JPH012315A - 半導体化炭素薄膜の形成方法 - Google Patents
半導体化炭素薄膜の形成方法Info
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- JPH012315A JPH012315A JP62-158272A JP15827287A JPH012315A JP H012315 A JPH012315 A JP H012315A JP 15827287 A JP15827287 A JP 15827287A JP H012315 A JPH012315 A JP H012315A
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- thin film
- gas
- carbon thin
- forming
- semiconducting carbon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、反応性スパッタ法により１１機１−に強固な
炭素薄Ｓを形成する方法に関し、特に炭素源として用い
る固体のグラファイトに、【め、必要とするドーパント
を埋め込んでおき、これを複合ターゲットとして極一般
的スバッタ法にや拠しつつ、基板十に七導体化ノに六ｄ
膜を形成する方法に関するものである。
炭素薄Ｓを形成する方法に関し、特に炭素源として用い
る固体のグラファイトに、【め、必要とするドーパント
を埋め込んでおき、これを複合ターゲットとして極一般
的スバッタ法にや拠しつつ、基板十に七導体化ノに六ｄ
膜を形成する方法に関するものである。
１３、発明の献ず“＋２
本発明は、低圧水ノ・１ガスを３む雰囲気の１″℃空室
内においてグラファイトターゲット３１４いて行うスパ
ッタθ；に才９いて、 ＾１ｆ記グラファイトターゲットに、面積比で０１１〜
１０％のアルミニウムを埋め込んで形成した複合ターゲ
ットを用いろことにより。
内においてグラファイトターゲット３１４いて行うスパ
ッタθ；に才９いて、 ＾１ｆ記グラファイトターゲットに、面積比で０１１〜
１０％のアルミニウムを埋め込んで形成した複合ターゲ
ットを用いろことにより。
毒性の弾いガスを用いる心腔をなくし、かつ１１Ｎ竹コ
ントロールを容易にしたものである。
ントロールを容易にしたものである。
Ｃ１従夾の技術
従来、プラズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｕｒ １）ｅｐ。
ｏｕｒ １）ｅｐ。
５ｉｔｉｏｎ）法や反応性スパッタ法などによるダング
リンノｆボンド数が少なく、抵抗の高い炭メ・３μｔ
１ｉｆｔ覧のｊ［ネ成六θミが知られている。
リンノｆボンド数が少なく、抵抗の高い炭メ・３μｔ
１ｉｆｔ覧のｊ［ネ成六θミが知られている。
そこで、一般の半導体と同様に、これをｊｎｔｒｉｎｑ
ｌｃ膜とし、適当な不純物をドーピングして、ワイドギ
ャップ（Ｅｇ＝１．５ｅＶ以上）半導体として用いるこ
とが考えられる。
ｌｃ膜とし、適当な不純物をドーピングして、ワイドギ
ャップ（Ｅｇ＝１．５ｅＶ以上）半導体として用いるこ
とが考えられる。
Ｄ１発明が解決しようとする問題点
プラズマＣＶＤ法で製ｒｉされるアモルファスシリコン
の場合、ジボラン（８２Ｈ、）やホスフィン（Ｐｌｊ、
）が用いられるが、主原料となるシラン（ＳｉＨ，）も
含め、各々毒性の高いガスである。
の場合、ジボラン（８２Ｈ、）やホスフィン（Ｐｌｊ、
）が用いられるが、主原料となるシラン（ＳｉＨ，）も
含め、各々毒性の高いガスである。
炭素薄膜の形成では、水素ガスやメタンガス。
エタン系ガスが多く用いられており、ドーピングのため
にジボランやホスフィンを用いると、新たに毒性の高い
ガスを導入することとなるという問題点がある。
にジボランやホスフィンを用いると、新たに毒性の高い
ガスを導入することとなるという問題点がある。
また、ガスは導入する場合、ガス中のドーパントの割合
とＦ！’ｌ膜中のドーパントの情とが一般に同しでない
