JPH01228773A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
- Publication number
- JPH01228773A JPH01228773A JP63052792A JP5279288A JPH01228773A JP H01228773 A JPH01228773 A JP H01228773A JP 63052792 A JP63052792 A JP 63052792A JP 5279288 A JP5279288 A JP 5279288A JP H01228773 A JPH01228773 A JP H01228773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- center
- workpiece
- processed matter
- processed
- pressurization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェー八等、薄板状の被加工物の表面
を高精度に研磨する表面処理方法に関する。
を高精度に研磨する表面処理方法に関する。
（従来の技術）
従来、薄板状の被加工物を研磨する表面処理方法として
は、定盤上で加圧盤により加圧保持しながら定盤および
加圧盤を回転させて研磨する方法が用いられている。
は、定盤上で加圧盤により加圧保持しながら定盤および
加圧盤を回転させて研磨する方法が用いられている。
また、この従来方法においては、第４図（ａ）。
（ｂ）に示すように、被加工物の円弧中心Ｏ上に、加圧
盤による加圧中心Ｐが位置するよう加圧しながら研磨処
理が行なわれていた。
盤による加圧中心Ｐが位置するよう加圧しながら研磨処
理が行なわれていた。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、上記従来の表面処理方法によれば、例えば、
第４図（ａ）に示すように、被加工物が完全な円形でな
い場合にも、被加工物の縁故中心０上に加圧中心Ｐがく
るように加圧しながら研磨が行なわれるので、被加工物
に対する荷重分布が第４図（ｂ）の如く不均一となり、
その結果、研磨処理後の被加工物の形状が傾き（テーバ
）を有する形状となり、高精度な研磨が困難となる問題
があった。
第４図（ａ）に示すように、被加工物が完全な円形でな
い場合にも、被加工物の縁故中心０上に加圧中心Ｐがく
るように加圧しながら研磨が行なわれるので、被加工物
に対する荷重分布が第４図（ｂ）の如く不均一となり、
その結果、研磨処理後の被加工物の形状が傾き（テーバ
）を有する形状となり、高精度な研磨が困難となる問題
があった。
そこで、本発明方法では、被加工物に対する荷重分布が
均一となるように加圧しながら研磨することにより、被
加工物に生ずる傾き（テーバ）を小さく抑制可能とした
表面処理方法を提供することを目的としている。
均一となるように加圧しながら研磨することにより、被
加工物に生ずる傾き（テーバ）を小さく抑制可能とした
表面処理方法を提供することを目的としている。
（課題の解決手段およびその作用）
本発明に係る表面処理方法は、略均一な厚みを有する薄
板状の被加工物を定盤上で加圧盤により加圧保持しなが
ら研磨する表面処理方法であって、前記被加工物の平面
形状に応じ、被加工物に対する加圧中心を偏心させて研
磨するように構成されている。
板状の被加工物を定盤上で加圧盤により加圧保持しなが
ら研磨する表面処理方法であって、前記被加工物の平面
形状に応じ、被加工物に対する加圧中心を偏心させて研
磨するように構成されている。
したがって、加圧中心を被加工物の形状に応じて偏心さ
せることにより、被加工物の面内圧力分布の均一化が図
られ、被加工物に発生するテーバの発生が抑制される。
せることにより、被加工物の面内圧力分布の均一化が図
られ、被加工物に発生するテーバの発生が抑制される。
（実施例）
以下に本発明の一実施例について図面に基づき説明する
。
。
第１図は本発明方法を実施する表面処理装置の要部を示
す。
す。
両図中、ｌは下定盤で、下定盤１は駆動装置により図中
矢印方向に回転する。下定盤１の上方には上定盤２が駆
動装置により図中矢印方向に回転可能且つ上下移動可能
に配設され、上定盤２の下部平面には加圧板３が設けら
れている。上定盤２および下定盤１の各駆動装置は制御
装置により駆動し、制御装置により、例えば半導体シリ
コンウェーハ等の被加工物４の表面処理を行なうように
なっている。表面処理時には、加圧板３の下面に被加工
物４を接着または吸着により支持し、被加工物４に所定
の荷重を加え、下定盤１（研磨布等を貼付けた場合も有
る）上に砥液を流した後、被加工物４を自転させ且つ揺
動させながら表面処理が行なわれる。
矢印方向に回転する。下定盤１の上方には上定盤２が駆
動装置により図中矢印方向に回転可能且つ上下移動可能
に配設され、上定盤２の下部平面には加圧板３が設けら
れている。上定盤２および下定盤１の各駆動装置は制御
装置により駆動し、制御装置により、例えば半導体シリ
コンウェーハ等の被加工物４の表面処理を行なうように
なっている。表面処理時には、加圧板３の下面に被加工
物４を接着または吸着により支持し、被加工物４に所定
の荷重を加え、下定盤１（研磨布等を貼付けた場合も有
る）上に砥液を流した後、被加工物４を自転させ且つ揺
動させながら表面処理が行なわれる。
この際、被加工物４が完全円形でない場合には、被加工
物４の円弧中心０から加圧板３により荷重中心Ｐを偏心
（ずらして）させて表面処理を行なうようにしている。
物４の円弧中心０から加圧板３により荷重中心Ｐを偏心
（ずらして）させて表面処理を行なうようにしている。
第２図（ａ）は、完全円形でない５″φのシリコンウェ
ーハを表面処理した際に得られたデータであり、ウェー
八円弧中心０の荷重偏心量（ｍｍ）と加工処理後にウェ
ーハに生じたテーバ（μｍ）との関係を示している。つ
まり、第２図（ａ）中において偏心量がｂの場合、すな
わち、円弧中心０と荷重中心Ｐが第２図（Ｃ）のように
重なる場合には被加工物に生ずるテーバはＢとなり、荷
重中心Ｐが第２図（ｂ）のように円弧中心Ｏより図中左
側へ偏心した場合には加工後のテーパ量が増大すること
がわかる。
ーハを表面処理した際に得られたデータであり、ウェー
八円弧中心０の荷重偏心量（ｍｍ）と加工処理後にウェ
ーハに生じたテーバ（μｍ）との関係を示している。つ
まり、第２図（ａ）中において偏心量がｂの場合、すな
わち、円弧中心０と荷重中心Ｐが第２図（Ｃ）のように
重なる場合には被加工物に生ずるテーバはＢとなり、荷
重中心Ｐが第２図（ｂ）のように円弧中心Ｏより図中左
側へ偏心した場合には加工後のテーパ量が増大すること
がわかる。
他方、第２図Ｃａ’）中心のｂ点より図中右側へ偏心し
た場合には、第２図（ｄ）に示ずようにウェーハの重心
Ｇと荷重中心Ｐとが重なる３点でテーパ量が最少となる
ことがわかる。
