JPH01241040A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH01241040A JPH01241040A JP63065664A JP6566488A JPH01241040A JP H01241040 A JPH01241040 A JP H01241040A JP 63065664 A JP63065664 A JP 63065664A JP 6566488 A JP6566488 A JP 6566488A JP H01241040 A JPH01241040 A JP H01241040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- substrate
- information recording
- recording layer
- vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は記録用の光ビームの照射により記録層の原子配
列の変化に伴う光学的特性の変化を生じさせて、情報の
記録、消去を繰返し行い、光学的特性の変化を検出して
情報を再生する情報記録媒体に関する。
列の変化に伴う光学的特性の変化を生じさせて、情報の
記録、消去を繰返し行い、光学的特性の変化を検出して
情報を再生する情報記録媒体に関する。
（従来の技術）
従来広く開発がなされている記録、消去が可能な情報記
録媒体には光ビームの照射による原子配列の変化を利用
したものがある。
録媒体には光ビームの照射による原子配列の変化を利用
したものがある。
このような情報記録媒体に情報を記録する際には、まず
情報記録層に光ビームを全面照射して加熱し、記録層を
結晶性の高い状態（以下結晶状態という）にする。次に
短い強いパルス光を照射し、記録層を加熱急冷する。す
るとパルス照射部の結晶性が低下した状態（以下非晶質
状態という）となり、情報が記録される。上記の結晶状
態と非晶質状態では、原子配列が異なることから、光学
的特性（反射率、透過率）が変化するため、この光学的
特性の変化を検出して情報を再生することができる。書
込まれた情報を消去するには、長い弱いパルス光を照射
して加熱徐冷し、原子配列を変化させ、再び結晶状態と
する。
情報記録層に光ビームを全面照射して加熱し、記録層を
結晶性の高い状態（以下結晶状態という）にする。次に
短い強いパルス光を照射し、記録層を加熱急冷する。す
るとパルス照射部の結晶性が低下した状態（以下非晶質
状態という）となり、情報が記録される。上記の結晶状
態と非晶質状態では、原子配列が異なることから、光学
的特性（反射率、透過率）が変化するため、この光学的
特性の変化を検出して情報を再生することができる。書
込まれた情報を消去するには、長い弱いパルス光を照射
して加熱徐冷し、原子配列を変化させ、再び結晶状態と
する。
このように光ビーにの照射条件によって原子配列を変化
させ、情報を記録、消去する記録層の材料としては、反
射率変化の特に大きなＴｅ、Ｓｅ。
させ、情報を記録、消去する記録層の材料としては、反
射率変化の特に大きなＴｅ、Ｓｅ。
Ｇｅなどカルコゲナイド系元素を主成分とする半導体非
晶質が提案されている。しかし半導体非晶質以外にもＣ
ａとＧａとの２元合金においてはＣａの含有率が３０原
子％以上８０％以下の範囲で上記と同様に光ビームの照
射条件の違いにより、金属結晶と金属非晶質とに繰返し
変化しうろことが見い出された。ところがこれらの金属
合金においては相変化に伴う光学的特性の変化が記録材
料として使用できるほど充分大きくない。又、結晶化温
度が低く室温での非晶質状態の安定性が悪いなどの欠点
があり、情報記録媒体として使うことができない。
晶質が提案されている。しかし半導体非晶質以外にもＣ
ａとＧａとの２元合金においてはＣａの含有率が３０原
子％以上８０％以下の範囲で上記と同様に光ビームの照
射条件の違いにより、金属結晶と金属非晶質とに繰返し
変化しうろことが見い出された。ところがこれらの金属
合金においては相変化に伴う光学的特性の変化が記録材
料として使用できるほど充分大きくない。又、結晶化温
度が低く室温での非晶質状態の安定性が悪いなどの欠点
があり、情報記録媒体として使うことができない。
（発明が解決しようとする課題）
以上詳述したようにＣａとＧａ （３０原子％≦Ｃａ
