JPH01226767A - 導電材及びその製造法 - Google Patents

導電材及びその製造法

Info

Publication number
JPH01226767A
JPH01226767A JP63051487A JP5148788A JPH01226767A JP H01226767 A JPH01226767 A JP H01226767A JP 63051487 A JP63051487 A JP 63051487A JP 5148788 A JP5148788 A JP 5148788A JP H01226767 A JPH01226767 A JP H01226767A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
sintered body
binder
nitride
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63051487A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2949586B2 (ja
Inventor
Yoshiyuki Yasutomi
安富 義幸
Tadahiko Mitsuyoshi
忠彦 三吉
Masahisa Sofue
祖父江 昌久
Nobuyuki Yamashita
信行 山下
Hiroshi Nagase
博 長瀬
Kiyohiko Tanno
丹野 清彦
Shiyouji Arimoto
有本 象治
Fumio Joraku
文夫 常楽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63051487A priority Critical patent/JP2949586B2/ja
Priority to EP89103783A priority patent/EP0332082B1/en
Priority to DE8989103783T priority patent/DE68906928T2/de
Priority to US07/319,307 priority patent/US5085806A/en
Priority to KR1019890002793A priority patent/KR970008548B1/ko
Publication of JPH01226767A publication Critical patent/JPH01226767A/ja
Priority to US07/754,501 priority patent/US5271871A/en
Priority to US08/118,207 priority patent/US5403674A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2949586B2 publication Critical patent/JP2949586B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/58042—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on iron group metals nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/5156—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on rare earth compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/5158—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on actinide compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/58007—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on refractory metal nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/58007—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on refractory metal nitrides
    • C04B35/58014—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on refractory metal nitrides based on titanium nitrides, e.g. TiAlON
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/58007—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on refractory metal nitrides
    • C04B35/58028—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on refractory metal nitrides based on zirconium or hafnium nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/6303—Inorganic additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/63408—Polyalkenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/65—Reaction sintering of free metal- or free silicon-containing compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
    • C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
    • C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、導電材及びその製造法に係り、特に焼結時の
寸法変化率が小さい反応焼結体からなる導電材とその製
造法に関する。
〔従来の技術〕
一般に、エンジンやタービンなどの構造材料に適するエ
ンジニアリングセラミックスとしては、耐熱性に優れた
SiCや5iaN4などが知られている。その焼結技術
としては、常圧焼結法、加圧焼結法2反応焼結法がある
。この中で常圧焼結法。
加圧焼結法は焼結時の寸法変化率が15〜20%あり、
変形や寸法精度が悪く高度な技術が必要である。この焼
結時の寸法変化率が大きいために焼結後の加工に時間と
コストがかかり、エンジニアリングセラミックスが普及
しづらい理由万一つとなっている。他方、反応焼結法は
他の材料に比較して焼結時の寸法変化率が小さいことが
知られているが、特開昭58−140375公報に示す
ように金属Si粉末の窒化物で構成されているだけで導
電性については開示されてない。また焼結時の寸法変化
が小さいと予測される材料に従来から耐火物に使用され
ている5iaN4結合材があるが、特開昭58−881
69号公報に開示されているように導電性については開
示されておらず、機械的強度が50MPa程度しかなく
構造用材料として使用するには不適当である。
一方、耐熱性のあるヒータ材や導電材として有用な導電
性セラミックスに対する開発要望が強い。
電気抵抗率の小さいセラミックスが得られれば、川流製
品の性能改善やセラミックスの新しい用途開拓が期待さ
れる。従来の導電性セラミックスは、例えば、特開昭5
7−41796号に開示されているように、SiCや5
iaN+に導電性化合物を混合し、ホットプレス焼結に
より上記問題を解決している。
しかし、ホットプレス法は、焼結に膨大なエネルギを必
要とするために製造コストが高いという問題がある。
更に特開昭60−60983号に開示されているように
、Si3N4に導電性化合物を混合し、ホットプレス法
よりもエネルギ的に有効な常圧焼結法により導電性セラ
ミックスを得ているが、焼結助剤を利用するために焼結
時の寸法変化率が15〜18%あり、変形などの問題が
ある。
したがって、これまでに寸法精製に優れかつ電気抵抗率
が低抵抗まで制御できるセラミックスを製造する技術が
なく、実用的なものがない。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来沢術は、焼結時の寸法変化率、電気抵抗率2機