た場合には、第２図（ｄ）に示ずようにウェーハの重心
Ｇと荷重中心Ｐとが重なる３点でテーパ量が最少となる
ことがわかる。
したがって、本実施例では第２図（ｄ）の如く、荷重の
偏心量とに計算により求めた重心位置から被加工物の円
弧中心Ｏまての距１ｔ（ａｍｍ）とし、研磨を行なった
。
偏心量とに計算により求めた重心位置から被加工物の円
弧中心Ｏまての距１ｔ（ａｍｍ）とし、研磨を行なった
。
その結果、被加工物に生じる傾き（テーバ）と、研磨量
とは、略比例関係にあることから、節回のＸで示すよう
に研磨量が増大するとこれに伴って従来では傾き（テー
バ）が非常に大きくなっていたが、本実施例を同図中の
Ｙで示すように、荷重を偏心させることにより傾き（テ
ーバ）を大幅に抑制でき、従来に比べ半分以下にするこ
とができた。
とは、略比例関係にあることから、節回のＸで示すよう
に研磨量が増大するとこれに伴って従来では傾き（テー
バ）が非常に大きくなっていたが、本実施例を同図中の
Ｙで示すように、荷重を偏心させることにより傾き（テ
ーバ）を大幅に抑制でき、従来に比べ半分以下にするこ
とができた。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、被加工物の形状
に応じて荷重中心を被加工物の円弧中心に対し偏心させ
て研磨することにより、被加工物に加わる荷重分布が均
一となり、その結果、加工処理後に被加工物に生ずる傾
き（テーバ）を大幅に抑制することが可能となり、特に
半導体用シリコンウェーハに今後求められる超高精度に
とっても非常に有効利用することができる等の利点を有
する。
に応じて荷重中心を被加工物の円弧中心に対し偏心させ
て研磨することにより、被加工物に加わる荷重分布が均
一となり、その結果、加工処理後に被加工物に生ずる傾
き（テーバ）を大幅に抑制することが可能となり、特に
半導体用シリコンウェーハに今後求められる超高精度に
とっても非常に有効利用することができる等の利点を有
する。
第１図ないし第３図は本発明の実施例に係り、第１図は
表面処理装置の要部拡大断面図、第２図（ａ）は偏心量
とテーバとの関係図、第２図（ｂ）。 （Ｃ） 、 （ｄ）は各偏心量をそれぞれ示す概略平面
図、第３図は研磨量とテーバとの関係図、第４図Ｃａ）
、 （ｂ）は従来例に係り、第４図（ａ）は被加工
物を示す概略平面図、第４図（ｂ）はその側面図である
。 １・・・下定盤 ３・・・加圧板４・・・被加工
物 Ｐ・・・加圧中心０・・・円弧中心 特許出願人 九州電子金属株式会社 特許出願人 大阪チタニウム製造株式会社代 理 人
弁理士 森 正 澄第１図
表面処理装置の要部拡大断面図、第２図（ａ）は偏心量
とテーバとの関係図、第２図（ｂ）。 （Ｃ） 、 （ｄ）は各偏心量をそれぞれ示す概略平面
図、第３図は研磨量とテーバとの関係図、第４図Ｃａ）
、 （ｂ）は従来例に係り、第４図（ａ）は被加工
物を示す概略平面図、第４図（ｂ）はその側面図である
。 １・・・下定盤 ３・・・加圧板４・・・被加工
物 Ｐ・・・加圧中心０・・・円弧中心 特許出願人 九州電子金属株式会社 特許出願人 大阪チタニウム製造株式会社代 理 人
弁理士 森 正 澄第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 略均一な厚みを有する薄板状の被加工物を定盤上で加
圧盤により加圧保持しながら研磨する表面処理方法にお
いて、 前記被加工物の平面形状に応じ、被加工物に対する加圧
中心を偏心させて研磨することを特徴とする表面処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052792A JPH0747263B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052792A JPH0747263B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01228773A true JPH01228773A (ja) | 1989-09-12 |
| JPH0747263B2 JPH0747263B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=12924686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63052792A Expired - Fee Related JPH0747263B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0747263B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687526A1 (en) * | 1994-04-18 | 1995-12-20 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single-wafer polishing |
| JP2017140658A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP2021142627A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 株式会社東京精密 | 加工装置 |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63052792A patent/JPH0747263B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687526A1 (en) * | 1994-04-18 | 1995-12-20 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single-wafer polishing |
| US5620357A (en) * | 1994-04-18 | 1997-04-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single-wafer polishing |
| JP2017140658A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP2021142627A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 株式会社東京精密 | 加工装置 |
| JP2024059984A (ja) * | 2020-03-13 | 2024-05-01 | 株式会社東京精密 | 加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0747263B2 (ja) | 1995-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |