JPH01233741A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01233741A JPH01233741A JP63059476A JP5947688A JPH01233741A JP H01233741 A JPH01233741 A JP H01233741A JP 63059476 A JP63059476 A JP 63059476A JP 5947688 A JP5947688 A JP 5947688A JP H01233741 A JPH01233741 A JP H01233741A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- metal pad
- layer
- elastic
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
外部引き出し用平板状リードと圧着されるバンプを有す
る半導体装置およびその製造方法の改良に関し、 半導体装置チップのバンプ上に平板状リードを圧着する
際に、バンプのバリア層と金属パッドの縁部上に形成さ
れている絶縁膜とにクランクが発生しないように改良し
た半導体装置およびその製造方法を提供することを目的
とし、 素子の形成された半導体基板上に形成された絶縁膜に形
成された開口に形成された外部引き出し電極用金属パッ
ド上の中央領域には、弾性絶縁物層が形成され、該弾性
絶縁物層と前記外部引き出し電極用金属パッドの縁部と
を覆ってバンプが形成され、該バンプ上に外部引き出し
用平板状リードが圧着されるように構成する。
る半導体装置およびその製造方法の改良に関し、 半導体装置チップのバンプ上に平板状リードを圧着する
際に、バンプのバリア層と金属パッドの縁部上に形成さ
れている絶縁膜とにクランクが発生しないように改良し
た半導体装置およびその製造方法を提供することを目的
とし、 素子の形成された半導体基板上に形成された絶縁膜に形
成された開口に形成された外部引き出し電極用金属パッ
ド上の中央領域には、弾性絶縁物層が形成され、該弾性
絶縁物層と前記外部引き出し電極用金属パッドの縁部と
を覆ってバンプが形成され、該バンプ上に外部引き出し
用平板状リードが圧着されるように構成する。
本発明は、外部引き出し用平板状リードと圧着されるバ
ンプを有する半導体装置およびその製造方法の改良に関
する。
ンプを有する半導体装置およびその製造方法の改良に関
する。
半導体装置チップをパッケージングする前に、半導体装
置チップの外部引き出し電極とパッケージの配線とを接
続する必要がある。
置チップの外部引き出し電極とパッケージの配線とを接
続する必要がある。
この手法として大別して二つある。
一つは、半導体装置チップに設けられたポンディングパ
ッドと外部引き出しリードとをボンディングワイヤをも
ってボンディングする手法であり、 一つは、半導体装置チップに設けられたバンプと外部引
き出し用平板状リードとを圧着する手法である。
ッドと外部引き出しリードとをボンディングワイヤをも
ってボンディングする手法であり、 一つは、半導体装置チップに設けられたバンプと外部引
き出し用平板状リードとを圧着する手法である。
本発明は後者の改良に関するものである。
第２図参照
半導体基板ｌの、ドープド配線８上にアルミニウムの金
属パッド４を形成し、全面に絶縁膜２を形成した後、金
属パッド４上から除去して開口３を形成する。
属パッド４を形成し、全面に絶縁膜２を形成した後、金
属パッド４上から除去して開口３を形成する。
第７図参照
全面に３．０００人厚０チタン層９と３，０００人厚０
チラジウム層１０とを形成し、その上にレジスト膜１１
を形成し、バターニングして金属バッド４上からレジス
ト膜を除去する。
チラジウム層１０とを形成し、その上にレジスト膜１１
を形成し、バターニングして金属バッド４上からレジス
ト膜を除去する。
第８図参照
金属バッド４上に開口を有するレジスト膜１１をマスク
として金メツキをなし、レジスト膜１１の開口に露出す
るパラジウム層１０上に金層６２を形成する。
として金メツキをなし、レジスト膜１１の開口に露出す
るパラジウム層１０上に金層６２を形成する。
第９図参照
レジスト膜１１を除去し、金層６２に覆われていない領
域のチタン層９とパラジウム層ｌＯとをエツチング除去
し、金属バッド４上にチタン層とパラジウム層とからな
るバリア層６１と金層６２とからなるバンプ６を形成す
る。バリア層６１の中央部に凹部が形成されているので
、バリア層６１上にメツキ法を使用して形成される金層
６２の中央部にも凹部が形成される。
域のチタン層９とパラジウム層ｌＯとをエツチング除去
し、金属バッド４上にチタン層とパラジウム層とからな
るバリア層６１と金層６２とからなるバンプ６を形成す
る。バリア層６１の中央部に凹部が形成されているので
、バリア層６１上にメツキ法を使用して形成される金層
６２の中央部にも凹部が形成される。
第１０図参照
前記の構造を有する半導体装置チップのバンプ６上に平
板状リード７を圧着すると、バンプ６の上面中央部には
凹部が形成されているため、圧着力はバンプ６の縁部に
加わり、バリア層６１の中央部（図にＡをもって示す）
