JPH01231507A - 周波数逓倍器 - Google Patents
周波数逓倍器Info
- Publication number
- JPH01231507A JPH01231507A JP5884588A JP5884588A JPH01231507A JP H01231507 A JPH01231507 A JP H01231507A JP 5884588 A JP5884588 A JP 5884588A JP 5884588 A JP5884588 A JP 5884588A JP H01231507 A JPH01231507 A JP H01231507A
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- Japan
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- frequency
- reflected
- output side
- multiplier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロ波5準ミリ波帯の送受信機の2例えばローカル
信号源として使用する周波数逓倍器に関し、 広い周波数範囲にわたって変換損失が少なく、且つ出力
信号のD/υを大きくすることを目的とし、基本周波数
で逓倍素子と信号源とのインピーダンス整合を取る入力
側整合器と、非線形特性を有する該逓倍素子と、希望逓
倍周波数で該逓倍素子と負荷とのインピーダンス整合を
取る出力側整合器とを有する周波数逓倍器において、該
出力側整合器の出力のうち該希望逓倍周波数成分を通過
させ。
信号源として使用する周波数逓倍器に関し、 広い周波数範囲にわたって変換損失が少なく、且つ出力
信号のD/υを大きくすることを目的とし、基本周波数
で逓倍素子と信号源とのインピーダンス整合を取る入力
側整合器と、非線形特性を有する該逓倍素子と、希望逓
倍周波数で該逓倍素子と負荷とのインピーダンス整合を
取る出力側整合器とを有する周波数逓倍器において、該
出力側整合器の出力のうち該希望逓倍周波数成分を通過
させ。
それ以外の周波数成分を反射させるが1反射成分の位相
を調整可能にした帯域通過形フィルタを設ける様に構成
する。
を調整可能にした帯域通過形フィルタを設ける様に構成
する。
本発明はマイクロ波、準ミリ波帯の送受信機の。
例えばローカル信号源として使用する周波数逓倍器に関
するものである。
するものである。
例えば、周波数が高く、且つ高安定なローカル信号源を
得る手段として低い周波数の発振器出力を周波数逓倍す
る方法があるが、低次の逓倍、特に2逓倍の場合には非
線形素子としてバラクタダイオードよりも、入出力整合
器の調整が容易な電界効果トランジスタ(以下、 FE
Tと省略する)等の3端子素子を用いることが多い。
得る手段として低い周波数の発振器出力を周波数逓倍す
る方法があるが、低次の逓倍、特に2逓倍の場合には非
線形素子としてバラクタダイオードよりも、入出力整合
器の調整が容易な電界効果トランジスタ(以下、 FE
Tと省略する)等の3端子素子を用いることが多い。
この時、周波数逓倍器としては広い周波数範囲にわたっ
て変換損失が少なく、且つ出力信号のD/Uが大きいこ
とが必要である。
て変換損失が少なく、且つ出力信号のD/Uが大きいこ
とが必要である。
第3図はFET周波数逓倍器の動作説明図を示す。
以下、逓倍次数は9例えば2として図により周波数逓倍
器の動作を説明する。
器の動作を説明する。
先ず、周波数r、 (以下、f、と省略する)の信号が
入力側整合器1を介して、バイアス電圧が0゜又はピン
チオフに設定されたFET 2に加えられるが、この時
、入力側の反射損失が最小になる様に入力側整合器1を
調整する。
入力側整合器1を介して、バイアス電圧が0゜又はピン
チオフに設定されたFET 2に加えられるが、この時
、入力側の反射損失が最小になる様に入力側整合器1を
調整する。
次に、FET 2の非直線性を利用して出力側にf。
成分、 ni、成分等(nは正の整数)が得られるが
、出力側整合器3を用いて2f、で負荷とFET 2と
の整合を取ると共に、中心周波数が2ftの帯域通過形
フィルタ4(以下、 BPFと省略する)を用いること
により変換損失が小さく、D/U(希望信号のレベル/
不要信号のレベル)の大きい2B成分が得られる。
、出力側整合器3を用いて2f、で負荷とFET 2と
の整合を取ると共に、中心周波数が2ftの帯域通過形
フィルタ4(以下、 BPFと省略する)を用いること
により変換損失が小さく、D/U(希望信号のレベル/
不要信号のレベル)の大きい2B成分が得られる。
第4図は従来例の構成図で1図中の符号の部分は第3図
の符号の部分を具体化したものの一例である。
の符号の部分を具体化したものの一例である。
図に示す様に、第1のアルミナ基板11の上にはマイク
ロストリップラインで入力側整合器1.出出力側合器3
とが形成され、これら整合器の間にFET 2が配置さ
れている。又、第2のアルミナ基板41の上には中心周
波数が2f1のBPP 4が形成され、出力側整合器3
とBPF 4との間は導線で接続されてFET周波数逓
倍器を構成している。
ロストリップラインで入力側整合器1.出出力側合器3
