JPH01230478A - 均質窒化珪素焼結体およびその製造方法 - Google Patents
均質窒化珪素焼結体およびその製造方法Info
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- JPH01230478A JPH01230478A JP63044001A JP4400188A JPH01230478A JP H01230478 A JPH01230478 A JP H01230478A JP 63044001 A JP63044001 A JP 63044001A JP 4400188 A JP4400188 A JP 4400188A JP H01230478 A JPH01230478 A JP H01230478A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は軸受部材、耐摩耗部材あるいは摺動部材等に有
用である均質な窒化珪素焼結体およびその製造方法に関
する。
用である均質な窒化珪素焼結体およびその製造方法に関
する。
[従来の技術]
従来、窒化珪素焼結体は次のように製造している。
まず窒化珪素原料と焼結助剤を混合し、粉砕した後、粉
砕時に用いる玉石の破片等の異物除去のため、通常44
μmの篩を通している。次に、篩通し後の原料混合物を
造粒した後、わかし或いは水分添加により原料混合物中
の水分量をコントロールして更に篩を通した後、金型プ
レス又は冷間静水圧プレスにて成形し所定温度で焼成す
ることにより焼結体を得ている。
砕時に用いる玉石の破片等の異物除去のため、通常44
μmの篩を通している。次に、篩通し後の原料混合物を
造粒した後、わかし或いは水分添加により原料混合物中
の水分量をコントロールして更に篩を通した後、金型プ
レス又は冷間静水圧プレスにて成形し所定温度で焼成す
ることにより焼結体を得ている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記した従来の窒化珪素焼結体の製造方
法にあっては、粉砕後の粗大粒子及び原料中に含まれる
異物の排除や造粒粉体中の水分の均一化を積極的には実
施していないため、以下に示すような従来技術を解決す
るための知見を得た。すなわち、従来技術では、粗大粒
子及び原料中に含まれる異物の混入や造粒粉体中の水分
量のバラツキか生じるという場合があった。その結果、
粗大粒子及び原料中に含まれる異物の混入や水分量のバ
ラツキによる不均一な粒子崩壊により成形体中に気孔か
生じて、それか焼結後に残留したり、また粒界において
結晶相が成長し、一定量上の割合を占める事態を生じ、
均質な窒化珪素焼結体を得ることかできないという欠点
かあった。
法にあっては、粉砕後の粗大粒子及び原料中に含まれる
異物の排除や造粒粉体中の水分の均一化を積極的には実
施していないため、以下に示すような従来技術を解決す
るための知見を得た。すなわち、従来技術では、粗大粒
子及び原料中に含まれる異物の混入や造粒粉体中の水分
量のバラツキか生じるという場合があった。その結果、
粗大粒子及び原料中に含まれる異物の混入や水分量のバ
ラツキによる不均一な粒子崩壊により成形体中に気孔か
生じて、それか焼結後に残留したり、また粒界において
結晶相が成長し、一定量上の割合を占める事態を生じ、
均質な窒化珪素焼結体を得ることかできないという欠点
かあった。
とりわけ、軸受部材、耐摩耗部材あるいは摺動部材に適
用する場合には、それらの寿命に対して5 粒界にお
ける結晶相の割合か大きく影響するため、従来よりも長
寿命のものを得るには粒界結晶相の割合をある一定以下
とした焼結体を製造する必要があった。中でも、軸受材
料として使用する場合には、材料の転がり疲れ寿命を把
握することか重要であることか知られており、転かり疲
れ寿命向上のため均質で高強度な材料を開発する必要か
あった。
用する場合には、それらの寿命に対して5 粒界にお
ける結晶相の割合か大きく影響するため、従来よりも長
寿命のものを得るには粒界結晶相の割合をある一定以下
とした焼結体を製造する必要があった。中でも、軸受材
料として使用する場合には、材料の転がり疲れ寿命を把
握することか重要であることか知られており、転かり疲
れ寿命向上のため均質で高強度な材料を開発する必要か
あった。
[課題を解決するための手段]
従って本発明の目的は、上記従来の欠点を解消した、均
質て且つ高強度な窒化珪素焼結体とその製造方法を提供
することである。
質て且つ高強度な窒化珪素焼結体とその製造方法を提供
することである。
そしてその目的は、本発明によれば、粒界相全体に対す
る粒界結晶相の割合か50%以下で、最大気孔径かlO
JLm以下、気孔率か0.5%以下であることを特徴と
する均質窒化珪素焼結体(第1発明)、窒化珪素原料と
焼結助剤を混合、粉砕、造粒後成形し、次いで該成形体
を焼成することにより窒化珪素焼結体を製造する方法に
おいて、焼成温度から1000℃迄の降温速度を30℃
/分以上とすることを特徴とする均質窒化珪素焼結体の
製造方法(第2発明)、および、窒化珪素原料と焼結助
剤を混合、粉砕、造粒後成形し、次いで該成形体を焼成
することにより窒化珪素焼結体を製造する方法において
、90%以上のα型窒化珪素を含有し平均粒径lpLm
以下の窒化珪素、および平均粒径lIi、m以下の焼結
助剤を用い、造粒後の粉体を一旦強制的に乾燥した後、
必要に応して水分を添加し、成形後焼成を行うことを特
徴とする均質窒化珪素焼結体の製造方法(第3発明)、
により達成される。
る粒界結晶相の割合か50%以下で、最大気孔径かlO
JLm以下、気孔率か0.5%以下であることを特徴と
する均質窒化珪素焼結体(第1発明)、窒化珪素原料と
焼結助剤を混合、粉砕、造粒後成形し、次いで該成形体
を焼成することにより窒化珪素焼結体を製造する方法に