械的強度の点について配慮がされておらず、機械構造用
材料や機能材料として使用が限られていた。
本発明の目的は、焼結時寸法変化率が小さく、機械的強
度が高く、導電性の高い反応焼結体からなる導電材及び
その製造法とその用途を提供するにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、焼結中に成形体中の金属粉末から生成する導
電性窒化物により粒子相互間を結合するとともに粒子間
の空隙を減少させることにより、焼結時の寸法変化率を
小さくし、金属粉末から生成する窒化物からなる反応焼
結体の種類により電気抵抗率を任意に制御可能にするも
のである。
本発明において、金属粉末は周期表■族から■族に属す
るもノテ、特に’ri、Zr、VI Nb1Ta、Cr
、Ce、Co、Mn、Hft W、Mo。
Fe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb。
Dy、Ho、Yb、Lu、Th、Co、Niの少なくと
も一種以上からなる。たとえば、Tiの窒化物は電気抵
抗が約5X10−’Ωcm以下と小さく、低抵抗の焼結
体が得られる。さらに、上記の金属粉数にSi,Al鉛
粉末少なくとも1種を混合すると、Si及びAQの窒化
物は約1015Ω国オーダと大きいので、このように金
属粉末の種類によって窒化物の抵抗率が異なり、このよ
うな抵抗率の異なる金属窒化物を組合せることにより、
導電から絶縁まで抵抗率の制御が可能となる。また、金
属粉末と無機化合物を混合することによっても、抵抗率
の制御が可能である。
反応生成物である金属窒化物は30μm以下の微粒子及
びウィスカである。この生成物は他の非反応生成物に対
してネット状に生成され、非反応生成物を結合する。
本発明において、抵抗率の制御を行うにはSi及びAQ
鉛粉末少なくとも1種を90vol%以下とするのが好
ましい。
本発明において、強度の低下を防止するには無機化合物
の含有量は7vo12%以下が好ましい。
無機化合物の平均粒径は、強度の低下を防止するには1
00μm以下が好ましい、また、無機化合物にウィスカ
や長繊維を使用しても良い。ウィスカは、平均アスペク
ト比200以下、平均長さ200μm以下のものが好ま
しい。また長繊維を配向することにより、電気特性に方
向性を持たせることが可能である。
本発明において、強度の低下を防ぐには気孔率を30%
以下とするのが好ましい。大気圧での反応焼結では気孔
率は実用上の製造法では5%以上となるが、加圧雰囲気
下では1%以下となる。またこの気孔は開気孔からなる
。なぜなら、金属粉末からなる成形体を窒化性ガス雰囲
気下で焼結し、金属粉末が窒化性ガスと反応して窒化物
に変化して焼結体を得るためには、窒化性ガスが成形体
中を通過する通気孔が必要であるからである。この場合
の焼結により、金属粉末の種類によっては金属粉末同志
が反応する場合があるが特性上問題はない。例えば、T
iAQ、TiAQa、TiSi。
ZrAQなどが一部生成する場合がある。
本発明では、さらに気孔率を小さくするために、上記で
得られた焼結体をホットプレスや熱間静水圧プレス処理
やポストシンタリングなどにより可能である。しかし、
これら作業は寸法精度を保つものに対しては好ましくな
い。
成形体は、窒素及び/又はアルミモニアに必要に応じて
水素、アルゴン、ヘリウムなどを加えた窒化性ガス雰囲
気下で焼結の初期には金属粉末の融点以下で長時間加熱
した後それより高い温度で加熱するのが好ましい。
本発明において、成形用バインダはポリビニルブチラー
ルやポリエチレンなどの有機高分子化合物やシリコンイ
ミド化合物やポリシラン化合物などの有機Si高分子化
合物などを適量添加し、好ましくは8〜15重量部添加
し、成形体の粒子体積充填率を65%以上とするのが好
ましい。その理由を以下に述べる。
原料粉末自体は脆性の固体粒子から成っているため、そ
のまま加圧するだけでは充填が困難であり圧力の増加に
ともなって成形体に歪、クラックが発生し割れてしまう
。そのため、何らかの有機バインダを加えて粉体の流動
性を助け、かつ成形体の強度を高める必要がある。また
、有機バインダの添加量により焼結体の強度が左右され
る。たとえば、金属Ti粉末の本発明の焼結法によるT
iN焼結体の有機バインダの添加量と焼結体の曲げ強さ
の関係から分るように有機バインダ添加量により焼結体
の強度が変わる。これは成形体の粒子体積充填率(密度
)に関係する。有機バインダが多すぎても少なすぎても
成形体の粒子体積充填率が向上せず、最適添加量を増し
ていくと、混合物の加温下の流動性は良好となり、加圧
成形が容易になる。その結果成形体の粒子体積充填率が
向上する。しかし、原料粉の理想的な密充填にあるとき
の空孔の割合以上に有機バインダを混合すると原料粉は
バインダ中に孤立した状態になる。
混合物の流動性は良好であるが、成形体中の固形分はバ
インダが多くなる程少なくなり、その結果成形体の粒子
体積充填率が低下することになる。
成形方法は、射出成形、プレス成形、ラバープレス成形
、押出し成形、ドクターブレード法、金型粉末成形など
形状と要求特性に応じて成形方法を選択する。特に、基
板の作製にはドクターブレード法が有効である。
前記金属粉末は、ミルなどにより粉砕した丸み−を帯び
た粒子や造粒粉を使用してもよい。
本発明において、複合セラミックス焼結体の気孔中に樹
脂、油9粒子などを含浸することも可能である。摺動部
材へも応用可能である。
本発明における導電性セラミックスは、電気抵抗率を小
さくすることにより、放電加工も可能である。
本発明において、金属粉末から生成する化合物は窒化均
相中心であることが好ましい。なぜなら酸化性ガス中で
焼結すること酸化物相が生成し、電気抵抗率の制御が回
連になるからである。
〔作用〕
本発明によれば、各種金属粉末から生成した窒化物で結
合させることにより、焼結時寸法変化率が小さく、電気
抵抗率が導電から絶縁まで任意に制御可能なセラミック
スが得られる。
本発明は、Siを除く金属粉末に、熱可塑性樹脂から成
るバインダを添加し加熱混線後、温間加圧成形により粉
末粒子体積充填率が60vol%以上の成形体を形成し
、該成形体中のバインダを加熱除去した後、窒化性ガス
雰囲気中で加熱焼結することにより、前記金属から生成
した窒化物の粒子及びウィスカにより無機化合物の粒子
間を連結することを特徴とする。
前記バインダ量は、 B = 〔(7S /20,000)+ 33±2.5
〔但し、Bは原料粉末組成物100重量部に対するバイ
ンダの添加量(重量部)、Sは原料粉末の比表面積(c
m2/g)を示す〕 で表わされる量を添加し加熱混練後、温間加圧成形によ
り粉末粒子体積充填率が70vol%以上の成形体を形
成することが好ましい。
前述の混合粉末と熱可塑性樹脂から成るバインダを含み
、該組成物の150℃の見掛は粘度が(3〜90) X
 10’N−s /rdであること、前述の混合粉末と
熱可塑性樹脂から成るバインダを含み、該バインダ量が B = 〔(7S /2o、ooo)+3 )±2.5
〔但し、Bは原料粉末組成物100重量部に対するバイ
ンダの添加量(重量部)、Sは原料粉末の比表面積(c
m2/g)を示す〕 であることを特徴とするセラミックス用組成物とするこ
とが好ましい。
上記金属粉末の粒径は10μm以下、好ましくは1μm
以下が、また、無機化合物の粉末の粒径は100μm以
下、好ましくは20μm以下が望ましい。これらは市販
品をそのまま用いてもよいが、ミルなどにより粉砕し丸
みを帯びた粒子として使用するのがよい。
前記無機化合物粉末は、その一部をウィスカに換えても
よい。この場合ウィスカの配合量は、焼結体組成中55
vol%以下が望ましい、これより多くなると、原料の
均一なブレンドができない場合がある。また、添加する
ウィスカとしては、平均アスペクト比200以下、平均
長さ200μm以下が好ましい バインダにはセラミックス焼結のための予備成形体の作
成に用いられている熱可塑性樹脂を用いることができる
0例えば、ポリビニルブチラール。
ポリエチレン、ポリシリコーン、合成ワックスなどがあ
る。
本発明は、これらバインダが重要な役目を有し、成形体
の粉末粒子充填率を60vol%以下とするのに、この
バインダの添加量が大きな作用を及ぼす。
本発明者らはこの点についても種々検討を重ね、原料粉
末の比表面積と該原料粉末100重量部当たりのバイン
ダ添加量との間に極めて深い相関関係があることを導き
出し、本発明に到った。
先ず、原料粉末の比表面積5(aj/g)は次式によっ
て求めることができる。
S=− ρ ・ d 但し、ρは密度、dは平均粒径(μm)である。
そして、上記比表面積Sと、成形体の粉末粒子充填率を
60voR%以上とするバインダ量B(原料粉末組成物
100重量部に対する重量部)との関係は次式で示され
る。
B = 〔(7S /20,000)+ 3 )±2.
