JPH01227462A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH01227462A JPH01227462A JP5425188A JP5425188A JPH01227462A JP H01227462 A JPH01227462 A JP H01227462A JP 5425188 A JP5425188 A JP 5425188A JP 5425188 A JP5425188 A JP 5425188A JP H01227462 A JPH01227462 A JP H01227462A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- slits
- lead frame
- resin
- cross
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路装置に用いる樹脂封止形パッ
ケージのリードフレームに関するものである。
ケージのリードフレームに関するものである。
従来の技術
電子機器の小形、軽量化が進む中で、当然のことながら
、これに用いる電子部品の小形化が強く要望されている
。この電子部品はプリント基板に装着されて用いられ・
るが、最近はより実装密度を上げるために、プリント基
板の両面に半田により固着して使用するいわゆる表面実
装がとり入れられている。
、これに用いる電子部品の小形化が強く要望されている
。この電子部品はプリント基板に装着されて用いられ・
るが、最近はより実装密度を上げるために、プリント基
板の両面に半田により固着して使用するいわゆる表面実
装がとり入れられている。
ところでこの電子部品の中核をなす半導体集積回路装置
は、樹脂封止形半導体パッケージを用いることが多い。
は、樹脂封止形半導体パッケージを用いることが多い。
これに用いるリードフレームを第３図に、表面実装用の
樹脂封止形パッケージの代表例として、小形で１字形の
外部リードのパッケージ（Ｓ ＯＪ （Ｓｍａｌｌ
０ｕｔｌｉｎｅ ”Ｊ” Ｌｅａｄ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）１を第４図に示し、これらを参照して説明する。
樹脂封止形パッケージの代表例として、小形で１字形の
外部リードのパッケージ（Ｓ ＯＪ （Ｓｍａｌｌ
０ｕｔｌｉｎｅ ”Ｊ” Ｌｅａｄ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）１を第４図に示し、これらを参照して説明する。
第３図は樹脂封止形半導体パッケージに用いられるリー
ドフレームの平面図であり、リードフレームｌは、厚さ
０．２ｍｍ程度の鉄ニツケル合金や銅をプレス加工ある
いは化学エツチング加工により成形したものである。こ
のリードフレーム１は、半導体チップを載置するダイパ
ッド２と内部リード３と外部リード４とタイバー５およ
びダイパッド２をささえる吊りリード６で構成されてい
る。このリードフレームを用いたＳＯＪパッケージの斜
視図を第４図に示す。このＳＯＪパッケージ８はダイパ
ッドに半導体チップが載置されたリードフレームを樹脂
７で封止し、外部リード４を”Ｊ“字状に成形したもの
である。
ドフレームの平面図であり、リードフレームｌは、厚さ
０．２ｍｍ程度の鉄ニツケル合金や銅をプレス加工ある
いは化学エツチング加工により成形したものである。こ
のリードフレーム１は、半導体チップを載置するダイパ
ッド２と内部リード３と外部リード４とタイバー５およ
びダイパッド２をささえる吊りリード６で構成されてい
る。このリードフレームを用いたＳＯＪパッケージの斜
視図を第４図に示す。このＳＯＪパッケージ８はダイパ
ッドに半導体チップが載置されたリードフレームを樹脂
７で封止し、外部リード４を”Ｊ“字状に成形したもの
である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、近年、超ＬＳＩとも呼ばれる素子数が大
規模な半導体集積回路装置が製造されており、一つの半
導体チップの大きさが、１００ｍ１−にも及ぶものがあ
るのも希ではない。しかもこれらの大きな半導体チップ
は、機器の小形化のために従来と同じ大きさの樹脂封止
形半導体パッケージに収められている。
規模な半導体集積回路装置が製造されており、一つの半
導体チップの大きさが、１００ｍ１−にも及ぶものがあ
るのも希ではない。しかもこれらの大きな半導体チップ
は、機器の小形化のために従来と同じ大きさの樹脂封止
形半導体パッケージに収められている。
ところが、表面実装では、半導体集積回路装置がプリン
ト基板上に仮止めされ、半田槽中を通すデイツプ方式や
、赤外線で加熱し半田付けを行ういわゆるリフロ一方式
により接着されるが、この工程の温度は、約２４０℃の
高温にもなる。このため、半導体集積回路装置の封止樹
脂にクラックが発生し、品質上の重大な問題をひきおこ