おいて、焼成温度から1000℃迄の降温速度を30℃
/分以上とすることを特徴とする均質窒化珪素焼結体の
製造方法(第2発明)、および、窒化珪素原料と焼結助
剤を混合、粉砕、造粒後成形し、次いで該成形体を焼成
することにより窒化珪素焼結体を製造する方法において
、90%以上のα型窒化珪素を含有し平均粒径lpLm
以下の窒化珪素、および平均粒径lIi、m以下の焼結
助剤を用い、造粒後の粉体を一旦強制的に乾燥した後、
必要に応して水分を添加し、成形後焼成を行うことを特
徴とする均質窒化珪素焼結体の製造方法(第3発明)、
により達成される。
本発明における最大気孔径および気孔率は、焼結体の表
面を鏡面研磨し、光学顕微鏡を用い、400倍の倍率て
測定した。気孔径はその気孔の最大長さを測定して気孔
径とし、さらに最大気孔径は気孔数を1000個測定し
、その中の最大径を最大気孔径とした。また、気孔率は
測定したtooo個の気孔の面積を実測することにより
、全気孔面積を求め、その全気孔面積を測定に要した全
視野面積て除した値である。
面を鏡面研磨し、光学顕微鏡を用い、400倍の倍率て
測定した。気孔径はその気孔の最大長さを測定して気孔
径とし、さらに最大気孔径は気孔数を1000個測定し
、その中の最大径を最大気孔径とした。また、気孔率は
測定したtooo個の気孔の面積を実測することにより
、全気孔面積を求め、その全気孔面積を測定に要した全
視野面積て除した値である。
また、焼結体中の粒界相全体に対する粒界結晶相の割合
(A)は下記のように算出した。
(A)は下記のように算出した。
ここで、■、および■2は次の通りである。
vl 、焼結体研磨面をエツチングし、粒界相とSi、
N、か識別てきる微構造写真より求めた粒界相の面積割
合(X) *粒界結晶相の最強ピークがSi3N、のピークと重な
り判別できない時は、I/I、 = K (Kがなるべ
く100に近いもの)のピークを用い、そのピーク強度
にl OO/Kを乗じた値を用いる。
N、か識別てきる微構造写真より求めた粒界相の面積割
合(X) *粒界結晶相の最強ピークがSi3N、のピークと重な
り判別できない時は、I/I、 = K (Kがなるべ
く100に近いもの)のピークを用い、そのピーク強度
にl OO/Kを乗じた値を用いる。
また窒化珪素結晶相に対する粒界結晶相の割合(B)の
算出法は下記の通っである。
算出法は下記の通っである。
11X+102がa −3l 3N4(102)のピー
ク高さIx+ 2+o+ : α −3iJ 4(2
10) rr■、(、。1) :β −
5iJ<(101) ノl■ρ、2、。、
:β −3l:lN4(210) ツ
ノ本発明に係る均質窒化珪素焼結体においては、粒界相
全体に対する粒界結晶相の割合は50%以下、好ましく
は30%以下、更に好ましくは10%以下である。粒界
結晶相の割合か50%を超えると、焼結体の微構造か不
均質となり、耐摩耗性、転かり疲れ寿命等か低下する。
ク高さIx+ 2+o+ : α −3iJ 4(2
10) rr■、(、。1) :β −
5iJ<(101) ノl■ρ、2、。、
:β −3l:lN4(210) ツ
ノ本発明に係る均質窒化珪素焼結体においては、粒界相
全体に対する粒界結晶相の割合は50%以下、好ましく
は30%以下、更に好ましくは10%以下である。粒界
結晶相の割合か50%を超えると、焼結体の微構造か不
均質となり、耐摩耗性、転かり疲れ寿命等か低下する。
なお、この粒界結晶相は窒化珪素結晶相に対しては5%
以下か好ましく、2%以下が特に好ましい。
以下か好ましく、2%以下が特に好ましい。
また、本発明の焼結体においては、その最大気孔径が1
0JLm以下、好ましくは6JLm以下、更に好ましく
は4μm以下である。さらに、本発明の焼結体の気孔率
は、0.5%以下、好ましくは0.3%以下、更に好ま
しくは0.1%以下である。焼結体の最大気孔径か10
JLmより大きく、その気孔率が0.5%より大きくな
ると、強度、硬度等の機械的特性か低下するため、耐摩
耗性、転かり疲れ寿命等が低下する。
0JLm以下、好ましくは6JLm以下、更に好ましく
は4μm以下である。さらに、本発明の焼結体の気孔率
は、0.5%以下、好ましくは0.3%以下、更に好ま
しくは0.1%以下である。焼結体の最大気孔径か10
JLmより大きく、その気孔率が0.5%より大きくな
ると、強度、硬度等の機械的特性か低下するため、耐摩
耗性、転かり疲れ寿命等が低下する。
さらに、本発明の窒化珪素焼結体ては、焼結助剤として
、希土類元素酸化物、ZrO2,アルカリ土類金属酸化
物、An、03からなる群から選ばれる少なくとも1種
以上含み、好ましくはY2O3、ZrO2,MgOを含
むものである。そして、その含有割合は、1種について
0.1〜10重量%、含量(焼結助剤全体の合計量)て
0.5〜20重量%であることか好ましく、特に好まし
くは1種については0.5〜5重量%、合量ては1〜1
5重量%である。
、希土類元素酸化物、ZrO2,アルカリ土類金属酸化
物、An、03からなる群から選ばれる少なくとも1種
以上含み、好ましくはY2O3、ZrO2,MgOを含
むものである。そして、その含有割合は、1種について
0.1〜10重量%、含量(焼結助剤全体の合計量)て
0.5〜20重量%であることか好ましく、特に好まし
くは1種については0.5〜5重量%、合量ては1〜1
5重量%である。
なおここていう1種とは、希土類元素酸化物、ZrO2
,アルカリ土類金属酸化物、Al2O2の4種の中の1
種をいう。希土類元素酸化物、アルカリ土類金属酸化物
の場合、1種の中に複数の化合物を含んでいてもよいが
、1種の中て化合物の合計量は0.1〜10重量%であ
ることが好ましい。
,アルカリ土類金属酸化物、Al2O2の4種の中の1
種をいう。希土類元素酸化物、アルカリ土類金属酸化物
の場合、1種の中に複数の化合物を含んでいてもよいが