5上記の式で与えられる範囲内のバインダ量を添加する
ことによって、成形体の粉末粒子充填率を70vo Q
%以上にすることができ、曲げ強さ約300MN/m2
以上の焼結体を提供することができる。
上記バインダ量を配合した原料組成物は、後述するよう
に、その見掛は粘度が(3〜9o)×10’N−s/m
の範囲内となり、この粘度範囲を選択することによって
、成形時の流動性が予測でき、かつ、充填率60vol
%以上の成形体を得ることができるので、ニアネットシ
ェイプに適した組成物を提供することができる。特に、
7゜voΩ%以上とすることにより強度の高いものが得
られる。特に、実用的には85voR%以下が好ましく
、ニアネットシエイプ成形が得られる。
とくに原料組成物の流動性の点からは、Si粉末として
粒径1μm以下のものを用い、バインダには、ポリエチ
レン15〜60重量%、ワックス30〜70重量%およ
びステアリン酸5〜25重量%の割合で配合したものを
添加するのがよい。
上記バインダ樹脂を添加した原料組成物は、充分混練し
た後成形される。成形方法は、射出成形。
プレス成形、ラバープレス成形、押出し成形、金属粉末
成形など形状と要求特性に応じて選択することができる
が、バインダ樹脂の軟化温度以上で温開成形する。例え
ば、メカニカルプレスを用いて成形する場合には、成形
圧は100100O/、j程度で行なうのがよい。
上記成形体は、焼結前に脱脂(脱バインダ)する。脱脂
は、室温から約2℃/hで徐々に温度を上げ、約500
’Cまで加熱することにより行なうことができる。
上記成形体を窒素及び/又はアルモニア、または必要に
応じて水素、アルゴン、ヘリウムなどを加えた窒化性ガ
ス雰囲気中で金属の融点未満、特に1100〜1350
℃で加熱するのが好ましく、焼結温度までの昇温速度は
4℃/hが適当であり、これによって容易に焼結するこ
とができる。なお、必要に応じてホットプレスしてもよ
い。
焼結体は、その気孔率を30%以下とするのが好ましい
。気孔率が30%を超えると強度が小さくなる。気孔率
が30%以下とするには、前記成形体の粒子体積充填率
を60vo 1%以上にすることによって達成すること
ができる。
また、焼結体中には、焼結過程で窒化物のウィスカが生
成するが、該ウィスカは反応生成相に対して1〜70v
ol%、特に10〜30vOQ%含まれていることが好
ましい。
本発明のセラミックスが、焼結時の寸法変化率(約0.
15%以下)が小さいものが得られる理由は、次のこと
が考えられる。
まず、第一の焼結時の寸法変化率は、窒化性雰囲気中で
焼結することにより生成される窒化物ウィスカが大きく
寄与している。このウィスカは生成される窒化物中1〜
30体積%とすることが好ましい。
金属粉末と無機化合物の混合物に熱可塑性樹脂を9重量
部添加して加熱混練し、温間加熱成形後、脱バインダし
て窒素ガス中で焼結した時の原料配合比〔金属/(金属
+無機化合物)〕と、焼結時の寸法変化率及び曲げ強さ
の関係を示すが、金属量の増加に従い生成窒化物のウィ
スカが増加し、強度は増す。但し、焼結時の寸法変化率
は大きくなるが、実用上問題となるほどではない。
これは、焼結時に生成するウィスカが焼結体の粒子間を
密に連結するためと考える。特に45VOU%以上にな
ると曲げ強さ300 M N / r1以上の焼結体が
得られるのは、こうした連結鎖が多くなるためと考える
。
バインダ樹脂量が曲げ強さに大きく影響する。
これは成形体の体積充填率が影響してbする。
原料粉体自体は脆性の固体微粉末粒子であり、そのまま
加圧したのでは充填が困難である。そのため、バインダ
を加えて粉体の流動性を助け、かつ成形体の強度を高め
る必要がある。バインダ添加量により焼結体の強度が変
わるが、これは成形体の粒子体積充填率(密度)に関係
することは前に述べた。バインダ量を増していくと、混
合物の加温下の流動性は良好となり、加圧成形が容易に
なる。その結果成形体の粒子体積充填率が向上する。し
かし、原料粉が理想的な密充填にあるときの空孔の割合
以上にバインダを添加すると、原料粉がバインダ中に孤
立したような状態となり流動性は良くなるが、成形体中
の固形分率が低下し、その結果成形体の粒子体積充填率
が低下し、焼結体の気孔率が大きくなって、焼結体強度
の低下につながる。
既述のように、窒化性雰囲気中で加熱焼結されることに
より、金属粉末から生成するウィスカが粒子相互間を連
結すると共に粒子間空隙を埋め、焼結体中に3次元的に
成長するため、直紡性のセラミックスが得られる。
実施例1 平均粒径1μmの金属Ti粉末に成形用バインダとして
ポリエチレン系ワックス、合成ワックス。
ステアリン酸などの有機バインダを4重量部添加し、加
圧ニーダで樹脂が軟化する160℃、5時間加熱混練し
た。そして、冷却後、混練物を破砕した後、供試原料と
した。これらの原料をメカニカルプレスを用いて成形圧
力1000kgf/cd、温度160℃で直径50論、
厚さ20+aのものに成形した。得られた成形体の粒子
体積充填率は60vo12%以上である。この成形体は
アルゴン雰囲気中3℃/hの昇温速度で500℃まで加
熱し、成形バインダを除去した後、窒素雰囲気中600
℃から1300℃まで段階的に所定の温度に保持し、長
時間かけて加熱し、焼結体を得た。
得られた焼結体の特性を第1表に示す。比較のために平
均粒径0.8 μmの5iaN4粉末40vo 2%と
TiN粉末55vol%、この混合粉末に焼結助剤とし
てY2O3を5vo 2%含有させている。
これを前記と同様に成形し、1700℃で5時間焼結し
焼結体を得た。得られた焼結体の特性を第1表に合わせ
て示す。これより、本発明品は、5iaN4粉末とTi
N粉末に焼結助剤Y2O3を添加したものと比較して、
焼結時寸法変化率が0.8%と小さく、ニアネットシェ
イプ性が良好で、電気抵抗率の小さいセラミックスが得
られる。寸法変化率は長さの変化率を示したものである
。
本発明の焼結体は若干のウィスカが形成されていた。
第  1  表 実施例2〜23 実施例1と同様にしてTi粉末の変わりに第2表に示す
金属粉末を添加して同様に成形、焼結した。得られた焼
結体の特性を第2表に示す。これより、本発明品は、焼
結時の寸法変化率が1%以下と小さく、機械的強度が高
く、金属粉末の種類。
配合によって電気抵抗率を104〜101Ωcmと任意
に制御可能であることが判る。
本実施例においてもウィスカが形成されていた。
実施例24 実施例1と同様にして、平均粒径1μmの金属Ti粉末
と平均粒径1μmの金属Si粉末の配合比を変えて、成
形、焼結を行ない焼結体を得た。
得られた焼結体の組成はTiNと5iaNaの2組型合
体でウィスカが形成されていた。
第1図に電気抵抗率と原料配合比、第2図に曲げ強さと
原料配合比の実験結果を示す。これより電気抵抗率は配
合比により104〜10″″3Ωcmで可変可能である
ことが判る。また、曲げ強さは配合比に関係なく、 3
