JPH012316A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はプラズマＣＶＤ装置に関する。

（従来の技術） 半導体装置の製造工程における薄膜形成では一般にプラ
ズマＣＶＤ法が適用されている。プラズマＣＶＤ法には
高周波放電によるプラズマ反応を応用したものと、マイ
クロ波放電によるプラズマ反応を応用したものがあるが
、安定性の面から前者が適用されている。第１図は上記
前者の製造装置の一例で、気密容器（１）を有し、その
両側部（２ａ）　、（２ｂ）はトンネル（３）と気密に
連結されている。上記両側部（２ａ）　、（２ｂ）は開
閉自在になり、開の時には気密容器（１）がトンネル（
３）の一部を構成する。したがって、これら両者の底部
には案内レール（図示せず）が敷設されている。また、
気密容器（１）の内部には電極部（４）がガス供給管（
５ａ）、（５ｂ）によって吊下されている。この電極部
（４）は第２図に示すように仕切部（６）によって相隣
接する二の空間部（７ａ）　、　（７ｂ）を形成する本
体（８）と、これら空間部を閉塞し複数の流路（９）を
穿設した中間拡散板（ｌｏａ）　、　（１０ｂ）　（図
示せず）と、これら中間拡散板に絶縁体（１１ａ）　、
（１ｌｂ）　（図示せず）を介して取付けられ上記流路
（９）より密に穿設された流路（１２）を有しかつ電極
となる拡散板（１３ａ）　、　（１３ｂ）　（図示せず
）とで構成されている。上記図示せぬ案内レールにはカ
ート（１４）が載架されている。このカート（１４）に
は拡散板（１３ａ）　、　（１３ｂ）に所定の間隔をお
いて対峙するようにホルダー（１５ａ）　、　（１５ｂ
）が相対向して立設されている。これらホルダーには矩
形状に切欠された取付部（ｌｅａ）　、　（１６ｂ）が
形成され、裏板（１７）を介して基板（１８）が取付具
（■９）によって保持されている。一方、ガス供給管（
５ａ）　、（５ｂ）はそれぞれ空間部（７ａ）　、（７
ｂ）に嵌入されているとともに、開閉弁（２０）に共通
に接続されている。この開閉弁には他の配管系をとうし
て３個の流量調節器（２１）、（２２）、（２３）が並
列に接続され、これらにはそれぞれ３種の反応ガス供給
器（２４）　、　（２５）　、　（２Ｂ）が接続されて
いる。なお、拡散板（１３ａ）　、　（１３ｂ）は高周
波電源（図示せず）に接続され、また気密容器（１）に
は別の配管系をとうして高性能な真空ポンプ（３０）が
接続されている。

以上の構成で、基板（１８）を保持したカート（１４）
が気密容器（１）内に入り、両側部（２ａ）　、（２ｂ
）が閉じられた後気密容器（１）は真空ポンプ（３０）
によってｌｏ−４乃至１０　Ｔｏｒｒ程度に減圧される
。次に開閉弁（２０）が開かれ所定の混合比にされた３
種の補助ガスを気密容器（１）内を０．４Ｔｏｒｒ程度
になるまで供給した後、拡散板（１３ａ）　、　（１３
ｂ）に高周波電流を所定時間印加して基板（１８）に薄
膜形成する。上記印加中はガス供給管（５ａ）　、　（
５ｂ）から所定量反応ガスを供給するとともに、真空ポ
ンプを作動して上記供給されたガス量を排気する。

（発明が解決しようとする問題点） 基板に薄膜が形成されるとともに、基板以外にも膜が形
成される。この膜のうち、流路（９）、（１２）に形成
された膜が次の様な障害を引起こしていた。すなわち、
拡散板等は定位置に固定されているため、生産が進むに
つれて膜は徐々に堆積し剥がれやすい状態となっている
。したがって、上記のように高真空時に導入された反応
ガスは急速度で流路（９）　、　（１２）を通過するの
で、上記堆積状態にある膜がその勢いで脱落し、対峙し
ている基板（１８）にごみとして付着する。この付着し
た基板はいうまでもなく不良品として排除されていた。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、流路に形
成された膜が脱落しないように反応ガスを供給する装置
を提供することを目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 反応ガスを導入する空間部を有しこの導入された反応ガ
スを上記空間部外へ拡散する拡散孔を形成した電極部と
成膜処理を施す基板を上記拡散孔に対峙させて取着する
ホルダーと上記空間部に反応ガスを開閉バルブを介して
供給するガス供給装置と上記電極部とホルダーとを収容
する気密容器とこの気密容器内を減圧する減圧装置と上
記電極部に放電を生じさせる電源部とを備えたプラズマ
ＣＶＤ装置において、上記開閉バルブとガス供給装置間
の配管から分岐し調圧用バルブを介して上記気密容器内
に反応ガスを供給する手段と、上記開閉バルブと調圧用
バルブのどちらか一方を開閉する制御部とを儲けた構成
にしたものである。

