JPH01220501A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH01220501A JPH01220501A JP63045195A JP4519588A JPH01220501A JP H01220501 A JPH01220501 A JP H01220501A JP 63045195 A JP63045195 A JP 63045195A JP 4519588 A JP4519588 A JP 4519588A JP H01220501 A JPH01220501 A JP H01220501A
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- JP
- Japan
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- resonance
- holes
- dielectric
- hole
- dielectric block
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、主にマイクロ波帯等の高周波領域で用いられ
る一体型構造の誘電体フィルタに関するものである。
る一体型構造の誘電体フィルタに関するものである。
従来の技術
近年、高周波領域において誘電率が高く、低損失で、し
かも温度特性の良好な誘電体材料が開発され、これを利
用した誘電体フィルタが盛んに開発されている。特に最
近では上記誘電体材料を用いた誘電体ブロックに共振用
穴、結合用穴、導体膜を有する一体型構造の誘電体フィ
ルタ（例えば特開昭６２−１６５４０１号公報などに記
載）が実現され、小型化、低コスト化が図られている。
かも温度特性の良好な誘電体材料が開発され、これを利
用した誘電体フィルタが盛んに開発されている。特に最
近では上記誘電体材料を用いた誘電体ブロックに共振用
穴、結合用穴、導体膜を有する一体型構造の誘電体フィ
ルタ（例えば特開昭６２−１６５４０１号公報などに記
載）が実現され、小型化、低コスト化が図られている。
μ下、第４図を参照しながら従来の一体型構造の誘電体
フィルタについて説明する。ここではその−例とし【、
共振用穴３段構成の例について述べる。
フィルタについて説明する。ここではその−例とし【、
共振用穴３段構成の例について述べる。
第４図において、１１は直方体状の誘電体ブロック、２
４〜２６は誘電体ブロック１１に所定間隔に並列形成し
た共振用穴、３１．３２は共振用穴２４〜２６の間に形
成した結合用穴、６４は誘電体ブロック１１の上面を除
く他の外表面に施した外導体膜、６１〜６３は各々共振
用穴２４〜２６の内周面に形成し、かつ一端を外導体膜
６４に接続した内導体膜である。上記構成により、共振
用穴２４〜２６は一端開放、一端短絡の４分の１波長の
共振素子として動作し、結合用穴３１．３２は共振用穴
２４〜２６間の股間結合を形成する。また前記共振用穴
２４．２６は、例えば容量素子等（図示なし）を介して
外部回路と接続される。
４〜２６は誘電体ブロック１１に所定間隔に並列形成し
た共振用穴、３１．３２は共振用穴２４〜２６の間に形
成した結合用穴、６４は誘電体ブロック１１の上面を除
く他の外表面に施した外導体膜、６１〜６３は各々共振
用穴２４〜２６の内周面に形成し、かつ一端を外導体膜
６４に接続した内導体膜である。上記構成により、共振
用穴２４〜２６は一端開放、一端短絡の４分の１波長の
共振素子として動作し、結合用穴３１．３２は共振用穴
２４〜２６間の股間結合を形成する。また前記共振用穴
２４．２６は、例えば容量素子等（図示なし）を介して
外部回路と接続される。
以上のような構成において、上記従来例は３個の共振用
穴２４〜２６を有する３段構成のバンド・パス・フィル
タとして動作するものである。
穴２４〜２６を有する３段構成のバンド・パス・フィル
タとして動作するものである。
発明が解決しようとする課題
しかし、以上のような構成の誘電体フィルタは。
一体型構造のため、単位共振器を個々に配列して組み立
てる必要が無いと同時に、結合基板が不要であり、製造
が容易で、低コスト化が図れる等、製造上の利点を有す
るが、４分の１波長の共振素子を用いているため、３次
、５次等の奇数次の高調波に対しても通過域を生じ、発
振器、Ｃ級増幅器等の出力フィルタとしては高調波抑圧
効果を持たないという特性上の問題点を有していた。
てる必要が無いと同時に、結合基板が不要であり、製造
が容易で、低コスト化が図れる等、製造上の利点を有す