00 M P a以上あることが判る。
実施例25 実施例1と同様にして、平均粒径1μmの金属Ti粉末
と平均粒径1μmの金属Al粉末配合比を変えて、成形
、焼結を行ない焼結体を得た。
得られた焼結体の組成はTiNとAEINの2組型合体
でウィスカが形成されていた。
第3図に電気抵抗率と原料配合比、第4図に曲げ強さと
原料配合比の実験結果を示す。これより電気抵抗率は配
合比により10’〜1o−5Ωcmで可変可能であるこ
とが判る。また、曲げ強さは配合比に関係なく 250
 M P a以上あることが判る。
実施例26〜30 実施例1と同様にして、成形バインダ量を変えて成形、
焼結して得られた気孔率の異なる焼結体について同様に
試験した結果を第3表に示す。第5図に気孔質と曲げ強
さの関係を示す。
これより、気孔率が30%以下では250MPa以上の
強度が得られ、気孔率が多くなるにつれ強度が低下する
が、30%を越えると250 M P a未満の急激に
強度が低下することが判る。
第  3  表 実施例31〜35 実施例1で得られた焼結体を窒素中、20気圧から35
000気圧、1500℃から2200℃で150分熱間
加圧焼結を行なった。得られた焼結体の試験結果を第4
表に示す。表に示すように、加圧窒素中による反応焼結
により気孔率が2%以下と著しく低下するが、寸法変化
率は若干大きくなる。また、TiN反応焼結体の電気抵
抗率はほぼ3 X 10−’Ω国と非常に低い抵抗率の
ものが得られ、曲げ強さも約5oO〜650 M P 
aであった。
第4表 実施例36 実施例1と同様にして、平均粒径1μmの金属Ti粉末
と平均粒径3μmのSiC粉末の配合比を変えて、成形
、焼結を行ない焼結体を得た。得られた焼結体は反応生
成物であるTiNでSiCを結合した2組混合体であっ
た。
第6図に電気抵抗率と原料配合比の実験結果を示す。こ
れより抵抗率は配合化により10″″2〜10″″δΩ
国と可変可能であることが判る。
実施例37〜49 実施例1と同様にして、平均粒径1μmの金属Ti粉末
と第6表に示す各種無機化合物粉末を混合して、成形、
焼結を行ない焼結体を得た。得られた焼結体は、反応生
成物であるTiNで各種無機化合物を結合した混合体で
あった。
これより抵抗率は、無機化合物の種類、配合比により、
可変可能であることが判る。
実施例50 実施例1と同様にして、熱可塑樹脂バインダ量を変えて
反応焼結体を製造した。第7図はバインダ量と曲げ強さ
との関係を示す線図である。図に示すようにバインダ量
は少な過ぎても多過ぎても逆に強度が急激に低下し、特
に4〜15%において約200 M P a以上の強度
が得られ、好ましいことが分る。特に、5〜14%にお
いて約300MPa以上の強度が得られ、より望ましい
。
第  6  表 実施例51 自動車用交流発電機の集電環及び集電子に実施例1で得
られたTiN焼結体導電性セラミックスを用いて、集電
特性を検討した。その結果を第5表に示す。これより、
本発明品は従来の集電環に銅、集電子にカーボンを用い
たものに較べ損耗量が小さく耐摩耗性に優れ、また変色
もなく優れていることが判る。
試験条件は3万rPI11、集電子電流密度70A/d
である。
第  5  表 実施例52 平均粒径0.9μmの金属Si粉末を50wt%、平均
粒径1μmのAQzOa粉末を50wt%混合し、原料
100重量部に対してポリエチレン系熱可塑性樹脂を7
重量部添加し、加圧ニーダを用いて、樹脂の軟化温度の
160℃で4時間加熱混練した。そして、冷却後混練物
を10Mesh以下に粉砕したのち、絶縁体セラミック
スAの原料とした。
次に、平均粒径1.6μmの金属Ti粉末を80wt%
、平均粒径1μmのSiC粉末を20wt%混合し、原
料100重旦部に対してポリエチレン系熱可塑性樹脂を
5重量部添加し、加圧ニーダを用いて、前述と同様に1
60℃で4時間加熱混練した。そして、冷却後混線物を
lOMesh以下に粉砕したのち、導電体セラミックス
Bの原料とした。
次に、金属にセラミックスA及びBの原料を順に充填し
、第8図、第9図に示すような形状のモータ用集電環を
作製した。各々(a)は断面図、(b)は側面図である
。そして、成形体中のバインダを除去した後、窒素雰囲
気中で加熱し、セラミックス複合体を得た。成形体から
焼結体への寸法変化率は0.2% と小さく、クラック
の発生もなかった。セラミックスAの抵抗率は約101
4オーム■、セラミックBの抵抗率は7X10−5オー
ムlであった。導電体と絶縁体は反応生成物であるS 
1aN4.Ti Nで強固に結合されている。
同様にして、金属粉末や無機化合物の種類及び配合比を
変えることにより、電気抵抗率の異なるセラミックスを
層状に一体成形、一体焼結可能である。
実施例53 実施例52のセラミックス(A)及び(B)を用い、同
様にして第10図に示す形状のコミテータを製造した。
本実施例においても前述と同様に寸法変化率が0.2%
と小さく、また耐摩耗性に優れたものが得られる。
図中(、)は断面図、(b)は側面図である。
実施例54 実施例40で得られた導電性セラミックスを用いて第1
1図(a)、(b)に示すようなU字形ヒータ(抵抗値
0.1Ω ;抵抗率6 X 10−3Q an)を作製
した。このヒータの端子1に直流12Vの電圧を印加し
た時のヒータ端子電気vH2電流v1及びヒータ先端部
温度THを第12図に示すが、先端温度900℃までが
約0.8秒、1200℃までが約1.2秒、1500℃
までが約1.8秒と瞬間的に昇温し、速熱性に優れてい
る。また通電によりヒータ温度が上昇するにつれて負荷
電流が減少した(正の抵抗温度特性を有する)。これは
熱暴走によるヒータ溶断などのトラブルを起さない。
〔発明の効果〕
本発明によれば、焼結時の寸法変化率が2%以下と小さ
く、電気抵抗率がお電から絶縁まで任意に制御可能なセ
ラミックスが容易に得られる。また本発明によれば、焼
結による寸法変化率が小さく、導電性化合物、絶縁性化
合物の配合量を調整することにより1014〜10−6
オームロの範囲で任意の抵抗率をもつセラミックスを無
秩序に重ね合わせたセラミックス複合体が容易に得られ
る。
これにより、焼結後の加工コストがほとんど必要としな
いので、エンジンやタービンなどの構造用部品をはじめ
各種ヒータ、各種電極材料、モータ用ブラシ、コンミテ
ータ、基板、集電材など、航空、宇宙関係、鉄鋼、海洋
開発などの分野へのセラミックスの利用範囲を拡大する
。
【図面の簡単な説明】
第1図、第3図及び第6図は電気抵抗率と原料配合比と
の関係を示す線図、第2図及び第4図は曲げ強さと原料
配合比との関係を示す線図、第5図は焼結体の気孔率と
曲げ強さとの関係を示す線図、第7図は有機バインダ添
加量と曲げ強さとの関係を示す線図、第8図及び第9図
は各々自動車交流発電機用集電環の断面図とその側面図
、第10図はコミテータの断面図とその側面図、第11