≦８０原子％）、との２元合金では、結晶化温度が低く
室温における非晶質状態の安定性が悪く、また、相変化
に伴う光学的特性の変化が小さいため、情報記録媒体の
材料としては使用できなかっｔ二。
≦８０原子％）、との２元合金では、結晶化温度が低く
室温における非晶質状態の安定性が悪く、また、相変化
に伴う光学的特性の変化が小さいため、情報記録媒体の
材料としては使用できなかっｔ二。
上記課題を解決するために、本発明ではＣａとＧａとの
２元合金にカルコゲナイド元素Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加え
ることにより、結晶化温度を高めて室温における非晶質
状態を安定させ、又、相変化に伴う光学的特性の変化量
を増大させ、情報記録媒体として使いうる材料を提供す
ることを目的とする。
２元合金にカルコゲナイド元素Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加え
ることにより、結晶化温度を高めて室温における非晶質
状態を安定させ、又、相変化に伴う光学的特性の変化量
を増大させ、情報記録媒体として使いうる材料を提供す
ることを目的とする。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段と作用）
本発明の情報記録媒体は例えば第１図に示されるような
断面を有する。第１図において情報記録媒体は基板１と
この基板１上に無機物保護層３゜光記録層２．無機物保
護層３．有機物保護層４を順次備えて構成されている。
断面を有する。第１図において情報記録媒体は基板１と
この基板１上に無機物保護層３゜光記録層２．無機物保
護層３．有機物保護層４を順次備えて構成されている。
基板１はガラスやプラスチック材料（例えばポリオレフ
ィン、エポキシ、ポリカーボネイト、ポリメシルメタク
リレート等）からなる。
ィン、エポキシ、ポリカーボネイト、ポリメシルメタク
リレート等）からなる。
無機物保護層３は光記録層２の経時変化を防ぐために光
記録層２の両側を挾んだ構造となっており、金属又は半
金属の酸化物、弗化物、硫化物。
記録層２の両側を挾んだ構造となっており、金属又は半
金属の酸化物、弗化物、硫化物。
窒化物例えばＳｉ ０２＋ Ａ１２０３．Ｚｎ Ｓなど
の誘電体からなる。この無機物保護層は反射光を増幅さ
せる機能も有する。有機物保護層４は、紫外線硬化樹脂
からなり、この情報記録媒体を取扱う場合の表面での傷
や埃を防止するために配設されている。
の誘電体からなる。この無機物保護層は反射光を増幅さ
せる機能も有する。有機物保護層４は、紫外線硬化樹脂
からなり、この情報記録媒体を取扱う場合の表面での傷
や埃を防止するために配設されている。
このような組成の記録層は多元同時スパッタ法により成
膜する。すなわち、使用されるスパッタ装置は第２図及
び第３図に示す通りである。第２図中１１は真空容器で
あり、ガス排気ボート１２を介して排気装置１３に接続
され、ガス導入ボート１４を介してアルゴンガスボンベ
１５に接続されている。真空容器１１内の上部には、基
板１６が支持装置１７に水平に支架され支持装置１７１
；より回転駆動できる。又、真空容器１１の底部には、
所定元素で形成されたスパッタ源１８．１９゜２０が設
けられ、各スパッタ源上部にはモニタ装置２１，２２．
２３が設けられている。
膜する。すなわち、使用されるスパッタ装置は第２図及
び第３図に示す通りである。第２図中１１は真空容器で
あり、ガス排気ボート１２を介して排気装置１３に接続
され、ガス導入ボート１４を介してアルゴンガスボンベ
１５に接続されている。真空容器１１内の上部には、基
板１６が支持装置１７に水平に支架され支持装置１７１
；より回転駆動できる。又、真空容器１１の底部には、
所定元素で形成されたスパッタ源１８．１９゜２０が設
けられ、各スパッタ源上部にはモニタ装置２１，２２．
２３が設けられている。
この装置により、記録層の成膜を行なう場合には、まず
排気装置１３により、真空容器１１内を１Ｏ−６Ｔｏｒ
ｒ台の真空度まで排気する。次いでガス導入ボート１４
よりＡｒガスを導入し排気装置１３の排気量を調節して
真空容器１１内を所定の減圧下に保持する。そして基板
１６を回転させつつスパッタ源１８，１９．２０に所定
時間電力を印加する。これにより基板１６に記録層が形