るが、４分の１波長の共振素子を用いているため、３次
、５次等の奇数次の高調波に対しても通過域を生じ、発
振器、Ｃ級増幅器等の出力フィルタとしては高調波抑圧
効果を持たないという特性上の問題点を有していた。
本発明は、従来技術の以上のような問題点を解決するも
ので、製造が容易で、低コスト化が図れる一体型構造で
、高調波抑圧効果を持つ誘電体フィルタを提供すること
を目的とするものである。
ので、製造が容易で、低コスト化が図れる一体型構造で
、高調波抑圧効果を持つ誘電体フィルタを提供すること
を目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は、共振用穴の少くとも１ケ所以上の周囲に、導
体膜を施さない非貫通穴を形成することにより上記目的
を達成するものである。
体膜を施さない非貫通穴を形成することにより上記目的
を達成するものである。
作 用
本発明は上記構成により共振素子として動作する共振用
穴の線路インピーダンスを部分的に変化させ、スプリア
ス共振周波数を基本共振周波数の奇数倍からずらすよう
にしたり、あるいは線路インピーダンスを部分的に変化
させた共振器と−様な共振器を組合せることで諌止域を
拡大したりして、高調波に対する抑圧効果を持つフィル
タを実現したものである。
穴の線路インピーダンスを部分的に変化させ、スプリア
ス共振周波数を基本共振周波数の奇数倍からずらすよう
にしたり、あるいは線路インピーダンスを部分的に変化
させた共振器と−様な共振器を組合せることで諌止域を
拡大したりして、高調波に対する抑圧効果を持つフィル
タを実現したものである。
また、上記構成による高周波抑圧効果は、特別な外部回
路を付加する必要もなく、前記従来型の誘電体ブロック
の内部構造を変更するのみで得られる。誘電体ブロック
は、通常、金型で成形した後に焼成して製作するもので
あるから、内部構造を変更するには、金型を若干変更す
る程度で、誘電体ブロックの製造工程は従来と全（同一
である。
路を付加する必要もなく、前記従来型の誘電体ブロック
の内部構造を変更するのみで得られる。誘電体ブロック
は、通常、金型で成形した後に焼成して製作するもので
あるから、内部構造を変更するには、金型を若干変更す
る程度で、誘電体ブロックの製造工程は従来と全（同一
である。
従って、製造が容易で、低コスト化が図れるという一体
型構造の誘電体フィルタが有する製造上の利点は損なわ
れていない。
型構造の誘電体フィルタが有する製造上の利点は損なわ
れていない。
以上より、製造が容易で、低コスト化が図れる一体型構
造で、高調波抑圧効果を持つ誘電体フィルタの実現が可
能となる。
造で、高調波抑圧効果を持つ誘電体フィルタの実現が可
能となる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。第１図は本発明の第１の実施例における一体型構
造の誘電体フィルタの斜視図である。本実施例も従来例
と同じ３段構成のものである。第１図において、１１は
直方体状の誘電体ブロック、２１〜２３は誘電体ブロッ
ク１１に所定間隔で並列形成した共振用穴、 ３１．３
２は共振用穴２１〜２３０間に形成した結合用穴、４１
〜４６は共振用穴２１〜２３の周囲に形成した非貫通穴
、６４は誘電体ブロック１１の上面を除く他の外表面に
形成した外導体膜、６１〜６３は各々共振用穴２１〜２
３の内周面に形成し、かつ一端を前記外導体膜６４に接
続した内導体膜、５１．５２は外部回路との接続用容量
素子である。
する。第１図は本発明の第１の実施例における一体型構
造の誘電体フィルタの斜視図である。本実施例も従来例
と同じ３段構成のものである。第１図において、１１は
直方体状の誘電体ブロック、２１〜２３は誘電体ブロッ
ク１１に所定間隔で並列形成した共振用穴、 ３１．３
２は共振用穴２１〜２３０間に形成した結合用穴、４１
〜４６は共振用穴２１〜２３の周囲に形成した非貫通穴
、６４は誘電体ブロック１１の上面を除く他の外表面に
形成した外導体膜、６１〜６３は各々共振用穴２１〜２
３の内周面に形成し、かつ一端を前記外導体膜６４に接
続した内導体膜、５１．５２は外部回路との接続用容量
素子である。
以上のような構成において、以下その動作について説明
する。誘電体ブロック１１内に形成された共振用穴２１
〜２３は、その周囲に形成した非貫通穴４１〜４６によ
り、線路インピーダンスを部分的に変化させ、スプリア
ス共振周波数を奇数倍からずらすことができる。結合用
穴３１． ３２により所望の股間結合を、容量素子５１
