JPH0122086Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0122086Y2 JPH0122086Y2 JP1982024314U JP2431482U JPH0122086Y2 JP H0122086 Y2 JPH0122086 Y2 JP H0122086Y2 JP 1982024314 U JP1982024314 U JP 1982024314U JP 2431482 U JP2431482 U JP 2431482U JP H0122086 Y2 JPH0122086 Y2 JP H0122086Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pair
- capacitors
- voltage
- current
- pulse width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、圧力、差圧等の被測定量に応じて少
なくともいずれか一方の容量が変化する一対のコ
ンデンサを用いた容量式変換器に関し、詳しくは
容量をパルス幅信号に変換して検出する方式の容
量式変換器の改良に関する。
なくともいずれか一方の容量が変化する一対のコ
ンデンサを用いた容量式変換器に関し、詳しくは
容量をパルス幅信号に変換して検出する方式の容
量式変換器の改良に関する。
容量をパルス幅信号に変換して検出する方式の
容量式変換器は例えば特開昭51−61864号に示さ
れているように、交流電源を必要としない利点が
あるが、一対のコンデンサに基準の直流電源から
それぞれ高抵抗を介して充電電流を供給するよう
になつている。ところで高抵抗は温度係数の管理
等に問題があり、温度変化によつて抵抗間に差が
生じやすいため、従来のこの種容量変換器では周
囲温度の影響を受けやすい欠点があつた。
容量式変換器は例えば特開昭51−61864号に示さ
れているように、交流電源を必要としない利点が
あるが、一対のコンデンサに基準の直流電源から
それぞれ高抵抗を介して充電電流を供給するよう
になつている。ところで高抵抗は温度係数の管理
等に問題があり、温度変化によつて抵抗間に差が
生じやすいため、従来のこの種容量変換器では周
囲温度の影響を受けやすい欠点があつた。
本考案は、同じ特性を示すようにバイポーラ
ICプロセスで作られベースとエミツタとがそれ
ぞれ同じ電位にある複数個のトランジスタからな
るカレントミラ回路を用いて、一対のコンデンサ
に大きさの等しい充電電流をそれぞれ供給すると
ともに、抵抗に前記充電電流との比が一定な電流
を供給し、前記抵抗に生ずる電圧を設定値として
一対のコンパレータに与えることによつて、温度
に対して安定な容量式変換器を簡単な構成で実現
したものである。
ICプロセスで作られベースとエミツタとがそれ
ぞれ同じ電位にある複数個のトランジスタからな
るカレントミラ回路を用いて、一対のコンデンサ
に大きさの等しい充電電流をそれぞれ供給すると
ともに、抵抗に前記充電電流との比が一定な電流
を供給し、前記抵抗に生ずる電圧を設定値として
一対のコンパレータに与えることによつて、温度
に対して安定な容量式変換器を簡単な構成で実現
したものである。
第１図は本考案変換器の一実施例を示す接続図
である。図において、C1，C2はその容量値が差
動的に変化する一対のコンデンサで、図には圧
力、差圧等の被測定量に応じて変位する可動電極
１０とこの可動電極１０に対向配置されている固
定電極１１，１２とで構成したものが示されてお
り、可動電極１０は基準点に接続されている。
CMはカレントミラ回路で、同じ寸法で同じ特性
を示すようにバイポーラICプロセスにより作ら
れたトランジスタQ1，Q2，Q3，Q4を有してい
る。トランジスタQ1〜Q4のエミツタは共通に直
流電源Vrに接続され、ベースも共通にQ1のコレ
クタに接続されている。またQ1のコレクタは抵
抗Rrを、Q2のコレクタはコンデンサC1を、Q3の
コレクタはコンデンサC2を、Q4のコレクタは抵
抗Raをそれぞれ介して基準点に接続されている。
このようにトランジスタQ1がダイオード接続さ
れているので、Q1のベース・エミツタ間電圧を
Vbeとすると、抵抗Rrには（Vr−Vbe）／Rrなる