成される。
排気装置１３により、真空容器１１内を１Ｏ−６Ｔｏｒ
ｒ台の真空度まで排気する。次いでガス導入ボート１４
よりＡｒガスを導入し排気装置１３の排気量を調節して
真空容器１１内を所定の減圧下に保持する。そして基板
１６を回転させつつスパッタ源１８，１９．２０に所定
時間電力を印加する。これにより基板１６に記録層が形
成される。
（実施例）・
上記のような構造の情報記録媒体の実施例を具体的に以
下に述べる。
下に述べる。
一実施例１−
第２図の真空容器１１内にＣａとＧａとＴｅまたはＳｅ
のスパッタ源を設け、容器内を５Ｘ１０−’Ｔ ｏｒｒ
まで排気した。次にＡｒガスを導入して５ｘ １ｏ−”
ｒ ｏｒｒに全体の圧力を調節した。基板として充分に
洗浄した外径１３０ｎｍ 、板厚１．２Ｈの円板状ポリ
カーボネート基板を用い、この基板を６０ｒｐｍで回転
しつつモニタにより各元素のスパッタ量を検知して各ス
パッタ源に投入する電力を制御し、全体の膜厚１０００
人になるまで各元素を堆積させて記録層を成膜した。Ｃ
ａ４ｏＧａ６ｏに対してＴ ｅ ｓＳｅの含有量をしだ
いに増加させ高感度ＤＳＣ（示差走査熱量計）で昇温速
度ｌＯ℃／■で結晶化温度を測定しＴｅ、Ｓｅの含有量
と結晶化温度の関係を調べた。結果は第４図に示す通り
である。
のスパッタ源を設け、容器内を５Ｘ１０−’Ｔ ｏｒｒ
まで排気した。次にＡｒガスを導入して５ｘ １ｏ−”
ｒ ｏｒｒに全体の圧力を調節した。基板として充分に
洗浄した外径１３０ｎｍ 、板厚１．２Ｈの円板状ポリ
カーボネート基板を用い、この基板を６０ｒｐｍで回転
しつつモニタにより各元素のスパッタ量を検知して各ス
パッタ源に投入する電力を制御し、全体の膜厚１０００
人になるまで各元素を堆積させて記録層を成膜した。Ｃ
ａ４ｏＧａ６ｏに対してＴ ｅ ｓＳｅの含有量をしだ
いに増加させ高感度ＤＳＣ（示差走査熱量計）で昇温速
度ｌＯ℃／■で結晶化温度を測定しＴｅ、Ｓｅの含有量
と結晶化温度の関係を調べた。結果は第４図に示す通り
である。
ＣａとＧａの組成比に関係なく結晶化温度が充分高かっ
た。また、Ｇｅでも同様の効果が得られた。
た。また、Ｇｅでも同様の効果が得られた。
従ってＣａ、Ｇａ、Ｘ （Ｘ−Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅ）から
なる情報記録媒体はＣａとＧａとの組成比に関係なく結
晶化温度が十分高く、非晶質状態が安定であることがわ
かった。
なる情報記録媒体はＣａとＧａとの組成比に関係なく結
晶化温度が十分高く、非晶質状態が安定であることがわ
かった。
一実施例２一
実施例１と同様の方法でＣａとＧａとＸ （Ｘ−Ｔ ｅ
、 Ｓ ｅ）の３元記録層を多元同時スパッタ法で成膜
し波長７９０ｒ＋ｍの光を照射してその表面反射率を測
定した。結果は第４図に示す通りである。カルコゲナイ
ド元素Ｔｅ、Ｓｅの含有量が増すと反射率の変化量も増
大することがわかる。ＣａとＧａとの組成比を変えても
同様の効果が得られた。更にＴｅ、Ｓｅの代わりにＧｅ
を加えた場合にも同様の効果が得られた。
、 Ｓ ｅ）の３元記録層を多元同時スパッタ法で成膜
し波長７９０ｒ＋ｍの光を照射してその表面反射率を測
定した。結果は第４図に示す通りである。カルコゲナイ
ド元素Ｔｅ、Ｓｅの含有量が増すと反射率の変化量も増
大することがわかる。ＣａとＧａとの組成比を変えても
同様の効果が得られた。更にＴｅ、Ｓｅの代わりにＧｅ
を加えた場合にも同様の効果が得られた。
以上の実験結果によりＣａとＧａとの２元合金にカルコ
ゲナイド元素を加えることにより相変化に伴う反射率の
変化量が増大し、ひいては再生信号量も増大することが
わかった。
ゲナイド元素を加えることにより相変化に伴う反射率の
変化量が増大し、ひいては再生信号量も増大することが
わかった。
一実施例３−
ここでは成膜された合金薄膜の非晶質状態の安全性を調
べた。
べた。
ガラス基板上にＳ ｉ Ｏ２１００ｎＩＩｌ、光記録材
料１００ｎＩＩｌ、Ｓｉ Ｏ□１１００ｎ 、 ＵＶ硬
化樹脂層を前記のスパッタ法により形成した。成膜した
記録層の組成は（Ｃａ ４ｏＧａ ６０） ９ｏＴｅ
ＩＯ＋ （Ｃａ ５ｏＧａ ５０）ｇｏＴｅ １０．
（Ｃａ ７０Ｇａ３０） ９ｏＴｅ １０である。こ
の記録層にまず光ビームを全面照射し、次いで短い強い
パルス光を照射し、Ｘ線構造回折により非晶質となって
