JPH0748406B2 - 厚膜基板の製造方法 - Google Patents
厚膜基板の製造方法Info
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- JPH0748406B2 JPH0748406B2 JP63052861A JP5286188A JPH0748406B2 JP H0748406 B2 JPH0748406 B2 JP H0748406B2 JP 63052861 A JP63052861 A JP 63052861A JP 5286188 A JP5286188 A JP 5286188A JP H0748406 B2 JPH0748406 B2 JP H0748406B2
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は特に卑金属系の導体層と、ガラス組成物である
絶縁体層とを同時に形成し得るようにした厚膜基板の製
造方法に関する。
絶縁体層とを同時に形成し得るようにした厚膜基板の製
造方法に関する。
従来の技術 厚膜基板の従来の製造方法は、まず例えばアルミナ等の
セラミック材料で形成された絶縁基板に、一対の配線導
体層を形成する。この配線導体層は、例えば銀−パラジ
ウム（Ag−Pd）粉末を含む導体ペーストを、スクリーン
印刷法を用いて印刷・焼成させることにより形成される
ものである。
セラミック材料で形成された絶縁基板に、一対の配線導
体層を形成する。この配線導体層は、例えば銀−パラジ
ウム（Ag−Pd）粉末を含む導体ペーストを、スクリーン
印刷法を用いて印刷・焼成させることにより形成される
ものである。
そして、上記一対の配線導体層間に、例えば酸化ルテニ
ウム（RuO2）粉末及びガラスフリットを含む抵抗ペース
トを、スクリーン印刷法を用いて印刷，焼成させること
により、抵抗体を形成する。
ウム（RuO2）粉末及びガラスフリットを含む抵抗ペース
トを、スクリーン印刷法を用いて印刷，焼成させること
により、抵抗体を形成する。
一方、上記銀−パラジウム系の導体ペーストは、インピ
ーダンス（導体抵抗）が単位体積当たり20〜50（ｍΩ）
と高く、吸湿による銀の移行現象（マイグレーション）
で絶縁劣化を生じやすく、さらには貴金属であるため経
済的に不利になるという種々の問題を有している。
ーダンス（導体抵抗）が単位体積当たり20〜50（ｍΩ）
と高く、吸湿による銀の移行現象（マイグレーション）
で絶縁劣化を生じやすく、さらには貴金属であるため経
済的に不利になるという種々の問題を有している。
そこで近年では、銀−パラジウム系の導体ペーストに代
えて卑金属系の導体ペーストを使用することが考えられ
ている。特に銅系の導体ペーストは、チッ素ガス雰囲気
中で低温（550〜650℃）で焼成すると、単位体積あたり
２〜５（ｍΩ）と低インピーダンスの導体を形成するこ
とができると共に、経済的にも有利であるという利点を
もっている。
えて卑金属系の導体ペーストを使用することが考えられ
ている。特に銅系の導体ペーストは、チッ素ガス雰囲気
中で低温（550〜650℃）で焼成すると、単位体積あたり
２〜５（ｍΩ）と低インピーダンスの導体を形成するこ
とができると共に、経済的にも有利であるという利点を
もっている。
しかしながら、銅系の導体ペーストを用いる場合、抵抗
体を形成するための材料、つまり抵抗ペーストとして、
チッ素ガス雰囲気中で焼成して実用範囲の抵抗値を得る
ことができる材料が、現状では開発されていないもので
ある。すなわち現状の抵抗ペースト（RuO2）は、チッ素
ガス雰囲気中で数回焼成した場合、その抵抗値が大きく
変動したり、抵抗体の温度係数（TCR）が著しく劣化す
るという問題点を有している。
体を形成するための材料、つまり抵抗ペーストとして、
チッ素ガス雰囲気中で焼成して実用範囲の抵抗値を得る
ことができる材料が、現状では開発されていないもので
ある。すなわち現状の抵抗ペースト（RuO2）は、チッ素
ガス雰囲気中で数回焼成した場合、その抵抗値が大きく
変動したり、抵抗体の温度係数（TCR）が著しく劣化す
るという問題点を有している。
以下に従来の厚膜基板の製造方法について説明する。
第２図ａにおいて、アルミナ等のセラミック材料からな
る絶縁基板21に、酸化ルテニウム系の抵抗ペーストを印
刷し空気中で約850℃〜900℃の高温で焼成して抵抗体22
を形成する。次に、第２図ｂに示すように、抵抗体22に
接合するように銅系の導体ペーストを印刷し、チッ素ガ
ス雰囲気中で約550℃〜600℃の温度で焼成し導体層23を
形成する。その後、導体層23及び抵抗体22の所定部を覆
うように低融点結晶化ガラス誘電体系の絶縁ペーストを