と絶縁膜２の縁部（図にＢをもって示す）とにクラック
が発生することがある。
板状リード７を圧着すると、バンプ６の上面中央部には
凹部が形成されているため、圧着力はバンプ６の縁部に
加わり、バリア層６１の中央部（図にＡをもって示す）
と絶縁膜２の縁部（図にＢをもって示す）とにクラック
が発生することがある。
バリアＮ６１にクランクが発生すると、タラツクを通し
て金層６２の金と半導体基板ｌのドープド配線８上に形
成された金属パッド４のアルミニウムとが共晶反応して
アルミニウムが金に吸い上げられる。また、絶縁膜２に
クラックが発生すると、そこから湿分や不純物が半導体
装置中に侵入して半導体装置が劣化する。
て金層６２の金と半導体基板ｌのドープド配線８上に形
成された金属パッド４のアルミニウムとが共晶反応して
アルミニウムが金に吸い上げられる。また、絶縁膜２に
クラックが発生すると、そこから湿分や不純物が半導体
装置中に侵入して半導体装置が劣化する。
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
半導体装置チップのバンプ上に平板状リードを圧着する
際に、バンプのバリア層と金属パッドの縁部上に形成さ
れている絶縁膜とにクラックが発生しないように改良し
た半導体装置およびその製造方法を提供することにある
。
半導体装置チップのバンプ上に平板状リードを圧着する
際に、バンプのバリア層と金属パッドの縁部上に形成さ
れている絶縁膜とにクラックが発生しないように改良し
た半導体装置およびその製造方法を提供することにある
。
上記の目的は、素子の形成された半導体基板（１）上に
形成された外部引き出し電極用金属パッド（４）上に形
成された絶縁膜（２）に形成された開口（３）の該外部
引き出し電極用金属パッド上の中央領域には、弾性絶縁
物層（５）が形成され、該弾性絶縁物層（５）と前記外
部引き出し電極用金属パッド（４）の縁部とを覆ってバ
ンプ（６）が形成され、該バンプ（６）上に外部引き出
し用リード（７）が圧着されることによって達成される
。
形成された外部引き出し電極用金属パッド（４）上に形
成された絶縁膜（２）に形成された開口（３）の該外部
引き出し電極用金属パッド上の中央領域には、弾性絶縁
物層（５）が形成され、該弾性絶縁物層（５）と前記外
部引き出し電極用金属パッド（４）の縁部とを覆ってバ
ンプ（６）が形成され、該バンプ（６）上に外部引き出
し用リード（７）が圧着されることによって達成される
。
また、その製造方法は、素子の形成された半導体基板（
１）上に形成された絶縁１１！（２）に形成された開口
（３）に形成された外部引き出し電極用金属パッド（４
）を有する前記半導体基板（１）上に絶縁膜（２）より
厚く弾性絶縁物層を形成し、該弾性絶縁物層を前記金属
パッド（４）の中央領域のみに残留し、その他の領域か
ら除去して弾性絶縁物層（５）を形成し、該弾性絶縁物
層（５）と前記外部引き出し電極用金属パッド（４）と
前記絶縁膜（２）の縁部とを覆ってメツキ法を使用して
バンプ（６）を形成し、該バンプ（６）上に外部引き出
し用平板状リード（７）を圧着することによって達成さ
れる。
１）上に形成された絶縁１１！（２）に形成された開口
（３）に形成された外部引き出し電極用金属パッド（４
）を有する前記半導体基板（１）上に絶縁膜（２）より
厚く弾性絶縁物層を形成し、該弾性絶縁物層を前記金属
パッド（４）の中央領域のみに残留し、その他の領域か
ら除去して弾性絶縁物層（５）を形成し、該弾性絶縁物
層（５）と前記外部引き出し電極用金属パッド（４）と
前記絶縁膜（２）の縁部とを覆ってメツキ法を使用して
バンプ（６）を形成し、該バンプ（６）上に外部引き出
し用平板状リード（７）を圧着することによって達成さ
れる。
なお、弾性絶縁物にはポリイミドを使用することが好適
である。
である。
〔作用］
半導体装置チップの金属パッド４上の中央部に形成され
るボリイミ、ド等からなる弾性絶縁物層５が、金属パッ
ド４の縁部に形成された絶縁膜２より厚く形成されるた
め、弾性絶縁物層５と金属パッド４と絶縁１１２との上
に、メツキ法を使用して形成されるバンプ６の上面中央
部には凸部が形成される。この結果、バンプ６上に平板
状リード７を圧着する時の圧着力はバンプ６の中央凸部
に加わり、この圧着力はバンプ６の中央部の下に形成さ
れている弾性絶縁物層５の弾性変形によって吸収される
ので、絶縁膜２の縁部に過大な圧縮応力が加わらず、絶
縁膜２の縁部にクラックが発生しない、なお、弾性絶縁
物層５の上に形成されているバリアｌ１６１に、仮にク
ラックが発生しても、バンプ６と金属パッド４との間に
弾性絶縁物層５が介在するので、バンプを形成する金と
パッドを形成するアルミニウムとが共晶反応することが
ない。
るボリイミ、ド等からなる弾性絶縁物層５が、金属パッ
ド４の縁部に形成された絶縁膜２より厚く形成されるた
め、弾性絶縁物層５と金属パッド４と絶縁１１２との上
に、メツキ法を使用して形成されるバンプ６の上面中央
部には凸部が形成される。この結果、バンプ６上に平板
状リード７を圧着する時の圧着力はバンプ６の中央凸部
に加わり、この圧着力はバンプ６の中央部の下に形成さ
れている弾性絶縁物層５の弾性変形によって吸収される