、1種の中て化合物の合計量は0.1〜10重量%であ
ることが好ましい。
また含量か1〜5重量%の範囲ては、酸、アルカリに対
する耐食性が向上するため、耐食性が要求される場合に
は好ましい。
する耐食性が向上するため、耐食性が要求される場合に
は好ましい。
なお、上記の含有割合は、酸化物が焼結時の反応により
窒化物になる場合には、酸化物に換算した数値である。
窒化物になる場合には、酸化物に換算した数値である。
焼結助剤の含有割合か上記範囲より低い場合には、窒化
珪素を緻密化する効果が低く、また含量て20重量%を
超えると粒界相の割合が多くなり過ぎ、窒化珪素本来の
特性が損なわれ易い。
珪素を緻密化する効果が低く、また含量て20重量%を
超えると粒界相の割合が多くなり過ぎ、窒化珪素本来の
特性が損なわれ易い。
尚、上記の希土類元素酸化物としては、例えば、La2
O3+ CeO2,Y203.Yb207が用いられ、
アルカリ土類金属酸化物としては、例えば、MgO,S
roが用いられる。
O3+ CeO2,Y203.Yb207が用いられ、
アルカリ土類金属酸化物としては、例えば、MgO,S
roが用いられる。
以上のような組成と特性を有する均質窒化珪素焼結体は
、好ましくは造粒後の粉体な一旦強制的に乾燥した後、
必要に応じて水分を添加し、成形を行った後焼成し、焼
成温度から1000℃までの降温速度を30℃/分以上
とすること、により製造するととかてきる。(以下、便
宜上これを第1の製造方法という。) すなわち、この
第1の製造方法において特に重要なポイントは、焼成後
の降温速度を一定以上とするととである。
、好ましくは造粒後の粉体な一旦強制的に乾燥した後、
必要に応じて水分を添加し、成形を行った後焼成し、焼
成温度から1000℃までの降温速度を30℃/分以上
とすること、により製造するととかてきる。(以下、便
宜上これを第1の製造方法という。) すなわち、この
第1の製造方法において特に重要なポイントは、焼成後
の降温速度を一定以上とするととである。
焼成後の降温速度は30℃/分以上、好ましくは50℃
/分以上、特に好ましくは80℃/分以上である。
/分以上、特に好ましくは80℃/分以上である。
降温速度を30℃/分より小さくした場合、降温時に粒
界結晶相が析出しやすく、微構造は不均質となる。
界結晶相が析出しやすく、微構造は不均質となる。
なお、この降温操作は、焼成が、常圧下での1次焼成と
、それに続く熱間静水圧加圧下での焼成とから行なわれ
る場合には、1次焼成と熱間静水圧加圧下ての焼成の少
なくとも一方について降温速度を30℃/分以上とすれ
ば粒界結晶相か析出しにくくなり、均質な微構造の焼結
体が得られる。また、降温速度を30’C/分以上とす
る操作を1次焼成、熱間静水圧加圧下での焼成のどちら
か一方のみについて行なう場合よりも両方について行な
う方かより好ましい結果か得られる。
、それに続く熱間静水圧加圧下での焼成とから行なわれ
る場合には、1次焼成と熱間静水圧加圧下ての焼成の少
なくとも一方について降温速度を30℃/分以上とすれ
ば粒界結晶相か析出しにくくなり、均質な微構造の焼結
体が得られる。また、降温速度を30’C/分以上とす
る操作を1次焼成、熱間静水圧加圧下での焼成のどちら
か一方のみについて行なう場合よりも両方について行な
う方かより好ましい結果か得られる。
また、造粒粉体を強制乾燥した後、必要に応して水分を
添加することは、造粒粉体間に水分量の差かなくなり、
より均一な造粒粉体を得ることかできることから好まし
い。
添加することは、造粒粉体間に水分量の差かなくなり、
より均一な造粒粉体を得ることかできることから好まし
い。
本発明ては前記したように、成形を行ない、次いで焼成
を行う。焼成は常圧下で焼成を行う場合と、常圧下ての
1次焼成とそれに引続く熱間静水圧加圧下での焼成の二
段焼成処理を行なう場合かあるか、この二段焼成処理の
うち1次焼成工程は、成形体を一次的に焼成する工程、
あるいは、成形体をカプセルに封入する工程(カプセル
処理工程)の2通りに分けることかてきる。1次焼成工
程においては、成形体を、好ましくは常圧の窒素雰囲気
下、1400〜1600’Cて一次的に焼成する。焼成
温度か1400’Cより低いと焼成後も開気孔か消失せ
ず、熱間静水圧加圧処理後にも緻密な焼結体か得られな
い。また、焼成温度か1600℃より高いと、窒化珪素
の分解反応か進行し、熱間静水圧加圧処理後にも緻密、
高強度で均質な焼結体か得られなくなる。
を行う。焼成は常圧下で焼成を行う場合と、常圧下ての
1次焼成とそれに引続く熱間静水圧加圧下での焼成の二
段焼成処理を行なう場合かあるか、この二段焼成処理の
うち1次焼成工程は、成形体を一次的に焼成する工程、
あるいは、成形体をカプセルに封入する工程(カプセル
処理工程)の2通りに分けることかてきる。1次焼成工
程においては、成形体を、好ましくは常圧の窒素雰囲気
下、1400〜1600’Cて一次的に焼成する。焼成
温度か1400’Cより低いと焼成後も開気孔か消失せ
ず、熱間静水圧加圧処理後にも緻密な焼結体か得られな
い。また、焼成温度か1600℃より高いと、窒化珪素
の分解反応か進行し、熱間静水圧加圧処理後にも緻密、
高強度で均質な焼結体か得られなくなる。
一方、カプセル処理工程においては、成形体を、好まし
くはS i 02を主成分とするガラス中に、真空脱気
した後封入するか、もしくは、成形体をガラス粉末中に
埋設し焼成過程て加熱してガラスを溶融し、成形体をカ
ラス中に封入する。カプセルとしてガラスか好ましいの
は、熱間静水圧加圧時のカプセルとしての変形能力およ
び密封性に優れているためである。
くはS i 02を主成分とするガラス中に、真空脱気
した後封入するか、もしくは、成形体をガラス粉末中に
埋設し焼成過程て加熱してガラスを溶融し、成形体をカ
ラス中に封入する。カプセルとしてガラスか好ましいの
