JPH01226162A - 半導体チップの接続方法 - Google Patents
半導体チップの接続方法Info
- Publication number
- JPH01226162A JPH01226162A JP63052848A JP5284888A JPH01226162A JP H01226162 A JPH01226162 A JP H01226162A JP 63052848 A JP63052848 A JP 63052848A JP 5284888 A JP5284888 A JP 5284888A JP H01226162 A JPH01226162 A JP H01226162A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- substrate
- electrode
- connection
- insulating adhesive
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体チップと基板上の接続電極との電気的
接続に関するものであり、特に、フェースダウンボンデ
ィング法に係る電気的接続方法に関するものである。
接続に関するものであり、特に、フェースダウンボンデ
ィング法に係る電気的接続方法に関するものである。
従来の技術
従来、電子部品の接続端子と基板上の回路パターン端子
との接続には半田付けがよく利用されていたが、近年、
例えばＩＣフラットパッケージ等の小型化と、接続端子
の増加により、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次第
に狭くなり、従来の半田付は技術で対処することが次第
に困難になって来た。
との接続には半田付けがよく利用されていたが、近年、
例えばＩＣフラットパッケージ等の小型化と、接続端子
の増加により、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次第
に狭くなり、従来の半田付は技術で対処することが次第
に困難になって来た。
そこで、最近では裸の半導体チップを基板上の接続電極
に直付けして実装面積の効率的使用を図ろうとする方法
が考案されてきた。なかでも、半導体チップを基板上に
接続するに際し、半導体チツブをフェースダウン（下向
き）にして、あらかじめ端子電極上にメツキ等により形
成したハンダからなる突起電極（バンプ）を高温に加熱
して融着する方法が、接続後の機械的強度が強く、接続
の回数も１回で済むことなどから有益な方法であるとさ
れている。
に直付けして実装面積の効率的使用を図ろうとする方法
が考案されてきた。なかでも、半導体チップを基板上に
接続するに際し、半導体チツブをフェースダウン（下向
き）にして、あらかじめ端子電極上にメツキ等により形
成したハンダからなる突起電極（バンプ）を高温に加熱
して融着する方法が、接続後の機械的強度が強く、接続
の回数も１回で済むことなどから有益な方法であるとさ
れている。
以下図面を参照しながら、上述した従来のハンダバンプ
による半導体チップの接続方法の一例について説明する
。
による半導体チップの接続方法の一例について説明する
。
第３図は従来のハンダバンプによる半導体チップの接続
方法の概略説明図である。第３図において、７は半導体
チップで、８は端子電極である。
方法の概略説明図である。第３図において、７は半導体
チップで、８は端子電極である。
９はハンダからなる突起電極（バンプ）である。
ＩＯは接続電極で、１１は基板である。
以上のように構成されたハンダバンプによる半導体チッ
プの接続方法について、以下その概略について説明する
。
プの接続方法について、以下その概略について説明する
。
まず、半導体チップ７の端子電極８にあらかじめハンダ
からなる突起電極（バンプ）９を形成しておき、この半
導体チップ７を下向きにして基板１１の接続電極１０に
位置合せを行う。その後、２００〜３００℃の高温に加
熱してハンダを溶融し、融着させることによって電気的
接続を得るものである。
からなる突起電極（バンプ）９を形成しておき、この半
導体チップ７を下向きにして基板１１の接続電極１０に
位置合せを行う。その後、２００〜３００℃の高温に加
熱してハンダを溶融し、融着させることによって電気的
接続を得るものである。
このような突起電極（バンプ）９は、まず半導体チップ
７の端子電極８に、Ｃｒ ％ Ｃｕ 、Ａ ｕ等の金属
薄膜を形成した後、メツキによりハンダを積層して形成
するものである。
７の端子電極８に、Ｃｒ ％ Ｃｕ 、Ａ ｕ等の金属
薄膜を形成した後、メツキによりハンダを積層して形成
するものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような方法では、
＋１） ハンダを溶融する際に高温に加熱する必要が
あり、熱応力の影響を受は易い。
あり、熱応力の影響を受は易い。
（２）ハンダによる接続のために基板側の接続電極がハ
ンダ接続可能なものである必要があり、汎用性に欠ける
。
ンダ接続可能なものである必要があり、汎用性に欠ける
。
（３）突起電極（バンプ）を形成するハンダが加熱溶融
する際に流れ、ショートが発生する危険がある。
する際に流れ、ショートが発生する危険がある。
（４） 基板への固定が突起電極（バンプ）部のみで
なされているため接着強度が弱（、接続の安定性に欠け
