JPH01226122A - 厚膜基板の製造方法 - Google Patents
厚膜基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01226122A JPH01226122A JP63052861A JP5286188A JPH01226122A JP H01226122 A JPH01226122 A JP H01226122A JP 63052861 A JP63052861 A JP 63052861A JP 5286188 A JP5286188 A JP 5286188A JP H01226122 A JPH01226122 A JP H01226122A
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- Japan
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- resistor
- paste
- film substrate
- conductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は特に卑金属系の導体層と、ガラス組成物でなる
絶縁体層とを同時に形成し得るようにした厚膜基板の製
造方法に関する。
絶縁体層とを同時に形成し得るようにした厚膜基板の製
造方法に関する。
従来の技術
厚膜基板の従来の製造方法は、まず例えばアルミナ等の
セラミック材料で形成された絶縁基板に、一対の配線導
体層を形成する。この配線導体層は、例えば銀−パラジ
ウム（ムｆ −Ｐｄ ）粉末を含む導体ペーストを、ス
クリーン印刷法を用いて印刷・焼成させることによシ形
成されるものである。
セラミック材料で形成された絶縁基板に、一対の配線導
体層を形成する。この配線導体層は、例えば銀−パラジ
ウム（ムｆ −Ｐｄ ）粉末を含む導体ペーストを、ス
クリーン印刷法を用いて印刷・焼成させることによシ形
成されるものである。
そして、上記一対の配線導体層間に、例えば酸化ルテニ
ウム（Ｒｕ０２）粉末及びガラスフリットを含む抵抗ペ
ーストを、スクリーン印刷法を用いて印刷、焼成させる
ことにより、抵抗体を形成する。
ウム（Ｒｕ０２）粉末及びガラスフリットを含む抵抗ペ
ーストを、スクリーン印刷法を用いて印刷、焼成させる
ことにより、抵抗体を形成する。
一方、上記銀−パラジウム系の導体ペーストは、インピ
ーダンス（導体抵抗）が単位体積当たり２０〜６０（ｍ
Ω）と高く、吸湿による銀の移行現象（マイグレーシラ
ン）で絶縁劣化を生じゃすく、さらには貴金属であるた
め経済的に不利になるという種々の問題を有している。
ーダンス（導体抵抗）が単位体積当たり２０〜６０（ｍ
Ω）と高く、吸湿による銀の移行現象（マイグレーシラ
ン）で絶縁劣化を生じゃすく、さらには貴金属であるた
め経済的に不利になるという種々の問題を有している。
そこで近年では、銀−パラジウム系の導体ペーストに代
えて卑金属系の導体ペーストを使用することが考えられ
ている。特に銅系の導体ペーストは、チッ素ガス雰囲気
中で低温（６５０〜６６０°Ｃ）で焼成すると、単位体
積あたり２〜５（ｍΩ）と低インピーダンスの導体を形
成することができると共に、経済的にも有利であるとい
う利点をもっている。
えて卑金属系の導体ペーストを使用することが考えられ
ている。特に銅系の導体ペーストは、チッ素ガス雰囲気
中で低温（６５０〜６６０°Ｃ）で焼成すると、単位体
積あたり２〜５（ｍΩ）と低インピーダンスの導体を形
成することができると共に、経済的にも有利であるとい
う利点をもっている。
しかしながら、銅系の導体ペーストを用いる場合、抵抗
体を形成するための材料、つまり抵抗ペーストとして、
チッ素ガス雰囲気中で焼成して実用範囲の抵抗値を得る
ことができる材料が、現状では開発されていないもので
ある。すなわち現状の抵抗ベース）（ＲｕＯ２）は、チ
ッ素ガス雰囲気中で数回焼成した場合、その抵抗値が大
きく変動したり、抵抗体の温度係数（ＴＣＲ）が著しく
劣化するという問題点を有している。
体を形成するための材料、つまり抵抗ペーストとして、
チッ素ガス雰囲気中で焼成して実用範囲の抵抗値を得る
ことができる材料が、現状では開発されていないもので
ある。すなわち現状の抵抗ベース）（ＲｕＯ２）は、チ
ッ素ガス雰囲気中で数回焼成した場合、その抵抗値が大
きく変動したり、抵抗体の温度係数（ＴＣＲ）が著しく
劣化するという問題点を有している。
以下に従来の厚膜基板の製造方法について説明する。
第２図ａにおいて、アルミナ等のセラミック材料からな
る絶縁基板２１に、酸化ルテニウム系の抵抗ペーストを
印刷し空気中で約８６０℃〜９００°Ｃの高温で焼成し
て抵抗体２２を形成する。次に、第２図すに示すように
、抵抗体２２に接合するように銅系の導体ペーストを印
刷し、チッ素ガス雰囲気中で約５５０’Ｃ〜６００”Ｃ
の温度で焼成し導体層２３を形成する。その後、導体層
２３及び抵抗体２２の所定部を覆うように低融点結晶化
ガラス誘電体系の絶縁ペーストを印刷し、チッ素ガス雰
囲気中で約５５０°Ｃ〜６００’Ｃの温度で焼成し、絶
縁体層２４を形成する。
