JPH08204106A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】環境の温度変化によるパッケージのクラック発
生を極力防止し、温度変化に強い樹脂封止型半導体装置
を提供する。 【構成】タブの対向辺を結ぶ任意の直線または対角線が
必ずスリット２または切れ込み４のいずれかに交差する
ようにし、さらにタブの外辺部に位置するアイランド１
１ｂ〜１１ｅの接続部分は切れ込み４によりクランク型
の熱応力緩和形状を有しているので、いずれの方向にお
いても熱的ストレスが緩和され、パッケージにおけるク
ラックの発生が極力防止できる。
生を極力防止し、温度変化に強い樹脂封止型半導体装置
を提供する。 【構成】タブの対向辺を結ぶ任意の直線または対角線が
必ずスリット２または切れ込み４のいずれかに交差する
ようにし、さらにタブの外辺部に位置するアイランド１
１ｂ〜１１ｅの接続部分は切れ込み４によりクランク型
の熱応力緩和形状を有しているので、いずれの方向にお
いても熱的ストレスが緩和され、パッケージにおけるク
ラックの発生が極力防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特にかかる半導体装置における半導体チップを搭
載するためのタブ構造に関する。
関し、特にかかる半導体装置における半導体チップを搭
載するためのタブ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を保護するためのパッケージ
は、その用途に応じて様々な形状、構造が開発されてき
た。これらは表面実装型と挿入実装型に大別されるが、
多ピン化および実装容易性から、パッケージの四つの側
面から入出力用ピンを取り出したクワッドフラットパッ
ケージ（ＱＦＰ）が有利である。ＱＦＰ型の半導体装置
においてもこの小型化および薄型化が進んでいる。
は、その用途に応じて様々な形状、構造が開発されてき
た。これらは表面実装型と挿入実装型に大別されるが、
多ピン化および実装容易性から、パッケージの四つの側
面から入出力用ピンを取り出したクワッドフラットパッ
ケージ（ＱＦＰ）が有利である。ＱＦＰ型の半導体装置
においてもこの小型化および薄型化が進んでいる。
【０００３】しかしながら、小型化および薄型化が進む
につれて、例えばＩＣの温度サイクル試験等における急
激な温度変化による樹脂封止パッケージのクラック発生
が無視できなくなってきた。このクラックは樹脂封止型
半導体装置のパッケージ厚みが十分に厚かったときに
は、装置の内部で発生したクラックが外部まで到達せ
ず、問題とならなかったが、薄型化によりパッケージ厚
みが薄くなるにつれて、次第に無視できない問題となっ
てきた。
につれて、例えばＩＣの温度サイクル試験等における急
激な温度変化による樹脂封止パッケージのクラック発生
が無視できなくなってきた。このクラックは樹脂封止型
半導体装置のパッケージ厚みが十分に厚かったときに
は、装置の内部で発生したクラックが外部まで到達せ
ず、問題とならなかったが、薄型化によりパッケージ厚
みが薄くなるにつれて、次第に無視できない問題となっ
てきた。
【０００４】樹脂封止パッケージのクラックは、半導体
チップ、リードフレームおよびパッケージ用樹脂の熱膨
張係数が大きく異なるために生じる。樹脂封止型半導体
装置は、半導体チップ、リードフレーム、封止樹脂の３
種に大別されるが、これらの熱膨張係数は互いに異って
おり、したがって、これらは温度変化に対し互いに異な
る延び、または縮みを示す。このため、これらが互いに
接触して固定された形状を有する樹脂封止型半導体装置
は、温度変化により反ることになる。この反りが大きい
かまたは繰り返し反ることにより固定部分に疲労がたま
ると、樹脂封止パッケージにクラックが発生する。この
クラックは前述のようにパッケージの薄型化により外界
にまで達する。このため、水分がそこから内部に侵入
し、この結果、半導体チップの寿命を大きく縮める欠点
がある。
チップ、リードフレームおよびパッケージ用樹脂の熱膨
張係数が大きく異なるために生じる。樹脂封止型半導体
装置は、半導体チップ、リードフレーム、封止樹脂の３
種に大別されるが、これらの熱膨張係数は互いに異って
おり、したがって、これらは温度変化に対し互いに異な
