JPH012206A - 導電被膜形成用組成物 - Google Patents
導電被膜形成用組成物Info
- Publication number
- JPH012206A JPH012206A JP62-155281A JP15528187A JPH012206A JP H012206 A JPH012206 A JP H012206A JP 15528187 A JP15528187 A JP 15528187A JP H012206 A JPH012206 A JP H012206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- composition
- conductive film
- bismuth oxide
- coating
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板との接合強度の劣化が小さい導電被膜を
形成し得る組成物に関するものである。
形成し得る組成物に関するものである。
セラミック基板上に導電回路、電極等の導電被膜を形成
するため、Ag粉、Pd粉、軟化点310〜700℃の
ガラス粉及び酸(ヒビスマス扮を有機質ビヒクルと混練
してベースト状とした組成物が用いられている。これを
スクリーン印刷法、転写法等によって基板上に塗布し、
600〜1000℃の温度で焼成すればガラス粉及び酸
化ビスマス扮が先ず熔解して基板表面に達し、このガラ
ス層を介してAg粉、Pd粉が合金化しつつ焼結して導
電被膜が形成される。
するため、Ag粉、Pd粉、軟化点310〜700℃の
ガラス粉及び酸(ヒビスマス扮を有機質ビヒクルと混練
してベースト状とした組成物が用いられている。これを
スクリーン印刷法、転写法等によって基板上に塗布し、
600〜1000℃の温度で焼成すればガラス粉及び酸
化ビスマス扮が先ず熔解して基板表面に達し、このガラ
ス層を介してAg粉、Pd粉が合金化しつつ焼結して導
電被膜が形成される。
ところで、このようなAg −Pd系界電被膜に部品を
接合するのは半田によるのが一般的で、半田と被膜の接
合力、被膜と基板との接合力が充分でなければならない
。然るにこのAg −Pd系導電被膜に半田を付着させ
て高温に曝すと被膜と基板の接合力が劣化する。この原
因は半田中のSnが拡散して導電被膜中でSnとAgの
金属化合物を作り、この化合物の結晶が生長肥大化して
結合材のガラス層を破壊するに至るからであると推測さ
れている。このような被膜と基板との接合強度の劣化は
できるだけないのが望ましいことは言うまでもない。
接合するのは半田によるのが一般的で、半田と被膜の接
合力、被膜と基板との接合力が充分でなければならない
。然るにこのAg −Pd系導電被膜に半田を付着させ
て高温に曝すと被膜と基板の接合力が劣化する。この原
因は半田中のSnが拡散して導電被膜中でSnとAgの
金属化合物を作り、この化合物の結晶が生長肥大化して
結合材のガラス層を破壊するに至るからであると推測さ
れている。このような被膜と基板との接合強度の劣化は
できるだけないのが望ましいことは言うまでもない。
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので基板との接合
強度の劣化が改善された導電被膜を形成し得る組成物を
提供するものである。
強度の劣化が改善された導電被膜を形成し得る組成物を
提供するものである。
上記目的を達成するため本発明は、組成物中においてガ
ラス粉及び/又は酸化ビスマス粉の粒子表面をPd扮で
被覆した点に特徴がある。
ラス粉及び/又は酸化ビスマス粉の粒子表面をPd扮で
被覆した点に特徴がある。
本発明はベースト組成中の固形分を予め混合しておくと
上記接合強度の劣化が幾分改善されるという知見に基い
ており、この現象を更に調査した結果、予備混合により
ガラス粉、酸化ビスマス粉の粒子表面がPd粉で被覆さ
れることが判明した。
上記接合強度の劣化が幾分改善されるという知見に基い
ており、この現象を更に調査した結果、予備混合により
ガラス粉、酸化ビスマス粉の粒子表面がPd粉で被覆さ
れることが判明した。
ガラス粉、酸化ビスマス粉のPd扮による被覆はこれら
を粗く粉砕しつつ混合する型の混合機で達成し得るが、
Pd粉の粒径は100〜1000人が望ましい。
を粗く粉砕しつつ混合する型の混合機で達成し得るが、
Pd粉の粒径は100〜1000人が望ましい。
Pd粉の粒径が大き過ぎるとガラス粉、酸化ビスマス粉
の粒子表面を効果的に被覆できず、又小さ過ぎるとPd
粉が凝集し易くなってやはりガラス粉、酸化ビスマス粉
の粒子表面が効果的に被覆できないからである。ガラス
粉又は酸化ビスマス扮の何れか一方のみをPd粉で被覆
しても幾分か効果があるが、両者共被覆するのが最も効
果的である。
の粒子表面を効果的に被覆できず、又小さ過ぎるとPd
粉が凝集し易くなってやはりガラス粉、酸化ビスマス粉
の粒子表面が効果的に被覆できないからである。ガラス
粉又は酸化ビスマス扮の何れか一方のみをPd粉で被覆
しても幾分か効果があるが、両者共被覆するのが最も効
果的である。
ガラス粉、酸化ビスマス粉のPd粉による被覆により何
故接合強度の劣化が改善されるのか、現時点でそのメカ