は、熱間静水圧加圧時のカプセルとしての変形能力およ
び密封性に優れているためである。
カプセル処理を行う場合、カプセル内への成形体の封入
と熱間静水圧加圧を通常同一の焼成炉により連続して行
う。
と熱間静水圧加圧を通常同一の焼成炉により連続して行
う。
これらの1次焼成処理を施した後、熱間静水圧加圧処理
を、好ましくは200〜1700気圧の窒素雰囲気下、
1500〜19006Cで行なう。
を、好ましくは200〜1700気圧の窒素雰囲気下、
1500〜19006Cで行なう。
さらに、本発明においては、90%以上のα型窒化珪素
(α−5z 3 N4 )を含有し平均粒径17tm以
下の窒化珪素、および平均粒径17tm以下の焼結助剤
を用い、造粒後の粉体を一旦強制的に乾燥した後、必要
に応じて水分を添加し、成形後焼成を行うことによって
も、上記のような特性を有する均質窒化珪素焼結体を製
造するととがてきる。(以下、便宜上これを第2の製造
方法という。) 第2の製造方法において、用いる窒化珪素原料と焼結助
剤の平均粒径はlpm以下、好ましくは0.81Lm以
下、さらに好ましくは0.6ルm以下である。用いる窒
化珪素および焼結助剤の平均粒径をLμmより大きくす
ると、窒化珪素と焼結助剤の反応か不均一に起こり、降
温時に粒界結晶相か析出しやすく、微構造か不均質とな
る。
(α−5z 3 N4 )を含有し平均粒径17tm以
下の窒化珪素、および平均粒径17tm以下の焼結助剤
を用い、造粒後の粉体を一旦強制的に乾燥した後、必要
に応じて水分を添加し、成形後焼成を行うことによって
も、上記のような特性を有する均質窒化珪素焼結体を製
造するととがてきる。(以下、便宜上これを第2の製造
方法という。) 第2の製造方法において、用いる窒化珪素原料と焼結助
剤の平均粒径はlpm以下、好ましくは0.81Lm以
下、さらに好ましくは0.6ルm以下である。用いる窒
化珪素および焼結助剤の平均粒径をLμmより大きくす
ると、窒化珪素と焼結助剤の反応か不均一に起こり、降
温時に粒界結晶相か析出しやすく、微構造か不均質とな
る。
また窒化珪素にはα相とβ相の2つの結晶構造かあるこ
とか知られているか、この場合、原料として使用する窒
化珪素としてはα型窒化珪素を90%以上含有するもの
を用いることか高強度、高緻密、高硬度のSi:+NL
焼結体を得る上て好ましい。
とか知られているか、この場合、原料として使用する窒
化珪素としてはα型窒化珪素を90%以上含有するもの
を用いることか高強度、高緻密、高硬度のSi:+NL
焼結体を得る上て好ましい。
また、第2の製造方法の場合には、焼成を前述のように
常圧下または常圧下ての一次焼成とそれに続く熱間静水
圧加圧下に行なう。この熱間静水圧加圧処理は、好まし
くは200〜1500気圧の窒素雰囲気下、1500〜
1900℃て行なう。
常圧下または常圧下ての一次焼成とそれに続く熱間静水
圧加圧下に行なう。この熱間静水圧加圧処理は、好まし
くは200〜1500気圧の窒素雰囲気下、1500〜
1900℃て行なう。
第1および第2の製造方法において、窒化珪素原料に混
合する焼結助剤としては、希土類元素酸化物、ZrO2
,アルカリ土類金属酸化物、Au2o3からなる群から
選ばれる少なくとも1種以上のものを用い、その1種に
つき0.1〜10重量%、好ましくは0.5〜5重量%
、合量て0.5〜20重量%、好ましくは1〜15重量
%の含有割合で用いる。また、ここていう1種も、前述
の通り、希土類元素酸化物、ZrO2,アルカリ土類金
属酸化物、Au2o3の4種の中の1種をいう。そして
希土類元素酸化物、アルカリ土類金属酸化物の場合、1
種の中に複数の化合物を含んでいてもよいが、1種の中
で化合物の合計量は0.1〜10重量%であることか好
ましい。
合する焼結助剤としては、希土類元素酸化物、ZrO2
,アルカリ土類金属酸化物、Au2o3からなる群から
選ばれる少なくとも1種以上のものを用い、その1種に
つき0.1〜10重量%、好ましくは0.5〜5重量%
、合量て0.5〜20重量%、好ましくは1〜15重量
%の含有割合で用いる。また、ここていう1種も、前述
の通り、希土類元素酸化物、ZrO2,アルカリ土類金
属酸化物、Au2o3の4種の中の1種をいう。そして
希土類元素酸化物、アルカリ土類金属酸化物の場合、1
種の中に複数の化合物を含んでいてもよいが、1種の中
で化合物の合計量は0.1〜10重量%であることか好
ましい。
上記の含有割合は、加熱により酸化物を生ずる塩を用い
る場合には酸化物に換算した数値である。
る場合には酸化物に換算した数値である。
上記焼結助剤の組合せとしては、Y2O3、Zr O2
及びアルカリ土類金属酸化物からなるものか好ましい。
及びアルカリ土類金属酸化物からなるものか好ましい。
ZrO2は、ZrO2玉石の摩耗、ZrO2粉末添加、
または加熱によりZ r O2を生成するZr塩の形て
添加してもよい。Z r O2粉末添加、または加熱に
よりZrO2を生成するZr塩を加える方か、Z r
O2玉石の摩耗によりZ r O2を添加する場合に比
べてZrO2がより均質に分散し、均質な組織か得られ
るため好ましい。
または加熱によりZ r O2を生成するZr塩の形て
添加してもよい。Z r O2粉末添加、または加熱に
よりZrO2を生成するZr塩を加える方か、Z r
O2玉石の摩耗によりZ r O2を添加する場合に比
べてZrO2がより均質に分散し、均質な組織か得られ
るため好ましい。
上記焼結助剤のうち、希土類元素酸化物としては、La
2o3 、CeO2,Y203.アルカリ土類金属酸化
物としてはMgO,SrOか好ましく用いられる。
2o3 、CeO2,Y203.アルカリ土類金属酸化
物としてはMgO,SrOか好ましく用いられる。
以上のような第1の製造方法、あるいは第2の製造方法
により、本発明のような特性を有する均質な窒化珪素焼