（作用） 高真空時におけるガスの供給が基板表面と関係のない部
所に供給され、供給後の調圧された状態で定量的にガス
を流路から供給するようにしたので、流路におけるガス
の勢いは弱まり膜を脱落させることがなくなった。

（実施例） 以下、実施例を示す図面に基づいて本発明を説明する。

なお、第２図と共通する部分には同一符号を付して説明
は省略する。すなわち、第１図に示すように、従来の装
置である第２図と異なる点は、ホルダー（１５ａ）　、
　（１５ｂ）の裏面側に一対の調圧用の供給ノズル（３
５ａ）　、　（３５ｂ）を反応ガスが裏板（１７）の近
傍に吹き出すように設けたことにある。

これら供給ノズルは開閉弁（２０）と流量調節器（２１
）、　（２２）　、　（２３）との間の配管系から分岐
した分岐管（３Ｂ）に共通に接続されている。分岐管（
３６）の中途部には電磁弁（３７）が接続されている。

この電磁弁（３７）は気密容器（１）内に設けられ、設
定された所定圧を電気信号に変換された信号を入力して
制御信号を出力する制御部（３９）によって開閉動作さ
れるようになっている。一方、開閉弁（２０）は電磁弁
（３７）が閉のときにおける成膜形成時のみ開動作され
るようになりでいる。

次に、上記構成による薄膜形成について説明する。真空
ポンプ（３０）によって１０　　乃至１０”−５ＴＯＲ
Ｒ程度に減圧するまでの過程は上記従来例と同様である
が、この圧力に減圧後、制御部（３９）からの信号で電
磁弁（３７）が開き反応ガスが供給ノズル（３５ａ）　
。

（３５ｂ）からのみ気密容器（１）内に供給される。こ
こで、圧力検出器（３８）は予め１ｏ−１Ｔｏｒｒで信
号を発するように設定しておけば、この圧力に達した時
点で電磁弁（３７）が閉じ、供給弁（２０）が開くとと
もに、真空ポンプ（３０）が作動して所定量反応ガスが
流路（９）、（１２）から供給されその供給量分排気さ
れる。上記供給および排気が所定時間続けられ基板（１
８）に対し成膜が形成される。

なお、上記実施例では供給ノズル（３５ａ）　、　（３
５ｂ）の吹出口が裏板（１７）の近くに成るように設け
られたが、これに限定されることなく他の部所に設置し
てもよい。

［発明の効果］ 高真空時から低真空時に至る調圧の間、反応ガスを拡散
板すなわち、膜が形成された流路を通して基板に直接噴
射せずに基板の膜形成に関係の無い部所に反応ガスを供
給するようにしたので、流路における膜の脱落現象はな
くなり、したがって脱落した膜がごみとして付着したま
ま、薄膜が形成された従来の問題は解消され、清浄状態
でがつ均一に成膜がなされた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す構成図、第２図は従来例
を示す構成図、第３図は電極部の断面図である。 （１）　・・・気密容器 （４）　・・・電極部 （５ａ）　、　（５ｂ）・・・ガス供給管（９）、（１
２）・・・流路 （１５ａ）、（１５ｂ）・・φホルダー（２０）・・・
開閉弁 （３５ａ）　、　（３５ｂ）供給ノズル（３７）・・・
電磁弁

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　反応ガスを導入する空間部を有しこの導入された反応
   ガスを上記空間部外へ拡散する拡散孔を形成した電極部
   と成膜処理を施す基板を上記拡散孔に対峙させて取着す
   るホルダーと上記空間部に反応ガスを開閉バルブを介し
   て供給するガス供給装置と上記電極部とホルダーとを収
   容する気密容器とこの気密容器内を減圧する減圧装置と
   上記電極部に放電を生じさせる電源部とを備えたプラズ
   マＣＶＤ装置において、上記開閉バルブとガス供給装置
   間の配管から分岐し調圧用バルブを介して上記気密容器
   内に反応ガスを供給する手段と、上記開閉バルブと調圧
   用バルブのどちらか一方を開閉する制御部とを設けたこ
   とを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。