という（！所がある。
とＦ！’ｌ膜中のドーパントの情とが一般に同しでない
という（！所がある。
木市明は、■−記従来の問題点を解決しようとするもの
である。
である。
Ｅ０間顕点を解決するための手段
本分Ｉ１１においては、］〕記従来の問題点を解決する
ため、反応性スパッタ法による炭六薄膜の形成方法にお
いて、グラファイトに、面積比でＯ，］〜１０％のアル
ミニウムをｊ甲め込んで形成した複合ターゲットを用い
るようにした、 １・゛０作用 本発明においては、代々室内を低圧水Ｊ３ガスを含む雰
囲気として室内に炭７彰薄膜を形成すべきＪ、９板を設
置すると共に１面積比で０．１〜１０％のアルミニウム
を埋め込んで形成された複合グラファイトターゲットを
電極に設置し、これと対向電極との間に高周波を圧を印
加してノ、（板ｌ−に炭素薄膜を形成する。ドーパント
であるアルミニウムが固体であるため、取扱い、濃度コ
ントロールが容易で、しかもガスと異なり流してしまう
無駄がなり）。
ため、反応性スパッタ法による炭六薄膜の形成方法にお
いて、グラファイトに、面積比でＯ，］〜１０％のアル
ミニウムをｊ甲め込んで形成した複合ターゲットを用い
るようにした、 １・゛０作用 本発明においては、代々室内を低圧水Ｊ３ガスを含む雰
囲気として室内に炭７彰薄膜を形成すべきＪ、９板を設
置すると共に１面積比で０．１〜１０％のアルミニウム
を埋め込んで形成された複合グラファイトターゲットを
電極に設置し、これと対向電極との間に高周波を圧を印
加してノ、（板ｌ−に炭素薄膜を形成する。ドーパント
であるアルミニウムが固体であるため、取扱い、濃度コ
ントロールが容易で、しかもガスと異なり流してしまう
無駄がなり）。
Ｇ、実施例
図について本発明の詳細な説明する。
第１図にこの実施例において用いるスパッタ装置を示す
。同図において、１は真空室で、この真空室１は、排気
口２、雰囲気ガス導入口３を備えている。真空室１内に
は、複合グラファイトタ−ゲット４と、第１基板保持部
を兼ねた対向電極５とが対向設置され、これら両者間に
は高周波な源６からマツチングボックス７を介して高周
波電圧が印加されるようになっている。第２基板保持部
８は、複合グラファイトターゲット４と対向電極５との
対向Ｈ′Ｘｉの両側方に位置して真空室１の側壁１−に
相対向して一対設けられ、また第３基板保持部９は対向
電極５の後方に位置して真空室１の側壁上に設けられて
いる。１０は各基板保持部に装着された炭素薄膜を形成
すべき基板である。
。同図において、１は真空室で、この真空室１は、排気
口２、雰囲気ガス導入口３を備えている。真空室１内に
は、複合グラファイトタ−ゲット４と、第１基板保持部
を兼ねた対向電極５とが対向設置され、これら両者間に
は高周波な源６からマツチングボックス７を介して高周
波電圧が印加されるようになっている。第２基板保持部
８は、複合グラファイトターゲット４と対向電極５との
対向Ｈ′Ｘｉの両側方に位置して真空室１の側壁１−に
相対向して一対設けられ、また第３基板保持部９は対向
電極５の後方に位置して真空室１の側壁上に設けられて
いる。１０は各基板保持部に装着された炭素薄膜を形成
すべき基板である。
複合グラファイトターゲット４は、第２図に示すように
、グラファイトに面積費で０．３％のアルミニウム（Ａ
ｔ）１１を埋め込んで成るものである。
、グラファイトに面積費で０．３％のアルミニウム（Ａ
ｔ）１１を埋め込んで成るものである。
しかして、この実施例のスパッタ装置を動作させた状態
において、第１図に示すように電極対向部からその外側
に向かって順次、励起Ｃ，Ｃ−１（種ソース域ａ、プラ
ズマ中で励Ｆ２． Ｃ、ＣＩ １ 種がトランスポート
する領域す、Ｃ，Ｃ−ＨＭがソフトデポジションする領
域Ｃが形成される。そして。
において、第１図に示すように電極対向部からその外側
に向かって順次、励起Ｃ，Ｃ−１（種ソース域ａ、プラ
ズマ中で励Ｆ２． Ｃ、ＣＩ １ 種がトランスポート
する領域す、Ｃ，Ｃ−ＨＭがソフトデポジションする領
域Ｃが形成される。そして。
