JPH01220460A - 半導体装置のバンプ形成用ハンダ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の要約 ＩＣチップのバンプ材料をＺ　ｎ　／　Ａ　ｊ！系とし
たため、従来のＳ　ｎ　／　Ｐ　ｂ系よりも、耐熱性向
上。

電気伝導度向上、バンプ形成工程の簡略化等が可能とな
る。

発明の背景 この発明は、半導体装置、とくにＩＣチップを、半導体
基板、プリント配線基板等に実装するときに用いられる
バンプ形成材料、すなわちバンプ形成用ハンダに関する
。

従来のバンプ材料としては、金、またはスズ鉛系がよく
用いられ、ｋｋ近では特に、フリップチップ・ボンディ
ング法においてスズ鉛系が多く用いられるようになって
きた。しかしこのような従来のスズ鉛系のハンダでは融
点が低く、高集積化された近年のＩＣチップは発熱量も
多く高温になるので熱に対する信頼性に問題がある。一
方、金を用いた場合には上記した耐熱性の問題は無いが
高価であり、またハンダ付で接着する場合ハンダ食われ
と呼ばれる現象が発生し、つけ直しができないという問
題がある。

発明の概要 この発明は耐熱性があり、しかも比較的安価なバンプ形
成用ハンダを提供することを目的とする。

この発明による半導体装置のバンプ形成用ハンダは、ア
ルミニウム（Ａ（）および亜鉛（Ｚｎ）を主成分とする
ことを特徴とする。

この発明によればその構成をアルミニウムと亜鉛を主成
分とするバンプ形成材料としたので。

■　融点を３８０℃程度まで上げることができ。

ＩＣチップの発熱に対しても問題がない。

■　ＩＣチップ等の半導体装置のアルミニウム電極に対
しても密着が強い。

■　アルミニウム電極に特別な表面処理を必要としない
。

■　材料が安価である。

■　ハンダ付をしてもハンダ食われが無い。

笠の効果が得られる。

実施例の説明 バンプ形成用ハンダの成分比２口／Ａｊ！を約９／１と
した。固＃［１線は３７９℃、液相線は３９０℃１作業
温度は３８０℃である。

このハンダを溶融した超音波式ハンダ槽（超音波周波数
２１Ｈ１ｚ、設定温度３８０〜４００℃）を用いて、最
小ＩＣパッドピッチ　１８０μ−のＩＣ（８０パツド）
を、１〜３　ｓｅｃデイツプ後引きあげ、基板」二にボ
ンディングした。雰囲気は非酸化雰囲気（Ｎ２を流した
）で行った。その結果８０ピン（Ａ、ｉ７製）全てにつ
いて、ハンダの「ブリッジ現象」なくハンダをつけるこ
とができた。

以　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　アルミニウムおよび亜鉛を主成分とする半導体装置の
   バンプ形成用ハンダ。