る延び、または縮みを示す。このため、これらが互いに
接触して固定された形状を有する樹脂封止型半導体装置
は、温度変化により反ることになる。この反りが大きい
かまたは繰り返し反ることにより固定部分に疲労がたま
ると、樹脂封止パッケージにクラックが発生する。この
クラックは前述のようにパッケージの薄型化により外界
にまで達する。このため、水分がそこから内部に侵入
し、この結果、半導体チップの寿命を大きく縮める欠点
がある。
【０００５】そこで、半導体チップ又は素子を固定する
リードフレームのタブに複数のスリットを設けて熱応力
を緩和し、クラックの発生を防止することが行なわれて
いる。
リードフレームのタブに複数のスリットを設けて熱応力
を緩和し、クラックの発生を防止することが行なわれて
いる。
【０００６】しかし、単にスリットを設けただけでは、
タブの対向辺や対向角を結ぶ任意の直線が必ずスリット
と交差するとは限らない。スリットと交差しない部分が
生じると同部分はスリットと交差する部分に比べ熱によ
る膨張、収縮が大きく、この結果、熱応力は十分に低減
されない。
タブの対向辺や対向角を結ぶ任意の直線が必ずスリット
と交差するとは限らない。スリットと交差しない部分が
生じると同部分はスリットと交差する部分に比べ熱によ
る膨張、収縮が大きく、この結果、熱応力は十分に低減
されない。
【０００７】この点に着目して、熱応力を充分に低減す
るためのスリットの形成位置を示した技術が特開平５−
１１４６８８号公報に開示されている。すなわち、この
技術は、図３にそのタブ１１の代表的平面構造を示すよ
うに、タブ１１の対向辺および対向角を結ぶ任意の直線
が少なくとも１つのスリットと交差するようにスリット
２を形成するものである。ただし、半導体チップを接着
するための接着材をタブ１１上に塗布しなければならな
い。したがって、接着材を塗布するアイランド領域を確
保しつつスリット２を設けなければならない。この技術
思想をもとに、かかるタブ構造では、タブ１１の中央部
に一つのアイランド領域１１ａを形成するようにタブを
その肉厚方向に貫通して４つのスリット２−１〜２−４
を設け、これらスリットをタブの周辺方向に向ってそれ
ぞれ延長することによりタブの周辺部に４つのアイラン
ド領域１１ｂ〜１１ｅを形成している。さらに、これら
アイランド領域１１ｂ〜１１ｅに対し、タブ１１の周辺
から内部に向ってそれぞれスリット２−５〜２−８を形
成することにより、各アイランド領域１１ｂ〜１１ｅを
それぞれ２分割するようにしている。
るためのスリットの形成位置を示した技術が特開平５−
１１４６８８号公報に開示されている。すなわち、この
技術は、図３にそのタブ１１の代表的平面構造を示すよ
うに、タブ１１の対向辺および対向角を結ぶ任意の直線
が少なくとも１つのスリットと交差するようにスリット
２を形成するものである。ただし、半導体チップを接着
するための接着材をタブ１１上に塗布しなければならな
い。したがって、接着材を塗布するアイランド領域を確
保しつつスリット２を設けなければならない。この技術
思想をもとに、かかるタブ構造では、タブ１１の中央部
に一つのアイランド領域１１ａを形成するようにタブを
その肉厚方向に貫通して４つのスリット２−１〜２−４
を設け、これらスリットをタブの周辺方向に向ってそれ
ぞれ延長することによりタブの周辺部に４つのアイラン
ド領域１１ｂ〜１１ｅを形成している。さらに、これら
アイランド領域１１ｂ〜１１ｅに対し、タブ１１の周辺
から内部に向ってそれぞれスリット２−５〜２−８を形
成することにより、各アイランド領域１１ｂ〜１１ｅを
それぞれ２分割するようにしている。
【０００８】かくして、タブ１１はスリット２−１〜２
−８により９つのアイランド領域１１ａ〜１１ｅ−２に
分割され（ただし、図示のとおり各アイランド領域はそ
の一部が連結されている）、しかも、タブ１１の対向辺
および対向角を結ぶ直線や対角線には少なくとも一つの
スリット２が存在している。
−８により９つのアイランド領域１１ａ〜１１ｅ−２に
分割され（ただし、図示のとおり各アイランド領域はそ
の一部が連結されている）、しかも、タブ１１の対向辺
および対向角を結ぶ直線や対角線には少なくとも一つの