ニズムは判明していない。
故接合強度の劣化が改善されるのか、現時点でそのメカ
ニズムは判明していない。
軟化点325℃、平均粒径7μmの硼珪酸鉛系ガラス粉
と、平均粒径5μmの酸化ビスマス粉と、平均粒径30
0人のPd粉、A[扮及び酸化第−銅粉を用い、予備的
混合を施し、又は施さないでこれらの合計、1751i
ffi%をエチルセルロース1.5重量%ターピネオー
ル23.5重量%と共に混練してベースト状とし、心電
被膜の接合強度劣化試験に供した。上記予備的混合は、
先ず■型混合機により混合し、次いでライカイ機により
24時間処理する方法で行った。接合強度の劣化試験は
、アルミナ基板に2fi角のパターンで上記ベースト状
組成物をスクリーン印刷し、900°Cで焼成した後、
該パターン上に直径0.65鶴のSnメツキ銅線を63
%Sn/37%pb半田により半田付けし、150℃の
恒温槽内に48時間放置後取り出し、該銅線をパターン
直上方向に引張って剥離強度を測定する方法によった。
と、平均粒径5μmの酸化ビスマス粉と、平均粒径30
0人のPd粉、A[扮及び酸化第−銅粉を用い、予備的
混合を施し、又は施さないでこれらの合計、1751i
ffi%をエチルセルロース1.5重量%ターピネオー
ル23.5重量%と共に混練してベースト状とし、心電
被膜の接合強度劣化試験に供した。上記予備的混合は、
先ず■型混合機により混合し、次いでライカイ機により
24時間処理する方法で行った。接合強度の劣化試験は
、アルミナ基板に2fi角のパターンで上記ベースト状
組成物をスクリーン印刷し、900°Cで焼成した後、
該パターン上に直径0.65鶴のSnメツキ銅線を63
%Sn/37%pb半田により半田付けし、150℃の
恒温槽内に48時間放置後取り出し、該銅線をパターン
直上方向に引張って剥離強度を測定する方法によった。
ベースト中の固形分の組成、予備混合の有無、被膜の剥
離強度等を第1表にまとめて示す。
離強度等を第1表にまとめて示す。
以下余白
第1表からPd扮をガラス粉、旧203粉の少くとも何
れか一力に?&バノすれば接合強度の劣jヒが改善され
、両方に被覆するのか最も効果的であることが分る。
れか一力に?&バノすれば接合強度の劣jヒが改善され
、両方に被覆するのか最も効果的であることが分る。
本発明により基板との接合強度の劣化を改善することが
でき、これにより接合の信頼性を高めることができる。
でき、これにより接合の信頼性を高めることができる。
特許出願人住友金属鉱山株式会社
Claims (1)
- Ag粉、Pd粉、ガラス粉及び酸化ビスマス粉を含有
するベースト状導電被膜形成用組成物において、ガラス
粉及び/又は酸化ビスマス粉がその粒子表面をPd粉で
被覆して含有されていることを特徴とする導電被膜形成
用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15528187A JPS642206A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Composition for forming conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15528187A JPS642206A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Composition for forming conductive film |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH012206A true JPH012206A (ja) | 1989-01-06 |
| JPS642206A JPS642206A (en) | 1989-01-06 |
| JPH0574165B2 JPH0574165B2 (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=15602470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15528187A Granted JPS642206A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Composition for forming conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS642206A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188108A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-25 | 富士通株式会社 | 端子電極ペ−スト |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP15528187A patent/JPS642206A/ja active Granted
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