いることを確かめた。
料１００ｎＩＩｌ、Ｓｉ Ｏ□１１００ｎ 、 ＵＶ硬
化樹脂層を前記のスパッタ法により形成した。成膜した
記録層の組成は（Ｃａ ４ｏＧａ ６０） ９ｏＴｅ
ＩＯ＋ （Ｃａ ５ｏＧａ ５０）ｇｏＴｅ １０．
（Ｃａ ７０Ｇａ３０） ９ｏＴｅ １０である。こ
の記録層にまず光ビームを全面照射し、次いで短い強い
パルス光を照射し、Ｘ線構造回折により非晶質となって
いることを確かめた。
つぎにこの試料を４５℃、７０％ＲＨの環境に供し反射
率の変化を測定した。基板側での表面反射率の初期値を
Ｒｏ、経時での反射率の値をＲとし、経時々間に対して
Ｒ／ Ｒｏの値をプロットした（第６図） ｏ （Ｃ
ａ ４ｏＧａ ６Ｇ） 、ｏＴｅ Ｉｏｎ （Ｃａ
５ｏＧａ ｓｏ） ９ｏＴｅ ｉ。、（Ｇａ ｔｏＧａ
３０） 、ｏＴｅｌｏいずれの組成の記録層について
も３力月経過しても反射率にはほとんど変化がないこと
がわかつた。又Ｔｅの代わりにＳｅ、Ｇｅを加えた場合
にも同様の効果が得られる。
率の変化を測定した。基板側での表面反射率の初期値を
Ｒｏ、経時での反射率の値をＲとし、経時々間に対して
Ｒ／ Ｒｏの値をプロットした（第６図） ｏ （Ｃ
ａ ４ｏＧａ ６Ｇ） 、ｏＴｅ Ｉｏｎ （Ｃａ
５ｏＧａ ｓｏ） ９ｏＴｅ ｉ。、（Ｇａ ｔｏＧａ
３０） 、ｏＴｅｌｏいずれの組成の記録層について
も３力月経過しても反射率にはほとんど変化がないこと
がわかつた。又Ｔｅの代わりにＳｅ、Ｇｅを加えた場合
にも同様の効果が得られる。
以上の実験結果よりＣａとＧａとからなる２元合金に、
Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅ等のカルコゲナイド元素を加えた材料
は経時反射率が安定であり情報記録媒体として使いうる
材料であることがわかった。
Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅ等のカルコゲナイド元素を加えた材料
は経時反射率が安定であり情報記録媒体として使いうる
材料であることがわかった。
一実施例４−
本実施例では、成膜された記録層を有する情報記録媒体
を第７図に示すような実用的な試験装置に実装して再生
信号量を測定した。
を第７図に示すような実用的な試験装置に実装して再生
信号量を測定した。
半導体レーザー源３４により出た光はコリメータレンズ
３５を通過して平行光となる。続いて光はビームスプリ
ッタ３６を通過してλ／４板３板金７過し、対物レンズ
３８により試料３１上に集光される。試料３１から反射
した光はλ／４板３板金７過し、ビームスプリッタ３６
で反射される。
３５を通過して平行光となる。続いて光はビームスプリ
ッタ３６を通過してλ／４板３板金７過し、対物レンズ
３８により試料３１上に集光される。試料３１から反射
した光はλ／４板３板金７過し、ビームスプリッタ３６
で反射される。
この反射された光は検出レンズ３９により集光され、受
光器４０に入って検出信号となる。
光器４０に入って検出信号となる。
更に検出信号は、サーボ系４２を通って電流に変えられ
、駆動コイル４１に流れこの電流により対物レンズが駆
動され、試料３１上の情報を記録した溝（案内溝）上に
正確に集光される。
、駆動コイル４１に流れこの電流により対物レンズが駆
動され、試料３１上の情報を記録した溝（案内溝）上に
正確に集光される。
実施例１に示した方法を用い、Ｃａ４゜Ｇａ６ｏに対し
てＴｅの含有量をふった記録層を作成し、この記録層の
両側を５ＩＯ２（膜厚１０００Ａ）で挟んだ媒体試料を
作成し、前述の装置に実装して再生信号量を測定した。
てＴｅの含有量をふった記録層を作成し、この記録層の
両側を５ＩＯ２（膜厚１０００Ａ）で挟んだ媒体試料を
作成し、前述の装置に実装して再生信号量を測定した。
その結果Ｔｅの含有量が増すごとに再生信号量も増える
ことがわかった。
ことがわかった。
また、ＣａとＧａの組成比を変えても同様の効果が得ら
れた。更に、Ｔｅのかわりに５ｅＳＧｅを加えた場合に
も同様の効果が得られた。
れた。更に、Ｔｅのかわりに５ｅＳＧｅを加えた場合に
も同様の効果が得られた。
以上の実験結果から、ＣａとＧａの２元合金にカルコゲ
ナイド元素のＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加えるとより再生信号
