塗料に代えて、光沢黒色塗料を用いて光情報
記録カードを作った。なお、この場合の保護層の光記録
層との界面側の積分反射率は６．２％であった。

前記光情報記録カードについて実施例３と同じ方法と条
件で試験を行ったところ、最適記録パワーは３．８ｍＷ
、再生信号のＣ／Ｎは、３６ｄＢであった。

（比較例４） 前記実施例６に於て、多孔性反射防止アクリル塗料にチ
タンブラックを添加せず、光情報記録カードを作った。

前記光情報記録カードについて実施例３と同じ方法と条
件で試験を行ったところ、最適記録パワーは５．０ｍＷ
、再生信号のＣ／Ｎは、３４ｄＢであった。

（比較例５） 前記実施例７において、光記録層１２の上にＭ　ｇ　Ｆ
　２層を設けずに、基板１１の上に形成した記録層１２
の上に、厚さ約２００　ｔｔ　ｍのポリカーボネートフ
ィルムを重ね合わせ、その内外周縁を基板１１に固着し
、光情報記録カードを作った。

この光情報記録カードについて、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを用い、線速２．２ＩＩマ／ｓｅｃ、記録周波
数５００ｋＨｚのレーザビームｈνを基板１１側から光
記録層１２に曜利し、同層１２に記録を試みたところ、
最適記録パワーは４．５…Ｗ、再生信号のＣ／Ｎは、３
５ｄＢであった。

（比較例６） 前記実施例９において、保護層の表面にカーボンを分散
したウレタン系塗料を塗装せず、それ以外は同実施例と
同様にして、光情報記録カードを作った。

これについて、前記実施例９と同様の試験を実施したと
ころ、Ｃ／Ｎは３８ｄＢであった。

（実施例１１） プリグループ及びプリピットを施した厚さ５００μｍの
カード形ポリカーボネート基板１１上に、ナフトールグ
リーン染料で染めたエポキシ樹脂をスピンナー法により
塗布し、厚さ約１１００ｎの光記録層１２を形成した。

この光記録層１２の表面にウレタンフオームをスプレー
し、約３０ｕｍの厚さの緩衝層１７を形成した。さらに
、この緩衝層１７の上に、保護層として、厚さ約２００
μｍのポリカーボネートフィルムを全面接着した。

以上により、カード状の光情報記録カードを作った。

この光情報記録カードについて、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを用い、線速２．Ｏｍ／ｓｅＣ，記録周波数５
００ｋｔＬｚのレーザビームｈしを基板１１側から光記
録層１２に１．？利し、記録を行なった。このときの最
適化された記録レーザーパワーは、４．３ｍＷであった
。その後、光記録層１２に出力０．３ｍＷのレーザビー
ム１１νを当て、記録時と同じ線速で記録面のＣ／Ｎを
測定したところ、４１ｄＢであった。

（実施例１２） 予め表面に微細な凹凸を形成した厚さ５００μｍのカー
ド形のエポキシ基板の表面に、Ｔｅ合金を５０ｎｍの厚
さに真空蒸着し、光記録層１２を形成した。スプレー法
によって、ポリビニルアルコールを光記録層１２の上に
塗布し、緩衝層１７とした。そして、保護層として、前
記緩衝層１２の上にアクリルハードコートを施した。

この光情報記録カードについて、前記実施例１と同様に
して、記録と再生を行ったところ、再生信号のＣ／Ｎは
、４０ｄＢ、最適化された記録パワーは５．４ｍＷであ
った。

（比較例７） 前記実施例１１において、光記録層１２の表面にウレタ
ンフオームをスプレーせずに、光記録層１２の上に、厚
さ約２００Ｊｉｍのポリカーネートフィルムを直接接着
剤で全面接着し、光情報記録カードを作った。

この光情報記録カードについて、波長７８００…の半導
体レーザを用い、線速１．４ｍ／ｓｅｃ、記録周波数５
００ｋＨｚのレーザビームｈνを基板１１側から光記録
層１２に照射し、同層１２に記録を試みたが、８ｍＷの
記録パワーでも完全な記録ができなかった。