る絶縁基板２１に、酸化ルテニウム系の抵抗ペーストを
印刷し空気中で約８６０℃〜９００°Ｃの高温で焼成し
て抵抗体２２を形成する。次に、第２図すに示すように
、抵抗体２２に接合するように銅系の導体ペーストを印
刷し、チッ素ガス雰囲気中で約５５０’Ｃ〜６００”Ｃ
の温度で焼成し導体層２３を形成する。その後、導体層
２３及び抵抗体２２の所定部を覆うように低融点結晶化
ガラス誘電体系の絶縁ペーストを印刷し、チッ素ガス雰
囲気中で約５５０°Ｃ〜６００’Ｃの温度で焼成し、絶
縁体層２４を形成する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記の従来の構成では、抵抗体形成後に
、導体及び絶縁体層を形成する際の約５６０°Ｃ〜６５
０’Ｃの温度による繰り返し焼成によって抵抗値が大き
く変動したり、抵抗体の温度係数（ＴＣＲ）が著しく劣
化するため、抵抗値安定性に欠け、量産が困難という問
題を有していた。
、導体及び絶縁体層を形成する際の約５６０°Ｃ〜６５
０’Ｃの温度による繰り返し焼成によって抵抗値が大き
く変動したり、抵抗体の温度係数（ＴＣＲ）が著しく劣
化するため、抵抗値安定性に欠け、量産が困難という問
題を有していた。
本発明は、上記従来の問題点を解決するためのもので、
抵抗体形成後、導体層及び絶縁体層を同時に形成するた
め、焼成回数が抵抗体形成後１回でよく、抵抗値の変動
を少なく抑えることができ、ＴＣＨの劣化も少ない安定
した、実用的で極めて良好な抵抗体と、その製造方法を
提供することを目的とする。
抵抗体形成後、導体層及び絶縁体層を同時に形成するた
め、焼成回数が抵抗体形成後１回でよく、抵抗値の変動
を少なく抑えることができ、ＴＣＨの劣化も少ない安定
した、実用的で極めて良好な抵抗体と、その製造方法を
提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明に係る厚膜基板の製造方法は、絶縁基板上に抵抗
ペーストを印刷し、空気中で焼成して抵抗体を形成する
第１の工程と、この第１の工程の後、前記絶縁基板上に
卑金属系の導体ペーストを印刷し乾燥させた後、その上
に低融点ガラス組成物でなる絶縁ペーストを印刷し、非
酸化性雰囲気で焼成して導体層及び絶縁体層を同時に形
成する第２の工程とを具備する構成を有している。
ペーストを印刷し、空気中で焼成して抵抗体を形成する
第１の工程と、この第１の工程の後、前記絶縁基板上に
卑金属系の導体ペーストを印刷し乾燥させた後、その上
に低融点ガラス組成物でなる絶縁ペーストを印刷し、非
酸化性雰囲気で焼成して導体層及び絶縁体層を同時に形
成する第２の工程とを具備する構成を有している。
作用
この構成によって、抵抗体の抵抗値変動を少なく抑える
ことができ、ＴＣＨの劣化の少ない安定した実用的で極
めて良好な抵抗体と、その製造方法を提供することがで
きる。
ことができ、ＴＣＨの劣化の少ない安定した実用的で極
めて良好な抵抗体と、その製造方法を提供することがで
きる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は、本発明の一実施例における厚膜基板の断面図
を示すものである。第１図ａにおいて、１１はアルミナ
等のセラミック基板で、酸化ルテニウム系の抵抗ペース
トを印刷し空気中で約８５０〜９００°Ｃの高温で約５
０分間焼成することにより抵抗体１２を形成する。次に
第１図すに示すように、抵抗体１２に接合するように銅
系の導体ペーストを印刷し、乾燥させる。次に上記抵抗
体１２及び導体ペーストの所定部を覆うように低融点ガ
ラス組成物からなる絶縁ペーストを印刷し、乾燥させ、
チッ素ガス雰囲気中で約５５０〜６５０’Ｃの温度で焼
成して、導体層１３及び絶縁体層１４を同時に形成する
。
を示すものである。第１図ａにおいて、１１はアルミナ
等のセラミック基板で、酸化ルテニウム系の抵抗ペース
トを印刷し空気中で約８５０〜９００°Ｃの高温で約５
０分間焼成することにより抵抗体１２を形成する。次に
第１図すに示すように、抵抗体１２に接合するように銅
系の導体ペーストを印刷し、乾燥させる。次に上記抵抗
体１２及び導体ペーストの所定部を覆うように低融点ガ
ラス組成物からなる絶縁ペーストを印刷し、乾燥させ、
チッ素ガス雰囲気中で約５５０〜６５０’Ｃの温度で焼
成して、導体層１３及び絶縁体層１４を同時に形成する
。
以上のように本実施例によれば、抵抗体を形成した後の
チッ素雰囲気中での焼成回数が少ないため、抵抗体の抵
抗値変動を少なく抑えることができ、極めて良好な厚膜
基板の製造方法を提供することができる。
チッ素雰囲気中での焼成回数が少ないため、抵抗体の抵
抗値変動を少なく抑えることができ、極めて良好な厚膜
基板の製造方法を提供することができる。
なお本実施例では、導体層１３を銅系の材料としたが、
導体層１３は、ニッケル、アルミ等の卑金属材料でもよ
い。
導体層１３は、ニッケル、アルミ等の卑金属材料でもよ
い。
発明の効果
本発明は、絶縁基板上に抵抗ペーストを印刷し、空気中
で焼成して抵抗体を形成する第一の工程と、この第一の
工程の後、前記絶縁基板上に卑金属系の導体ペーストを
