JPS601849A - 電子部品の接続方法 - Google Patents
電子部品の接続方法Info
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- JPS601849A JPS601849A JP58109845A JP10984583A JPS601849A JP S601849 A JPS601849 A JP S601849A JP 58109845 A JP58109845 A JP 58109845A JP 10984583 A JP10984583 A JP 10984583A JP S601849 A JPS601849 A JP S601849A
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- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はLSIチップなどの電子部品の接続方法に関し
、特に基板上の配線パターンとの接続において、接続温
度を下げることができるとともに基板材料及び配線材料
の材質に関係なく適正な接続が得られる新規な電子部品
の接続方法に関するものである。
、特に基板上の配線パターンとの接続において、接続温
度を下げることができるとともに基板材料及び配線材料
の材質に関係なく適正な接続が得られる新規な電子部品
の接続方法に関するものである。
〈従来技術〉
従来性なわれている電子部品(LSI)と基板との一般
的な接続方法は、たとえば、第1図に示す様にLSIチ
ップ1のアルミパッド2にバリアーメタル3を形成し、
その上に半田バンプもしくはAuバンプ4を形成し、こ
のバンプを介して基板6の配線5に接続している。
的な接続方法は、たとえば、第1図に示す様にLSIチ
ップ1のアルミパッド2にバリアーメタル3を形成し、
その上に半田バンプもしくはAuバンプ4を形成し、こ
のバンプを介して基板6の配線5に接続している。
しかしながら、前者の半田バンプによる接続の際はおよ
そ250℃で加熱し、又後者のAuバンプによるときは
およそ450℃で加熱する必要があり、いづれの方法も
相当の高温がLSIチップ1と基板6に加わる。このた
め、基板材料は耐熱性のものに限定されるという問題と
ともに、カーボン等のように金属の共晶結合による接続
ができないような材料にて形成された基板配線には上記
従来の接続方法を採用することができないという問題が
あった。
そ250℃で加熱し、又後者のAuバンプによるときは
およそ450℃で加熱する必要があり、いづれの方法も
相当の高温がLSIチップ1と基板6に加わる。このた
め、基板材料は耐熱性のものに限定されるという問題と
ともに、カーボン等のように金属の共晶結合による接続
ができないような材料にて形成された基板配線には上記
従来の接続方法を採用することができないという問題が
あった。
〈目 的〉
それゆえ、本発明は低温下の接続が可能であり、しかも
基板配線材料の材質に関係なく適正な接続が得られる新
規な電子部品の接続方法を提供するものである。
基板配線材料の材質に関係なく適正な接続が得られる新
規な電子部品の接続方法を提供するものである。
〈実施例〉
以下図にもとづいて本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明方法によって基板に電子部品を取イqた
図である。
図である。
図において、1はLSIチップ、2は該チップのアルミ
パッド、5は基板6に形成した配線である0 8はLSIチップ1のパッド形成面と基板6の配線形成
面との間に介在させた絶縁層、たとえばアクリル系の光
硬化性樹脂テープである。このテープはLSIチップl
のアルミパッド2に対向する部分に透孔が形成され、そ
の中に銀ペースト等の導電性接着剤7が注入塗布されて
いて、この接着剤7にてLSIチップのアルミパッド2
と基板の配線5とが電気的に結合されている。
パッド、5は基板6に形成した配線である0 8はLSIチップ1のパッド形成面と基板6の配線形成
面との間に介在させた絶縁層、たとえばアクリル系の光
硬化性樹脂テープである。このテープはLSIチップl
のアルミパッド2に対向する部分に透孔が形成され、そ
の中に銀ペースト等の導電性接着剤7が注入塗布されて
いて、この接着剤7にてLSIチップのアルミパッド2
と基板の配線5とが電気的に結合されている。
第3図は接続手順を示すもので、この図により今少し詳
細に説明する。
細に説明する。
まず、アルミパッド2を具えたLSIウェハー1(図■
)のパッド形成面にアクリル系の光硬化性樹脂テープ8
をコートする(図■)。次にテープ8のアルミパッド2
に対向する部分をフォトエツチング方式にて透孔9を形
成しく図0)、その透孔9に印刷手段にて導電性接着剤
(銀ペースト)7を注入塗布する(因■)。そして、矢
印の部分でカッティングして(図■)、パッド形成面に
光硬化性樹脂テープ8を形成し、このテープ8の透孔9
に導電性接着剤7を注入塗布してなるLSIチップ1を
得る(図の)。
)のパッド形成面にアクリル系の光硬化性樹脂テープ8
をコートする(図■)。次にテープ8のアルミパッド2
に対向する部分をフォトエツチング方式にて透孔9を形
成しく図0)、その透孔9に印刷手段にて導電性接着剤
(銀ペースト)7を注入塗布する(因■)。そして、矢
印の部分でカッティングして(図■)、パッド形成面に
光硬化性樹脂テープ8を形成し、このテープ8の透孔9
に導電性接着剤7を注入塗布してなるLSIチップ1を
得る(図の)。
こうして得られたLSIチップ1のテープ面を基板8の
配線形成面に合わせ、さらに導電性接着剤7の部分と配
線5とを位置合わせしたのち、20に9/、Iで加圧し
た状態で+50°Cの算囲気の中に1時間程度置いて硬
化させる。
配線形成面に合わせ、さらに導電性接着剤7の部分と配
線5とを位置合わせしたのち、20に9/、Iで加圧し
た状態で+50°Cの算囲気の中に1時間程度置いて硬
化させる。
このようにして従来よりもかなり低い温度下で基板と電
子部品を接続することかでき、同時に光硬化性樹脂テー
プ8に5tand offの役目を兼ねさせることがで
きる。
子部品を接続することかでき、同時に光硬化性樹脂テー
プ8に5tand offの役目を兼ねさせることがで
きる。
〈効 果〉
以上の様に本発明によれば、電子部品のバンド形成面と
基板との間に、該パッドに対応する部分に透孔を形成し
てなる絶縁層を介在させ、且つ該絶縁層の透孔に導電性
接着剤を介在させることにより、1)8記基板に電子部
品を接続するようにしたから、低温下で接続することが
できる。このため熱による基板の変形を防止することが
できる。また導電性接着剤を用いているのでどのような
基板配線側斜であっても電子部品を接続することができ
る。
基板との間に、該パッドに対応する部分に透孔を形成し
てなる絶縁層を介在させ、且つ該絶縁層の透孔に導電性
接着剤を介在させることにより、1)8記基板に電子部
品を接続するようにしたから、低温下で接続することが
できる。このため熱による基板の変形を防止することが
できる。また導電性接着剤を用いているのでどのような
基板配線側斜であっても電子部品を接続することができ
る。
第1図は従来の接続方法を示す図、第2図は本発明方法
による接続状態を示す図、第3図0〜Oは本発明方法に
よる接続手順を示す図である。 1はLSIチップ、2はアルミパッド、5は配線、6は
基板、7は導電性接着剤、8は光硬化性樹脂テープ、9
は透孔。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第3図 第1図 の ■ ′
による接続状態を示す図、第3図0〜Oは本発明方法に
よる接続手順を示す図である。 1はLSIチップ、2はアルミパッド、5は配線、6は