（実施例１３） シアニン系色素の一つである１、１′ジエチル３，３．
３“、３′テトラメチル４，５．４′、５′ジベンゾイ
ンドジカーボシアニンアイオダイドを、エタノールに４
重量％溶解した。

この溶液をスピンナー法により、縦５５ｍｍ、長さ８５
ｍｍ、厚さ５００ｕ…のカード形のアリグループ付ポリ
メチルメタクリレート基板１１の上に塗布して乾燥し、
厚さ約６０ｎｍの光記録層１２を形成した。

さらに、前記基板１１と同形の厚さ７５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムの片面の光記録部１４とな
る部分に、カーボンを分散したアクリルゴムをグラビア
コートして外力吸収層１９を形成した。これを外力吸収
層１９が光記録層１２側に面するよう同記録層１２の上
に重ねて置き、その前記光記録部１４を除く部分を基板
１１に固着し、保護層１３とし、光情報記録カードを製
造した。

この光情報記録カードは、保護層１３の外力吸収層１９
側が光記録層１２に密着しておらず、単に接触している
だけであり、その間に僅かな間隙が存在する。

前記光情報記録カードに、波長７８０ｎｍの半導体レー
ザを用い、線速２．２ｍ／ｓｅｃのレーザビームｈしを
基板１１側から光記録層１２に照射し、同層１２にビッ
トを形成し、記録を行った。その後、カードの周辺部を
固定し、０．７回／ｓｅｃのサイクルで中央部が±５ｍ
ｍ変形するよう繰り返し１０４回湾白させる曲げ試験を
実施したところ、Ｃ／Ｎの劣化は０．５ｄＢであった。

（実施例１４） 前記実施例１３に於いて、保護層１３を形成するシート
として、厚さ１５０１ｔｍのポリカーボネートフィルム
に代えて、厚さ１１００ｔｔのカーボンブラック入りの
ポリカーボネートフィルムを用い、これにカーボンを分
散したウレタン塗料をスプレー法で塗布し、外力吸収層
１９を形成した以外は、同実施例と同様にして、光記録
カードを製造した。

これについても、前記実施例と同様にして記録後、曲げ
試験を実施したところ、Ｃ／Ｎの劣化は、１．０ｄＢで
あった。

（実施例１５） 色素として、３−メチル−２−［７−（３’−メチル−
２′−ベンゾチアゾリン）−１−３−５−へブタトリエ
ニル］−ベンゾチアゾールパークロレイトを用い、これ
をエタノールに３重量％溶解した。また、基板１１とし
て、前記実施例１３と同形のプレグルーブ付きポリカー
ボネート基板１１を用い、この片面に前記実施例１と同
様の手段で厚さ約６０ｎｍの光記録１１２を形成した。

さらに、前記基板１と同形の厚さ１２５μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムの片面の記録部１４の部分
に、ウレタンセルロース単繊維　　　　　′を分散した
塗料をスプレー塗装し、この上にカーボンを分散したウ
レタンを同様の方法で塗装し、外力吸収層１９を形成し
た。そして、前記実施例と同様にしてこれで光記録層１
２を覆い、保護層１３を形成した。

これについても、前記実施例と同様にして記録後、曲げ
試験を実施したところ、Ｃ／Ｎの劣化は、０．８ｄＢで
−あった。

（比較例日） 前記実施例１３に於いて、保護層１３を形成するシート
として、厚さ１５０μｍのポリカーボネートフィルムに
代えて、厚さ１２５ｕｍのカーボンブラック入りのポリ
カーボネートフィルムを用い、これに同実施例のような
外力吸収層１９を形成しなかったこと以外は、同実施例
と同様にして、光記録カードを製造した。