結体を製造することかてきたのである。
により、本発明のような特性を有する均質な窒化珪素焼
結体を製造することかてきたのである。
尚、以上に説明した本発明の好ましい態様をまとめて示
せば、次の通りである。
せば、次の通りである。
(a)粒界結晶相の割合か30%以下である均質窒化珪
素焼結体。
素焼結体。
(b)窒化珪素焼結体か、希土類元素酸化物、2rO□
、アルカリ土類金属酸化物、A1wO3からなる群から
選ばれる少なくとも1種以上のものを1種につき0.1
〜10重量%、合量て0.5〜20重量%含む均質窒化
珪素焼結体。
、アルカリ土類金属酸化物、A1wO3からなる群から
選ばれる少なくとも1種以上のものを1種につき0.1
〜10重量%、合量て0.5〜20重量%含む均質窒化
珪素焼結体。
(C)窒化珪素焼結体か、Y20:I 、ZrO2、M
gOを含む均質窒化珪素焼結体。
gOを含む均質窒化珪素焼結体。
(d)造粒後の粉体な一旦強制的に乾燥した後、必要に
応して水分を添加し、成形を行った後焼成を行う均質窒
化珪素焼結体の製造方法。
応して水分を添加し、成形を行った後焼成を行う均質窒
化珪素焼結体の製造方法。
(e)焼成を常圧下で行う均質窒化珪素焼結体の製造方
法。
法。
(f)焼成が、常圧下ての1次焼成と、それに続く熱間
静水圧加圧下での焼成からなり、1次焼成および熱間静
水圧加圧下ての焼成の少なくとも一方について降温速度
を30℃/分以上とする均質窒化珪素焼結体の製造方法
。
静水圧加圧下での焼成からなり、1次焼成および熱間静
水圧加圧下ての焼成の少なくとも一方について降温速度
を30℃/分以上とする均質窒化珪素焼結体の製造方法
。
(g)1次焼成および熱間静水圧加圧下ての降温速度を
50℃/分以上とする均質窒化珪素焼結体の製造方法。
50℃/分以上とする均質窒化珪素焼結体の製造方法。
(h)焼結助剤として、希土類元素酸化物、ZrO2、
アルカリ土類金属酸化物、A l 203からなる群か
ら選ばれる少なくとも1種以上のものを1種につき0.
1〜10重量%1合量て0.5〜20重量%用いる均質
窒化珪素焼結体の製造方法。
アルカリ土類金属酸化物、A l 203からなる群か
ら選ばれる少なくとも1種以上のものを1種につき0.
1〜10重量%1合量て0.5〜20重量%用いる均質
窒化珪素焼結体の製造方法。
(i)ZrO2かZrO2玉石の摩耗またはZrO2粉
末の添加により加えられる均質窒化珪素焼結体の製造方
法。
末の添加により加えられる均質窒化珪素焼結体の製造方
法。
(j)焼結助剤としてY2O3、ZrO2,MgOを用
いる均質窒化珪素焼結体の製造方法。
いる均質窒化珪素焼結体の製造方法。
(k)焼成を熱間静水圧加圧下て行う均質窒化珪素焼結
体の製造方法。
体の製造方法。
[実施例]
以下、本発明を実施例に基き詳細に説明するか、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
はこれら実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
平均粒径0.4pmのα型窒化珪素粉末100重量部に
Y2O35重量%、A文、033重量%、水100重量
部を加え、5+nm(φ)のZrO2玉石を用いて振動
ミルにより5時間粉砕混合してZ r O2を玉石の摩
耗により2重量%添加した。
Y2O35重量%、A文、033重量%、水100重量
部を加え、5+nm(φ)のZrO2玉石を用いて振動
ミルにより5時間粉砕混合してZ r O2を玉石の摩
耗により2重量%添加した。
次いで混合粉砕したスラリーを目開き32μmのJIS
標準篩を通過させた後、これに噴霧乾燥に用いる助剤と
してポリビニルアルコール(PVA)2重量%、ステア
リン酸0.5重量%を添加混合し、噴霧乾燥により平均
粒径80μm、含水率1重量%の造粒粉体とした。さら
に恒温乾燥器を用いて80℃124時間乾燥を行った後
、149ILmのJIS標準篩を通過させた造粒粉体を
2.5トン/Cl112の圧力て冷間静水圧プレス成形
し30n+m(φ)X100mm(長さ)の成形体な得
た。次いで温度500℃て3時間脱脂した後、この成形
体を窒素ガス雰囲気中において1700℃21750℃
て1時間保持した後、第1表に示す降温速度て降温し焼
結体を得た。得られた焼結体について、窒化珪素および
粒界相全体に対する粒界結晶相の割合、最大気孔径、気
孔率を先に示した方法により測定し、その測定値を第1
表に記載した。
標準篩を通過させた後、これに噴霧乾燥に用いる助剤と
してポリビニルアルコール(PVA)2重量%、ステア
リン酸0.5重量%を添加混合し、噴霧乾燥により平均
粒径80μm、含水率1重量%の造粒粉体とした。さら
に恒温乾燥器を用いて80℃124時間乾燥を行った後
、149ILmのJIS標準篩を通過させた造粒粉体を
2.5トン/Cl112の圧力て冷間静水圧プレス成形
し30n+m(φ)X100mm(長さ)の成形体な得
た。次いで温度500℃て3時間脱脂した後、この成形
体を窒素ガス雰囲気中において1700℃21750℃
て1時間保持した後、第1表に示す降温速度て降温し焼
結体を得た。得られた焼結体について、窒化珪素および
粒界相全体に対する粒界結晶相の割合、最大気孔径、気
孔率を先に示した方法により測定し、その測定値を第1
表に記載した。
焼結体を15mm(φ)X15mm(長さ)の円柱状に
切出し、#140のタイヤモント砥石を用いて研摩した
後ボールミルを用いて耐摩耗試験を行った。試験条件と
して、容器は内径120mm(φ)のアルミナ製を用い
、150rpmて回転させた。又スラリー液は#100
の炭化珪素粉末と水を重量比て1:1に配合し容器の半
分になるまで加えた。その中に前記において作製した1
5m+*(φ)x15+sa(長さ)の焼結体を5個加
え、24時間耐摩耗試験を行った。摩耗量は試験前後の