．５２により外部回路との入出力結合が形成され、３段
構成のバンド・パス・フィルタとして動作する。
する。誘電体ブロック１１内に形成された共振用穴２１
〜２３は、その周囲に形成した非貫通穴４１〜４６によ
り、線路インピーダンスを部分的に変化させ、スプリア
ス共振周波数を奇数倍からずらすことができる。結合用
穴３１． ３２により所望の股間結合を、容量素子５１
．５２により外部回路との入出力結合が形成され、３段
構成のバンド・パス・フィルタとして動作する。
以上の説明から明らかなように、本実施例によれば、共
振用穴２１〜２３の周囲に、導体膜を施さない非貫通穴
を形成することにより、共振素子の線路インピーダンス
を部分的に変化させ、スプリアス共振周波数を奇数倍か
らずらすことで、高調波抑圧効果を有し、製造が容易な
一体型構造の誘電体フィルタが実現可能となる。
振用穴２１〜２３の周囲に、導体膜を施さない非貫通穴
を形成することにより、共振素子の線路インピーダンス
を部分的に変化させ、スプリアス共振周波数を奇数倍か
らずらすことで、高調波抑圧効果を有し、製造が容易な
一体型構造の誘電体フィルタが実現可能となる。
なお、本実施例では外部回路との接続には、容量素子を
用いたが、タップ結合など他の公知の接続方法を用いて
も良い。
用いたが、タップ結合など他の公知の接続方法を用いて
も良い。
次に本発明の第２の実施例について説明する。
第２図は、本発明の第２の実施例における誘電体フィル
タの斜視図である。本実施例も３段構成のものである。
タの斜視図である。本実施例も３段構成のものである。
第２図において、第１図の構成と異る点は、共振用穴２
１〜２３の周囲に形成する非貫通穴４７〜４９をリング
状の円筒形とした点である。第１図と同一番号を付した
ものは、第１図と同じ働きをするものである。
１〜２３の周囲に形成する非貫通穴４７〜４９をリング
状の円筒形とした点である。第１図と同一番号を付した
ものは、第１図と同じ働きをするものである。
上記構成において、以下その動作について説明する。直
方状の誘電体ブロック１１の共振用穴２１〜２３の周囲
に、 リング状の円筒形非貫通穴４７〜４９を設けるこ
とにより、第１図に示した実施例と同様に、共振素子の
線路インピーダンスを部分的に変化させ、スプリアス共
振周波数を奇数倍からずらした共振器が実現できる。結
合用穴３１゜３２による所望の股間結合度ならびに外部
回路との接続用容量素子５１．５２による入出力結合と
合いまって、奇数倍の高調波抑圧効果を持つバンド・パ
ス・フィルタとしての動作をする。
方状の誘電体ブロック１１の共振用穴２１〜２３の周囲
に、 リング状の円筒形非貫通穴４７〜４９を設けるこ
とにより、第１図に示した実施例と同様に、共振素子の
線路インピーダンスを部分的に変化させ、スプリアス共
振周波数を奇数倍からずらした共振器が実現できる。結
合用穴３１゜３２による所望の股間結合度ならびに外部
回路との接続用容量素子５１．５２による入出力結合と
合いまって、奇数倍の高調波抑圧効果を持つバンド・パ
ス・フィルタとしての動作をする。
μ上水実施例によれば、共振用穴の周囲に、リング状の
円筒形非貫通穴４７〜４９を設けることにより、共振素
子の線路インピーダンスを部分的に変化させ、スプリア
ス共振周波数を奇数倍からずらすことで、高調波抑圧効
果を有するバンド・パス・フィルタが実現できる。
円筒形非貫通穴４７〜４９を設けることにより、共振素
子の線路インピーダンスを部分的に変化させ、スプリア
ス共振周波数を奇数倍からずらすことで、高調波抑圧効
果を有するバンド・パス・フィルタが実現できる。
次に本発明の第３の実施例について説明する。
第３図は本発明の第３の実施例における誘電体フィルタ
の斜視図である。本実施例も３段構成のものである。
の斜視図である。本実施例も３段構成のものである。
第３図において、第２図と異る点は、直方状の誘電体ブ
ロック１１内に形成した共振用穴２２の周囲のみに、リ
ング状の円筒形非貫通穴４８を設けた点である。共振用
穴２１．２３の周囲には、リング状の円筒形非貫通穴を
設けていない。
ロック１１内に形成した共振用穴２２の周囲のみに、リ
ング状の円筒形非貫通穴４８を設けた点である。共振用
穴２１．２３の周囲には、リング状の円筒形非貫通穴を
設けていない。
上記構成において、以下その動作について説明する。誘
電体ブロック１１内に形成した共振用穴２２の周囲にの
みリング状の円筒形非貫通穴４８を設けることにより、
第２図に示した実施例と同様に共振素子の線路インピー
ダンスを部分的に変化させ、基本共振周波数は、４分の