上記第２、第３の基板保持部８．９は、何れもＣ１Ｃ−
Ｈ種がソフトデポジションする領域Ｃ内に配置されてい
る。
Ｈ種がソフトデポジションする領域Ｃ内に配置されてい
る。
■−記ススバッタ装置用いて基板１０Ｆ、にル素イーリ
膜を形成した具体的実施例を以下に説明する。
膜を形成した具体的実施例を以下に説明する。
−真空室１内に複合グラファイトターゲット４゜炭素薄
膜を形成すべき基板１０を設置した後、真空室１内を１
．３３Ｘ１０’Ｐａ （１０’Ｔｏｒｒ）まで減圧し、
）（ｅ／Ｈ，＋Ｈｅ＝５０％の混合ガスを４０Ｐａ （
０，３Ｔｏｒｒ）まで導入する。
膜を形成すべき基板１０を設置した後、真空室１内を１
．３３Ｘ１０’Ｐａ （１０’Ｔｏｒｒ）まで減圧し、
）（ｅ／Ｈ，＋Ｈｅ＝５０％の混合ガスを４０Ｐａ （
０，３Ｔｏｒｒ）まで導入する。
室内圧力（Ｐ Ｈ，）が安定した後、高周波（１３゜５
６ＭＨｚ）ｆｆｌ力をターゲット４に対し６．８％Ｉ／
ａＪに設定し、５時間スパッタした。この結果、各保持
部５，８．９にセットした基板１０上に形成された炭素
薄膜の特性を第１表に示す。比較のために、グラファイ
トのみから成るターゲットを用いた場合の特性を第２表
に示す。
６ＭＨｚ）ｆｆｌ力をターゲット４に対し６．８％Ｉ／
ａＪに設定し、５時間スパッタした。この結果、各保持
部５，８．９にセットした基板１０上に形成された炭素
薄膜の特性を第１表に示す。比較のために、グラファイ
トのみから成るターゲットを用いた場合の特性を第２表
に示す。
第２表
上記第１，２表に示されるように、バンドギャップをほ
とんど変えずに、抵抗率が下がっている結果から、Ａｌ
がアクセプターとして炭１膜中に取り込まれたと考えら
れ、かつこの膜はＰ型学導体化炭素薄膜といえる。
とんど変えずに、抵抗率が下がっている結果から、Ａｌ
がアクセプターとして炭１膜中に取り込まれたと考えら
れ、かつこの膜はＰ型学導体化炭素薄膜といえる。
第３図は、Ｓｉ基板上に形成された膜のＳＩＭＳ （Ｓ
ｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ ５ｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ ；二重イオン質量イオン分析法）の結果を
示すもので、これから、膜中にＡｔが取り込まれている
ことが明かである。また、」−記表からＨｅガス混合は
、膜特性を変えること無く成Ｉｌ側速度を大きくする効
果を持つことが明らかである。
ｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ ５ｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ ；二重イオン質量イオン分析法）の結果を
示すもので、これから、膜中にＡｔが取り込まれている
ことが明かである。また、」−記表からＨｅガス混合は
、膜特性を変えること無く成Ｉｌ側速度を大きくする効
果を持つことが明らかである。
第４図は、グラファイトターゲット４の面積に対する埋
込アルミニウム部分の面積の割合を種々変えた場合の炭
素薄膜の抵抗率ρとｂ ＩＣ＋＋の結果を示すものであ
る。
込アルミニウム部分の面積の割合を種々変えた場合の炭
素薄膜の抵抗率ρとｂ ＩＣ＋＋の結果を示すものであ
る。
第５図は、Ａ１を面積費で０．３％埋め込んだ複合グラ
ファイトターゲット４を用い、真空室１内雰囲気圧力Ｐ
Ｈ２◆Ｈｅ（）ｌｅ／Ｈ，＋！１ｅ＝５０％）を１，３
３Ｐ ａ （０，ＯＩＴｏｒｒ） 〜２６７ Ｐ ａ
（２，０Ｔｏｒｒ）と変化させたときの抵抗率ρとＥｇ
ｎの変化を示すものである。
ファイトターゲット４を用い、真空室１内雰囲気圧力Ｐ
Ｈ２◆Ｈｅ（）ｌｅ／Ｈ，＋！１ｅ＝５０％）を１，３
３Ｐ ａ （０，ＯＩＴｏｒｒ） 〜２６７ Ｐ ａ
（２，０Ｔｏｒｒ）と変化させたときの抵抗率ρとＥｇ
ｎの変化を示すものである。
第６ＵＡは、ヒ部にセットした基板１−に形成された炭
素薄膜の赤外吸収スペクイトルで、線１は木実施例のス
