JPH01220855A - 半導体集積回路用パッケージ - Google Patents

半導体集積回路用パッケージ

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Publication number
JPH01220855A
JPH01220855A JP63046553A JP4655388A JPH01220855A JP H01220855 A JPH01220855 A JP H01220855A JP 63046553 A JP63046553 A JP 63046553A JP 4655388 A JP4655388 A JP 4655388A JP H01220855 A JPH01220855 A JP H01220855A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
check pattern
package
semiconductor integrated
integrated circuit
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63046553A
Other languages
English (en)
Inventor
Mutsuo Saito
齋藤 睦男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63046553A priority Critical patent/JPH01220855A/ja
Publication of JPH01220855A publication Critical patent/JPH01220855A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積“回路用パッケージに関し、特にビ
ングリッドアレイ(Pin Grid Array)パ
ッケージに通用して好適なパッケージの構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体集積回路では、半導体ウェハに形成するチ
ップのトランジスタや抵抗等の基本素子の電気的特性を
検査するために、このチップの一部に前記したトランジ
スタや抵抗等の基本素子と同等のチェックパターンを形
成している。そして、このチェックパターンを用いて各
種電気特性を測定することにより、製造されるチップの
電気的特性を検査している。
そして、第3図(a)及び(b)に示すように、ウェハ
から分離された半導体集積回路チップ1は、メタライズ
パターン31人出力用ピン4を形成した基板2上に搭載
され、アルミニウムワイヤ5により電気接続された上で
キャップ6により封止され、半導体集積回路用パッケー
ジを構成している。
なお、図ではビングリッドアレイパッケージの例を示し
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、この種の半導体集積回路用パッケージでは、
パッケージ完成後に半導体集積回路の不良障害解析等の
ために、チップの一部に設けたチェックパターンを用い
て各種電気特性を測定することがある。この場合、上述
した従来のパッケージでは、前記チェックパターンを測
定するための端子がLSI用パッケージの外側に存在し
ないため、解析のためにLSI用パッケージを分解し、
或いは他の方法により前記チェックパターンを露出させ
なければならず、この作業が極めて面倒なものになると
いう問題がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体集積回路用パッケージは、パッケージを
構成する基板の上面一部に、パッケージ内に封止した半
導体集積回路チップに設けたチェックパターンと電気的
に接続されるチェックパターン測定用端子を配設した構
成としている。
〔作用] 上述した構成では、半導体集積回路チップをパッケージ
内に封止した状態でも、チェックパターン測定用端子を
通してパッケージ外部からチェックパターンの測定を行
うことができる。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図(a)は本発明の半導体集積回路用パッケージの
第1実施例の一部破断上面図、同図(b)は正面図であ
る。
第1図(a)及び(b)に示すように、半導体集積回路
チップ1は、メタライズパターン3.入出力用ピン4を
有する基板2に搭載され、アルミニウムワイヤ5によっ
て電気的に接続される。そして、キャップ6により封止
されている。
前記半導体集積回路チップ1には、チップ内に形成され
るトランジスタや抵抗等の基本素子と同等のチェックパ
ターン(図示せず)が形成されている。
一方、前記基板2の上面にはキャップ6を除く一隅部に
チェックパターン測定用端子7を配設しるとともに、前
記メタライズパターン3の一部にはチェックパターン用
メタライズパターン8を形成しており、これらチェック
パターン測定用端子7とチェックパターン用メタライズ
パターン8とを図外のスルーホールによって電気的に接
続している。そして、前記チェックパターン用メタライ
ズパターンには、アルミニウムワイヤ5によりチップ1
のチェックパターンが電気接続されている。
このパッケージ構造によれば、半導体集積回路チップ1
を封止して半導体集積回路を完成した後においても、基
板2上に配設されたチェックパターン測定用端子7を利
用してチップ1内のチェックパターンの測定を行うこと
ができる。したがって、パッケージを分解することなく
極めて容易に半導体集積回路の不良解析を実行できる。
第2図(a)及び(b)は本発明の第2実施例の一部破
断上面図及びその正面図である。
この実施例では、基板2の上部のキャップ6に近い箇所
、換言すれば基板2に設けたチェックパターン用メタラ
イズパターン8に可及的に近い箇 。
所にチェックパターン測定用端子7を設けており、これ
らを図外のスルーホール等によって電気接続している。
この実施例においても、前記第1実施例と同じ効果を得
ることができるが、この実施例では更に半導体集積回路
チップlに形成しているチェックパターンとチェックパ
ターン測定用端子7との間の伝達経路を短くすることが
できるので、チェックパターン測定時の測定精度を向上
できる利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、パッケージを構成する基
板の上面一部に配設したチェックパターン測定用端子を
通して、パッケージ内に封止した半導体集積回路チップ
に設けたチェックパターンの電気的測定を行うことがで
き、半導体集積回路の製造後においても、パッケージを
分解することなく不良障害解析等を容易に実施できる効
果がある。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の第1実施例を示し、同図(a)は一部
破断上面図、同図(b)は正面図、第2図は本発明の第
2実施例を示し、同図(a)は一部破断上面図、同図(
b)は正面図、第3図は従来のパッケージを示し、同図
(a)は一部破断上面図、同図(b)は正面図である。 l・・・半導体集積回路チップ、2・・・基板、3・・
・メタライズパターン、4・・・入出力用ビン、5・・
・アルミニウムワイヤ、6・・・キャップ、7・・・チ
ェックパターン測定用端子、8・・・チェックパターン
用メタライズパターン。 第1図 (a) 第2図 (a) (b) 第3図 (a) (b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、チェックパターンを形成した半導体集積回路チップ
    を基板に搭載し、かつこれをキャップにより封止した半
    導体集積回路用パッケージにおいて、前記チェックパタ
    ーンに電気的に接続されるチェックパターン測定用端子
    を、前記基板の上面一部に配設したことを特徴とする半
    導体集積回路用パッケージ。
JP63046553A 1988-02-29 1988-02-29 半導体集積回路用パッケージ Pending JPH01220855A (ja)

Priority Applications (1)

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JP63046553A JPH01220855A (ja) 1988-02-29 1988-02-29 半導体集積回路用パッケージ

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JP63046553A JPH01220855A (ja) 1988-02-29 1988-02-29 半導体集積回路用パッケージ

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JPH01220855A true JPH01220855A (ja) 1989-09-04

Family

ID=12750512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63046553A Pending JPH01220855A (ja) 1988-02-29 1988-02-29 半導体集積回路用パッケージ

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