JPH01227236A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH01227236A JPH01227236A JP63051586A JP5158688A JPH01227236A JP H01227236 A JPH01227236 A JP H01227236A JP 63051586 A JP63051586 A JP 63051586A JP 5158688 A JP5158688 A JP 5158688A JP H01227236 A JPH01227236 A JP H01227236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- recording layer
- substrate
- information recording
- change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は記録用の光ビームの照射により記録′層の原子
配列の変化に伴う光学的特性の変化を生じさせて、情報
の記録、消去を繰返し行い、光学的特性の変化を検出し
て情報を再生する情報記録媒体に関する。
配列の変化に伴う光学的特性の変化を生じさせて、情報
の記録、消去を繰返し行い、光学的特性の変化を検出し
て情報を再生する情報記録媒体に関する。
（従来の技術）
従来広く開発がなされている記録、消去が可能な情報記
録媒体には光ビームの照射による原子配列の変化に利用
したものがある。
録媒体には光ビームの照射による原子配列の変化に利用
したものがある。
このような情報記録媒体に情報を記録する際には、まず
情報記録層に光ビームを全面照射して加熱し、記録層を
結晶性の高い状態（以下結晶状態という）にする。次に
短い強いパルス光を照射し、記録層を加熱急冷する。す
るとパルス照射部の結晶性が低下した゛状態（以下非晶
質状態という）となり、情報が記録される。上記の結晶
状態と非晶質状態では、原子配列が異なることから、光
学的特性（反射率、透過率）が変化するため、この光学
的特性の変化を検出して情報を再生することができる。
情報記録層に光ビームを全面照射して加熱し、記録層を
結晶性の高い状態（以下結晶状態という）にする。次に
短い強いパルス光を照射し、記録層を加熱急冷する。す
るとパルス照射部の結晶性が低下した゛状態（以下非晶
質状態という）となり、情報が記録される。上記の結晶
状態と非晶質状態では、原子配列が異なることから、光
学的特性（反射率、透過率）が変化するため、この光学
的特性の変化を検出して情報を再生することができる。
書込まれた情報を消去するには、長い弱いパルス光を照
射して加熱徐冷し、原子配列を変化させ、再び結晶状態
とする。
射して加熱徐冷し、原子配列を変化させ、再び結晶状態
とする。
このように光ビームの照射条件によって原子配列を繰返
し変化させ、情報を記録、消去する記録層の材料として
は、反射率変化の特に大きなＴｅ。
し変化させ、情報を記録、消去する記録層の材料として
は、反射率変化の特に大きなＴｅ。
Ｓｅなどカルコゲナイド系元素を主成分とする半導体非
晶ｉが提案されている。しかし半導体装置質量外にもＭ
ｇとＣａとの２元合金においてはＣａの含有率か１５原
子％以上８５％以下の範囲で上記と同様に光ビームの照
射条件の違いにより、金属結晶と金属非晶質とに繰返し
変化しうろことか見い出された。ところがこれらの金属
合金においては相変化に伴う光学的特性の変化が記録材
料として使用できるほど充分大きくない。又、結晶化温
度が低く室温での非晶質状態の安定性が悪いなどの問題
点があり、情報記録媒体として使うことかできない。
晶ｉが提案されている。しかし半導体装置質量外にもＭ
ｇとＣａとの２元合金においてはＣａの含有率か１５原
子％以上８５％以下の範囲で上記と同様に光ビームの照
射条件の違いにより、金属結晶と金属非晶質とに繰返し
変化しうろことか見い出された。ところがこれらの金属
合金においては相変化に伴う光学的特性の変化が記録材
料として使用できるほど充分大きくない。又、結晶化温
度が低く室温での非晶質状態の安定性が悪いなどの問題
点があり、情報記録媒体として使うことかできない。
（発明が解決しようとする課題）
以上詳述したようにＭｇとＣａ （１５原子％≦Ｃａ
≦８５原子％）との２元合金では、結晶化温度か低く室
温における非晶質状態の安定性が悪く、また、相変化に
伴う光学的特性の変化が小さいため、情報記録媒体の材
料としては使用できなかった。