印刷し、チッ素ガス雰囲気中で約550℃〜600℃の温度で
焼成し、絶縁体層24を形成する。
る絶縁基板21に、酸化ルテニウム系の抵抗ペーストを印
刷し空気中で約850℃〜900℃の高温で焼成して抵抗体22
を形成する。次に、第２図ｂに示すように、抵抗体22に
接合するように銅系の導体ペーストを印刷し、チッ素ガ
ス雰囲気中で約550℃〜600℃の温度で焼成し導体層23を
形成する。その後、導体層23及び抵抗体22の所定部を覆
うように低融点結晶化ガラス誘電体系の絶縁ペーストを
印刷し、チッ素ガス雰囲気中で約550℃〜600℃の温度で
焼成し、絶縁体層24を形成する。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記の従来の構成では、抵抗体形成後
に、導体及び導体層を形成する際の約550℃〜650℃の温
度による繰り返し焼成によって抵抗値が大きく変動した
り、抵抗体の温度係数（TCR）が著しく劣化するため、
抵抗値安定性に欠け、量産が困難という問題を有してい
た。
に、導体及び導体層を形成する際の約550℃〜650℃の温
度による繰り返し焼成によって抵抗値が大きく変動した
り、抵抗体の温度係数（TCR）が著しく劣化するため、
抵抗値安定性に欠け、量産が困難という問題を有してい
た。
本発明は、上記従来の問題点を解決するためのもので、
抵抗体形成後、導体層及び絶縁体層を同時に形成するた
め、焼成回数が抵抗体形成後１回でよく、抵抗値の変動
を少なく抑えることができ、TCRの劣化も少ない安定し
た、実用的で極めて良好な抵抗体と、その製造方法を提
供することを目的とする。
抵抗体形成後、導体層及び絶縁体層を同時に形成するた
め、焼成回数が抵抗体形成後１回でよく、抵抗値の変動
を少なく抑えることができ、TCRの劣化も少ない安定し
た、実用的で極めて良好な抵抗体と、その製造方法を提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明に係る厚膜基板の製造方法は、絶縁基板上に抵抗
ペーストを印刷し、空気中で焼成して抵抗体を形成する
第１の工程と、この第１の工程の後、前記絶縁基板上に
銅系の導体ペーストを印刷し乾燥させた後、その上に低
融点ガラス組成物でなる絶縁ペーストを印刷し、非酸化
性雰囲気で焼成して導体層及び絶縁体層を同時に形成す
る第２の工程とを具備する構成を有している。
ペーストを印刷し、空気中で焼成して抵抗体を形成する
第１の工程と、この第１の工程の後、前記絶縁基板上に
銅系の導体ペーストを印刷し乾燥させた後、その上に低
融点ガラス組成物でなる絶縁ペーストを印刷し、非酸化
性雰囲気で焼成して導体層及び絶縁体層を同時に形成す
る第２の工程とを具備する構成を有している。
作用 この構成によって、抵抗体の抵抗値変動を少なく抑える
ことができ、TCRの劣化の少ない安定した実用的に極め
て良好な抵抗体と、その製造方法を提供することができ
る。
ことができ、TCRの劣化の少ない安定した実用的に極め
て良好な抵抗体と、その製造方法を提供することができ
る。
実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は、本発明の一実施例における厚膜基板の断面図
を示すものである。第１図ａにおいて、11はアルミナ等
のセラミック基板で、酸化ルテニウム系の抵抗ペースト
を印刷し空気中で約850〜900℃の高温で約50分間焼成す
ることにより抵抗体12を形成する。次に第１図ｂに示す
ように、抵抗体12に接合するように銅系の導体ペースト
を印刷し、乾燥させる。次に上記抵抗体12及び導体ペー
ストの所定部を覆うように低融点ガラス組成物からなる
絶縁ペーストを印刷し、乾燥させ、チッ素ガス雰囲気中
で約550〜650℃の温度で焼成して、導体層13及び絶縁体
層14を同時に形成する。
を示すものである。第１図ａにおいて、11はアルミナ等
のセラミック基板で、酸化ルテニウム系の抵抗ペースト
を印刷し空気中で約850〜900℃の高温で約50分間焼成す
ることにより抵抗体12を形成する。次に第１図ｂに示す
ように、抵抗体12に接合するように銅系の導体ペースト
を印刷し、乾燥させる。次に上記抵抗体12及び導体ペー
ストの所定部を覆うように低融点ガラス組成物からなる
絶縁ペーストを印刷し、乾燥させ、チッ素ガス雰囲気中
で約550〜650℃の温度で焼成して、導体層13及び絶縁体
層14を同時に形成する。
以上のように本実施例によれば、抵抗体を形成した後の
チッ素雰囲気中での焼成回数が少ないため、抵抗体の抵
抗値変動を少なく抑えることができ、極めて良好な厚膜
基板の製造方法を提供することができる。
チッ素雰囲気中での焼成回数が少ないため、抵抗体の抵