スリット２が存在している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】かかるタブ構造によれ
ば、スリット２がタブ１１のあらゆる方向に対しても開
設されていることにより、タブ１１は小面積のアイラン
ド領域１１ａ〜１１ｅ−２の具合体として構成でき、こ
の結果、各アイランド領域の熱による膨張および収縮は
小さくなる。
ば、スリット２がタブ１１のあらゆる方向に対しても開
設されていることにより、タブ１１は小面積のアイラン
ド領域１１ａ〜１１ｅ−２の具合体として構成でき、こ
の結果、各アイランド領域の熱による膨張および収縮は
小さくなる。
【００１０】しかしながら、かかるタブ構造をもってし
ても、パッケージ７のクラック発生を完全に防止するこ
とはできない。
ても、パッケージ７のクラック発生を完全に防止するこ
とはできない。
【００１１】すなわち、例えば図３において直線Ｘ−
Ｘ′においては１つのスリット２−５が交差するのに対
し、直線Ｙ−Ｙ′では２つのスリット２−１、２−５が
交差している。このため、直線Ｘ−Ｘ′では、等価的に
二つのアイランド領域が存在するようにみなせるのに対
し、直線Ｙ−Ｙ′では三つのアイランド領域が存在する
ことになる。この結果、直線Ｘ−Ｘ′におけるアイラン
ド領域の熱による膨張および収縮は、直線Ｙ−Ｙ′にお
けるそれらに比して大きなものとなる。特に、直線Ｘ−
Ｘ′がタブの周辺部であることから、この部分からクラ
ックから入り、同クラックが封止樹脂の表面にまで達す
ることになる。
Ｘ′においては１つのスリット２−５が交差するのに対
し、直線Ｙ−Ｙ′では２つのスリット２−１、２−５が
交差している。このため、直線Ｘ−Ｘ′では、等価的に
二つのアイランド領域が存在するようにみなせるのに対
し、直線Ｙ−Ｙ′では三つのアイランド領域が存在する
ことになる。この結果、直線Ｘ−Ｘ′におけるアイラン
ド領域の熱による膨張および収縮は、直線Ｙ−Ｙ′にお
けるそれらに比して大きなものとなる。特に、直線Ｘ−
Ｘ′がタブの周辺部であることから、この部分からクラ
ックから入り、同クラックが封止樹脂の表面にまで達す
ることになる。
【００１２】したがって、本発明の目的は、温度変化の
激しい状況においてもパッケージにクラックが生じるこ
とを完全にないしは極力防止し、温度変化に対して高信
頼の樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
激しい状況においてもパッケージにクラックが生じるこ
とを完全にないしは極力防止し、温度変化に対して高信
頼の樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による樹脂封止型
半導体装置は、半導体チップが接着されるタブに複数の
スリットがほぼ同一の大きさの複数のアイランドを形成
すべく配置されており、これらアイランドのうちタブの
外辺部にある隣り合った２つのアイランドを前記タブの
辺で接続する形状を構成するスリットの少なくとも片側
に近接して、前記タブの外部から内部にかけて前記スリ
ットに平行にかつ部分的に対向する切れ込みをさらに有
することを特徴とする。
半導体装置は、半導体チップが接着されるタブに複数の
スリットがほぼ同一の大きさの複数のアイランドを形成
すべく配置されており、これらアイランドのうちタブの
外辺部にある隣り合った２つのアイランドを前記タブの
辺で接続する形状を構成するスリットの少なくとも片側
に近接して、前記タブの外部から内部にかけて前記スリ
ットに平行にかつ部分的に対向する切れ込みをさらに有
することを特徴とする。
【００１４】換言すれば、本発明は上記従来のタブ構造
に対し、内部で終端しているスリットによって分割され
た隣り合う二つのアイランド領域であってタブの周辺部
分により連結されている二つのアイランド領域の少なく
とも一方に、タブの周辺部から上記スリットに近接しか
つこれに沿って内部に切れ込みをさらに設けている。
に対し、内部で終端しているスリットによって分割され
た隣り合う二つのアイランド領域であってタブの周辺部
分により連結されている二つのアイランド領域の少なく
とも一方に、タブの周辺部から上記スリットに近接しか
つこれに沿って内部に切れ込みをさらに設けている。
【００１５】