≦８５原子％）との２元合金では、結晶化温度か低く室
温における非晶質状態の安定性が悪く、また、相変化に
伴う光学的特性の変化が小さいため、情報記録媒体の材
料としては使用できなかった。
上記課題を解決するために、本発明ではＭｇとＣａとの
２元合金にカルコゲナイド元素のＴｅ。
２元合金にカルコゲナイド元素のＴｅ。
Ｓｅ、Ｇｅを加えることにより、結晶化温度を高めて室
温における非晶質状態を安定させ、又、相変化に伴う光
学的特性の変化量を増大させ、情報記録媒体として使い
うる材料を提供することを目的とする。
温における非晶質状態を安定させ、又、相変化に伴う光
学的特性の変化量を増大させ、情報記録媒体として使い
うる材料を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段と作用）
本発明の情報記録媒体は例えば第１図に示されるような
断面構造を有する。第１図において情報記録媒体は基板
１とこの基板１上に無機物保護層３．光記録層２．無機
物保護層３．有機物保護層４を順次備えて構成されてい
る。
断面構造を有する。第１図において情報記録媒体は基板
１とこの基板１上に無機物保護層３．光記録層２．無機
物保護層３．有機物保護層４を順次備えて構成されてい
る。
基板１はガラスやプラスチック材料（例えばポリオレフ
ィン、エポキシ、ポリカーボネイト、ポリメシルメタク
リレート等）からなる。
ィン、エポキシ、ポリカーボネイト、ポリメシルメタク
リレート等）からなる。
無機物保護層３は光記録層２の経時変化を防ぐために光
記録層セの両側を挾んだ構造となっており、金属又は半
金属の酸化物、弗化物、硫化物。
記録層セの両側を挾んだ構造となっており、金属又は半
金属の酸化物、弗化物、硫化物。
窒化物例えば５ｉ０２ 、Ａ１２０３ 、ＡＩＮ。
ＺｎＳなどの誘電体からなる。この無機物保護層は反射
光を増幅させる機能も有する。有機物保護層４は、紫外
線硬化樹脂がらなり、この情報記録媒体を取扱う場合の
表面での傷や埃を防止するために配設されている。
光を増幅させる機能も有する。有機物保護層４は、紫外
線硬化樹脂がらなり、この情報記録媒体を取扱う場合の
表面での傷や埃を防止するために配設されている。
このような組成の記録層は多元同時スパッタ法により成
膜す−る。すなわち、使用されるスパッタ装置は第２図
及び第３図に示す通りである。第２図中１１は真空容器
であり、ガス排気ボート１２を介して排気装置１３に接
続され、ガス導入ボート１４を介してアルゴンガスボン
ベ１５に接続されている。真空容器１１内の上部には、
基板１６が支持装置１７に水平に支架され支持装置１７
により回転駆動できる。又、真空容器１１の底部には、
所定元素で形成されたスパッタ源１８，１９゜２０が設
けられ、各スパッタ源上部にはモニタ装置２’ｌ、２２
．２３が設けられている。
膜す−る。すなわち、使用されるスパッタ装置は第２図
及び第３図に示す通りである。第２図中１１は真空容器
であり、ガス排気ボート１２を介して排気装置１３に接
続され、ガス導入ボート１４を介してアルゴンガスボン
ベ１５に接続されている。真空容器１１内の上部には、
基板１６が支持装置１７に水平に支架され支持装置１７
により回転駆動できる。又、真空容器１１の底部には、
所定元素で形成されたスパッタ源１８，１９゜２０が設
けられ、各スパッタ源上部にはモニタ装置２’ｌ、２２
．２３が設けられている。
この装置により、記録層の成膜を行なう場合には、まず
排気装置１３により、真空容器１１内を１０ ”’Ｔ
ｏｒｒ台の真空度まで排気する。次いでガス導入ボート
１４よりＡｒガスを導入し排気装置１３の排気量を調節
して真空容器１１内を所定の減圧下に保持する。そして
基板１６を回転させつつスパッタ源１８，１９．２０に
所定時間電力を印加する。これにより基板１６に記録層
が形成される。
排気装置１３により、真空容器１１内を１０ ”’Ｔ
ｏｒｒ台の真空度まで排気する。次いでガス導入ボート
１４よりＡｒガスを導入し排気装置１３の排気量を調節
して真空容器１１内を所定の減圧下に保持する。そして
基板１６を回転させつつスパッタ源１８，１９．２０に
所定時間電力を印加する。これにより基板１６に記録層
が形成される。
（実施例）
上記のような構造の情報記録媒体の特性を試験した実験
結果を以下に述べる。
結果を以下に述べる。
一実験１−
第２図の真空容器１１内にＭｇとＣａとＴｅのスパッタ
源を設け、容器内を５ Ｘ １Ｇ−６Ｔ ｏｒｒまで排
気した。次にＡｒガスを導入して５ Ｘ １Ｏ−３Ｔ
ｏｒｒに全体の圧力を調節した。基板として充分に洗浄