量の大きな情報記録媒体が得られることがわかった。
ナイド元素のＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加えるとより再生信号
量の大きな情報記録媒体が得られることがわかった。
［発明の効果］
以上詳述したように結晶状態と非晶質状態との相変化を
可逆的に起こすＣａとＧａとの２元合金に更にカルコゲ
ナイド元素Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加えると結晶化温度が上
昇し、記録状態が安定で相変化に伴なう反射率変化が増
大し、再生信号量の大きな情報記録媒体が得られる。
可逆的に起こすＣａとＧａとの２元合金に更にカルコゲ
ナイド元素Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅを加えると結晶化温度が上
昇し、記録状態が安定で相変化に伴なう反射率変化が増
大し、再生信号量の大きな情報記録媒体が得られる。
第１図は、本発明の情報記録媒体の断面構造図、第２図
は、スパッタ装置の側面図、 第３図は、スパッタ装置の底面図、 第４図は、カルコゲナイド元素の添加量と結晶化温度の
相関を示すグラフ、 第５図は、カルコゲナイド元素の添加量と反射率変化量
の相関を示すグラフ、 第６図は、Ｃａ、Ｇａ、Ｔｅの３元記録層の経時反射率
変化量の相関を示すグラフである。 第７図は、実用的な試験装置の概略図である。 １・・・基板 ２・・・記録層 ３・・・無機物保護層 ４・・・有機物保護層
は、スパッタ装置の側面図、 第３図は、スパッタ装置の底面図、 第４図は、カルコゲナイド元素の添加量と結晶化温度の
相関を示すグラフ、 第５図は、カルコゲナイド元素の添加量と反射率変化量
の相関を示すグラフ、 第６図は、Ｃａ、Ｇａ、Ｔｅの３元記録層の経時反射率
変化量の相関を示すグラフである。 第７図は、実用的な試験装置の概略図である。 １・・・基板 ２・・・記録層 ３・・・無機物保護層 ４・・・有機物保護層
Claims (1)
- 光ビームの照射により原子配列の変化を生じさせて情報
を記録しうる記録層がＣａとＧａとＸ（ＸはＳｅ、Ｔｅ
、Ｇｅの中から選ばれた元素）とを含有する合金薄膜か
らなることを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63065664A JPH01241040A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63065664A JPH01241040A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241040A true JPH01241040A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13293486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63065664A Pending JPH01241040A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241040A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6790592B2 (en) * | 2000-09-14 | 2004-09-14 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical information recording medium |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP63065664A patent/JPH01241040A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6790592B2 (en) * | 2000-09-14 | 2004-09-14 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical information recording medium |
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