印刷し乾燥させた後、前記抵抗体と前記卑金属系の導体
ペーストの所定部ヲ？ｆｆつように低融点ガラス組成物
でなる絶縁ペーストラ印刷し、非酸化性雰囲気で焼成し
て導体層及び絶縁体層とを同時に形成する第二の工程と
を具備することにより、繰り返し焼成による抵抗値変動
が少なく、抵抗体の温度係数（ＴＣＲ）の劣化も少ない
極めて良好な特性の抵抗体を提供することができ、さら
に焼成回数が少ないことにより大幅な工数削減ができる
優れた厚膜基板の製造方法を実現できるものである。
で焼成して抵抗体を形成する第一の工程と、この第一の
工程の後、前記絶縁基板上に卑金属系の導体ペーストを
印刷し乾燥させた後、前記抵抗体と前記卑金属系の導体
ペーストの所定部ヲ？ｆｆつように低融点ガラス組成物
でなる絶縁ペーストラ印刷し、非酸化性雰囲気で焼成し
て導体層及び絶縁体層とを同時に形成する第二の工程と
を具備することにより、繰り返し焼成による抵抗値変動
が少なく、抵抗体の温度係数（ＴＣＲ）の劣化も少ない
極めて良好な特性の抵抗体を提供することができ、さら
に焼成回数が少ないことにより大幅な工数削減ができる
優れた厚膜基板の製造方法を実現できるものである。
第１図ａ、ｂは本発明に係る厚膜基板の製造方法の一実
施例を示す断面図、第２図ａ −ｃは従来の厚膜基板の
製造方法を示す断面図である。 １１・・・・・絶縁基板、１２・・・・・・抵抗体、１
３・・・・導体層、１４・・・・・・絶縁体層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
−一砒娩城五板 Ｉど一一−よ氏抗拳に ノ３−一 導 右ト１ １４−一胞Ｊｉ林１ １／ （ｂ’）
施例を示す断面図、第２図ａ −ｃは従来の厚膜基板の
製造方法を示す断面図である。 １１・・・・・絶縁基板、１２・・・・・・抵抗体、１
３・・・・導体層、１４・・・・・・絶縁体層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
−一砒娩城五板 Ｉど一一−よ氏抗拳に ノ３−一 導 右ト１ １４−一胞Ｊｉ林１ １／ （ｂ’）
Claims (1)
- 絶縁基板上に抵抗ペーストを印刷し空気中で焼成して
抵抗体を形成する第１の工程と、この第１の工程の後、
前記絶縁基板上に卑金属系の導体ペーストを印刷し乾燥
させた後、その上に低融点ガラス組成物でなる絶縁ペー
ストを印刷し、非酸化性雰囲気で焼成して導体層及び絶
縁体層を同時に形成する第２の工程とを具備してなるこ
とを特徴とする厚膜基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052861A JPH0748406B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 厚膜基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052861A JPH0748406B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 厚膜基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01226122A true JPH01226122A (ja) | 1989-09-08 |
| JPH0748406B2 JPH0748406B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=12926650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63052861A Expired - Lifetime JPH0748406B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 厚膜基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748406B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57118660A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of thick film hybrid integrated circuit |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63052861A patent/JPH0748406B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57118660A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of thick film hybrid integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748406B2 (ja) | 1995-05-24 |
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