JPH012206A - 導電被膜形成用組成物 - Google Patents

導電被膜形成用組成物

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Publication number
JPH012206A
JPH012206A JP62-155281A JP15528187A JPH012206A JP H012206 A JPH012206 A JP H012206A JP 15528187 A JP15528187 A JP 15528187A JP H012206 A JPH012206 A JP H012206A
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JP
Japan
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powder
composition
conductive film
bismuth oxide
coating
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Application number
JP62-155281A
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JPS642206A (en
JPH0574165B2 (ja
Inventor
関原 修
須藤 寅男
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板との接合強度の劣化が小さい導電被膜を
形成し得る組成物に関するものである。
〔従来の技術〕
セラミック基板上に導電回路、電極等の導電被膜を形成
するため、Ag粉、Pd粉、軟化点310〜700℃の
ガラス粉及び酸(ヒビスマス扮を有機質ビヒクルと混練
してベースト状とした組成物が用いられている。これを
スクリーン印刷法、転写法等によって基板上に塗布し、
600〜1000℃の温度で焼成すればガラス粉及び酸
化ビスマス扮が先ず熔解して基板表面に達し、このガラ
ス層を介してAg粉、Pd粉が合金化しつつ焼結して導
電被膜が形成される。
ところで、このようなAg −Pd系界電被膜に部品を
接合するのは半田によるのが一般的で、半田と被膜の接
合力、被膜と基板との接合力が充分でなければならない
。然るにこのAg −Pd系導電被膜に半田を付着させ
て高温に曝すと被膜と基板の接合力が劣化する。この原
因は半田中のSnが拡散して導電被膜中でSnとAgの
金属化合物を作り、この化合物の結晶が生長肥大化して
結合材のガラス層を破壊するに至るからであると推測さ
れている。このような被膜と基板との接合強度の劣化は
できるだけないのが望ましいことは言うまでもない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので基板との接合
強度の劣化が改善された導電被膜を形成し得る組成物を
提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的を達成するため本発明は、組成物中においてガ
ラス粉及び/又は酸化ビスマス粉の粒子表面をPd扮で
被覆した点に特徴がある。
本発明はベースト組成中の固形分を予め混合しておくと
上記接合強度の劣化が幾分改善されるという知見に基い
ており、この現象を更に調査した結果、予備混合により
ガラス粉、酸化ビスマス粉の粒子表面がPd粉で被覆さ
れることが判明した。
ガラス粉、酸化ビスマス粉のPd扮による被覆はこれら
を粗く粉砕しつつ混合する型の混合機で達成し得るが、
Pd粉の粒径は100〜1000人が望ましい。
Pd粉の粒径が大き過ぎるとガラス粉、酸化ビスマス粉
の粒子表面を効果的に被覆できず、又小さ過ぎるとPd
粉が凝集し易くなってやはりガラス粉、酸化ビスマス粉
の粒子表面が効果的に被覆できないからである。ガラス
粉又は酸化ビスマス扮の何れか一方のみをPd粉で被覆
しても幾分か効果があるが、両者共被覆するのが最も効
果的である。
ガラス粉、酸化ビスマス粉のPd粉による被覆により何
故接合強度の劣化が改善されるのか、現時点でそのメカ
ニズムは判明していない。
〔実施例〕
軟化点325℃、平均粒径7μmの硼珪酸鉛系ガラス粉
と、平均粒径5μmの酸化ビスマス粉と、平均粒径30
0人のPd粉、A[扮及び酸化第−銅粉を用い、予備的
混合を施し、又は施さないでこれらの合計、1751i
ffi%をエチルセルロース1.5重量%ターピネオー
ル23.5重量%と共に混練してベースト状とし、心電
被膜の接合強度劣化試験に供した。上記予備的混合は、
先ず■型混合機により混合し、次いでライカイ機により
24時間処理する方法で行った。接合強度の劣化試験は
、アルミナ基板に2fi角のパターンで上記ベースト状
組成物をスクリーン印刷し、900°Cで焼成した後、
該パターン上に直径0.65鶴のSnメツキ銅線を63
%Sn/37%pb半田により半田付けし、150℃の
恒温槽内に48時間放置後取り出し、該銅線をパターン
直上方向に引張って剥離強度を測定する方法によった。
ベースト中の固形分の組成、予備混合の有無、被膜の剥
離強度等を第1表にまとめて示す。
以下余白 第1表からPd扮をガラス粉、旧203粉の少くとも何
れか一力に?&バノすれば接合強度の劣jヒが改善され
、両方に被覆するのか最も効果的であることが分る。
〔発明の効果〕
本発明により基板との接合強度の劣化を改善することが
でき、これにより接合の信頼性を高めることができる。
特許出願人住友金属鉱山株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  Ag粉、Pd粉、ガラス粉及び酸化ビスマス粉を含有
    するベースト状導電被膜形成用組成物において、ガラス
    粉及び/又は酸化ビスマス粉がその粒子表面をPd粉で
    被覆して含有されていることを特徴とする導電被膜形成
    用組成物。
JP15528187A 1987-06-24 1987-06-24 Composition for forming conductive film Granted JPS642206A (en)

Priority Applications (1)

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JP15528187A JPS642206A (en) 1987-06-24 1987-06-24 Composition for forming conductive film

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JP15528187A JPS642206A (en) 1987-06-24 1987-06-24 Composition for forming conductive film

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPH012206A true JPH012206A (ja) 1989-01-06
JPS642206A JPS642206A (en) 1989-01-06
JPH0574165B2 JPH0574165B2 (ja) 1993-10-15

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59188108A (ja) * 1983-04-08 1984-10-25 富士通株式会社 端子電極ペ−スト

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