重量及び寸法により求めた。
切出し、#140のタイヤモント砥石を用いて研摩した
後ボールミルを用いて耐摩耗試験を行った。試験条件と
して、容器は内径120mm(φ)のアルミナ製を用い
、150rpmて回転させた。又スラリー液は#100
の炭化珪素粉末と水を重量比て1:1に配合し容器の半
分になるまで加えた。その中に前記において作製した1
5m+*(φ)x15+sa(長さ)の焼結体を5個加
え、24時間耐摩耗試験を行った。摩耗量は試験前後の
重量及び寸法により求めた。
第1表にみられるように焼成時の降温速度が30℃/分
より小さい場合、粒界相全体に対する粒界結晶相の割合
か50%より多くなり、摩耗量か著しく多くなることか
わかる。
より小さい場合、粒界相全体に対する粒界結晶相の割合
か50%より多くなり、摩耗量か著しく多くなることか
わかる。
(以下、余白)
(実施例2)
平均粒径0.57zmのα型窒化珪素粉末100重量部
にY 20 :+ 8重量%、Mg0 4重量%。
にY 20 :+ 8重量%、Mg0 4重量%。
水100重量部を加え、5mm(φ)のZrO2玉石を
用いてアトライタ粉砕機により3時間粉砕混合してZr
O2を玉石の摩耗により1重量%添加した。このスラリ
ーを20pmの目開きの篩を通過させた後、PVA2重
量%を添加し噴霧乾燥機を用いて造粒粉体とした。さら
に恒温乾燥器を用い、第2表に示す温度て24時間強制
乾燥を行い、水分を3重量%添加した後、325ルmの
篩を通過させた。得られた造粒粉体を5トン/Cl12
の圧力て冷間静水圧プレス成形することにより、65n
+m(φ)x50mm(長さ)の成形体を作製した。そ
の後、温度500℃て3時間脱脂した後、1550℃て
5時間1次焼成を行った後、第2表に示ず降温速度て降
温し、次いで圧力1000気圧、温度1700℃て1時
間、熱間静水圧プレス(HIP)を行って第2表に示ず
降温速度て降温した。
用いてアトライタ粉砕機により3時間粉砕混合してZr
O2を玉石の摩耗により1重量%添加した。このスラリ
ーを20pmの目開きの篩を通過させた後、PVA2重
量%を添加し噴霧乾燥機を用いて造粒粉体とした。さら
に恒温乾燥器を用い、第2表に示す温度て24時間強制
乾燥を行い、水分を3重量%添加した後、325ルmの
篩を通過させた。得られた造粒粉体を5トン/Cl12
の圧力て冷間静水圧プレス成形することにより、65n
+m(φ)x50mm(長さ)の成形体を作製した。そ
の後、温度500℃て3時間脱脂した後、1550℃て
5時間1次焼成を行った後、第2表に示ず降温速度て降
温し、次いで圧力1000気圧、温度1700℃て1時
間、熱間静水圧プレス(HIP)を行って第2表に示ず
降温速度て降温した。
得られた焼結体の粒界結晶相の割合、最大気孔径、気孔
率を実施例1と同様に測定した。
率を実施例1と同様に測定した。
また焼結体試おlより50mm(φ)xlOmm(厚さ
)の円板を切出して鏡面研磨した後、6球式スラスト型
軸受試験機によりヘルツ応力600 kg/mm2にて
転かり疲労試験を行った。これらの結果を第2表に併記
した。第2表にみられるように、1次焼成時の降温速度
またはHIP焼成時の降温速度を30℃/分以上とした
場合は、粒界相全体に対する粒界結晶相の割合は50%
以下となり、いずれの降温速度も30℃/分に満たない
場合に比べて大きな転がり疲れ寿命か得られている。
)の円板を切出して鏡面研磨した後、6球式スラスト型
軸受試験機によりヘルツ応力600 kg/mm2にて
転かり疲労試験を行った。これらの結果を第2表に併記
した。第2表にみられるように、1次焼成時の降温速度
またはHIP焼成時の降温速度を30℃/分以上とした
場合は、粒界相全体に対する粒界結晶相の割合は50%
以下となり、いずれの降温速度も30℃/分に満たない
場合に比べて大きな転がり疲れ寿命か得られている。
(以下、余白)
(実施例3)
平均粒径0.4pm、95%以上のα型窒化珪素を含有
する窒化珪素粉末100重量部に平均粒径1.0JLm
、0.4pmのY2O36重量%、平均粒径0.フルm
のS r04重量%、平均粒径0.9μm、0.5μm
のZrO31,5重量%および水100重量部を加えア
トライタ粉砕機により1時間粉砕混合を行った。比較の
ために平均粒径2’、 OILm(7)Y2o:l 、
1 、5 μmのZrO2を用いる他は回し添加条件
、粉砕条件て行ったスラリーを調製した。これらの調合
物を100’C,24時間強制乾燥を行う他は実施例2
と同様の処理を行い、得られた造粒粉体を7トン/Cl
112の圧力て冷間静水圧プレス成形することにより、
65mm(φ)×50Mm(長さ)の成形体を作製した
。その後温度500℃て3時間脱脂した後。
する窒化珪素粉末100重量部に平均粒径1.0JLm
、0.4pmのY2O36重量%、平均粒径0.フルm
のS r04重量%、平均粒径0.9μm、0.5μm
のZrO31,5重量%および水100重量部を加えア
トライタ粉砕機により1時間粉砕混合を行った。比較の
ために平均粒径2’、 OILm(7)Y2o:l 、
1 、5 μmのZrO2を用いる他は回し添加条件
、粉砕条件て行ったスラリーを調製した。これらの調合
物を100’C,24時間強制乾燥を行う他は実施例2
と同様の処理を行い、得られた造粒粉体を7トン/Cl
112の圧力て冷間静水圧プレス成形することにより、
65mm(φ)×50Mm(長さ)の成形体を作製した
。その後温度500℃て3時間脱脂した後。
1500℃て3時間1次焼成を行った後、1000℃迄
15℃/分の速度て降温し、室温迄放冷した。その後圧
力1500気圧、温度1650℃て1時間熱間静水圧プ
レスを行い、1000℃迄15℃/分の速度て降温し、
室温迄放冷した。得られた焼結体について実施例2と同
様に粒界結晶相の割合、最大気孔径、気孔率、転かり疲
れ寿命を測定した。