一定電流Irが流れる。そしてトランジスタQ1〜
Q4がバイポーラICプロセスにより同じ寸法同じ
特性を示すように作られており、ベースとエミツ
タとがそれぞれ同じ電位にあるので、Q2，Q3，
Q4のコレクタに接続されたコンデンサC1，C2お
よび抵抗RaにはそれぞれIrと等しい電流I1，I2，
Iaが供給される。
である。図において、C1，C2はその容量値が差
動的に変化する一対のコンデンサで、図には圧
力、差圧等の被測定量に応じて変位する可動電極
１０とこの可動電極１０に対向配置されている固
定電極１１，１２とで構成したものが示されてお
り、可動電極１０は基準点に接続されている。
CMはカレントミラ回路で、同じ寸法で同じ特性
を示すようにバイポーラICプロセスにより作ら
れたトランジスタQ1，Q2，Q3，Q4を有してい
る。トランジスタQ1〜Q4のエミツタは共通に直
流電源Vrに接続され、ベースも共通にQ1のコレ
クタに接続されている。またQ1のコレクタは抵
抗Rrを、Q2のコレクタはコンデンサC1を、Q3の
コレクタはコンデンサC2を、Q4のコレクタは抵
抗Raをそれぞれ介して基準点に接続されている。
このようにトランジスタQ1がダイオード接続さ
れているので、Q1のベース・エミツタ間電圧を
Vbeとすると、抵抗Rrには（Vr−Vbe）／Rrなる
一定電流Irが流れる。そしてトランジスタQ1〜
Q4がバイポーラICプロセスにより同じ寸法同じ
特性を示すように作られており、ベースとエミツ
タとがそれぞれ同じ電位にあるので、Q2，Q3，
Q4のコレクタに接続されたコンデンサC1，C2お
よび抵抗RaにはそれぞれIrと等しい電流I1，I2，
Iaが供給される。
SW1，SW2はそれぞれコンデンサC1，C2に並
列に接続された放電用のスイツチで、トランジス
タからなるものが示されているが、電界効果トラ
ンジスタ等を必要に応じて用いることができる。
CP1，CP2は各々コンパレータで、CP1，CP2の入
力端子（−）にはRaの両端電圧IaRaが設定値Va
として共通に加えられている。またCP1の入力端
子（＋）にはC1の充電電圧VC1が、CP2の入力端
子（＋）にはC2の充電電圧VCC2がそれぞれ加え
られている。FFはフリツプフロツプで、CP1の
出力でセツトされ、CP2の出力でリセツトされ
て、出力端子Ｑに一定振幅のパルス幅信号PW1
を、出力端子ＱにPW1の反転パルス幅信号PW2
を発生する。このパルス幅信号PW1でスイツチ
SW1を、PW2でSW2をこれぞれ駆動する。FIは
フイルタ回路で、パルス幅信号PW2を平滑し直
流電圧E0を得るためのものである。
列に接続された放電用のスイツチで、トランジス
タからなるものが示されているが、電界効果トラ
ンジスタ等を必要に応じて用いることができる。
CP1，CP2は各々コンパレータで、CP1，CP2の入
力端子（−）にはRaの両端電圧IaRaが設定値Va
として共通に加えられている。またCP1の入力端
子（＋）にはC1の充電電圧VC1が、CP2の入力端
子（＋）にはC2の充電電圧VCC2がそれぞれ加え
られている。FFはフリツプフロツプで、CP1の
出力でセツトされ、CP2の出力でリセツトされ
て、出力端子Ｑに一定振幅のパルス幅信号PW1
を、出力端子ＱにPW1の反転パルス幅信号PW2
を発生する。このパルス幅信号PW1でスイツチ
SW1を、PW2でSW2をこれぞれ駆動する。FIは
フイルタ回路で、パルス幅信号PW2を平滑し直
流電圧E0を得るためのものである。
このように構成した本考案において、いまフリ
ツプフロツプFFがセツト状態でPW1が発生して
おり、スイツチSW1がオンで、SW2がオフである
と、コンデンサC1側が放電され、コンデンサC2
側が電流I2で充電される。コンデンサC2の充電電
圧VC2はC2の容量値で決まる時定数で上昇し、
VC2がCP2の設定値Vaに達すると、FFはリセツ
トされ、SW1がオフに、SW2がオンになる。その
結果コンデンサC1側が電流I1で充電され、C2側が
放電される。コンデンサC1の充電電圧VC1はC1の
容量値で決まる時定数で上昇し、VC1がCP1の設
定値Vaに達するとFFが再びセツトされ、上述の
動作を繰り返し、一対のコンデンサC1，C2を交
互に充放電させる。したがつてC1が充電されて
いる時間t1およびC2が充電されている時間t2は t1＝C1RaIa／I1 (1) t2＝C2RaIa／I2 (2) で表わされ、直流電源Vrの電源電圧の変動、さ
らに周囲温度の変化によるベース・エミツタ間電
圧Vbe変動や抵抗Rrの抵抗値の変動等の影響を受
けない。また、カレントミラ回路CMではトラン
ジスタQ1〜Q4が同じ大きさで同じ特性になるよ
うにバイポーラICプロセスにより製作されてい
るので、広い範囲の周囲温度と広い範囲のコレク
タ・エミツタ間電圧に対して、I1，I2，Iaの比が
変化せず、Ia／I1＝Ia／I2である。よつて、FFの
出力端子Ｑに生ずるパルス幅信号PW2のデユテ
イレシオt1／Ｔは、 t1／Ｔ＝t1／t1＋t2＝C1／C1＋C2 (3) となり、周囲温度の変化による抵抗Raの抵抗値
変動の影響も受けない。すなわちPW2は一対の
コンデンサC1，C2の容量の和に対応した周期で、
パルス幅がコンデンサC1の容量に対応し、かつ
温度に対して安定なパルス幅信号となる。
ツプフロツプFFがセツト状態でPW1が発生して
おり、スイツチSW1がオンで、SW2がオフである
と、コンデンサC1側が放電され、コンデンサC2
側が電流I2で充電される。コンデンサC2の充電電
圧VC2はC2の容量値で決まる時定数で上昇し、
VC2がCP2の設定値Vaに達すると、FFはリセツ
トされ、SW1がオフに、SW2がオンになる。その
結果コンデンサC1側が電流I1で充電され、C2側が
放電される。コンデンサC1の充電電圧VC1はC1の
容量値で決まる時定数で上昇し、VC1がCP1の設
定値Vaに達するとFFが再びセツトされ、上述の
動作を繰り返し、一対のコンデンサC1，C2を交
互に充放電させる。したがつてC1が充電されて
いる時間t1およびC2が充電されている時間t2は t1＝C1RaIa／I1 (1) t2＝C2RaIa／I2 (2) で表わされ、直流電源Vrの電源電圧の変動、さ
らに周囲温度の変化によるベース・エミツタ間電
圧Vbe変動や抵抗Rrの抵抗値の変動等の影響を受
けない。また、カレントミラ回路CMではトラン
ジスタQ1〜Q4が同じ大きさで同じ特性になるよ
うにバイポーラICプロセスにより製作されてい
るので、広い範囲の周囲温度と広い範囲のコレク
タ・エミツタ間電圧に対して、I1，I2，Iaの比が
変化せず、Ia／I1＝Ia／I2である。よつて、FFの
出力端子Ｑに生ずるパルス幅信号PW2のデユテ
イレシオt1／Ｔは、 t1／Ｔ＝t1／t1＋t2＝C1／C1＋C2 (3) となり、周囲温度の変化による抵抗Raの抵抗値
変動の影響も受けない。すなわちPW2は一対の
コンデンサC1，C2の容量の和に対応した周期で、
パルス幅がコンデンサC1の容量に対応し、かつ
温度に対して安定なパルス幅信号となる。
そして、一対の可変コンデンサC1，C2の容量
は、初期容量をC0、固定電極１１，１２間の距
離を2dとすると、可動電極１０の基準位置（ｄ、
なる位置）からの変位量ｘに対し、 C1＝C0ｄ／ｄ−ｘ，C2＝C0ｄ／ｄ＋ｘ (4) の関係で変化するので、パルス幅信号PW2のデ
ユテイレシオt1／Ｔは、 t1／Ｔ＝１／２（１＋ｘ／ｄ） (5) となり、回路の変動要素の影響を受けず変位量ｘ
すなわち被測定量に正確に対応したものとなる。
このパルス幅信号PW2をフイルタ回路FIで平滑
した電圧E0も被測定量に正確に対応したものと
なる。
は、初期容量をC0、固定電極１１，１２間の距
離を2dとすると、可動電極１０の基準位置（ｄ、
なる位置）からの変位量ｘに対し、 C1＝C0ｄ／ｄ−ｘ，C2＝C0ｄ／ｄ＋ｘ (4) の関係で変化するので、パルス幅信号PW2のデ
ユテイレシオt1／Ｔは、 t1／Ｔ＝１／２（１＋ｘ／ｄ） (5) となり、回路の変動要素の影響を受けず変位量ｘ
すなわち被測定量に正確に対応したものとなる。
このパルス幅信号PW2をフイルタ回路FIで平滑
した電圧E0も被測定量に正確に対応したものと
なる。
なお上述では、パルス幅信号PW1，PW2のい
ずれか一方を用いて出力を得ているが、PW1を
平滑した電圧とPW2を平滑した電圧との差を求
めてｘ／ｄに比例した出力を得るようにしてもよ
い。また上述では、トランジスタQ1〜Q4を同じ
寸法の場合を説明したが、Q1とQ4のエミミツタ
面積をQ2，Q3の例えば10倍にすれば、抵抗Rr，
Raの抵抗値は１／10でよい。さらにコンパレー
タCP1，CP2の設定値VaをQ4からの電流Iaを利用
しているが、Q1からの基準電流Irを利用して得る
こともできる。この場合Q4は省略できる。
ずれか一方を用いて出力を得ているが、PW1を
平滑した電圧とPW2を平滑した電圧との差を求
めてｘ／ｄに比例した出力を得るようにしてもよ
い。また上述では、トランジスタQ1〜Q4を同じ
寸法の場合を説明したが、Q1とQ4のエミミツタ
面積をQ2，Q3の例えば10倍にすれば、抵抗Rr，
Raの抵抗値は１／10でよい。さらにコンパレー
タCP1，CP2の設定値VaをQ4からの電流Iaを利用
しているが、Q1からの基準電流Irを利用して得る
こともできる。この場合Q4は省略できる。
第２図は本考案変換器の他の実施例を示す接続
図で、第１図の実施例と異るところは、一対のコ
ンデンサの一方C1を可変コンデンサとし、他方
C2を固定コンデンサとしたときの、パルス幅信
号を復調して変位量ｘに対応した出力電圧E0を
得るパルス幅・電圧変換回路Ｐ／Ｖの構成にあ
る。パルス幅・電圧変換回路Ｐ／Ｖは、パルス幅
信号PW2で駆動され、出力電圧E0を係数器KCで
ｋ倍した電圧kE0と基準電圧Esとを加算した電圧
（kE0＋Es）をオンオフするスイツチSW3と、
SW3でオンオフされた電圧を平滑するフイルタ回
路FIと、フイルタ回路FIで平滑された電圧を一
定ゲインＡで増幅し出力電圧E0として出力端子
OUTに出力する増幅器AMPとからなつている。
このような構成のパルス幅・電圧変換回路Ｐ／Ｖ
では、パルス幅信号PW2でスイツチSW3が駆動
され、PW2がオフのときフイルタ回路FIに（kE0
＋Es）なる電圧を加えるので、フイルタ回路FI
の出力には次式に示す如き平均値電圧E1が生ず
る。
図で、第１図の実施例と異るところは、一対のコ
ンデンサの一方C1を可変コンデンサとし、他方
C2を固定コンデンサとしたときの、パルス幅信
号を復調して変位量ｘに対応した出力電圧E0を
得るパルス幅・電圧変換回路Ｐ／Ｖの構成にあ
る。パルス幅・電圧変換回路Ｐ／Ｖは、パルス幅
信号PW2で駆動され、出力電圧E0を係数器KCで
ｋ倍した電圧kE0と基準電圧Esとを加算した電圧
（kE0＋Es）をオンオフするスイツチSW3と、
SW3でオンオフされた電圧を平滑するフイルタ回
路FIと、フイルタ回路FIで平滑された電圧を一
定ゲインＡで増幅し出力電圧E0として出力端子
OUTに出力する増幅器AMPとからなつている。
このような構成のパルス幅・電圧変換回路Ｐ／Ｖ
では、パルス幅信号PW2でスイツチSW3が駆動
され、PW2がオフのときフイルタ回路FIに（kE0
＋Es）なる電圧を加えるので、フイルタ回路FI
の出力には次式に示す如き平均値電圧E1が生ず
る。
E1＝C2／C1＋C2（kE0＋Es） (6)
この平均値電圧E3が増幅器AMPで増幅されて
出力電圧E0となるので、AMPのゲインをＡとす
ると出力電圧E0は、 E0＝AC2／C1＋C2−kAC2Es (7) となる。一方可変コンデンサC1の容量は変位量
ｘに対し、初期容量をC0、可動電極１０と固定
電極１１間の基準間隔をｄ（ｘ＝０のとき）とす
ると、 C1＝C0ｄ／ｄ＋ｘ (8) の関係で変化する。よつて出力電圧E0は E0＝Ａ（ｄ＋ｘ）C2／ｄ（C0＋C2−kAC2）＋ｘ（C2−
kAC2）Es となる。ここで、kA＝１を満足するように係数
器KCの係数ｋを調整すれば、出力電圧E0は、 E0＝ＡC2／C0（１＋ｘ／ｄ）Es となり、しかもC0，C1，C2，ｄ，Ａ，Esは一定
値であるので、出力電圧E0は変位量ｘに正確に
対応したものとなる。なお、可変コンデンサC1
に並列にストレイ容量Csが存在し、C1＝C0
ｄ／ｄ＋ｘ＋Csなる関係で変化する場合には、kA ＝１＋（Cs／C2）を満足するように係数器KCの
係数ｋを調整すればよい。
出力電圧E0となるので、AMPのゲインをＡとす
ると出力電圧E0は、 E0＝AC2／C1＋C2−kAC2Es (7) となる。一方可変コンデンサC1の容量は変位量
ｘに対し、初期容量をC0、可動電極１０と固定
電極１１間の基準間隔をｄ（ｘ＝０のとき）とす
ると、 C1＝C0ｄ／ｄ＋ｘ (8) の関係で変化する。よつて出力電圧E0は E0＝Ａ（ｄ＋ｘ）C2／ｄ（C0＋C2−kAC2）＋ｘ（C2−
kAC2）Es となる。ここで、kA＝１を満足するように係数
器KCの係数ｋを調整すれば、出力電圧E0は、 E0＝ＡC2／C0（１＋ｘ／ｄ）Es となり、しかもC0，C1，C2，ｄ，Ａ，Esは一定
値であるので、出力電圧E0は変位量ｘに正確に
対応したものとなる。なお、可変コンデンサC1
に並列にストレイ容量Csが存在し、C1＝C0
ｄ／ｄ＋ｘ＋Csなる関係で変化する場合には、kA ＝１＋（Cs／C2）を満足するように係数器KCの
係数ｋを調整すればよい。
なお第２図において、抵抗Raにダイオード接
続したトランジスタQ5を直列接続しているのは、
スイツチSW1，SW2のトランジスタの飽和電圧の
問題を除くためである。またトランジスタQ1〜
Q4のエミツタに抵抗を挿入しているのは、Q2，
Q3のエミツタに入れた抵抗により電流比を正確
に調整できるようにするためである。
続したトランジスタQ5を直列接続しているのは、
スイツチSW1，SW2のトランジスタの飽和電圧の
問題を除くためである。またトランジスタQ1〜
Q4のエミツタに抵抗を挿入しているのは、Q2，
Q3のエミツタに入れた抵抗により電流比を正確
に調整できるようにするためである。
以上説明したように本考案は、同じ特性を示す
ようにバイポーラICプロセスで作られベースと
エミツタとがそれぞれ同じ電位にある複数個のト
ランジスタからなるカレントミラ回路を用いて、
一対のコンデンサに大きさの等しい充電電流をそ
れぞれ供給するとともに、抵抗に前記充電電流と
の比が一定な電流を供給し、前記抵抗に生ずる電
圧を設定値として一対のコンパレータに与えるこ
とによつて、温度に対して安定な容量式変換器を
簡単な構成で実現したものである。
ようにバイポーラICプロセスで作られベースと
エミツタとがそれぞれ同じ電位にある複数個のト
ランジスタからなるカレントミラ回路を用いて、
一対のコンデンサに大きさの等しい充電電流をそ
れぞれ供給するとともに、抵抗に前記充電電流と
の比が一定な電流を供給し、前記抵抗に生ずる電
圧を設定値として一対のコンパレータに与えるこ
とによつて、温度に対して安定な容量式変換器を
簡単な構成で実現したものである。
第１図は本考案変換器の一実施例を示す接続
図、第２図は本考案変換器の他の実施例を示す接
続図である。 C1，C2……一対のコンデンサ、CP1，CP2……
コンパレータ、CM……カレントミラ回路、Vr，
Vs……直流電源、Q1〜Q5……トランジスタ、
Rr，Ra……抵抗、FF……フリツプフロツプ、FI
……フイルタ、Ｐ／Ｖ……パルス幅・電圧変換回
路、SW1〜SW3…スイツチ。
図、第２図は本考案変換器の他の実施例を示す接
続図である。 C1，C2……一対のコンデンサ、CP1，CP2……
コンパレータ、CM……カレントミラ回路、Vr，
Vs……直流電源、Q1〜Q5……トランジスタ、
Rr，Ra……抵抗、FF……フリツプフロツプ、FI
……フイルタ、Ｐ／Ｖ……パルス幅・電圧変換回
路、SW1〜SW3…スイツチ。
Claims (1)
- 被測定量に応じて少なくともいずれか一方の容
量が変化する一対のコンデンサを交互に充放電さ
せ、これら一対のコンデンサの端子電圧をそれぞ
れ一対のコンパレータで監視し、その監視結果に
基づき前記一対のコンデンサの充放電の周期を制
御して、一対のコンデンサの容量の和に対応した
周期で、パルス幅がいずれか一方のコンデンサの
容量に対応したパルス幅信号を得るようにした容
量式変換器において、同じ特性を示すようにバイ
ポーラICプロセスで作られベースとエミツタと
がそれぞれ同じ電位にある複数個のトランジスタ
からなり、前記一対のコンデンサに大きさの等し
い充電電流をそれぞれ供給するとともに、抵抗に
前記充電電流との比が一定な電流を供給するカレ
ントミラ回路と、前記抵抗に生ずる電圧を設定値
として前記一対のコンパレータに与える手段とを