抗値変動を少なく抑えることができ、極めて良好な厚膜
基板の製造方法を提供することができる。
発明の効果 本発明は、絶縁基板上に抵抗ペーストを印刷し、空気中
で焼成して抵抗体を形成する第一の工程と、この第一の
工程の後、前記絶縁基板上に銅系の導体ペーストを印刷
し乾燥させた後、前記抵抗体と前記銅系の導体ペースト
の所定部を覆うように低融点ガラス組成物である絶縁ペ
ーストを印刷し、非酸化性雰囲気で焼成して導体層及び
絶縁体層とを同時に形成する第二の工程とを具備するこ
とにより、繰り返し焼成による抵抗値変動が少なく、抵
抗体の温度係数（TCR）の劣化も少ない極めて良好な特
性の抵抗体を提供することができ、さらに焼成回数が少
ないことにより大幅な工数削減ができる優れた厚膜基板
の製造方法を実現できるものである。
で焼成して抵抗体を形成する第一の工程と、この第一の
工程の後、前記絶縁基板上に銅系の導体ペーストを印刷
し乾燥させた後、前記抵抗体と前記銅系の導体ペースト
の所定部を覆うように低融点ガラス組成物である絶縁ペ
ーストを印刷し、非酸化性雰囲気で焼成して導体層及び
絶縁体層とを同時に形成する第二の工程とを具備するこ
とにより、繰り返し焼成による抵抗値変動が少なく、抵
抗体の温度係数（TCR）の劣化も少ない極めて良好な特
性の抵抗体を提供することができ、さらに焼成回数が少
ないことにより大幅な工数削減ができる優れた厚膜基板
の製造方法を実現できるものである。
第１図a,bは本発明に係る厚膜基板の製造方法の一実施
例を示す断面図、第２図ａ〜ｃは従来の厚膜基板の製造
方法を示す断面図である。 11……絶縁基板、12……抵抗体、13……導体層、14……
絶縁体層。
例を示す断面図、第２図ａ〜ｃは従来の厚膜基板の製造
方法を示す断面図である。 11……絶縁基板、12……抵抗体、13……導体層、14……
絶縁体層。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上に抵抗ペーストを印刷し空気中
で焼成して抵抗体を形成する第１の工程と、この第１の
工程の後、前記絶縁基板上に銅を主成分とする導体ペー
ストを印刷して乾燥させ、その表面上に低融点ガラス組
成物である絶縁ペーストを印刷して乾燥させた後、チッ
素ガス雰囲気で550〜650℃の温度で焼成して導体層及び
絶縁体層を同時に形成する第２の工程とを具備してなる
ことを特徴とする厚膜基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052861A JPH0748406B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 厚膜基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052861A JPH0748406B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 厚膜基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01226122A JPH01226122A (ja) | 1989-09-08 |
| JPH0748406B2 true JPH0748406B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=12926650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63052861A Expired - Lifetime JPH0748406B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 厚膜基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748406B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57118660A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of thick film hybrid integrated circuit |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63052861A patent/JPH0748406B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01226122A (ja) | 1989-09-08 |
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