ペクトル、線２は水ノ３ガスのみでスパッタした試料の
スペクトルである７図に示されろように、ＨｅガスとＨ
，ガスの１２合ガスのスパッタで形成された薄膜のＳＰ
３結合結合−Ｈ伸縮振動による吸収のうち、−〇 Ｈ、
に起因する吸収が減少し、また膜中に含まれる水Ｘ（Ｍ
が減少している。
素薄膜の赤外吸収スペクイトルで、線１は木実施例のス
ペクトル、線２は水ノ３ガスのみでスパッタした試料の
スペクトルである７図に示されろように、ＨｅガスとＨ
，ガスの１２合ガスのスパッタで形成された薄膜のＳＰ
３結合結合−Ｈ伸縮振動による吸収のうち、−〇 Ｈ、
に起因する吸収が減少し、また膜中に含まれる水Ｘ（Ｍ
が減少している。
しかし、特性はほとんど変化していないので、半導体化
炭素薄膜の特性向上に寄与しない余分の水素量が減少し
たと考えられろ。
炭素薄膜の特性向上に寄与しない余分の水素量が減少し
たと考えられろ。
第７図は、 Ｐ Ｈ，＋Ｈｅを１．３Ｐａ〜２６７Ｐａ
まで変化させたときの成膜速度（ｒ） Ｒ）を、第８図
はＰａｌ、◆）ｌａ＝４０ＰａとしてＨｅ Ｚ ＨＪ◆
Ｈｅ＝３〜９９％に変化させた場合のＥｇｎ、と成膜速
度（Ｄ Ｒ）を、また第９図は基板温度を室温から２５
０℃まで変えたときの成膜速度を夫々示すものである。
まで変化させたときの成膜速度（ｒ） Ｒ）を、第８図
はＰａｌ、◆）ｌａ＝４０ＰａとしてＨｅ Ｚ ＨＪ◆
Ｈｅ＝３〜９９％に変化させた場合のＥｇｎ、と成膜速
度（Ｄ Ｒ）を、また第９図は基板温度を室温から２５
０℃まで変えたときの成膜速度を夫々示すものである。
なお、第７，９図において、Ｏ印はｌｉｅを混合しない
場合の成膜速度を示す、特に記述しない条件は全て同一
である１以上の結果から、 ＨｅガスとＨ２ガスとの混
合ガスによるスパッタでは、Ｈ２ガスのみによるスパッ
タよりも成膜速度が大きく、余剰の含有水素量が少ない
良質の半ｎ体化炭Ｊ Ｍ嘆が得られろことが明らかであ
る。
場合の成膜速度を示す、特に記述しない条件は全て同一
である１以上の結果から、 ＨｅガスとＨ２ガスとの混
合ガスによるスパッタでは、Ｈ２ガスのみによるスパッ
タよりも成膜速度が大きく、余剰の含有水素量が少ない
良質の半ｎ体化炭Ｊ Ｍ嘆が得られろことが明らかであ
る。
なお、第３図乃至第５図の試料は、何れも第１Ｍに示す
スパッタ装置の第２Ｊ１（板保持部８にセットして炭素
薄膜を形成した基板１０である。
スパッタ装置の第２Ｊ１（板保持部８にセットして炭素
薄膜を形成した基板１０である。
以■；のデータから、以下の結論が得られる。
（１）グラファイトターゲットに埋め込まれるＡｌは１
面積比で０．１〜１０％が望ましい、Ａｌの量が０．１
％以下では抵抗率変化はみられず。
面積比で０．１〜１０％が望ましい、Ａｌの量が０．１
％以下では抵抗率変化はみられず。
１０′石以りでは■Ｘ、ｇ１．が小さくなりすぎてワイ
ドギャップ半導体となり得す、不適当である。
ドギャップ半導体となり得す、不適当である。
（２） ＰＨ，＋ｌｌｅは、１．３３Ｐａ〜６６５Ｐａ
が望ましい、１．３３Ｐａ以下では、Ｐ、Ｅｇｎ共に小
さくてワイドギャップ半導体とはなりｆＢ）ず。
が望ましい、１．３３Ｐａ以下では、Ｐ、Ｅｇｎ共に小
さくてワイドギャップ半導体とはなりｆＢ）ず。
１３６５Ｐａ以下では、ドーピング効果がほとんど現れ
ない、そして、Ｈｅ濃度が３％未満では成膜速度向上の
効果は現れず、９５％以上ではＥｇ。
ない、そして、Ｈｅ濃度が３％未満では成膜速度向上の
効果は現れず、９５％以上ではＥｇ。
の低下が見られ好ましくない。従って、ＰＨ２÷Ｈｅは
、１．３３Ｐａ〜６６５Ｐａで、Ｈｅ／Ｈ２＋Ｈｅ ＝
３〜９５％が望ましい。
、１．３３Ｐａ〜６６５Ｐａで、Ｈｅ／Ｈ２＋Ｈｅ ＝
３〜９５％が望ましい。
また、 １ｎｔｒｉｎｓｉｃ状態の ρとＥｇｏとを大
きくする目的で、微量（Ｈ，に対して１〜１００ｐｐｍ
）のフッ素Ｆｍｌ酸素ｏ２を含む混合ガスを用いても良
い、第３表は、その−例として、内圧６６．７Ｐａ （
０，５ｔｏｒｒ）で上記混合ガスを用いて形成した１ｎ