これについても、前記実施例と同様にして記録後、曲げ
試験を実施したところ、Ｃ／Ｎの劣化は、５．２ｄＢで
あった。

これら実施例と比較例から明かな通り、実施例１３〜１
５では、曲げ試験前後のＣ／Ｎの劣化が何れも１．Ｏｄ
８以下であるのに対し、比較例では、この数倍ものＣ／
Ｎの劣化が認められた。

［発明の効果コ 以上説明したように、第一の発明によれは、保護層１３
に施された反射防止手段により、光記録層１２を通過し
たレーザビームが反射し、再びピットを通過してピック
アップ側で検知されないので、Ｃ／Ｎの高い再生信号が
得られる。

第二の発明によれは、レーザー光を照射することによっ
て、光記録層１２を局部的に変形させて記録を行なう方
式の光情報記録媒体に於て、緩衝層１７が光記録層１２
の変形を容易にするため、記録感度を落とすことなく、
保護層１３によって光記録層１２が保護され、なおかつ
従来の同方式のものに比べて薄い光情報記録媒体が得ら
れる。

第三の発明によれば、外力による記録、再生特性の大幅
な劣化を伴うような光記録層１２の傷を防止することが
でき、もって衝撃や圧迫に強い光情報記録媒体を提供す
ることができる。

第四の発明によれは、緩衝層１７と反射防止層１８とに
よって、前記第一の発明と第二の発明が奏する効果が併
せて得られる。

第五の発明によれは、外力吸収層１９と反射防止層１８
とによって、前記第一の発明と第三の発明が奏する効果
が併せて得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例を示す光情報記録カードの一
部縦断斜視図、第２図〜第４図は、前記カードの光記録
部の各実施態様を示す第１図のＡ部を拡大した要部縦断
面図である。 １１・・・基板　１２・・・光記録層　１３・・・保護
層１７・・・緩衝層　１日・・・反射防止層　１９・・
・外力吸収層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）カード状の基板１１の上に光記録部１４が形成さ
   れた光情報記録カードにおいて、前記光記録部１４が、
   基板１１上に形成された光記録層１２からなり、該光記
   録層１２が保護層１３で覆われ、該保護層１３にレーザ
   光の反射を防止する反射防止手段が施されたことを特徴
   とする光情報記録カード。
2. （２）カード状の基板１１の上に光記録部１４が形成さ
   れた光情報記録カードにおいて、前記光記録部１４が、
   基板１１上に形成された光記録層１２からなり、該光記
   録層１２が保護層１３で覆われ、該保護層１３と光記録
   層１２との間に変形自在な緩衝層１７が設けられたこと
   を特徴とする光情報記録カード。
3. （３）カード状の基板１１の上に光記録部１４が形成さ
   れた光情報記録カードにおいて、前記光記録部１４が、
   基板１１上に形成された光記録層１２からなり、該光記
   録層１２が保護層１３で覆われ、該保護層１３の光記録
   層１２に面した側に、該光記録層１２より軟質な外力吸
   収層１９が形成されたことを特徴とする光情報記録カー
   ド。
4. （４）カード状の基板１１の上に光記録部１４が形成さ
   れた光情報記録カードにおいて、前記光記録部１４が、
   基板１１上に形成された光記録層１２からなり、該光記
   録層１２が保護層１３で覆われ、該保護層１３と光記録
   層１２との間に変形自在な緩衝層１７が設けられ、緩衝
   層１７または保護層１３にレーザー光の反射を防止する
   反射防止手段が施されたことを特徴とする光情報記録カ
   ード。
5. （５）カード状の基板１１の上に光記録部１４が形成さ
   れた光情報記録カードにおいて、前記光記録部１４が、
   基板１１上に形成された光記録層１２からなり、該光記
   録層１２が保護層１３で覆われ、該保護層１３の光記録
   層１２に面した側に、該光記録層１２より軟質な外力吸
   収層１９が形成され、該外力吸収層１９にレーザー光の
   反射を防止する反射防止手段が施されたことを特徴とす
   る光情報記録カード。