る。
なされているため接着強度が弱（、接続の安定性に欠け
る。
などといった課題を有していた。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その
目的とする所は、半導体チップと実装基板とを容易に、
かつ、信頼性良く電気的接続を行う接続方法を提供する
ことである。
目的とする所は、半導体チップと実装基板とを容易に、
かつ、信頼性良く電気的接続を行う接続方法を提供する
ことである。
課題を解決するための手段
本発明は上記の課題を解決するため、微細端子電極が形
成された半導体チップの配線パターンを具えた基板への
電気的接続において、該半導体チ・７プ上の端子電極部
を除く所定の位置、または、該基板上の接続電極部を除
く所定の位置に熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布、または
、転写によって形成する工程と、該基板上の所定の位置
に前記半導体チップを載置する工程と、該基板と該半導
体チップとを加圧しながら加熱し、前記絶縁性接着剤を
硬化せしめ、該基板の接続電極への該半導体チ・ノブの
電気的接続を得る工程とからなることを特徴として半導
体チップの電気的な接続を実現しようとするものである
。
成された半導体チップの配線パターンを具えた基板への
電気的接続において、該半導体チ・７プ上の端子電極部
を除く所定の位置、または、該基板上の接続電極部を除
く所定の位置に熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布、または
、転写によって形成する工程と、該基板上の所定の位置
に前記半導体チップを載置する工程と、該基板と該半導
体チップとを加圧しながら加熱し、前記絶縁性接着剤を
硬化せしめ、該基板の接続電極への該半導体チ・ノブの
電気的接続を得る工程とからなることを特徴として半導
体チップの電気的な接続を実現しようとするものである
。
作用
本発明は上記した方法によって、半導体チップ上の端子
電極にあらかじめ形成した突起電極（ハンプ）を基板の
接続電極に絶縁性接着剤の加熱硬化により圧着した状態
で保持することにより、電気的接続を行い、かつ、この
絶縁性接着剤によって半導体チップを固定するため、容
易で信頼性の高い半導体チップの電気的な接続が可能と
なる。
電極にあらかじめ形成した突起電極（ハンプ）を基板の
接続電極に絶縁性接着剤の加熱硬化により圧着した状態
で保持することにより、電気的接続を行い、かつ、この
絶縁性接着剤によって半導体チップを固定するため、容
易で信頼性の高い半導体チップの電気的な接続が可能と
なる。
実施例
以下、本発明の一実施例の半導体チップの接続方法につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例における半導体チップの
接続方法の概略説明図である。第１図において、ｌは半
導体チップ、２は端子電極、３は突起電極（バンプ）で
ある。４は熱硬化性の絶縁性接着剤である。５は接続電
極であり、６は基板である。
接続方法の概略説明図である。第１図において、ｌは半
導体チップ、２は端子電極、３は突起電極（バンプ）で
ある。４は熱硬化性の絶縁性接着剤である。５は接続電
極であり、６は基板である。
以上のように構成された半導体チップの接続方法につい
て、以下図面を用いてその動作を説明する。
て、以下図面を用いてその動作を説明する。
まず、半導体チップ１の端子電極２にあらかじめ突起電
極（バンプ）３を形成しておき、この半導体チップ１の
端子電極２部を除く所定の位置にデイスペンサーによる
塗布やスタンピングによる転写などによって、熱硬化性
の絶縁性接着剤４を形成する。
極（バンプ）３を形成しておき、この半導体チップ１の
端子電極２部を除く所定の位置にデイスペンサーによる
塗布やスタンピングによる転写などによって、熱硬化性
の絶縁性接着剤４を形成する。
そして、第１図（ａ）に示す様に、この半導体チップ１
を下向きにして基板６の接続電極５に位置合せを行い、
基板６上に半導体チップｌを載置した後、加圧しながら
加熱し絶縁性接着剤４を硬化させることによって、第１
図（ｂ）に示す様に、突起電極（ハンプ）３と接続電極
５が圧着した状態で保持される。
を下向きにして基板６の接続電極５に位置合せを行い、
基板６上に半導体チップｌを載置した後、加圧しながら
加熱し絶縁性接着剤４を硬化させることによって、第１
図（ｂ）に示す様に、突起電極（ハンプ）３と接続電極
５が圧着した状態で保持される。
このとき、絶縁性接着剤４は硬化反応が進むにつれて熱
収縮するため、半導体子ツブ１の突起電極（バンプ）３
と基板６の接続電極５の間での密着性が増し接続の安定
性が向上できる。
収縮するため、半導体子ツブ１の突起電極（バンプ）３
と基板６の接続電極５の間での密着性が増し接続の安定
性が向上できる。
また、絶縁性接着剤４の加熱硬化は、ハンダによる接続
に比べて低温で行うため、熱応力による影響を軽減する
ことができ、かつ、絶縁性接着剤４によって半導体チッ
プ１の固定を行っているため、極めて安定な接続が得ら
れる。
に比べて低温で行うため、熱応力による影響を軽減する
ことができ、かつ、絶縁性接着剤４によって半導体チッ
プ１の固定を行っているため、極めて安定な接続が得ら
れる。
さらに、突起電極（バンプ）３と接続電極５の電気的接
続は圧着による接触状態で行うため、突起電極（バンプ