【作用】かかる構成によれば、タブのあらゆる方向から
みても必ずスリットが存在することになり、かつ残った
アイランド部分の大きさはタブの周辺部も含め互いにほ
ぼ同一の大きさとなる。したがって、温度サイクル試験
等の周期的な熱的変化によっても、タブと封止用樹脂間
に働く熱応力が緩和され、クラックの発生が防止でき
る。さらに半導体素子とタブの接着強度も十分に確保さ
れる。
みても必ずスリットが存在することになり、かつ残った
アイランド部分の大きさはタブの周辺部も含め互いにほ
ぼ同一の大きさとなる。したがって、温度サイクル試験
等の周期的な熱的変化によっても、タブと封止用樹脂間
に働く熱応力が緩和され、クラックの発生が防止でき
る。さらに半導体素子とタブの接着強度も十分に確保さ
れる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例につき図面を参照して
説明する。 ［実施例１］本発明の第一の実施例につき図１を用いて
説明する。本実施例は、図３の従来例に本発明を適用し
た樹脂封止型半導体装置を構成するリードフレームのタ
ブの平面図である。なお、図３の従来例と同一の部位に
ついては同一符号を用いそれらの説明は省略する。
説明する。 ［実施例１］本発明の第一の実施例につき図１を用いて
説明する。本実施例は、図３の従来例に本発明を適用し
た樹脂封止型半導体装置を構成するリードフレームのタ
ブの平面図である。なお、図３の従来例と同一の部位に
ついては同一符号を用いそれらの説明は省略する。
【００１７】本実施例では、図３との比較から明らかな
ように、アイランド１１ｃ−１，１１ｄ−１、１１ｅ−
２および１１ｂ−２のそれぞれに、タブ内スリット２−
１、２−２、２−３および２−４に近接しかつこれらに
沿ってタブの周辺から内部に向ってそれぞれ切れ込み４
−１、４−２、４−３および４−４を設けている。すな
わち、タブの周辺部分で連結される２つのアイランド当
該連結あるいは接続部分を切れ込み４によってクランク
型の形状としている。この構成により、各アイランド１
１ａ〜１１ｅ−２が熱膨張または熱収縮した場合でも、
隣接するアイランド間に生じる膨張力または収縮力およ
び歪みを吸収できる。すなわち、タブのあらゆる方向を
切ってもタブの周辺部も含め各アイランドは断面の大き
さはほぼ同一となり、図３のものに比してタブ全体の熱
膨張および熱収縮を小さくできる。
ように、アイランド１１ｃ−１，１１ｄ−１、１１ｅ−
２および１１ｂ−２のそれぞれに、タブ内スリット２−
１、２−２、２−３および２−４に近接しかつこれらに
沿ってタブの周辺から内部に向ってそれぞれ切れ込み４
−１、４−２、４−３および４−４を設けている。すな
わち、タブの周辺部分で連結される２つのアイランド当
該連結あるいは接続部分を切れ込み４によってクランク
型の形状としている。この構成により、各アイランド１
１ａ〜１１ｅ−２が熱膨張または熱収縮した場合でも、
隣接するアイランド間に生じる膨張力または収縮力およ
び歪みを吸収できる。すなわち、タブのあらゆる方向を
切ってもタブの周辺部も含め各アイランドは断面の大き
さはほぼ同一となり、図３のものに比してタブ全体の熱
膨張および熱収縮を小さくできる。
【００１８】なお、本実施例では、アイランド１１ｃ−
１，１１ｄ−１，１１ｅ−２および１１ｂ−２に対して
それぞれ切れ込み４を設けているため、これらの表面積
は残りのアイランドに比べ若干小さくなるが、半導体素
子を接着するための接着剤の塗布に支障をさまたげるほ
ど小さくなってはいない。ただし、より接着面積を広げ
るためには、スリット２−５、２−６、２−７および２
−８を対応する切れ込み４から若干遠ざけるように形成
すればよい。 ［実施例２］次に、本発明の第二の実施例につき図２を
用いて説明する。本実施例ではすべてのアイランドが前
述のクランク型の連結形状で連結されるようにして、各
アイランド間のバランスを保ったものである。すなわ
ち、本タブ７には、タブの肉厚方向に貫通するように４
つの十字型スリット８が形成されてタブ７を９つのアイ
ランド形成部分に区画している。さらに、中央のアイラ
ンド形成部分において、４つの直線型スリット１０が図
示のように形成され、この結果、中央アイランド７ｉが
区画される。さらに、タブの周辺から内部に向って十字