とが形成され、これら整合器の間にFET 2が配置さ
れている。又、第2のアルミナ基板41の上には中心周
波数が2f1のBPP 4が形成され、出力側整合器3
とBPF 4との間は導線で接続されてFET周波数逓
倍器を構成している。
そして、このFET周波数逓倍器にflの信号が入力す
ると、2f1成分が得られる。
ると、2f1成分が得られる。
一般に、第3図に示す様なFETを用いた周波数逓倍器
ではBPF 4で反射され、 FETに戻されるfl成
分、即ち基本周波数成分の振幅及び位相が変換損失に大
きく影響を与えることが特徴である。
ではBPF 4で反射され、 FETに戻されるfl成
分、即ち基本周波数成分の振幅及び位相が変換損失に大
きく影響を与えることが特徴である。
そこで、変換損失を少なくする為には下記の事が必要と
なる。即ち、 ■ BPF 4でf1構成を全反射させて、 FETで
再度。
なる。即ち、 ■ BPF 4でf1構成を全反射させて、 FETで
再度。
2逓倍させる。
■ この時、 FETに戻ってきた反射波の位相θを2
r、成分がより多くなる様に調整する。
r、成分がより多くなる様に調整する。
しかし、第4図の構成では0項は満足させることができ
るが、反射位相が固定のために0項を充分に満足させる
ことができない。
るが、反射位相が固定のために0項を充分に満足させる
ことができない。
そこで、入出力側の整合器1.3を調整しても変換損失
をより少なくすることが困難であると云う問題がある。
をより少なくすることが困難であると云う問題がある。
本発明は広い周波数範囲にわたって変換損失が少なく、
且つ出力信号のD/Uが大きくすることを目的とする。
且つ出力信号のD/Uが大きくすることを目的とする。
第1図は本発明の原理ブロック図を示す。
図中、1は基本周波数で逓倍素子と信号源とのインピー
ダンス整合を取る入力側整合器で、5は非線形特性を有
する逓倍素子である。
ダンス整合を取る入力側整合器で、5は非線形特性を有
する逓倍素子である。
又、3は希望逓倍周波数で該逓倍素子と負荷とのインピ
ーダンス整合を取る出力側整合器で、6は出力側整合器
の出力のうち希望逓倍周波数成分を通過させ、それ以外
の周波数成分を反射させるが1反射酸分の位相を調整可
能にした帯域通過形フィルタである。
ーダンス整合を取る出力側整合器で、6は出力側整合器
の出力のうち希望逓倍周波数成分を通過させ、それ以外
の周波数成分を反射させるが1反射酸分の位相を調整可
能にした帯域通過形フィルタである。
前記の様に逓倍素子5の出力側に現れた基本周波数成分
の一部は出力側整合器3でも反射されるが大部分は帯域
通過形フィルタ6で反射される。
の一部は出力側整合器3でも反射されるが大部分は帯域
通過形フィルタ6で反射される。
この時、逓倍素子5から帯域通過形フィルタ6までの位
相長θをある程度、微調整できる様にする必要がある。
相長θをある程度、微調整できる様にする必要がある。
ここで、反射の形態としてオープン点で反射させる場合
とショート点で反射させる場合の2通りがあるが、前者
の場合は反射点の移動が容易であるのに対して、後者の
場合には反射点を移動が困難である。
とショート点で反射させる場合の2通りがあるが、前者
の場合は反射点の移動が容易であるのに対して、後者の
場合には反射点を移動が困難である。
そこで、本発明では帯域通過形フィルタ6としては基本
周波数成分の反射点がオープン点である様なものを用い
ることにより、この点の位置を調整してより広い周波数
範囲にわたって変換損失が少なく、且つ出力信号のD/
Uを大きくすることができる。
周波数成分の反射点がオープン点である様なものを用い
ることにより、この点の位置を調整してより広い周波数
範囲にわたって変換損失が少なく、且つ出力信号のD/
Uを大きくすることができる。
第2図は本発明の実施例の構成図を示す。
尚、PET 51は逓倍素子5の構成部分を示す。又、
企図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
企図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
以下、f、は基本周波数、2f1は希望逓倍周波数とし
て、第2図の動作、構成について説明する。
て、第2図の動作、構成について説明する。
先ず、入力側整合器1.出出力側合器3.BPF6はフ
ローグラスやアルミナセラミック等の同一基板上にマイ
クロストリップラインで形成され。
ローグラスやアルミナセラミック等の同一基板上にマイ
クロストリップラインで形成され。
入力側整合器1と出力側整合器3との間にFET 51
が配置されている。
が配置されている。
ここで、BPF 6は2例えば特性インピーダンス50
Ωで2fI成分のみを抽出する様になっていているので
、f+酸成分線路61のオープン点aで全反射して出力
側整合器3を通ってPET 51に戻る。そこで、線路
61を5例えば矢印の様に短くすると。
Ωで2fI成分のみを抽出する様になっていているので
、f+酸成分線路61のオープン点aで全反射して出力
側整合器3を通ってPET 51に戻る。そこで、線路
61を5例えば矢印の様に短くすると。
FET 51に戻るf1構成の位相を調整できる。