１波長共振器と同一だが、スプリアス共振周波数を奇数
倍からずらした共振器を実現している。一方、共振用穴
２１゜２３０周囲には、 リング状の円筒形非貫通穴を
設けていない。即ち線路インピーダンスが−様な４分の
１波長共振器として動作させている。共振素子の線路イ
ンピーダンスを部分的に変化させた共振器と−様な共振
器を組合せることにより、相互のスプリアス共振周波数
が打ち消しあうので、疎止域が広いバンド・パス・フィ
ルタが実現でき。
電体ブロック１１内に形成した共振用穴２２の周囲にの
みリング状の円筒形非貫通穴４８を設けることにより、
第２図に示した実施例と同様に共振素子の線路インピー
ダンスを部分的に変化させ、基本共振周波数は、４分の
１波長共振器と同一だが、スプリアス共振周波数を奇数
倍からずらした共振器を実現している。一方、共振用穴
２１゜２３０周囲には、 リング状の円筒形非貫通穴を
設けていない。即ち線路インピーダンスが−様な４分の
１波長共振器として動作させている。共振素子の線路イ
ンピーダンスを部分的に変化させた共振器と−様な共振
器を組合せることにより、相互のスプリアス共振周波数
が打ち消しあうので、疎止域が広いバンド・パス・フィ
ルタが実現でき。
高調波抑圧特性を持たせることができる。
以上、本実施例によれば、誘電体ブロック内に形成した
一部の共振用穴の周囲にのみリング状の円筒形非貫通穴
４８を設け、線路インピーダンスを部分的に変化させた
共振器と−様な共振器を組合せている。こうすると、共
振器の基本周波数は同一だが、スプリアス共振周波数は
互に異るので、打ち消し合い疎止域の広いバンド・パス
・フィルタが実現できる。そこで高調波抑圧効果が得ら
れる。
一部の共振用穴の周囲にのみリング状の円筒形非貫通穴
４８を設け、線路インピーダンスを部分的に変化させた
共振器と−様な共振器を組合せている。こうすると、共
振器の基本周波数は同一だが、スプリアス共振周波数は
互に異るので、打ち消し合い疎止域の広いバンド・パス
・フィルタが実現できる。そこで高調波抑圧効果が得ら
れる。
なお１本実施例では、入出力を一部インピーダンスの共
振器、股間を部分的に変化させたインピーダンスの共振
器の実施例を示したが１組合せはこれに限定されるもの
ではない。
振器、股間を部分的に変化させたインピーダンスの共振
器の実施例を示したが１組合せはこれに限定されるもの
ではない。
また、共振用穴の周囲に形成した非貫通穴は、第１図で
は、共振用穴を中間にはさむように２個で形成している
。第２図、第３図では、共振用穴の周囲にリング状の円
筒形として形成しているが。
は、共振用穴を中間にはさむように２個で形成している
。第２図、第３図では、共振用穴の周囲にリング状の円
筒形として形成しているが。
共振器の線路インピーダンスを部分的に変化させるもの
であれば、この限りではない。
であれば、この限りではない。
発明の効果
以上のように本発明は、誘電体ブロック内に形成した共
振用穴の周囲にメタライズを施さない非貫通穴を少くと
も１ケ所以上設けることで、共振器の線路インピーダン
スを部分的に変化させ、スプリアス共振周波数を奇数倍
よりずらしたり、線路インピーダンスを部分的に変化さ
せた共振器と−様な共振器を組合せ、阻止域を拡大する
ことにより、高調波抑圧効果を有する簡単な構造の一体
型の誘電体フィルタが実現でき、その効果は大きい０
振用穴の周囲にメタライズを施さない非貫通穴を少くと
も１ケ所以上設けることで、共振器の線路インピーダン
スを部分的に変化させ、スプリアス共振周波数を奇数倍
よりずらしたり、線路インピーダンスを部分的に変化さ
せた共振器と−様な共振器を組合せ、阻止域を拡大する
ことにより、高調波抑圧効果を有する簡単な構造の一体
型の誘電体フィルタが実現でき、その効果は大きい０
第１図は本発明の第１の実施例における誘電体フィルタ
の斜視図、第２図は本発明の第２の実施例における誘電
体フィルタの斜視図、第３図は本発明の第３の実施例に
おける誘電体フィルタの斜視図、第４図は従来の誘電体
フィルタの斜視図である。 １１・・・誘電体ブロック、２１〜２６・・・共振用穴
、３１、 ３２・・・結合用穴、４１〜４９・・・非貫
通穴、５１゜５２・・・容量素子、６１〜６３・・・内
導体膜、 ６４・・外導体膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第１
図 喜 第２図 酢 第３図
の斜視図、第２図は本発明の第２の実施例における誘電
体フィルタの斜視図、第３図は本発明の第３の実施例に
おける誘電体フィルタの斜視図、第４図は従来の誘電体