）３の構成材料はハンダである必要はなく導電体であれ
ばいかなるものでもよく、かつ、基板６の接続電極５の
材質を配線材料であればいかなるものでもよい。
続は圧着による接触状態で行うため、突起電極（バンプ
）３の構成材料はハンダである必要はなく導電体であれ
ばいかなるものでもよく、かつ、基板６の接続電極５の
材質を配線材料であればいかなるものでもよい。
以上のようにして、半導体チップｌと基板６を極めて安
定に、かつ、汎用性のある方法で接続が可能となる。
定に、かつ、汎用性のある方法で接続が可能となる。
第２図は本発明の第２の実施例における半導体チップの
接続方法の概略説明図である。
接続方法の概略説明図である。
第１の実施例と異なるのは、第２図（ａｌに示したよう
に絶縁性接着剤４を基板６の接続電極５部を除く所定の
位置にデイスペンサーによる塗布やスタンピングによる
転写などによって形成した点である。
に絶縁性接着剤４を基板６の接続電極５部を除く所定の
位置にデイスペンサーによる塗布やスタンピングによる
転写などによって形成した点である。
これにより、半導体チップｌ上に絶縁性接着剤４の形成
が困難な場合にも本発明による接続方法が適用できる。
が困難な場合にも本発明による接続方法が適用できる。
なお、実施例において突起電極（バンプ）３を半導体チ
ップｌの端子電極２に形成するとしたが、基板６の接続
電極５に形成してもよい。
ップｌの端子電極２に形成するとしたが、基板６の接続
電極５に形成してもよい。
また、突起電極（バンプ）３の形成は、従来例のハンダ
バンプのようにメツキによる形成に限られたものでなく
、いかなる方法による形成を行ってもよい。
バンプのようにメツキによる形成に限られたものでなく
、いかなる方法による形成を行ってもよい。
さらに、絶縁性接着剤４の材質は、エポキシ系樹脂、シ
リコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂
等、熱収縮性があって、かつ、熱硬化性の絶縁性接着剤
であればいかなるものでもよい。
リコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂
等、熱収縮性があって、かつ、熱硬化性の絶縁性接着剤
であればいかなるものでもよい。
この絶縁性接着剤４において、加熱硬化時の熱収縮が大
きく、かつ、接着力の強いものを用いた場合には、基板
６上に半導体チップ１を載置した後に加熱して絶縁性接
着剤４を硬化させることによって、加圧を必要とするこ
となしに、突起電極（バンプ）３と接続電極５が、絶縁
性接着剤４の熱収縮のみで圧着した状態で保持すること
もできる。
きく、かつ、接着力の強いものを用いた場合には、基板
６上に半導体チップ１を載置した後に加熱して絶縁性接
着剤４を硬化させることによって、加圧を必要とするこ
となしに、突起電極（バンプ）３と接続電極５が、絶縁
性接着剤４の熱収縮のみで圧着した状態で保持すること
もできる。
発明の効果
以上に説明したように、本発明の半導体チップの接続方
法によれば、絶縁性接着剤によって半導体チップと基板
間の電気的接続部以外の部分を接着することにより、半
導体チップの突起電極（バンプ）と基板の接続電極を圧
着状態で電気的接続を行うことができ、接続温度が低く
、容易で信顛性の高い電気的接続が可能となり、極めて
実用価値が高い。
法によれば、絶縁性接着剤によって半導体チップと基板
間の電気的接続部以外の部分を接着することにより、半
導体チップの突起電極（バンプ）と基板の接続電極を圧
着状態で電気的接続を行うことができ、接続温度が低く
、容易で信顛性の高い電気的接続が可能となり、極めて
実用価値が高い。
第１図は本発明の第１の実施例における半導体チップの
接続方法を示す概略説明図、第２図は本発明の第２の実
施例における半導体チップの接続方法を示す概略説明図
、第３図は従来の半導体チップの接続方法を示す概略説
明図である。 １．７・・・・・・半導体チップ、２．８・・・・・・
端子電極、３．９・・・・・・突起電極（バンプ）、４
・・・・・・絶縁性接着剤、５，１０・・・・・・接続
電極、６，１１・・・・・・基板。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第２図 ／−一一手導イ本ｆ−２１ ４−−４ぎ縁姓掃看荊 ６−−−場淡１１壓 ６−−−基級
接続方法を示す概略説明図、第２図は本発明の第２の実
施例における半導体チップの接続方法を示す概略説明図
、第３図は従来の半導体チップの接続方法を示す概略説
明図である。 １．７・・・・・・半導体チップ、２．８・・・・・・
端子電極、３．９・・・・・・突起電極（バンプ）、４
・・・・・・絶縁性接着剤、５，１０・・・・・・接続
電極、６，１１・・・・・・基板。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第２図 ／−一一手導イ本ｆ−２１ ４−−４ぎ縁姓掃看荊 ６−−−場淡１１壓 ６−−−基級
Claims (3)
- （１）微細端子電極が形成された半導体チップの配線パ
ターンを具えた基板への電気的接続において、前記半導
体チップ上の端子電極部を除く所定の位置、または、前
記基板上の接続電極部を除く所定の位置に熱硬化性の絶
縁性接着剤を塗布、または、転写によって形成する工程
と、前記基板上の所定の位置に前記半導体チップを載置