基板、7は導電性接着剤、8は光硬化性樹脂テープ、9
は透孔。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第3図 第1図 の ■ ′
Claims (1)
- 1 電子部品のパッド形成面と基板との間に、該パッド
に対応する部分に透孔を形成してなる絶縁層を介在させ
、且つ該絶縁層の透孔に導電性接着剤を介在させること
により、前記基板に電子部品を接続するようにしたこと
を特徴とする電子部品の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109845A JPS601849A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 電子部品の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109845A JPS601849A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 電子部品の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601849A true JPS601849A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14520651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58109845A Pending JPS601849A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 電子部品の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601849A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991009419A1 (en) * | 1989-12-18 | 1991-06-27 | Epoxy Technology, Inc. | Flip chip technology using electrically conductive polymers and dielectrics |
| EP0475022A1 (en) * | 1990-09-13 | 1992-03-18 | International Business Machines Corporation | Direct attachment of semiconductor chips to a substrate with a thermoplastic interposer |
| US5611140A (en) * | 1989-12-18 | 1997-03-18 | Epoxy Technology, Inc. | Method of forming electrically conductive polymer interconnects on electrical substrates |
| EP0810649A3 (en) * | 1996-05-28 | 1998-12-23 | Motorola, Inc. | Method for coupling substrates and structure |
| EP0962978A1 (en) * | 1998-06-04 | 1999-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US6189208B1 (en) | 1998-09-11 | 2001-02-20 | Polymer Flip Chip Corp. | Flip chip mounting technique |
| US6219911B1 (en) | 1998-03-23 | 2001-04-24 | Polymer Flip Chip Corp. | Flip chip mounting technique |
| US6410415B1 (en) | 1999-03-23 | 2002-06-25 | Polymer Flip Chip Corporation | Flip chip mounting technique |
| EP1022774A3 (en) * | 1999-01-21 | 2003-08-06 | Lucent Technologies Inc. | Flip chip assembly of semiconductor IC chips |
| EP1306897A3 (en) * | 2001-10-29 | 2005-05-11 | Fujitsu Limited | Method of making electrode-to-electrode bond structure and electrode-to-electrode bond structure made thereby |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58109845A patent/JPS601849A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05503191A (ja) * | 1989-12-18 | 1993-05-27 | エポキシ・テクノロジー・インコーポレーテツド | 導電性ポリマー及び絶縁体を使用したフリツプチツプ技術 |
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| EP1089331A3 (en) * | 1989-12-18 | 2004-06-23 | PFC Corporation | Flip chip technology using electrically conductive polymers and dieletrics |
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| US6219911B1 (en) | 1998-03-23 | 2001-04-24 | Polymer Flip Chip Corp. | Flip chip mounting technique |
| US6538315B2 (en) | 1998-06-04 | 2003-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| SG87034A1 (en) * | 1998-06-04 | 2002-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US6372548B2 (en) | 1998-06-04 | 2002-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor package with a semiconductor device attached to a multilayered substrate |
| EP0962978A1 (en) * | 1998-06-04 | 1999-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| KR100557049B1 (ko) * | 1998-06-04 | 2006-03-03 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체 장치와 그 제조방법 |
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