図はヒータの平面図と側面図、第12図は第11図ヒー
タの通電時間と温度、端子電圧及び負荷電流との関係を
示す線図である。 嘉1区 今風Tie未配未化合比Tr /T; t S ;バW
t:/、)eMTilfh末f合上し、(T+/T1+
Si) (wt7’L)金属Ti粉末配合比(Tr/T
r+AQ) (Wt7:う皐S口 気写し牟(y、) 第6図

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Ce,Co,
    Mn,Hf,W,Mo,Fe,Pr,Nd,Sm,Eu
    ,Gd,Tb,Dy,Ho,Yb,Lu,Th,Co,
    Niの少なくとも一種の金属粒子から生成された導電性
    窒化物を含む反応焼結体からなることを特徴とする導電
    材。
  2. 2.Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Ce,Co,
    Mn,Hf,W,Mo,Fe,Pr,Nd,Sm,Eu
    ,Gd,Tb,Dy,Ho,Yb,Lu,Th,Co,
    Niの少なくとも一種の金属粒子から生成された導電性
    窒化物及びSi及びAl粒子の少なくとも1種から生成
    された窒化物を含む反応焼結体からなり、窒化ケイ素及
    び窒化アルミニウムの少なくとも1種が90vol%以
    下である反応焼結体からなることを特徴とする導電材。
  3. 3.Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Ce,Co,
    Mn,Hf,W,Mo,Fe,Pr,Nd,Sm,Eu
    ,Gd,Tb,Dy,Ho,Yb,Lu,Th,Co,
    Niの少なくとも一種の金属粒子から生成された導電性
    窒化物と、炭化物,窒化物,酸窒化物,酸化物,ケイ化
    物,ホウ化物のうち少なくとも一種からなる無機化合物
    との反応焼結体からなることを特徴とする導電材。
  4. 4.Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Ce,Co,
    Mn,Hf,W,Mo,Fe,Pr,Nd,Sm,Eu
    ,Gd,Tb,Dy,Ho,Yb,Lu,Th,Co,
    Niの少なくとも一種の金属粉末から生成された導電性
    窒化物と、炭化物,窒化物,酸窒化物,酸化物,ケイ化
    物,ホウ化物のうち少なくとも一種からなる無機化合物
    及びSi及びAl粉末の少なくとも1種から生成された
    窒化ケイ素及び窒化アルミニウムの少なくとも1種との
    反応焼結体からなることを特徴とする導電材。
  5. 5.金属粉末から生成された導電性セラミックスを含む
    反応焼結体からなり、該焼結体の室温の電気抵抗率が5
    ×10^−^5Ωcm以下であることを特徴とする導電
    材。
  6. 6.金属粉末から生成された導電性セラミックスを含み
    、かつ該セラミックスのウィスカーを含む反応焼結体か
    らなることを特徴とする導電材。
  7. 7.導電材と絶縁材との複合セラミックス焼結体におい
    て、前記導電材を構成する導電部が網目状に連結した反
    応焼結体からなることを特徴とする複合セラミックス焼
    結体。
  8. 8.室温の電気抵抗率が10^1^4〜10^−^3Ω
    cmの範囲で前記導電材と絶縁材との配合比が異なる請
    求項7記載の複合セラミックス焼結体。
  9. 9.Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Ce,Co,
    Mn,Hf,W,Mo,Fe,Pr,Nd,Sm,Eu
    ,Gd,Tb,Dy,Ho,Yb,Lu,Th,Co,
    Niの少なくとも一種の金属粉末を含む成形体を窒素を
    含むガス雰囲気中で加熱して、前記金属粉末から生成し
    た導電性窒化物を有する反応焼結体を製造することを特
    徴とする導電材の製造法。
  10. 10.Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Ce,Co
    ,Mn,Hf,W,Mo,Fe,Pr,Nd,Sm,E
    u,Gd,Tb,Dy,Ho,Yb,Lu,Th,Co
    ,Niの少なくとも一種の金属粉末とSi粉末及びAl
    粉末の少なくとも1種とを含む成形体を窒素を含むガス
    雰囲気中で加熱して、前記金属粉末から生成した導電性
    窒化物と、Si粉末及びAl粉末の少なくとも1種から
    生成した窒化ケイ素及び窒化アルミニウムを含む反応焼
    結体を製造することを特徴とする導電材の製造法。
  11. 11.Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Ce,Co
    ,Mn,Hf,W,Mo,Fe,Pr,Nd,Sm,E
    u,Gd,Tb,Dy,Ho,Yb,Lu,Th,Co
    ,Niの少なくとも一種の金属粉末とSi粉末及びAl
    粉末の少なくとも1種との混合粉末からなる成形体を窒
    素を含むガス雰囲気中で加熱して、前記金属粉末から生
    成した導電性窒化物と窒化ケイ素及び窒化アルミニウム
    の少なくとも1種とを含む反応焼結体を製造することを
    特徴とする導電材の製造法。
  12. 12.炭化物,窒化物,酸化物,ホウ化物,ケイ化物及
    び酸窒化物の少なくとも一種とSi粉末及びAl粉末の
    少なくとも1種及び成形バインダとを混合してなるセラ
    ミックス成形体Aと、Ti,Zr,V,Nb,Ta,C
    r,Ce,Co,Mn,Hf,W,Mo,Fe,Pr,
    Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Yb,L
    u,Th,Co,Ni,Si,Alの少なくとも一種の
    金属粉末及びバインダを混合してなるセラミックス成形
    体Bとを交互に層状に一体成形し、該成形体を加熱して
    成形バインダを除去した後、窒素を含むガス雰囲気中で
    加熱して、前記金属粉末から生成した導電性窒化物、を
    含む反応焼結体と前記Si及びAl粉末の少なくとも1
    種から生成された窒化ケイ素及び窒化アルミニウムの少
    なくとも1種の反応焼結体とを交互に積層したことを特
    徴とするセラミックス複合体の製造法。
  13. 13.炭化物,窒化物,酸化物,ホウ化物,ケイ化物及
    び酸窒化物の少なくとも一種と金属Si粉末及びAl粉
    末の少なくとも1種及び成形バインダとを混合してなる
    セラミックス成形体Aと、Ti,Zr,V,Nb,Ta
    ,Cr,Ce,Co,Mn,Hf,W,Mo,Fe,P