15℃/分の速度て降温し、室温迄放冷した。その後圧
力1500気圧、温度1650℃て1時間熱間静水圧プ
レスを行い、1000℃迄15℃/分の速度て降温し、
室温迄放冷した。得られた焼結体について実施例2と同
様に粒界結晶相の割合、最大気孔径、気孔率、転かり疲
れ寿命を測定した。
結果を第3表に示す。1μm以下の焼結助剤を用いた場
合、いずれも大きな転かり疲れ寿命か得られることかわ
かる。
合、いずれも大きな転かり疲れ寿命か得られることかわ
かる。
(以下、余白)
(実施例4)
平均粒径0.5ILmのα型窒化珪素粉末100重量部
に、Sr0 0.3重量%、Mg010重量%、CeO
21,5重量%、水100重量部を加え、Si3N、玉
石を用いてアトライタ粉砕機により3時間粉砕混合を行
い、スラリーを準備した。(試F)A) また回し窒化珪素粉末100重量部に、5rOo、i重
量%、MgO0,1重量%、CeO23,0重量%、水
100重量部を加え、5mm(φ)のZrO2玉石を用
いてアトライタ粉砕機により5時間粉砕混合して、Zr
O2を玉石の摩耗により1.8重量%添加したスラリー
を準備した。
に、Sr0 0.3重量%、Mg010重量%、CeO
21,5重量%、水100重量部を加え、Si3N、玉
石を用いてアトライタ粉砕機により3時間粉砕混合を行
い、スラリーを準備した。(試F)A) また回し窒化珪素粉末100重量部に、5rOo、i重
量%、MgO0,1重量%、CeO23,0重量%、水
100重量部を加え、5mm(φ)のZrO2玉石を用
いてアトライタ粉砕機により5時間粉砕混合して、Zr
O2を玉石の摩耗により1.8重量%添加したスラリー
を準備した。
(試ネ’l B )
これらのスラリーを目開き25pmの篩を通過させた後
、噴霧乾燥に用いる助剤としてPVA2重量%、ステア
リン酸0.2重量%を漂加混合し、噴霧乾燥を行って造
粒粉末を得た。これらの造粒粉末を用いて1 トン/c
In2の圧力てプレス成形法により20mm(φ)のポ
ールを成形した。ポールのカプセルHI Pを行うため
、まずポールを500℃まて真空下て加熱を行ってバイ
ンダーを除去した後、焼成サヤ内にポールかガラス粉末
で埋設されるようにポールとガラス粉末を充填した。試
料AとBか入ったサヤと、試料Bのみ入ったサヤの2種
類を準備した。試料AとBの入ったサヤを用いた場合は
、カラスを溶融しつつ加圧、加熱し、500 kg/c
m2.1600℃て2時°間静水圧プレスを行い、次い
で1000℃迄100’c/分の速度て降温し、室温迄
放冷した。
、噴霧乾燥に用いる助剤としてPVA2重量%、ステア
リン酸0.2重量%を漂加混合し、噴霧乾燥を行って造
粒粉末を得た。これらの造粒粉末を用いて1 トン/c
In2の圧力てプレス成形法により20mm(φ)のポ
ールを成形した。ポールのカプセルHI Pを行うため
、まずポールを500℃まて真空下て加熱を行ってバイ
ンダーを除去した後、焼成サヤ内にポールかガラス粉末
で埋設されるようにポールとガラス粉末を充填した。試
料AとBか入ったサヤと、試料Bのみ入ったサヤの2種
類を準備した。試料AとBの入ったサヤを用いた場合は
、カラスを溶融しつつ加圧、加熱し、500 kg/c
m2.1600℃て2時°間静水圧プレスを行い、次い
で1000℃迄100’c/分の速度て降温し、室温迄
放冷した。
また試料Bのみ入ったサヤを用いた場合は、同様に16
00℃て2時間熱間静水圧プレス後、1000℃迄10
℃/分の速度て降温し、室温迄放冷した。
00℃て2時間熱間静水圧プレス後、1000℃迄10
℃/分の速度て降温し、室温迄放冷した。
得られた焼結体について実施例1と同様に粒界結晶相の
割合、最大気孔径、気孔率を測定し、その結果を第4表
に記載した。
割合、最大気孔径、気孔率を測定し、その結果を第4表
に記載した。
また、試料Bについて100℃/分の速度て降温した試
料は外観上均質てあったか、lO℃/分の速度て降温し
た試料は斑点状の模様がみられ、微小フォーカスX線回
折の結果、斑点部分は斑点以外の部分に比べて大きく結
晶化していることかわかった。尚、第4表に示した粒界
結晶相の割合は、試料全体における平均値を示している
。
料は外観上均質てあったか、lO℃/分の速度て降温し
た試料は斑点状の模様がみられ、微小フォーカスX線回
折の結果、斑点部分は斑点以外の部分に比べて大きく結
晶化していることかわかった。尚、第4表に示した粒界
結晶相の割合は、試料全体における平均値を示している
。
得られたポールについて、水の代すに15%HCMを用
いる他は実施例1と同様な方法でボールミルによる耐摩
耗、耐食試験を行った。摩耗量は試験前後の重量変化に
より算出した。第4表にみられるように、降温速度か遅
い試料は摩耗量が大きく、また焼結助剤添加量が2.8
重量%と少ない試料ては良好な耐摩耗、耐食性がみられ
た。
いる他は実施例1と同様な方法でボールミルによる耐摩
耗、耐食試験を行った。摩耗量は試験前後の重量変化に
より算出した。第4表にみられるように、降温速度か遅
い試料は摩耗量が大きく、また焼結助剤添加量が2.8
重量%と少ない試料ては良好な耐摩耗、耐食性がみられ
た。
(以下、余白)
[発明の効果]
以上説明したように1本発明によれば、最大気孔径およ
び気孔率か小さく、耐摩耗性および転がり疲れ寿命など
の特性に優れた均質な窒化珪素焼結体を得ることかてき
る。従って、本発明の窒化珪素焼結体は軸受部材のばか
耐摩耗部材、摺動部材等として極めて有効に用いること
かてきる。
び気孔率か小さく、耐摩耗性および転がり疲れ寿命など
の特性に優れた均質な窒化珪素焼結体を得ることかてき
る。従って、本発明の窒化珪素焼結体は軸受部材のばか
耐摩耗部材、摺動部材等として極めて有効に用いること
かてきる。
Claims (3)
- (1)粒界相全体に対する粒界結晶相の割合が50%以
