JPH0529376A - 半導体装置のボンデイングパツド - Google Patents
半導体装置のボンデイングパツドInfo
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- JPH0529376A JPH0529376A JP3182842A JP18284291A JPH0529376A JP H0529376 A JPH0529376 A JP H0529376A JP 3182842 A JP3182842 A JP 3182842A JP 18284291 A JP18284291 A JP 18284291A JP H0529376 A JPH0529376 A JP H0529376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding pad
- interlayer dielectric
- dielectric film
- aluminum
- interlayer insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】有機系材料からなる層間絶縁膜を用いた半導体
装置のボンディングパッド構造の問題点を解決する。 【構成】上層のボンディングパッド５の外周に形成され
た、ポリイミドシロキサンからなる層間絶縁膜３端部
を、ボンディングパッド５と同一の材料からなるアルミ
ニウム６で覆った。ボンデイングパッド５とアルミニウ
ム６や層間絶縁膜３とは離れているので、耐衝撃力が不
充分な層間絶縁膜３にクラックが生じることはなくなっ
た。
装置のボンディングパッド構造の問題点を解決する。 【構成】上層のボンディングパッド５の外周に形成され
た、ポリイミドシロキサンからなる層間絶縁膜３端部
を、ボンディングパッド５と同一の材料からなるアルミ
ニウム６で覆った。ボンデイングパッド５とアルミニウ
ム６や層間絶縁膜３とは離れているので、耐衝撃力が不
充分な層間絶縁膜３にクラックが生じることはなくなっ
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のボンディン
グパッドに関し、特に有機系薄膜を層間絶縁膜とする半
導体装置のボンディングパッドに関するものである。
グパッドに関し、特に有機系薄膜を層間絶縁膜とする半
導体装置のボンディングパッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術によるボンディングパッドにつ
いて、図３（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
いて、図３（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【０００３】図３（ａ）は最も一般的なボンディングパ
ッドである。アルミニウムからなるボンディングパッド
５の下には、ポリイミドシロキサンからなる層間絶縁膜
３が形成されている。この構造ではボンディング工程で
の衝撃が直に層間絶縁膜３に伝わって、耐衝撃力の不充
分な有機系の層間絶縁膜３にクラックが発生して、ボン
ディグパッド３が剥れるなどの不良が発生する。
ッドである。アルミニウムからなるボンディングパッド
５の下には、ポリイミドシロキサンからなる層間絶縁膜
３が形成されている。この構造ではボンディング工程で
の衝撃が直に層間絶縁膜３に伝わって、耐衝撃力の不充
分な有機系の層間絶縁膜３にクラックが発生して、ボン
ディグパッド３が剥れるなどの不良が発生する。
【０００４】この問題を改良するため、図３（ｂ）に示
すようにボンディグパッド５の下の層間絶縁膜３を除去
した構造がある。ボンディングパッド５の下は酸化膜２
なのでクラックは発生しないが、ボンディングパッド５
の周囲が層間絶縁膜３の縁に乗り上げているので、ボン
ディングがセンターずれると、側面のポリイミドシロキ
サンに衝撃が加わってクラックが発生する。
すようにボンディグパッド５の下の層間絶縁膜３を除去
した構造がある。ボンディングパッド５の下は酸化膜２
なのでクラックは発生しないが、ボンディングパッド５
の周囲が層間絶縁膜３の縁に乗り上げているので、ボン
ディングがセンターずれると、側面のポリイミドシロキ
サンに衝撃が加わってクラックが発生する。
【０００５】さらに改良されたのが、図３（ｃ）に示す
ように、層間絶縁膜３を大きく除去してボンディングパ
ッド５と接触しない構造である。この場合、層間絶縁膜
３にクラックは発生しないが、ボンディングパッド５の
アルミニウムをフォトリソグラフィにより選択エッチン
グするとき、層間絶縁膜３の端部の側面にアルミニウム
残り６ａが発生する。このアルミニウム残り６６ａが、
表面保護膜となるポリイミド４を形成するとき層間絶縁
膜３端部の側面から剥離してボンディングパッド間のシ
ョート不良が発生する。
ように、層間絶縁膜３を大きく除去してボンディングパ
ッド５と接触しない構造である。この場合、層間絶縁膜
３にクラックは発生しないが、ボンディングパッド５の
アルミニウムをフォトリソグラフィにより選択エッチン
グするとき、層間絶縁膜３の端部の側面にアルミニウム
残り６ａが発生する。このアルミニウム残り６６ａが、
表面保護膜となるポリイミド４を形成するとき層間絶縁
膜３端部の側面から剥離してボンディングパッド間のシ
ョート不良が発生する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来技術による製造方
法では、層間絶縁膜のクラックまたはアルミニウム残り
が発生するので、耐衝撃力の不充分な有機系材料からな
る層間絶縁膜を用いて高信頼度の半導体装置を製造する
ことができなかった。
法では、層間絶縁膜のクラックまたはアルミニウム残り
が発生するので、耐衝撃力の不充分な有機系材料からな
る層間絶縁膜を用いて高信頼度の半導体装置を製造する
ことができなかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置のボ
ンディングパッドの外周を囲む層間絶縁膜の端部は、前
記ボンディングパッドと接することなく、前記ボンディ
ングパッドと同一材質の金属膜によって覆われている。
ンディングパッドの外周を囲む層間絶縁膜の端部は、前
記ボンディングパッドと接することなく、前記ボンディ
ングパッドと同一材質の金属膜によって覆われている。
【０００８】
【実施例】本発明の第１の実施例について、図１（ａ）
の平面図およびその断面図である図１（ｂ）を参照して
説明する。
の平面図およびその断面図である図１（ｂ）を参照して
説明する。
【０００９】本実施例ではアルミニウムからなるボンデ
ィングパッド５とポリイミドシロキサンからなる層間絶
縁膜３とは１０μｍ以上離すことにより、ボンディング
がセンターずれしてもクラックが発生することはなくな
った。また層間絶縁膜３の端部はアルミニウムで覆われ
ているので、側面に余分なアルミニウム残りが発生する
ことはない。
ィングパッド５とポリイミドシロキサンからなる層間絶
縁膜３とは１０μｍ以上離すことにより、ボンディング
がセンターずれしてもクラックが発生することはなくな
った。また層間絶縁膜３の端部はアルミニウムで覆われ
ているので、側面に余分なアルミニウム残りが発生する
ことはない。
【００１０】つぎに本発明の第２の実施例について、図
２（ａ）の平面図およびその断面図である図２（ｂ）を
参照して説明する。
２（ａ）の平面図およびその断面図である図２（ｂ）を
参照して説明する。