ｔｒｉｎｓｉｃ膜と埋込複合ターゲット（面積比０．３
％）を用いて形成した半導体化膜の特性である。なお、
その他の実験条件は先のものと同じである。
きくする目的で、微量（Ｈ，に対して１〜１００ｐｐｍ
）のフッ素Ｆｍｌ酸素ｏ２を含む混合ガスを用いても良
い、第３表は、その−例として、内圧６６．７Ｐａ （
０，５ｔｏｒｒ）で上記混合ガスを用いて形成した１ｎ
ｔｒｉｎｓｉｃ膜と埋込複合ターゲット（面積比０．３
％）を用いて形成した半導体化膜の特性である。なお、
その他の実験条件は先のものと同じである。
Ｌ２例において、ｖｌｌ量ガスを１〜１１００ｐｐとし
たのは、１ ｐｐ＋＊では効果が現れず、１１００ｐｐ
以上では却って混合しない場合よりρとＥｇａとも小さ
くなるからである。
たのは、１ ｐｐ＋＊では効果が現れず、１１００ｐｐ
以上では却って混合しない場合よりρとＥｇａとも小さ
くなるからである。
なお１本発明の方法の実施にあたっては、第１図に示す
スパッタ装置以外に種々の他の装置を用いることができ
る。また、特に特許請求の範囲において限定のない実施
条件については、ヒ記実施例の条件に限るものではない
。
スパッタ装置以外に種々の他の装置を用いることができ
る。また、特に特許請求の範囲において限定のない実施
条件については、ヒ記実施例の条件に限るものではない
。
アルミニウムのグラファイトターゲットへの埋込法は、
第２図（ａ）の他に同図（ｂ）、（ｃ）に示すような方
法が有る。これらに共通して重要なことは、埋込部の面
積比と均一性であり、これらの例のものは、皆同様な効
果を得ることができる。ドーパントの充填法としては、
パウダーを詰める方法や、真空脱ガス成形法で仮成形し
て入れる等の方法があるが、成膜時に不純物ガスが含ま
れない方法であれば、どのような方法を用いても良い。
第２図（ａ）の他に同図（ｂ）、（ｃ）に示すような方
法が有る。これらに共通して重要なことは、埋込部の面
積比と均一性であり、これらの例のものは、皆同様な効
果を得ることができる。ドーパントの充填法としては、
パウダーを詰める方法や、真空脱ガス成形法で仮成形し
て入れる等の方法があるが、成膜時に不純物ガスが含ま
れない方法であれば、どのような方法を用いても良い。
Ｈ６発明の効果
以上のように、本発明においては、反応性スパッタ法に
よる炭素薄膜の形成方法において、グラファイトターゲ
ットを１面積比で０．１〜１０％のアルミニウムを埋め
込んで形成する方法を採用したため、以下のような効果
を奏する。
よる炭素薄膜の形成方法において、グラファイトターゲ
ットを１面積比で０．１〜１０％のアルミニウムを埋め
込んで形成する方法を採用したため、以下のような効果
を奏する。
（１）（ＣＨ，）、Ａ １などの特殊ガスを併用するな
ど多種類のガスを用いることなく、従って、安全かつ節
暇にＡ１がドーピングされた半導体化炭素薄膜を形成す
ることができる。
ど多種類のガスを用いることなく、従って、安全かつ節
暇にＡ１がドーピングされた半導体化炭素薄膜を形成す
ることができる。
（２）複合グラファイトターゲット中におけるアルミニ
ウムの面積比を変化させろことにより、炭素？−タ膜中
のドーパント濃度を容易にコントロールすることができ
る。
ウムの面積比を変化させろことにより、炭素？−タ膜中
のドーパント濃度を容易にコントロールすることができ
る。
（３）ガスドーピング法におけるようにガスが流れてし
まう無駄がないので、微量でドーピング効果がある。
まう無駄がないので、微量でドーピング効果がある。
（４）ドーパントとしてのアルミニウムは粉末や粒状の
ものを使用できるので、取扱いが容易である。
ものを使用できるので、取扱いが容易である。
（５）スパッタガスをＨ７とＨｒ＝の混合ガスとした場
合には特性向１−に寄怪しない余ｆ１１水素の少ない良
性の膜を９１ろことができろ。
合には特性向１−に寄怪しない余ｆ１１水素の少ない良
性の膜を９１ろことができろ。
（６）ヒ記混合ガスにより、成膜速度が向１−するため
、Ｈ２ガスだけによる場合よりも短時間で一定の膜厚が