設けたことを特徴とする容量式変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2431482U JPS58127312U (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 容量式変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2431482U JPS58127312U (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 容量式変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127312U JPS58127312U (ja) | 1983-08-29 |
| JPH0122086Y2 true JPH0122086Y2 (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=30036317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2431482U Granted JPS58127312U (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 容量式変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127312U (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2148775B2 (de) * | 1971-09-30 | 1979-03-08 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Messeinrichtung mit kapazitivem abgriff |
| JPS5840125B2 (ja) * | 1974-11-25 | 1983-09-03 | 株式会社島津製作所 | セイデンヨウリヨウ − チヨクリユウデンアツヘンカンソウチ |
| JPS5326135A (en) * | 1976-08-24 | 1978-03-10 | Ricoh Co Ltd | Developing device for electrostatic latent image |
-
1982
- 1982-02-23 JP JP2431482U patent/JPS58127312U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58127312U (ja) | 1983-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0420238B2 (ja) | ||
| US4685048A (en) | AC-DC transformation circuit | |
| US4272822A (en) | Apparatus for converting a mechanical displacement to an electrical signal | |
| JPH0130086B2 (ja) | ||
| JPH0122085Y2 (ja) | ||
| JPS6241464Y2 (ja) | ||
| JP3036756B2 (ja) | 発振回路 | |
| JPH089618Y2 (ja) | サーミスタ温度変換回路 | |
| JPS6020004Y2 (ja) | 容量式変換器 | |
| JPH062345Y2 (ja) | 近接スイツチ | |
| JPH0831783B2 (ja) | 波形整形回路 | |
| JPS6118461Y2 (ja) | ||
| JPH0412464Y2 (ja) | ||
| JPS6119141B2 (ja) | ||
| JPS64613Y2 (ja) | ||
| JPH0353180Y2 (ja) | ||
| JPH0728736Y2 (ja) | 電圧−周波数変換回路 | |
| JPH0326673Y2 (ja) | ||
| JPH0431612Y2 (ja) | ||
| JPS6117300B2 (ja) | ||
| JPH021458B2 (ja) | ||
| JPS6342330Y2 (ja) | ||
| JPH035992Y2 (ja) | ||
| JPH0215128Y2 (ja) | ||
| JP3194738B2 (ja) | Ｃｒ発振回路 |