【００１１】アルミニウムからなるボンディングパッド
５の下にさらにアルミニウム７が形成された２層構造
に、本発明を適用したものである。
５の下にさらにアルミニウム７が形成された２層構造
に、本発明を適用したものである。
【００１２】層間絶縁膜３端部を覆うアルミニウム６が
ボンディングパッド５の下のアルミニウム７に接続され
ている。そのため第１の実施例よりもさらに、層間絶縁
膜３端部のアルミニウム６が剥れにくいという利点があ
る。
ボンディングパッド５の下のアルミニウム７に接続され
ている。そのため第１の実施例よりもさらに、層間絶縁
膜３端部のアルミニウム６が剥れにくいという利点があ
る。
【００１３】本実施例では下層のアルミニウム７とポリ
イミドシロキサンからなる層間絶縁膜３との重なりを３
μｍとし、上層のボンディングパッド５とポリイミドシ
ロキサンからなる層間絶縁膜３とを１０μｍ離して良好
な結果が得られた。
イミドシロキサンからなる層間絶縁膜３との重なりを３
μｍとし、上層のボンディングパッド５とポリイミドシ
ロキサンからなる層間絶縁膜３とを１０μｍ離して良好
な結果が得られた。
【００１４】
【発明の効果】層間絶縁膜からボンディングパッドを離
したうえ、層間絶縁膜端部をボンディングパッドと同一
材料で覆った。その結果層間絶縁膜にクラックが発生す
ることはなくなった。また層間絶縁膜端部の側面にアル
ミニウムが残って、後工程で剥れるという問題も解消す
ることができた。
したうえ、層間絶縁膜端部をボンディングパッドと同一
材料で覆った。その結果層間絶縁膜にクラックが発生す
ることはなくなった。また層間絶縁膜端部の側面にアル
ミニウムが残って、後工程で剥れるという問題も解消す
ることができた。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例を示す平面図で
ある。 （ｂ）は（ａ）の断面図である。
ある。 （ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施例を示す平面図で
ある。 （ｂ）は（ａ）の断面図である。
ある。 （ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図３】従来技術によるボンディングパッドを示す断面
図である。
図である。
１ シリコン基板 ２ 熱酸化膜 ３ 層間絶縁膜 ４ ポリイミド ５ ボンディングパッド ６ アルミニウム ６ａ アルミニウム残り ７ アルミニウム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ボンディングパッドの外周を囲む層間絶
縁膜の端部が、前記ボンディングパッドと接することな
く、前記ボンディングパッドと同一材質の金属膜によっ
て覆われている半導体装置のボンディングパッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3182842A JPH0529376A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体装置のボンデイングパツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3182842A JPH0529376A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体装置のボンデイングパツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529376A true JPH0529376A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16125414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3182842A Pending JPH0529376A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体装置のボンデイングパツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529376A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5829182A (en) * | 1994-11-14 | 1998-11-03 | Okamoto; Toshihisa | Intra-line fishing rod |
| KR100413760B1 (ko) * | 2001-04-05 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 본딩 패드 구조 |
| JP2006303238A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 半導体チップ、半導体デバイス、半導体チップの製造方法 |
| CN100382253C (zh) * | 2003-05-09 | 2008-04-16 | 友达光电股份有限公司 | 焊垫结构及其制作方法 |
| US8492763B2 (en) | 2010-09-22 | 2013-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including an edge seal and plural pad pieces |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5731844B2 (ja) * | 1974-10-26 | 1982-07-07 |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP3182842A patent/JPH0529376A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5731844B2 (ja) * | 1974-10-26 | 1982-07-07 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5829182A (en) * | 1994-11-14 | 1998-11-03 | Okamoto; Toshihisa | Intra-line fishing rod |
| KR100413760B1 (ko) * | 2001-04-05 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 본딩 패드 구조 |
| CN100382253C (zh) * | 2003-05-09 | 2008-04-16 | 友达光电股份有限公司 | 焊垫结构及其制作方法 |
| JP2006303238A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 半導体チップ、半導体デバイス、半導体チップの製造方法 |
| US8492763B2 (en) | 2010-09-22 | 2013-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including an edge seal and plural pad pieces |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970408 |