得られる。
、Ｈ２ガスだけによる場合よりも短時間で一定の膜厚が
得られる。
（７）■的により、基板は度を２５０℃まで１−げて成
１１々することが可能である。
１１々することが可能である。
第１図乃至第５図は本発明の実施例を示すもので、第１
間はスパッタ袋Ｔ４の概略的断面関、第２図（ａ）、（
ｂ） 、（ｃ）は複合グラフフイトタ−ゲットのｉｌＺ
面図及びＡ−へ所面図、第３図はＳＩＭＳによる濃度プ
ロフィルを示す図表、第４図は’Ｊ４．ｆ合グラファイ
トターゲットのアルミニウムの面１ｄ比による抵抗率ρ
の変化を示す図表、第５図は抵抗率ρの混合ガス依存性
を示す図表、第６１４は、」一部にセットした基板上に
形成された炭素薄膜の赤外吸収スペクイトルを示す図表
、第７図はｐＨ，＋Ｈｅを１ 、 ：３ Ｐ ａ−２６
７Ｐ ａまで変化させたときの成膜速度（いＲ）を示す
図表、第８図はＰｌシ＋１ｌｅ＝ ４０ Ｐ ａとして
ＩＩ ｅ／ ＩＩ、＋Ｈｅ＝ ３〜９９％に・々化させ
た場合のＥ Ｆ！ ＋＋、と成１：９速度（Ｄｌり）を
示す図表、また第９図は基板温度を室温から２５０℃ま
で変えたときの成膜速度を示す図表である。 １・・・真空室、４・・・複合グラファイトターゲット
、５・・・対向電極、６・・・高周波電源、１０・・・
基板、１１・・・アルミニウム。 第１図 ズパ、ダ災厘 １−−一負交霞 ４−−１１合グラファイトターディト ５−−一差介司喧を窺 ６−−−治１ｆｌズお３雁 １０−−−５３反 １１−一一望ｌヒアルミ≦ウム 第３図 ＳＩＭＳＩＣよる＝ｆｉ度プロ７アイルスノちりｖｒ間
（ｍｉｎ、） 第４図 面ａＥによＭ９．Ｅｇｏ ａｔｌｂ 面 瑣比 （’１．） 第７図 へ′系り里度（Ｄ、Ｒ，）めガ′ズ圧〕Ｋ埃ト性ＰＨｚ
＋Ｈｅ（Ｔｏｒｒ） ＣＨｅ／Ｈｚ令Ｈｅ ＝５０’ん） 吸収＃数（ｃｍ’） ○ ９（Ω・ｃｍ） 第８図 ｆｖ−１Ｍ 宸Ｅｇｏ ／ｌ ｎ’スＬ 藏洛ＫＨｅ／
）−１ｚ今Ｈｅ （’／６）第９
図 へ膜達宸の４板温度イ丞篠性 纂鈑眉度 （０Ｃ）
間はスパッタ袋Ｔ４の概略的断面関、第２図（ａ）、（
ｂ） 、（ｃ）は複合グラフフイトタ−ゲットのｉｌＺ
面図及びＡ−へ所面図、第３図はＳＩＭＳによる濃度プ
ロフィルを示す図表、第４図は’Ｊ４．ｆ合グラファイ
トターゲットのアルミニウムの面１ｄ比による抵抗率ρ
の変化を示す図表、第５図は抵抗率ρの混合ガス依存性
を示す図表、第６１４は、」一部にセットした基板上に
形成された炭素薄膜の赤外吸収スペクイトルを示す図表
、第７図はｐＨ，＋Ｈｅを１ 、 ：３ Ｐ ａ−２６
７Ｐ ａまで変化させたときの成膜速度（いＲ）を示す
図表、第８図はＰｌシ＋１ｌｅ＝ ４０ Ｐ ａとして
ＩＩ ｅ／ ＩＩ、＋Ｈｅ＝ ３〜９９％に・々化させ
た場合のＥ Ｆ！ ＋＋、と成１：９速度（Ｄｌり）を
示す図表、また第９図は基板温度を室温から２５０℃ま
で変えたときの成膜速度を示す図表である。 １・・・真空室、４・・・複合グラファイトターゲット
、５・・・対向電極、６・・・高周波電源、１０・・・
基板、１１・・・アルミニウム。 第１図 ズパ、ダ災厘 １−−一負交霞 ４−−１１合グラファイトターディト ５−−一差介司喧を窺 ６−−−治１ｆｌズお３雁 １０−−−５３反 １１−一一望ｌヒアルミ≦ウム 第３図 ＳＩＭＳＩＣよる＝ｆｉ度プロ７アイルスノちりｖｒ間
（ｍｉｎ、） 第４図 面ａＥによＭ９．Ｅｇｏ ａｔｌｂ 面 瑣比 （’１．） 第７図 へ′系り里度（Ｄ、Ｒ，）めガ′ズ圧〕Ｋ埃ト性ＰＨｚ
＋Ｈｅ（Ｔｏｒｒ） ＣＨｅ／Ｈｚ令Ｈｅ ＝５０’ん） 吸収＃数（ｃｍ’） ○ ９（Ω・ｃｍ） 第８図 ｆｖ−１Ｍ 宸Ｅｇｏ ／ｌ ｎ’スＬ 藏洛ＫＨｅ／
）−１ｚ今Ｈｅ （’／６）第９
図 へ膜達宸の４板温度イ丞篠性 纂鈑眉度 （０Ｃ）
Claims (5)
- （１）低圧水素ガスを含む雰囲気の真空室内においてグ
ラファイトターゲットを用いて基板上に炭素薄膜を形成
するスパッタ法において、前記グラファイトターゲット
が面積比で０．１〜１０％のアルミニウムを埋め込んで