下で、最大気孔径が10μm以下、気孔率が0.5%以
下であることを特徴とする均質窒化珪素焼結体。 - (2)窒化珪素原料と焼結助剤を混合、粉砕、造粒後成
形し、次いで該成形体を焼成することにより窒化珪素焼
結体を製造する方法において、焼成温度から1000℃
迄の降温速度を30℃/分以上とすることを特徴とする
均質窒化珪素焼結体の製造方法。 - (3)窒化珪素原料と焼結助剤を混合、粉砕、造粒後成
形し、次いで該成形体を焼成することにより窒化珪素焼
結体を製造する方法において、90%以上のα型窒化珪
素を含有し平均粒径1μm以下の窒化珪素、および平均
粒径1μm以下の焼結助剤を用い、造粒後の粉体を一旦
強制的に乾燥した後、必要に応じて水分を添加し、成形
後焼成を行うことを特徴とする均質窒化珪素焼結体の製
造方法。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP63044001A JP2512061B2 (ja) | 1987-11-26 | 1988-02-26 | 均質窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
| DE3844881A DE3844881C2 (de) | 1987-11-26 | 1988-11-24 | Homogener Siliciumnitrid-Sinterkörper |
| DE19883839701 DE3839701C3 (de) | 1987-11-26 | 1988-11-24 | Verfahren zur Herstellung eines homogenen Siliciumnitrid-Sinterkörpers |
| SE8804256A SE465366B (sv) | 1987-11-26 | 1988-11-25 | Homogen, sintrad kiselnitridkropp med en korngraensfas samt foerfarande foer dess framstaellning |
| SE8804256D SE8804256L (sv) | 1987-11-26 | 1988-11-25 | Homogen kiselnitridsintrad kropp och foerfarande foer tillverkning av densamma |
| US07/462,944 US5002907A (en) | 1987-11-26 | 1990-01-04 | Homogenous silicon nitride sintered body |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29846087 | 1987-11-26 | ||
| JP62-298460 | 1987-11-26 | ||
| JP63044001A JP2512061B2 (ja) | 1987-11-26 | 1988-02-26 | 均質窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230478A true JPH01230478A (ja) | 1989-09-13 |
| JP2512061B2 JP2512061B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=26383839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63044001A Expired - Lifetime JP2512061B2 (ja) | 1987-11-26 | 1988-02-26 | 均質窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
Country Status (3)
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|---|---|
| US (1) | US5002907A (ja) |
| JP (1) | JP2512061B2 (ja) |
| SE (2) | SE465366B (ja) |
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| US6613443B2 (en) | 2000-10-27 | 2003-09-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride ceramic substrate, silicon nitride ceramic circuit board using the substrate, and method of manufacturing the substrate |
| US6784131B2 (en) | 2001-01-12 | 2004-08-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride wear resistant member and method of manufacturing the member |
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| WO2025053251A1 (ja) * | 2023-09-07 | 2025-03-13 | 株式会社 東芝 | セラミックス焼結体、耐摩耗性部材、および、セラミックス焼結体の製造方法 |
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1990
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