ので、絶縁膜２の縁部に過大な圧縮応力が加わらず、絶
縁膜２の縁部にクラックが発生しない、なお、弾性絶縁
物層５の上に形成されているバリアｌ１６１に、仮にク
ラックが発生しても、バンプ６と金属パッド４との間に
弾性絶縁物層５が介在するので、バンプを形成する金と
パッドを形成するアルミニウムとが共晶反応することが
ない。
以下、図面を参照しつ−、本発明の一実施例に係る半導
体装置およびその製造方法について説明する。
体装置およびその製造方法について説明する。
第２図再参照
素子の形成された半導体基板１のドープド配線８上に、
周知の方法を使用して外部引き出し電極用の厚さ約ｌｎ
のアルミニウムよりなる金属パッド４を形成する。
周知の方法を使用して外部引き出し電極用の厚さ約ｌｎ
のアルミニウムよりなる金属パッド４を形成する。
全面にリン珪酸ガラス（ＰＳＧ）等の絶縁膜２を約ｌｎ
厚に形成し、フォトリソグラフィー法を使用して、金属
パッド４上の領域から除去して開口３を形成する。
厚に形成し、フォトリソグラフィー法を使用して、金属
パッド４上の領域から除去して開口３を形成する。
第３図参照
全面にポリイミド等の弾性絶縁物層を約１．３ｎ厚に形
成し、フォトリソグラフィー法を使用して、弾性絶縁物
層を金属パッド４の中央領域のみに残留し、その他の領
域から除去して弾性絶縁物Ｎ５を形成する０弾性絶縁物
層５上に形成されている露光済みレジスト膜（図示せず
）を、サク酸ブチル、アセトン等を使用して、下地のポ
リイミド等の弾性絶縁物層５を溶解することなく除去す
る。
成し、フォトリソグラフィー法を使用して、弾性絶縁物
層を金属パッド４の中央領域のみに残留し、その他の領
域から除去して弾性絶縁物Ｎ５を形成する０弾性絶縁物
層５上に形成されている露光済みレジスト膜（図示せず
）を、サク酸ブチル、アセトン等を使用して、下地のポ
リイミド等の弾性絶縁物層５を溶解することなく除去す
る。
第４図参照
スパッタリング法等を使用して全面に３．０００人厚０
チタン層９と３，０００人厚０チラジウム層１０を形成
し、さらに全面にレジスト膜１１を形成し、フォトリソ
グラフィー法を使用して、パターニングし、金属パッド
４上からレジスト膜１１を除去して開口１２を形成する
。
チタン層９と３，０００人厚０チラジウム層１０を形成
し、さらに全面にレジスト膜１１を形成し、フォトリソ
グラフィー法を使用して、パターニングし、金属パッド
４上からレジスト膜１１を除去して開口１２を形成する
。
第５図参照
金メツキをなして開口１２内に金層６２を形成する。
弾性絶縁物層５が金属パッド４の縁部上の絶縁膜２より
厚く形成されているので、金層６２の上面中央部に凸部
が形成される。
厚く形成されているので、金層６２の上面中央部に凸部
が形成される。
第６図参照
レジスト膜１１を除去し、王水とフッ酸を使用してエツ
チングをなし、金１１６２に覆われていない領域のチタ
ン層９とパラジウム層１０とを除去し、金Ｗ１６２の下
にチタン層とパラジウム層の二重層からなるバリア層６
１を有するバンプ６を形成する。
チングをなし、金１１６２に覆われていない領域のチタ
ン層９とパラジウム層１０とを除去し、金Ｗ１６２の下
にチタン層とパラジウム層の二重層からなるバリア層６
１を有するバンプ６を形成する。
第１図参照
平板状リード７をバンプ６上の中央凸部に圧着し、本発
明に係る半導体装置を形成する。平板状リード７をバン
プ６の中央凸部に圧着する際の圧着力は、バンプ６の中
央部の下に形成されている弾性絶縁物層５が弾性変形す
ることによって吸収され、絶縁膜２に過大な圧縮応力が
作用せず、したがって、絶縁膜２の縁部にクラックが発
生しない、なお、万一弾性絶縁物層５上のバリアＮ６１
にクラックが発生したとしても、バンプ６の金層６２と
金属パッド４との間に弾性絶縁物層５が形成されている
ので、半導体基板１のドープド配線８上に形成されてい
る金属パッド４のアルミニウムと金層６２の金とが共晶
反応することはない。
明に係る半導体装置を形成する。平板状リード７をバン
プ６の中央凸部に圧着する際の圧着力は、バンプ６の中
央部の下に形成されている弾性絶縁物層５が弾性変形す
ることによって吸収され、絶縁膜２に過大な圧縮応力が
作用せず、したがって、絶縁膜２の縁部にクラックが発
生しない、なお、万一弾性絶縁物層５上のバリアＮ６１
にクラックが発生したとしても、バンプ６の金層６２と
金属パッド４との間に弾性絶縁物層５が形成されている
ので、半導体基板１のドープド配線８上に形成されてい
る金属パッド４のアルミニウムと金層６２の金とが共晶
反応することはない。
〔発明の効果］
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置およびそ
の製造方法においては、半導体装置の外部引き出し電極
用金属パッド上の中央頭載にポリイミド等の弾性絶縁物
層が、外部引き出し電極用金属バッドの縁部を覆ってい
る絶縁膜より厚く形成され、前記金属パッドと弾性絶縁
物層と金属パッドの縁部を覆っている絶縁膜とを覆って
、メツキ法を使用してバンプを形成すると、バンプの上
面中央部に凸部が形成される。バンプ上にリードを圧着
する際の圧着力は、バンプ中央の凸部からバンプの中央