する工程と、前記基板と前記半導体チップとを加圧しな
がら加熱し、前記絶縁性接着剤を硬化せしめ、前記基板
の接続電極への前記半導体チップの電気的接続を得る工
程とからなることを特徴とする半導体チップの接続方法
。 - （２）半導体チップは、端子電極上に突起電極を形成し
てなるものであることを特徴とする請求項第（１）項記
載の半導体チップの接続方法。 - （３）基板は、接続電極上に突起電極を形成してなるも
のであることを特徴とする請求項第（１）項記載の半導
体チップの接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052848A JPH01226162A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 半導体チップの接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052848A JPH01226162A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 半導体チップの接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01226162A true JPH01226162A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12926266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63052848A Pending JPH01226162A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 半導体チップの接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01226162A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997004481A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Carrier, semiconductor device, and method of their mounting |
| US6482676B2 (en) | 1997-01-09 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip part on substrate |
| JP2005210470A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Soshin Electric Co Ltd | 受動部品 |
| JP2016197723A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | 基板構造を製造する方法、基板構造、電子部品を基板構造と結合する方法、および電子部品 |
| JPWO2023119469A1 (ja) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121634A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-20 | Seiko Epson Corp | モ−ルドレス実装法 |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63052848A patent/JPH01226162A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121634A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-20 | Seiko Epson Corp | モ−ルドレス実装法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1997004481A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Carrier, semiconductor device, and method of their mounting |
| US6037657A (en) * | 1995-07-20 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Carrier, semiconductor device, and method of their mounting |
| US6482676B2 (en) | 1997-01-09 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip part on substrate |
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| JPWO2023119469A1 (ja) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 |
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