JPH012331A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にマイクロ
コンピュータや、ゲートアレイ等の多電極、狭ビッヂの
Ｉ、Ｓｌチップの実装に関するものである。

従来の技術 従来の技術を第３図とともに説明する。

まず第３図ａに示す様に、セラミック、ガラス等よりな
る配線基板１４の導体配線１５を有する面に、接続樹脂
１３を塗布する。導体配線１５は、Ｃｒ−Ａｕ、Ａｅ　
、ＩＴＯ等であり、接続樹脂１３は熱硬化あるいは紫外
線硬化のエポキシ。

アクリル等である。接続樹脂１３の塗布方法はディスペ
ンス、印刷、スタンプ法等を用いるが、塗布量が非常に
微量である為、制御が困難であり、バラツキが大きい。

次に、第３図すに示す様に、Ａｅ、Ａｕ等よりなる電極
１２有したＬＳＩチップ１１′を、電極１２と導体配線
１５が一致する様に配線基板１４の接続樹脂１３が塗布
された領域に設置し加圧ツール１６にてＬＳＩチップ１
１′を加圧する。この時、接続樹脂１３は周囲に押し出
され、ＬＳＩチップ１１′の電極１２と導体配線１５は
電気的に接触する。この時、接続樹脂１３の塗布量の制
御が悪く、多くなった場合は、第３図すに示す様に、Ｌ
ＳＩチップ１１′の周囲にはみ出した接続樹脂１３は、
加圧ツール１６にまで達し、後の加圧ツール１６の解除
時に、不良をきたし歩留りが低下する。次に加圧ツール
１６をＬＳＩチップ１１′を加圧した状態で、接続樹脂
１３を硬化し、第３図Ｃに示す様に、加圧ツール１６を
解除する。この時、ＬＳＩチップ１１°は配線基板１４
に接続樹脂１３により固着されるとともに、ＬＳＩチッ
プ１１゛の電極１２と導体配線１５は接触により電気的
に接続される。

接続樹脂１３の硬化は、配線基板１４がガラス等の透明
基板の場合は、紫外線硬化し、熱硬化の接続樹脂１３を
用いた場合は、加圧ツール１６に加熱機構を設け、加熱
硬化する。

発明が解決しようとする問題点 前述した従来の技術では、接続樹脂の形成方法として液
状樹脂を配線基板に塗布する方法を用いている為、次に
示す問題点がある。

１）　樹脂の塗布量が非常に微量である為、制御が困難
となり、その結果、塗布量が多い場合は、ＬＳＩチップ
の周辺に多量にはみ出し、加圧ツールに付着し歩留りの
低下をきたす。

２）　　ＬＳＩチップの周辺の樹脂量が多い場合は、Ｌ
ＳＩチップ周辺での接続樹脂の熱応力が大となり、耐熱
衝撃性が劣化し信頼性が低い。

３）　塗布量が少ない場合は、ＬＳＩチップ全面に接続
樹脂が形成されず、接続不良が生じる。

４）　同一基板に複数のＬＳＩチップを搭載する場合に
、ＬＳＩチップ周辺の樹脂のはみ出しが多いと隣接する
チップとの間隔を大きくする必要がある為、実装密度が
低下する。

５）　塗布量を比較的精度よくする方法として、印刷法
があるが、樹脂の粘度に制約がある為、適用範囲が狭い
。

問題点を解決するための手段 本発明は前記問題点を解決するために、接続樹脂の形成
を、半導体ウェハーにスピンコードにより行い、その後
、ＬＳＩチップに分割し、ＬＳＩチップ上の接続樹脂で
配線基板に固着、接続するものである。

作　　　用 接続樹脂の形成を、半導体ウエノぐ−にスピンコードす
る方法を用いている為、接続樹脂の量が非常に精度よ（
コントロールでき、歩留り及び信頼性が向上する。