尚、この調整によりBPF 6のインピーダンスが変化
するが、この変化は出力側整合器3で2r、成分が最大
になる様に整合を取り直して補正するが、この補正によ
る反射位相の変化及びa点のれ動によるBPF 6の通
過特性の変化は実用上問題にならない程度、小さいこと
が確かめられている。
するが、この変化は出力側整合器3で2r、成分が最大
になる様に整合を取り直して補正するが、この補正によ
る反射位相の変化及びa点のれ動によるBPF 6の通
過特性の変化は実用上問題にならない程度、小さいこと
が確かめられている。
更に、基本周波数13 GHzで希望逓倍周波数26
GHzの場合、a点を最良点近傍に移動させることによ
り1〜2dB程度の変換損失が得られるが、更に。
GHzの場合、a点を最良点近傍に移動させることによ
り1〜2dB程度の変換損失が得られるが、更に。
出力側整合器3の調整により変換損失は1dB前後改善
できる。
できる。
以上詳細に説明した様に本発明によれば広い周波数範囲
にわたって変換損失が少な(、且つ出力信号のD/Uを
大きくすることができると云う効果がある。
にわたって変換損失が少な(、且つ出力信号のD/Uを
大きくすることができると云う効果がある。
第1図は本発明の原理ブロソクツ図、
第2図は本発明の実施例の構成図、
第3図は14T周波数逓倍器の動作説明図、第4図は従
来例の構成図を示す。 図において、 1は入力側整合器、 3は出力側整合器、 5は逓倍素子、 6は帯域通過形フィルタを示す。 イ六−未4夕′」 6リオisメfp 第4 霞
来例の構成図を示す。 図において、 1は入力側整合器、 3は出力側整合器、 5は逓倍素子、 6は帯域通過形フィルタを示す。 イ六−未4夕′」 6リオisメfp 第4 霞
Claims (1)
- 基本周波数で逓倍素子(5)と信号源とのインピーダン
ス整合を取る入力側整合器(1)と,非線形特性を有す
る該逓倍素子(5)と,希望逓倍周波数で該逓倍素子と
負荷とのインピーダンス整合を取る出力側整合器(3)
とを有する周波数逓倍器において、該出力側整合器(3
)の出力のうち該希望逓倍周波数成分を通過させ,それ
以外の周波数成分を反射させるが,反射成分の位相を調
整可能にした帯域通過形フィルタ(6)を設けたことを
特徴とする周波数逓倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5884588A JP2653088B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 周波数逓倍器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5884588A JP2653088B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 周波数逓倍器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01231507A true JPH01231507A (ja) | 1989-09-14 |
| JP2653088B2 JP2653088B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=13096000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5884588A Expired - Lifetime JP2653088B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 周波数逓倍器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2653088B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04207704A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Nec Corp | 逓倍装置 |
| KR20020009195A (ko) * | 2000-07-25 | 2002-02-01 | 박찬덕 | 불연속부를 갖지 않는 마이크로스트립 여파기 |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP5884588A patent/JP2653088B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04207704A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Nec Corp | 逓倍装置 |
| KR20020009195A (ko) * | 2000-07-25 | 2002-02-01 | 박찬덕 | 불연속부를 갖지 않는 마이크로스트립 여파기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2653088B2 (ja) | 1997-09-10 |
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