    r,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Yb
    ,Lu,Th,Niの少なくとも一種の金属粉末と酸化
    物,窒化物,炭化物,ホウ化物,ケイ化物及び酸窒化物
    の少なくとも一種からなる無機化合物及び成形バインダ
    を混合してなるセラミックス成形体Bを交互に層状に一
    体成形し、該成形体を加熱して成形バインダを除去し、
    次いで窒素を含む雰囲気中で一体加熱して、金属粉末か
    ら生成した導電性窒化物、を含む反応焼結体を含む焼結
    体と前記Si粉末及びAl粉末の少なくとも1種から生
    成された窒化ケイ素及び窒化アルミニウムの少なくとも
    1種の反応焼結体とを交互に積層したことを特徴とする
    セラミックス複合体の製造法。
  14. 14.Siを除く金属粉末に、熱可塑性樹脂から成るバ
    インダを添加し加熱混練後、温間加圧成形により粉末粒
    子体積充填率が60vol%以上の成形体を形成し、該
    成形体中のバインダを加熱除去した後、窒素を含むガス
    雰囲気中で加熱焼結することにより、前記金属から生成
    した窒化物の粒子及びウィスカを有する反応焼結体から
    なることを特徴とするセラミックス焼結体の製造法。
  15. 15.Siを除く金属粉末に、熱可塑性樹脂から成るバ
    インダを B=〔(7S/20,000)+3〕±2.5〔但し、
    Bは原料粉末組成物100重量部に対するバインダの添
    加量(重量部)、Sは原料粉末の比表面積(cm^2/
    g)を示す〕 で表わされる量を添加し加熱混練後、温間加圧成形によ
    り粉末粒子体積充填率が60vol%以上の成形体を形
    成し、該成形体中のバインダを加熱除去した後、窒素を
    含むガス雰囲気中で加熱焼結することにより、前記金属
    から生成した窒化物の粒子及びウィスカを有する反応焼
    結体を製造することを特徴とするセラミックス焼結体の
    製造法。
  16. 16.前記成形体を加圧窒素中で加熱する請求項9〜1
    5のいずれかに記載の導電材の製造法。
  17. 17.金属粉末を含む多孔質成形体を加圧窒素中で加熱
    し、前記金属の窒化物からなる反応焼結体を製造するこ
    とを特徴とするセラミックス焼結体の製造法。
  18. 18.Siを除く金属粉末及び熱可塑性樹脂から成るバ
    インダを含み、該組成物の150℃の見掛け粘度が(3
    〜90)×10^4N・s/m^2であることを特徴と
    する反応焼結体用セラミックス組成物。
  19. 19.Siを除く金属粉末及び熱可塑性樹脂から成るバ
    インダを含み、該バインダ量が B=〔(7S/20,000)+3〕±2.5〔但し、
    Bは原料粉末組成物100重量部に対するバインダの添
    加量(重量部)、Sは原料粉末の比表面積(cm^2/
    g)を示す〕 であることを特徴とする反応焼結体用セラミックス製造
    法。
  20. 20.請求項1〜16のいずれかに記載の前記導電性焼
    結体によつてパネルヒータ,グロープラグ用ヒータ,燃
    焼ガス着火用ヒータ,灯油気化バーナ用ヒータ,発電機
    用集電環及び集電子,モータ用ブラシ,コミテータの少
    なくとも1つが構成されている各種装置。
  21. 21.前記金属粉末はTi,Zr,V,Nb,Ta,C
    r,Ce,Co,Mn,Hf,W,Mo,Fe,Pr,
    Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Yb,L
    u,Th,Co,Niの少なくとも一種からなる請求項
    14〜20のいずれかに記載の焼結体。
JP63051487A 1988-03-07 1988-03-07 電導材及びその製造法 Expired - Lifetime JP2949586B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63051487A JP2949586B2 (ja) 1988-03-07 1988-03-07 電導材及びその製造法
EP89103783A EP0332082B1 (en) 1988-03-07 1989-03-03 Conductive material and process for preparing the same
DE8989103783T DE68906928T2 (de) 1988-03-07 1989-03-03 Leitfaehiges material und verfahren zu seiner herstellung.
US07/319,307 US5085806A (en) 1988-03-07 1989-03-06 Conductive material and process for preparing the same
KR1019890002793A KR970008548B1 (ko) 1988-03-07 1989-03-07 도전재 및 이의 제조방법
US07/754,501 US5271871A (en) 1988-03-07 1991-09-03 Conductive material and process for preparing the same
US08/118,207 US5403674A (en) 1988-03-07 1993-09-09 Conductive material and process for preparing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63051487A JP2949586B2 (ja) 1988-03-07 1988-03-07 電導材及びその製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01226767A true JPH01226767A (ja) 1989-09-11
JP2949586B2 JP2949586B2 (ja) 1999-09-13

Family

ID=12888321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63051487A Expired - Lifetime JP2949586B2 (ja) 1988-03-07 1988-03-07 電導材及びその製造法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5085806A (ja)
EP (1) EP0332082B1 (ja)
JP (1) JP2949586B2 (ja)
KR (1) KR970008548B1 (ja)