実施例 本発明の一実施例を、第１図、第２図と共に説明する。

まず第１図ａ、ｂに示す様に、半導体ウェハー１の電極
２を有する面に、接続樹脂３をスピンナー等を用いてコ
ートする。電極２はＡｕ、Ａｅ等よりなり厚みは０．５
〜１０μ程度である。接続樹脂３は、熱硬化、紫外線硬
化あるいは熱可そ性の樹脂であり、熱硬化、紫外線硬化
の場合はエポキシ、アクリル等であり、熱可そ性の場合
はポリウレタンやＦＥＰを用いる。コートの次は、熱硬
化の場合はＢステージ、紫外線硬化の場合は溶剤のみ蒸
発させブリベータの状態とする。熱可そ性の場合は、デ
ィスバージョン液を用い加熱処理する。接続樹脂３の厚
みは、１〜１５μ程度である。電極２がＡｅの場合は、
次の配線基板との接続においてＡｔ酸化膜による接触抵
抗の増大を防ぐ為に、ドライエッチ等によりＡｔ酸化膜
を除去した直後に、真性なＡｅ表面をもった電極２上に
接続樹脂３を塗布する。電極２のＡｅ表面は、接続樹脂
３によって酸化膜の生成を防ぐことができる。次に、第
１図Ｃに示す様に、半導体ウェハー１を、ダイシングや
スクライブ等により切断分割し、接続樹脂３を有したＬ
ＳＩデツプ１′を得る。次に、第２図ａに示す様に、Ｃ
ｒ　　Ａ　ｕ　＋　　ＩＴｏ、Ｃｕ等よりなる導体配線
５を有した配線基板４の導体配線５と電極２を一致させ
、ＬＳＩチップ１′を配線基板４に設置する。配線基板
４はセラミック、ガラス、ポリイミド等よりなりその厚
みは、０．１〜２．０ｍ程度である。

次に第２図すの様に加圧ツール６にて、ＬＳＩチップ１
′を加圧する。この時、接続樹脂３が熱硬化あるいは熱
可そ性の場合は、加圧ツール６に加熱機構を設け、ＬＳ
Ｉチップ１′を加熱し、接続樹脂を一旦溶融させる。ま
た、紫外線硬化の場合は、常温で加圧する。この時、Ｌ
ＳＩチップ１′の電極２上の接続樹脂３は、周囲に押し
出され、電極２と導体配線５は電気的に接触する。この
時、接続樹脂３の量は精度よ（コントロールされている
為、従来の様に、加圧ツールへの付着や、不足による接
続不良は発生しない。

次に、ＬＳＩチップ１′を加圧ツール６で加圧した状態
で接続樹脂を硬化し、その後、第２図Ｃに示す様に、加
圧ツール６を解除し、ＬＳＩチップ１′を配線基板４に
固着するとともに、ＬＳＩチップ１′の電極２と導体配
線５を電気的に接続する。接続樹脂３の硬化は、加熱硬
化及び熱可そ性の場合は、加熱による硬化し、紫外線硬
化の場合は、配線基板４に透明性のものを用い、紫外線
照射する。いずれも１〜５秒程度で硬化は終了する。

発明の効果 以上のように本発明では、接続樹脂の形成を、分割前の
半導体ウェハー上に行うため、次に示す効果がある。

１）　　ＬＳＩチップの実装時に接続樹脂を配線基板に
塗布する工程がないため、実装コストが安い。

２）　　［な接続樹脂を精度ヨクコントロールできるた
め、従来の様に、加圧ツールへの付着や樹脂不足による
接続不良の発生がな（歩留りが高い。

３）　　ＬＳＩチップ周辺へのはみ出しを非常に少なく
できるため、耐熱衝撃性が向上し信頼性が高い。

４）　マルチチップの場合、隣接するチップとの間隔を
非常に狭くできるため、実装密度が高い。

５）　　ＬＳＩチップの電極がＡｅの場合は、接続樹脂
によって負性なＡｅ表面が保たれているため、非常に低
い接触抵抗となり、電極の表面処理を必要としない通常
のＬＳＩチップを用いることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例方法における半導体ウェハー
に接続樹脂を塗布する工程を説明するための工程断面図
、第２図は同チップ実装の工程断面図、第３図は従来の
実装技術の工程断面図である。 ｌ・・・・・・半導体ウェハー、１′・・・・・・ＬＳ
Ｉチップ、２・・・・・・電極、３・・・・・・接続樹
脂、４・・・・・・配線基板、５・・・・・・導体配線
、６・・・・・・加圧ツール。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ほか１名第３図 Ｉ３・・・１！Ｉｃぜ厨陥

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体素子が形成されたウェハーの電極を有する面に
   絶縁性樹脂を塗布する工程と、前記ウェハーを半導体素
   子単位に分割する工程と、導体配線を有する絶縁基板の
   前記導体配線と前記半導体素子の電極を一致させ、前記
   半導体素子を前記絶縁基板に押し当て、前記導体配線と
   前記半導体素子の電極を接触させる工程と、前記絶縁性
   樹脂を硬化させ前記半導体素子を前記絶縁基板に固着す
   るとともに、前記導体配線と前記半導体素子の電極を電
   気的に接続する工程を備えてなる半導体装置の製造方法
   。