した外径１３０ｎｍ 、板厚１．２＋ｎｍの円板状ポリ
カーボネート基板を用い、この基板を８０ｒｐｍで回転
１つつモニタにより各元素のスパッタ量をモニタして各
スパッタ源ｊこ投入する電力をコントロールし、全体の
膜厚１０００Ａになるまで各元素を堆積させて記録層を
成膜した。Ｍｇ４゜Ｃａ６ｏに対してテルルセレンの含
有量をしだいに増加させ高感度ＤＳＣ（示差走査熱量計
）で昇温速度１０℃／■で結晶化温度を測定しテルル、
セレンの含有量と結晶化温度の関係を調べた。結果は第
４図に示す通りである。Ｔｅ、Ｓｅの含有量がふえると
結晶化温度がしだいに高くなることがわかる。ＭｇとＣ
ａとの組成比を変えた場合にも同様の効果が示した。又
Ｔｅ、Ｓｅの代わりにＧｅを加えた場合にも同様の効果
を示した。
源を設け、容器内を５ Ｘ １Ｇ−６Ｔ ｏｒｒまで排
気した。次にＡｒガスを導入して５ Ｘ １Ｏ−３Ｔ
ｏｒｒに全体の圧力を調節した。基板として充分に洗浄
した外径１３０ｎｍ 、板厚１．２＋ｎｍの円板状ポリ
カーボネート基板を用い、この基板を８０ｒｐｍで回転
１つつモニタにより各元素のスパッタ量をモニタして各
スパッタ源ｊこ投入する電力をコントロールし、全体の
膜厚１０００Ａになるまで各元素を堆積させて記録層を
成膜した。Ｍｇ４゜Ｃａ６ｏに対してテルルセレンの含
有量をしだいに増加させ高感度ＤＳＣ（示差走査熱量計
）で昇温速度１０℃／■で結晶化温度を測定しテルル、
セレンの含有量と結晶化温度の関係を調べた。結果は第
４図に示す通りである。Ｔｅ、Ｓｅの含有量がふえると
結晶化温度がしだいに高くなることがわかる。ＭｇとＣ
ａとの組成比を変えた場合にも同様の効果が示した。又
Ｔｅ、Ｓｅの代わりにＧｅを加えた場合にも同様の効果
を示した。
以上の実験結果よりＭｇとＣａとの２元合金にカルコゲ
ナイド元素のＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加えることにより、結
晶化温度が高くなり室温での非晶質状態が安定となるこ
とがわかった。
ナイド元素のＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加えることにより、結
晶化温度が高くなり室温での非晶質状態が安定となるこ
とがわかった。
−実験２−
実験１と同様の方法でＭｇとＣａとＸ （Ｘ−Ｔｅ、Ｓ
ｅ）の３元記録層を多元同時スパッタ法で成膜し波長７
９０ｎｍの光を照射してその表面反射率をＤＪ定した。
ｅ）の３元記録層を多元同時スパッタ法で成膜し波長７
９０ｎｍの光を照射してその表面反射率をＤＪ定した。
結果は第５図に示す通りである。カコゲナイト元素Ｔｅ
、Ｓｅの含有量が増すと反射率の変化量が次第に増大し
た。ＭｇとＣａとの組成比を変えも同様の効果を示した
。又Ｔｅ、Ｓｅの代わりにＧｅを加えた場合にも同様の
効果が得られた。以上の実験結果によりＭｇ、Ｃａとの
２元合金にカルコゲナイド元素のＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加
えることにより、反射率の変化量が増大することがわか
った。
、Ｓｅの含有量が増すと反射率の変化量が次第に増大し
た。ＭｇとＣａとの組成比を変えも同様の効果を示した
。又Ｔｅ、Ｓｅの代わりにＧｅを加えた場合にも同様の
効果が得られた。以上の実験結果によりＭｇ、Ｃａとの
２元合金にカルコゲナイド元素のＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加
えることにより、反射率の変化量が増大することがわか
った。
一実験３−
ここでは成膜された合金薄膜の非晶質状態の安全性を調
べた。
べた。
ガラス基板下にＳ ｉ ０２１００ｒｖ 、光記録材料
１１００ｎ、Ｓ ｉ ０２１１００ｎ 、 Ｕ Ｖ−
硬化樹脂層を前記のスパッタ法により形成した。成膜し
た記録層の組成は （Ｍｇ ３ｏｃａ ７０）
９ｏＳｅ Ｉｏｎ （Ｍｇ ５ｏＣａ ５０
）ｅａｓｅ Ｉｏｎ （Ｍｇ ７ｏｃａ ３０） 、
ｏｓｅ １０の３通りである。この記録層にまず光ビー
ムを全面照射し、次いで短い強いパルス光を照射し、Ｘ
線構造回折により非晶質となっていることを確かめた。
１１００ｎ、Ｓ ｉ ０２１１００ｎ 、 Ｕ Ｖ−
硬化樹脂層を前記のスパッタ法により形成した。成膜し
た記録層の組成は （Ｍｇ ３ｏｃａ ７０）
９ｏＳｅ Ｉｏｎ （Ｍｇ ５ｏＣａ ５０
）ｅａｓｅ Ｉｏｎ （Ｍｇ ７ｏｃａ ３０） 、
ｏｓｅ １０の３通りである。この記録層にまず光ビー
ムを全面照射し、次いで短い強いパルス光を照射し、Ｘ