型スリット８の図示する辺に沿ってその近傍に切り込み
９を形成し、８つのアイランド７ａ〜７ｈを区画してい
る。
１，１１ｄ−１，１１ｅ−２および１１ｂ−２に対して
それぞれ切れ込み４を設けているため、これらの表面積
は残りのアイランドに比べ若干小さくなるが、半導体素
子を接着するための接着剤の塗布に支障をさまたげるほ
ど小さくなってはいない。ただし、より接着面積を広げ
るためには、スリット２−５、２−６、２−７および２
−８を対応する切れ込み４から若干遠ざけるように形成
すればよい。 ［実施例２］次に、本発明の第二の実施例につき図２を
用いて説明する。本実施例ではすべてのアイランドが前
述のクランク型の連結形状で連結されるようにして、各
アイランド間のバランスを保ったものである。すなわ
ち、本タブ７には、タブの肉厚方向に貫通するように４
つの十字型スリット８が形成されてタブ７を９つのアイ
ランド形成部分に区画している。さらに、中央のアイラ
ンド形成部分において、４つの直線型スリット１０が図
示のように形成され、この結果、中央アイランド７ｉが
区画される。さらに、タブの周辺から内部に向って十字
型スリット８の図示する辺に沿ってその近傍に切り込み
９を形成し、８つのアイランド７ａ〜７ｈを区画してい
る。
【００１９】アイランド７ｉは内部に４つの直線型スリ
ット１０を、アイランド７ｂ，７ｄ，７ｆ，７ｈとの接
続部の接続線上に設けている。スリット８、１０のこの
ように配置により、タブの対向辺を結ぶ任意の直線およ
び対角線がスリットのいずれかと交差する構成が得ら
れ、これにより温度サイクル試験時等に、タブと封止用
樹脂の熱膨張係数の違いによりクラックが発生すること
を従来例と同様に防止できる。
ット１０を、アイランド７ｂ，７ｄ，７ｆ，７ｈとの接
続部の接続線上に設けている。スリット８、１０のこの
ように配置により、タブの対向辺を結ぶ任意の直線およ
び対角線がスリットのいずれかと交差する構成が得ら
れ、これにより温度サイクル試験時等に、タブと封止用
樹脂の熱膨張係数の違いによりクラックが発生すること
を従来例と同様に防止できる。
【００２０】本実施例では、さらにタブの外辺部にある
アイランド７ａ〜７ｈを区画する十字型スリット８の直
線部分に近接して平行にかつ部分的に対向するように切
れ込み９を設けているので、各アイランド間の接続部分
は熱応力を緩和する形状となり、従って、従来例よりも
効果的にクラック発生を極力防止できる。しかも、すべ
てのアイランド７ａ〜７ｉがクランク形状の連結部分で
連結されているので、すべてのアイランドにおける熱膨
張および収縮がバランスされクラック発生はより防止さ
れる。
アイランド７ａ〜７ｈを区画する十字型スリット８の直
線部分に近接して平行にかつ部分的に対向するように切
れ込み９を設けているので、各アイランド間の接続部分
は熱応力を緩和する形状となり、従って、従来例よりも
効果的にクラック発生を極力防止できる。しかも、すべ
てのアイランド７ａ〜７ｉがクランク形状の連結部分で
連結されているので、すべてのアイランドにおける熱膨
張および収縮がバランスされクラック発生はより防止さ
れる。
【００２１】なお、タブに形成するスリットおよび切れ
込みの形状および配置は、実施例１および２に限るもの
ではなく、タブの対向辺を結ぶ任意の直線および対角線
が前記スリットのいずれかと交差し、タブの外辺部にあ
るアイランドをつなぐ接続部の形状が熱応力を緩和する
ものであり、さらにそれにより区画されるアイランドの
大きさが同一かまたはほぼ同一であるものであれば、い
かようなものでもよい。
込みの形状および配置は、実施例１および２に限るもの
ではなく、タブの対向辺を結ぶ任意の直線および対角線
が前記スリットのいずれかと交差し、タブの外辺部にあ
るアイランドをつなぐ接続部の形状が熱応力を緩和する
ものであり、さらにそれにより区画されるアイランドの
大きさが同一かまたはほぼ同一であるものであれば、い
かようなものでもよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置では、タ
ブの対向辺を結ぶ任意の直線および対角線がタブに設け
た複数のスリットのいずれかに交差するだけでなく、タ
ブの外辺部に位置するアイランド間の接続部が応力緩和