形成されていることを特徴とする半導体化炭素薄膜の形
成方法。 - （２）前記真空室内気圧を１．３３〜６６５Ｐａとする
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の半
導体化炭素薄膜の形成方法。 - （３）前記真空室内雰囲気を水素ガスとヘリウムガスの
混合ガスとし、かつその比率をＨｅ／Ｈ＿２＋Ｈｅ＝３
〜９５％としたことを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項に記載の半導体化炭素薄膜の形成方法。 - （４）前記基板の温度を室温から２５０℃までの範囲と
することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載
の半導体化炭素薄膜の形成方法。 - （５）前記真空室内雰囲気をフッ素ガスと、酸素ガスと
、水素ガスの混合ガス雰囲気としたことを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項に記載の半導体化炭素薄膜の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62158272A JP2522309B2 (ja) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | 半導体化炭素薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62158272A JP2522309B2 (ja) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | 半導体化炭素薄膜の形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS642315A JPS642315A (en) | 1989-01-06 |
| JPH012315A true JPH012315A (ja) | 1989-01-06 |
| JP2522309B2 JP2522309B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=15667981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62158272A Expired - Lifetime JP2522309B2 (ja) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | 半導体化炭素薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2522309B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5134382B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-01-30 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリング複合ターゲット |
| JP5580972B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2014-08-27 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリング複合ターゲット |
| CN106801218A (zh) * | 2017-02-15 | 2017-06-06 | 苏州思创源博电子科技有限公司 | 一种碳银碳半导体薄膜材料的制备方法 |
-
1987
- 1987-06-25 JP JP62158272A patent/JP2522309B2/ja not_active Expired - Lifetime
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