線構造回折により非晶質となっていることを確かめた。
つぎにこの試料を４５℃、７０％ＲＨの環境に供し反射
率の変化を測定した。基板側での表面反射率の初期値を
Ｒｏ、経時での反射率の値をＲとし、経時４間に対して
Ｒ／ Ｒｏの値をプロットした（第６図）。（Ｍｇ ３
ｏｃａ ７０） ９ｏｓｅ Ｉｏｎ （Ｍｇ 、ｏ
ｃａ ｓｏ） ９ｏＳｅ ｌｏｔ （Ｍｇ
７ｏｃａ ３０） ９ｏｓｅ１ｏいずれの組成の記
録層についても３力月経過しても反射率にはほとんど変
化がないことがわかる。
率の変化を測定した。基板側での表面反射率の初期値を
Ｒｏ、経時での反射率の値をＲとし、経時４間に対して
Ｒ／ Ｒｏの値をプロットした（第６図）。（Ｍｇ ３
ｏｃａ ７０） ９ｏｓｅ Ｉｏｎ （Ｍｇ 、ｏ
ｃａ ｓｏ） ９ｏＳｅ ｌｏｔ （Ｍｇ
７ｏｃａ ３０） ９ｏｓｅ１ｏいずれの組成の記
録層についても３力月経過しても反射率にはほとんど変
化がないことがわかる。
Ｓｅの代わりにＴｅ、Ｇｅを加えても同様の効果か得ら
れた。以上の実験結果よりＭｇとＣａとの２元合金にＴ
ｅ、Ｓｅ、Ｇｅ等のカルコゲナイド元素を加えることに
より、経時変化が変化せず非晶質状態の安定な情報記録
媒体が得られることわかった。
れた。以上の実験結果よりＭｇとＣａとの２元合金にＴ
ｅ、Ｓｅ、Ｇｅ等のカルコゲナイド元素を加えることに
より、経時変化が変化せず非晶質状態の安定な情報記録
媒体が得られることわかった。
［発明の効果コ
以上詳述したように結晶状態と非晶質状態との相変化を
可逆的に起こすＭ ｇとＣａとの２元合金に更にカルコ
ゲナイド元素Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加えると相変化に伴な
う反射率変化が増大し、又、結晶化温度も高くなり、室
温における非晶質状態か安定な情報記録媒体が得られた
。
可逆的に起こすＭ ｇとＣａとの２元合金に更にカルコ
ゲナイド元素Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加えると相変化に伴な
う反射率変化が増大し、又、結晶化温度も高くなり、室
温における非晶質状態か安定な情報記録媒体が得られた
。
第１図は、本発明の情報記録媒体の断面構造図、第２図
は、スパッタ装置の側面図、 第３図は、スパッタ装置の底面図、 第４図は、カルコゲナイド元素の添加率と結晶化温度の
相関を示すグラフ、 第５図は、カルコゲナイド元素の添加量と反射率変化量
の相関を示すグラフ、 第６図は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｅ、の３元記録層の経時反射
率変化量の相関を示すグラフである。 １・・・基板 ２・・・記録°層 ３・・・無機物保護層 ４・・・有機物保護層 理
は、スパッタ装置の側面図、 第３図は、スパッタ装置の底面図、 第４図は、カルコゲナイド元素の添加率と結晶化温度の
相関を示すグラフ、 第５図は、カルコゲナイド元素の添加量と反射率変化量
の相関を示すグラフ、 第６図は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｅ、の３元記録層の経時反射
率変化量の相関を示すグラフである。 １・・・基板 ２・・・記録°層 ３・・・無機物保護層 ４・・・有機物保護層 理
Claims (1)
- 光ビームの照射により原子配列の変化を生じさせて情報
を記録、消去しうる記録層を有する情報記録媒体におい
て前記記録層がＭｇとＣａとＸ（ＸはＳｅ、Ｔｅ、Ｇｅ
の中から選ばれた元素）とを含有する合金薄膜からなる
ことを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051586A JPH01227236A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051586A JPH01227236A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227236A true JPH01227236A (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=12891036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63051586A Pending JPH01227236A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01227236A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6790592B2 (en) * | 2000-09-14 | 2004-09-14 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical information recording medium |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63051586A patent/JPH01227236A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6790592B2 (en) * | 2000-09-14 | 2004-09-14 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical information recording medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0644537A2 (en) | Information recording medium | |
| JPH02171286A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH01227236A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2755593B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH01227237A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH01227235A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH01224938A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2886188B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS63155437A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH01241040A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2680388B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH01241035A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0361080A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH01241036A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH02171287A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0361079A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPWO1991005342A1 (ja) | 光学情報記録媒体の製造方法 | |
| JPH02167789A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS63136336A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH02167782A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH01199333A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH02167788A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS6358634A (ja) | 情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH068636A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH02171291A (ja) | 情報記録媒体 |