すことがある。この原因は封止樹脂の熱膨脹係数と封止
られた半導体チップやダイパッドの熱膨脹係数の差にも
とづく応力のためである。特に大形の半導体チップを封
止すると、これを載せるダイパッドも太き（なり、封止
樹脂に加わる応力が増加するとともに、ダイパッドや半
導体チップを覆う封止樹脂の厚さが薄（なり、封止樹脂
が熱による応力に力学的に抗し切れないためである。
ト基板上に仮止めされ、半田槽中を通すデイツプ方式や
、赤外線で加熱し半田付けを行ういわゆるリフロ一方式
により接着されるが、この工程の温度は、約２４０℃の
高温にもなる。このため、半導体集積回路装置の封止樹
脂にクラックが発生し、品質上の重大な問題をひきおこ
すことがある。この原因は封止樹脂の熱膨脹係数と封止
られた半導体チップやダイパッドの熱膨脹係数の差にも
とづく応力のためである。特に大形の半導体チップを封
止すると、これを載せるダイパッドも太き（なり、封止
樹脂に加わる応力が増加するとともに、ダイパッドや半
導体チップを覆う封止樹脂の厚さが薄（なり、封止樹脂
が熱による応力に力学的に抗し切れないためである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するための、本発明のリードフレームは
半導体チップを積載するダイパッドの長辺方向及び短辺
方向の任意の個所での断面や対角線方向の断面が少くと
も、１個所はスリットを横切るようにダイパッドが形成
されたものである。
半導体チップを積載するダイパッドの長辺方向及び短辺
方向の任意の個所での断面や対角線方向の断面が少くと
も、１個所はスリットを横切るようにダイパッドが形成
されたものである。
作用
本発明のリードフレームによれば、ダイパッドに形成さ
れたスリットは熱膨脹係数の異なる物質、即ち、封止樹
脂とダイパッドを長い距離にわたり接することがないよ
うに分断するため、封止樹脂にかかる最大応力を減小さ
せるとともに、応力を分散させることができる。また、
ダイパッドの体積が小さくなる分だけ樹脂の量が多くな
るため樹脂の抗力が増大する。
れたスリットは熱膨脹係数の異なる物質、即ち、封止樹
脂とダイパッドを長い距離にわたり接することがないよ
うに分断するため、封止樹脂にかかる最大応力を減小さ
せるとともに、応力を分散させることができる。また、
ダイパッドの体積が小さくなる分だけ樹脂の量が多くな
るため樹脂の抗力が増大する。
実施例
本発明のリードフレームの実施例を第１図に示したダイ
パッドの平面図を参照して説明する。このリードフレー
ムは厚さが０．２ｍ程度の鉄ニツケル合金や銅で形成さ
れ、リードフレームのダイパッド２の端部の長辺および
短辺のそれぞれの相対辺より１個所ずつから辺に直角に
中央まで互いに平行になるようにスリット１０を設けた
ものである。なお辺からのスリットの形成はこれに限ら
れたものではなく、ようはダイパッドの長辺方向及び短
辺方向の任意の個所での断面や対角線方向の断面が少（
とも１個所はスリット１０を横切るように入れたもので
あればよい。この結果、広い範囲で熱膨脹係数の異なる
封止樹脂とダイパッドが接することがないようにするこ
とができる。
パッドの平面図を参照して説明する。このリードフレー
ムは厚さが０．２ｍ程度の鉄ニツケル合金や銅で形成さ
れ、リードフレームのダイパッド２の端部の長辺および
短辺のそれぞれの相対辺より１個所ずつから辺に直角に
中央まで互いに平行になるようにスリット１０を設けた
ものである。なお辺からのスリットの形成はこれに限ら
れたものではなく、ようはダイパッドの長辺方向及び短
辺方向の任意の個所での断面や対角線方向の断面が少（
とも１個所はスリット１０を横切るように入れたもので
あればよい。この結果、広い範囲で熱膨脹係数の異なる
封止樹脂とダイパッドが接することがないようにするこ
とができる。
また、本発明の他の実施例としてスリットをダイパッド
２の端部より中央あたりまで入れることにより、ダイス
ボンドやワイヤボンド時に、ダイパッド２の力学的強度
の低下が懸念される場合には、第２図に示すようにグイ
パッド２の端部がらのスリットＩＯは短か（して、ダイ
パッド２の中にスリット１０１を島状に形成し、ダイパ
ッドの長辺方向および短辺方向の任意の個所での断面や
対角線方向の断面が少な（とも１個所はスリット１０と
１０１を横切るようにする。なお、リードフレームのダ
イパッド２以外の部分は第３図に示したものと同じであ
る。
２の端部より中央あたりまで入れることにより、ダイス
ボンドやワイヤボンド時に、ダイパッド２の力学的強度
の低下が懸念される場合には、第２図に示すようにグイ
パッド２の端部がらのスリットＩＯは短か（して、ダイ
パッド２の中にスリット１０１を島状に形成し、ダイパ
ッドの長辺方向および短辺方向の任意の個所での断面や
対角線方向の断面が少な（とも１個所はスリット１０と
１０１を横切るようにする。なお、リードフレームのダ
イパッド２以外の部分は第３図に示したものと同じであ