DE (1) DE68906928T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377700B1 (ko) * 2000-01-13 2003-03-29 스미토모덴키고교가부시키가이샤 세라믹스 히터
JP2011003548A (ja) * 2005-05-11 2011-01-06 Hitachi Powdered Metals Co Ltd 有底円筒状焼結体の製造方法
JPWO2009057596A1 (ja) * 2007-10-29 2011-03-10 京セラ株式会社 導体内蔵セラミックスの製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5227689A (en) * 1989-08-11 1993-07-13 Mabuchi Motor Co., Ltd. Metal-filled graphite for miniature motors and method of making same
JPH06151084A (ja) * 1992-11-11 1994-05-31 Asahi Glass Co Ltd 帯電除去用セラミックスおよびその製造用組成物
US5730921A (en) * 1995-03-31 1998-03-24 North American Refractories Company Co-molding process for producing refractory materials without firing or coking the refractory
SE9602541D0 (sv) * 1996-06-27 1996-06-27 Asea Atom Ab Bränslepatron innefattande en komponent för sammanhållning av långsträckta element
JP3839174B2 (ja) * 1998-01-30 2006-11-01 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータの製造方法
JP4497787B2 (ja) * 2002-04-04 2010-07-07 株式会社東芝 転動ボール
US6814305B2 (en) * 2002-08-13 2004-11-09 Nelson Irrigation Corporation Reversible adjustable arc sprinkler
DE102004016872B4 (de) * 2003-03-31 2007-09-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von Formkörpern sowie deren Verwendung
KR100840786B1 (ko) * 2006-07-28 2008-06-23 삼성전자주식회사 저저항 게이트 전극을 구비하는 반도체 장치 및 이의제조방법
US8047288B2 (en) 2007-07-18 2011-11-01 Oxane Materials, Inc. Proppants with carbide and/or nitride phases
JP7262946B2 (ja) * 2018-08-29 2023-04-24 Koa株式会社 抵抗材料及び抵抗器

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5059409A (ja) * 1973-09-26 1975-05-22
JPS5841771A (ja) * 1981-08-31 1983-03-11 住友電気工業株式会社 窒化けい素焼結体
JPS58194775A (ja) * 1982-05-06 1983-11-12 住友電気工業株式会社 強靭セラミツク組成物およびその製造法
JPS60246271A (ja) * 1984-05-18 1985-12-05 宮本 欽生 セラミツクスの焼結方法
JPS6140872A (ja) * 1984-07-31 1986-02-27 京セラ株式会社 窒化ケイ素質焼結体の製造方法
JPS61236653A (ja) * 1985-04-15 1986-10-21 日本化学工業株式会社 窒化クロム―ジルコニア系セラミックス及びその製造方法
JPS61270263A (ja) * 1985-05-24 1986-11-29 日本特殊陶業株式会社 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法
JPS61270273A (ja) * 1985-05-22 1986-11-29 日本特殊陶業株式会社 網目状多孔質窒化硅素焼結体の製造法
JPS63185865A (ja) * 1987-01-27 1988-08-01 日本特殊陶業株式会社 窒化ケイ素焼結体の製造法
JPS63185866A (ja) * 1987-01-27 1988-08-01 日本特殊陶業株式会社 窒化ケイ素焼結体の製造法
JPH01167206A (ja) * 1987-12-22 1989-06-30 Kobe Steel Ltd ニオブ窒化物の製造方法
JPH01195685A (ja) * 1988-01-29 1989-08-07 Mazda Motor Corp セラミックヒータの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3895219A (en) * 1973-11-23 1975-07-15 Norton Co Composite ceramic heating element
JPS58209084A (ja) * 1982-05-28 1983-12-05 株式会社日立製作所 直熱形ヒ−タ材
JPS5978973A (ja) * 1982-10-27 1984-05-08 株式会社日立製作所 導電性セラミツクス
US4507224A (en) * 1982-12-03 1985-03-26 Agency Of Industrial Science & Technology Ceramics containing fibers of silicon carbide
JPS59223266A (ja) * 1983-05-27 1984-12-15 イビデン株式会社 非酸化物セラミツクス焼結体の製造方法
JPS60195059A (ja) * 1984-03-15 1985-10-03 株式会社トクヤマ 複合焼結体
US4770953A (en) * 1986-02-20 1988-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Aluminum nitride sintered body having conductive metallized layer