形状を有しているため、環境の温度変化により従来発生
していたパッケージのクラックを極力防止でき、従って
温度変化に強い樹脂封止型半導体装置を提供することが
できる。
ブの対向辺を結ぶ任意の直線および対角線がタブに設け
た複数のスリットのいずれかに交差するだけでなく、タ
ブの外辺部に位置するアイランド間の接続部が応力緩和
形状を有しているため、環境の温度変化により従来発生
していたパッケージのクラックを極力防止でき、従って
温度変化に強い樹脂封止型半導体装置を提供することが
できる。
【図１】本発明の第一の実施例を示すタブの平面図。
【図２】本発明の第二の実施例を示すタブの平面図。
【図３】従来例を示すタブの平面図。
４ 切れ込み ５ 吊りリード ６ リード ７ａ〜７ｉ アイランド ８ 十字型スリット ９ 切れ込み １０ 直線型スリット １１ タブ １１ａ〜１１ｅ アイランド
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子がボンディングされるタブを
有し、前記タブに複数のスリットが前記タブの肉厚方向
に貫通するように開設され、前記複数のスリットは前記
タブの対向辺を結ぶ任意の直線および対角線が前記複数
のスリットのいずれかと交差するように構成されたリー
ドフレームを備えた樹脂封止型半導体装置において、前
記複数のスリットで分割された前記タブの各アイランド
は応力緩和形状を有するパターンで接続されていること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記応力緩和形状を有するパターンはク
ランク型であることを特徴とする請求項１記載の樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項３】 半導体素子をボンディングするリードフ
レームのタブに、前記タブの肉厚方向に貫通するように
複数のスリットが形成された樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記スリットは前記タブに複数のアイランドを形
成すべく配置され、前記複数のアイランドの各々は少な
くとも２つの他のアイランドと隣り合い、前記タブの周
辺部にある前記複数のアイランドのうちの隣り合った２
つのアイランドを前記タブの周辺で接続させるべく形成
されたスリットの少なくとも片側に近接かつこれに沿っ
て、前記タブの周辺から内部にかけて切れ込みを有する
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 半導体素子をボンディングするリードフ
レームのタブに、前記タブの肉厚方向に貫通するように
十字型および直線型スリットが複数形成された樹脂封止
型半導体装置において、前記十字型スリットを４つ形成
することにより前記タブは９つのアイランドに整然と区
画され、前記９つのアイランドのうち８つのアイランド
と隣り合うアイランドには前記４つの十字型のスリット
の間にある他のアイランドとの接続部分に前記タブの辺
から任意の直線をひいたとき必ず前記直線と交差するよ
うに前記直線型スリットが形成され、前記タブの外辺部
にある前記複数のアイランドのうちの隣り合った２つの
アイランドを前記タブの辺で接続する前記十字型スリッ
トの直線部分の少なくとも片側に近接して、前記タブの
外部から内部にかけて前記スリットに平行にかつ部分的
に対向する切れ込みを有することを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 - 【請求項５】 半導体素子が接着されるタブに複数のス
リットが形成されて複数のアイランドが区画され、か
つ、これらスリットはその少なくとも一つが前記タブの
対向辺を結ぶ任意の直線や前記タブの対向角を結ぶ対角
線と交差するように形成された半導体装置において、内
部で終端しているスリットによって分割された隣り合う
二つのアイランドであって前記タブの周辺部により連結
された二つのアイランドの少なくとも一方に、前記タブ
の周辺部からタブ内部に向って前記スリットに近接しか
つこれに沿って切れ込みを設けたことを特徴とする半導
体装置。
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