る。
次に、本発明のリードフレームを用いたＳＯＪパッケー
ジの組み立てを説明する。なお、このとき第３図と第４
図も参照する。ダイパッド２の上に、半導体チップを例
えば銀ペーストと呼ばれる樹脂により固着した後、半導
体チップ上に形成されたポンディングパッドと内部リー
ド３を金の細線により接続する。しかる後、封止金型を
用いて、半導体チップが固着されたダイパッド２と内部
リード３を樹脂７で封止をする。このときダイパッドの
スリットにも樹脂が充填され、ダイパッドと樹脂の接触
が分断される。この後、外部り−ド４を結ぶダイパー５
や吊りリード６を落した後、第４図に示すように、外部
リード４を内側へＪ”字形に成形しＳＯＪパッケージ８
が完成する。
ジの組み立てを説明する。なお、このとき第３図と第４
図も参照する。ダイパッド２の上に、半導体チップを例
えば銀ペーストと呼ばれる樹脂により固着した後、半導
体チップ上に形成されたポンディングパッドと内部リー
ド３を金の細線により接続する。しかる後、封止金型を
用いて、半導体チップが固着されたダイパッド２と内部
リード３を樹脂７で封止をする。このときダイパッドの
スリットにも樹脂が充填され、ダイパッドと樹脂の接触
が分断される。この後、外部り−ド４を結ぶダイパー５
や吊りリード６を落した後、第４図に示すように、外部
リード４を内側へＪ”字形に成形しＳＯＪパッケージ８
が完成する。
発明の効果
本発明のリードフレームによれば、ダイパッドにスリッ
トを設けることにより封止樹脂とダイパッドにかかる応
力を減少させることができるため、大形の半導体チップ
を従来と同じ大きさの樹脂封止形パッケージに搭載する
ことができる。この結果、工程の標準化と機器の小形化
に役立ち、その工業的価値は大きい。
トを設けることにより封止樹脂とダイパッドにかかる応
力を減少させることができるため、大形の半導体チップ
を従来と同じ大きさの樹脂封止形パッケージに搭載する
ことができる。この結果、工程の標準化と機器の小形化
に役立ち、その工業的価値は大きい。
用いる本発明のリードフレームを説明するためのダイパ
ッドの平面図、第３図は従来のリードフレームの平面図
、第４図は表面実装用半導体パッケージであるＳＯＪの
斜視図である。
ッドの平面図、第３図は従来のリードフレームの平面図
、第４図は表面実装用半導体パッケージであるＳＯＪの
斜視図である。
２・・・・・・ダイパッド、１０，１０１・・・・・・
スリット。
スリット。
代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名？−−−タ
゛イパッド 第１１１１
゛イパッド 第１１１１
Claims (1)
- 樹脂封止形半導体パッケージに用いるリードフレーム
のダイパッドの長辺方向の任意断面と短辺方向の任意断
面および対角線断面のいづれの断面も、スリットを少く
とも１個所は横切るように前記スリットが形成されたダ
イパッドを有するリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5425188A JPH01227462A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5425188A JPH01227462A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227462A true JPH01227462A (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=12965330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5425188A Pending JPH01227462A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01227462A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204106A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2015106609A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP5425188A patent/JPH01227462A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204106A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2015106609A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
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