US4716133A (en) * 1986-03-31 1987-12-29 Kyocera Corporation Method for production of silicon nitride sintered body
JPS63185864A (ja) * 1986-09-05 1988-08-01 株式会社日立製作所 複合セラミツクスおよびその製法
EP0286127B1 (en) * 1987-04-10 1993-10-27 Hitachi, Ltd. Ceramic composite and process for production thereof

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5059409A (ja) * 1973-09-26 1975-05-22
JPS5841771A (ja) * 1981-08-31 1983-03-11 住友電気工業株式会社 窒化けい素焼結体
JPS58194775A (ja) * 1982-05-06 1983-11-12 住友電気工業株式会社 強靭セラミツク組成物およびその製造法
JPS60246271A (ja) * 1984-05-18 1985-12-05 宮本 欽生 セラミツクスの焼結方法
JPS6140872A (ja) * 1984-07-31 1986-02-27 京セラ株式会社 窒化ケイ素質焼結体の製造方法
JPS61236653A (ja) * 1985-04-15 1986-10-21 日本化学工業株式会社 窒化クロム―ジルコニア系セラミックス及びその製造方法
JPS61270273A (ja) * 1985-05-22 1986-11-29 日本特殊陶業株式会社 網目状多孔質窒化硅素焼結体の製造法
JPS61270263A (ja) * 1985-05-24 1986-11-29 日本特殊陶業株式会社 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法
JPS63185865A (ja) * 1987-01-27 1988-08-01 日本特殊陶業株式会社 窒化ケイ素焼結体の製造法
JPS63185866A (ja) * 1987-01-27 1988-08-01 日本特殊陶業株式会社 窒化ケイ素焼結体の製造法
JPH01167206A (ja) * 1987-12-22 1989-06-30 Kobe Steel Ltd ニオブ窒化物の製造方法
JPH01195685A (ja) * 1988-01-29 1989-08-07 Mazda Motor Corp セラミックヒータの製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377700B1 (ko) * 2000-01-13 2003-03-29 스미토모덴키고교가부시키가이샤 세라믹스 히터
JP2011003548A (ja) * 2005-05-11 2011-01-06 Hitachi Powdered Metals Co Ltd 有底円筒状焼結体の製造方法
JP2013091852A (ja) * 2005-05-11 2013-05-16 Hitachi Powdered Metals Co Ltd 焼結体の製造方法
JPWO2009057596A1 (ja) * 2007-10-29 2011-03-10 京セラ株式会社 導体内蔵セラミックスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0332082B1 (en) 1993-06-09
EP0332082A2 (en) 1989-09-13
DE68906928T2 (de) 1993-09-23
JP2949586B2 (ja) 1999-09-13
US5085806A (en) 1992-02-04
EP0332082A3 (en) 1991-06-05
KR890015291A (ko) 1989-10-28
DE68906928D1 (de) 1993-07-15
KR970008548B1 (ko) 1997-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63185864A (ja) 複合セラミツクスおよびその製法
KR101356374B1 (ko) 양도전성 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법
EP0286127B1 (en) Ceramic composite and process for production thereof
JP2949586B2 (ja) 電導材及びその製造法
CN104744048B (zh) 致密原位Si4N3-SiC复合材料的制备方法
WO2002081405A1 (en) Method for producing sic fiber-reinforced sic composite material by means of hot press
KR20010040616A (ko) 소결형 핀 가열기
US5403674A (en) Conductive material and process for preparing the same
JP2644876B2 (ja) 機能性セラミックス物品の製造方法
JP2771239B2 (ja) 回転電機
JP2521690B2 (ja) セラミツクヒ−タ及びその製造方法
JPH09213462A (ja) 炭化珪素質発熱体
JP2001261441A (ja) 導電性SiC焼結体の製造方法
JPH0380156A (ja) 導電性セラミックス及びその製造法
KR20060011550A (ko) 점토결합 탄화규소, 그 제조방법 및 이를 이용한 세라믹발열체
JPH0723265B2 (ja) セラミックス複合体及びその製法並びにその用途
JPH04325462A (ja) AlNセラミックヒータ用発熱抵抗体用ペースト
JPS59101702A (ja) セラミツク導電材及びそれを用いた電気的装置
JPH1192225A (ja) 炭化珪素焼結体及びその製造方法
JP3051931B1 (ja) 高強度炭化ケイ素焼結体とその製造方法
JP2012041216A (ja) 炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体
JPH0826827A (ja) 導電性反応焼結炭化珪素焼結体とその製造方法及び用途
JP2012041214A (ja) 炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体
JP2004026517A (ja) 炭化ケイ素系導電性焼結体およびその製造法
JPH0477699B2 (ja)