フィルタの斜視図である。 １１・・・誘電体ブロック、２１〜２６・・・共振用穴
、３１、 ３２・・・結合用穴、４１〜４９・・・非貫
通穴、５１゜５２・・・容量素子、６１〜６３・・・内
導体膜、 ６４・・外導体膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第１
図 喜 第２図 酢 第３図
Claims (1)
- 直方体状の誘電体ブロックと、前記誘電体ブロックに所
定間隔に並列形成した複数の共振用穴と、前記共振用穴
の間に形成した結合用穴と、前記誘電体ブロックの共振
用穴の軸線と直交する一表面を除く外表面にメタライズ
した外導体膜と、前記共振用穴の内周面にメタライズし
、かつ一端を前記外導体と接続した内導体膜とを具備し
、前記共振用穴の少なくとも１ケ所以上の周囲に導体膜
を施さない非貫通穴を形成したことを特徴とする一体型
構造の誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045195A JPH01220501A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045195A JPH01220501A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220501A true JPH01220501A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12712491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63045195A Pending JPH01220501A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220501A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03292001A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| JPH04144303A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-18 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体同軸共振器 |
| US5896074A (en) * | 1992-01-22 | 1999-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter |
| US6047301A (en) * | 1996-05-24 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Wearable computer |
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| WO2011052328A1 (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-05 | 京セラ株式会社 | 同軸共振器ならびにそれを用いた誘電体フィルタ，無線通信モジュールおよび無線通信機器 |
| CN103155273A (zh) * | 2010-09-29 | 2013-06-12 | 京瓷株式会社 | 同轴谐振器及利用其的电介质滤波器、无线通信模块及无线通信设备 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63045195A patent/JPH01220501A/ja active Pending
Cited By (12)
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| US9153852B2 (en) | 2010-09-29 | 2015-10-06 | Kyocera Corporation | Coaxial resonator, and dielectric filter, wireless communication module, and wireless communication device employing the coaxial resonator |
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