部の下に形成されている弾性絶縁物層に伝達されるが、
この圧縮力は弾性絶縁物層が弾性変形することによって
吸収され、金属パッドの周辺部を覆っている絶縁膜に過
大な圧縮力が作用せず、絶縁膜にクラックが発生しない
。
の製造方法においては、半導体装置の外部引き出し電極
用金属パッド上の中央頭載にポリイミド等の弾性絶縁物
層が、外部引き出し電極用金属バッドの縁部を覆ってい
る絶縁膜より厚く形成され、前記金属パッドと弾性絶縁
物層と金属パッドの縁部を覆っている絶縁膜とを覆って
、メツキ法を使用してバンプを形成すると、バンプの上
面中央部に凸部が形成される。バンプ上にリードを圧着
する際の圧着力は、バンプ中央の凸部からバンプの中央
部の下に形成されている弾性絶縁物層に伝達されるが、
この圧縮力は弾性絶縁物層が弾性変形することによって
吸収され、金属パッドの周辺部を覆っている絶縁膜に過
大な圧縮力が作用せず、絶縁膜にクラックが発生しない
。
弾性絶縁物層の変形にともない、万一弾性絶縁物層上に
形成されているバリア層にクラックが発生しても、弾性
絶縁物層がバンプと金属パッドとの間に介在するため、
バンプの金層の金と金属パッドのアルミニウムとが共晶
反応することはない。
形成されているバリア層にクラックが発生しても、弾性
絶縁物層がバンプと金属パッドとの間に介在するため、
バンプの金層の金と金属パッドのアルミニウムとが共晶
反応することはない。
第１図は、本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方
法をもって製造された半導体装置の断面図である。 第２〜６図は、本発明の一実施例に係る半導体装置の工
程図である。 第７〜９図は、従来技術に係る半導体装置の工程図であ
る。 第１０図は、従来技術に係る半導体装置の断面図である
。 １・・・半導体基板、 ２・・・絶縁膜、 ３・・・開口、 ４・・・金属パッド、 ５・・・弾性絶縁物層、 ６・・・バンプ、 ６１・・・バリア層、 ６２・・・金層、 ７・・・平板状リード、 ８・・・ドープド配線、 ９・・・チタン層、 ｌＯ・・・パラジウム層、 １１・・・レジスト膜、 １２・・・開口。
法をもって製造された半導体装置の断面図である。 第２〜６図は、本発明の一実施例に係る半導体装置の工
程図である。 第７〜９図は、従来技術に係る半導体装置の工程図であ
る。 第１０図は、従来技術に係る半導体装置の断面図である
。 １・・・半導体基板、 ２・・・絶縁膜、 ３・・・開口、 ４・・・金属パッド、 ５・・・弾性絶縁物層、 ６・・・バンプ、 ６１・・・バリア層、 ６２・・・金層、 ７・・・平板状リード、 ８・・・ドープド配線、 ９・・・チタン層、 ｌＯ・・・パラジウム層、 １１・・・レジスト膜、 １２・・・開口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］素子の形成された半導体基板（１）上に形成され
た外部引き出し電極用金属パッド（４）上に形成された
絶縁膜（２）に形成された開口（３）の該外部引き出し
電極用金属パッド上の中央領域には、弾性絶縁物層（５
）が形成され、 該弾性絶縁物層（５）と前記外部引き出し電極用金属パ
ッド（４）の縁部とを覆ってバンプ（６）が形成され、 該バンプ（６）上に外部引き出し用リード（７）が圧着
されてなる ことを特徴とする半導体装置。 ［２］素子の形成された半導体基板（１）上に形成され
た絶縁膜（２）に形成された開口（３）に形成された外
部引き出し電極用金属パッド（４）を有する前記半導体
基板（１）上に弾性絶縁物層を形成し、 該弾性絶縁物層を前記金属パッド（４）の中央領域のみ
に残留し、その他の領域から除去して弾性絶縁物層（５
）を形成し、 該弾性絶縁物層（５）と前記外部引き出し電極用金属パ
ッド（４）と前記絶縁膜（２）の縁部とを覆ってバンプ
（６）を形成し、 該バンプ（６）上に外部引き出し用平板状リード（７）
を圧着する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63059476A JP2750859B2 (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63059476A JP2750859B2 (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01233741A true JPH01233741A (ja) | 1989-09-19 |
| JP2750859B2 JP2750859B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=13114395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63059476A Expired - Lifetime JP2750859B2 (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2750859B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209831A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH06333929A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7994638B2 (en) | 2007-05-11 | 2011-08-09 | Panasonic Corporation | Semiconductor chip and semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196035A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の電極形成方法 |
| JPS61259548A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP63059476A patent/JP2750859B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196035A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の電極形成方法 |
| JPS61259548A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209831A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH06333929A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7994638B2 (en) | 2007-05-11 | 2011-08-09 | Panasonic Corporation | Semiconductor chip and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2750859B2 (ja) | 1998-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5707894A (en) | Bonding pad structure and method thereof | |
| JP3383329B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001196407A (ja) | 半導体装置および半導体装置の形成方法 | |
| JP3672297B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000183090A (ja) | チップサイズパッケージ及びその製造方法 | |
| JP2772606B2 (ja) | 集積半導体デバイス上にバンプ構造を形成する方法 | |
| JP2750859B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62112348A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0373535A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0529376A (ja) | 半導体装置のボンデイングパツド | |
| JPS60136338A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04258125A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2789467B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0330986B2 (ja) | ||
| JPH06333977A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3878740B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP2000357701A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6232636A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001094043A (ja) | 半導体チップ | |
| JPS5943735Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0652746B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0645336A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09172019A (ja) | 下地電極の形成方法 | |
| JPH03297145A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03295242A (ja) | 半導体装置 |