JPH01233905A - 表面弾性波共振子の製造方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表面弾性波共振子の製造方式の改良に関し、特
にその圧電基板の切断プロセスに関する。

（従来の技術） 従来、表面弾性波共振子、すなわち表面弾性波デバイス
に使用されているウエノ・は要求特性から水晶、あるい
はＬｉＴａ０．などの基板が使用されている。このウェ
ハは半導体素子に使用されているシリコンウェハとは異
なって硬脆な性質をもっているため、切断時にもげたり
、あるいは割れ走りじやすく、この切断の際に生ずる小
片がチップ表面に付着したり、あるいはパターンを傷つ
けたりする。

まな、表面弾性波デバイスでは、チップ表面を表面波が
伝搬するように作られているため、チップ表面に保、備
膜をコートしていない。よって、表面は傷つきやすく）
、切断層の付着により電気特性が劣化する。

表面弾性波デバイスでは切断時にクラックが生じやすい
材料を使用しており、切断層が付着するとデバイス表面
を傷つけるので、表面弾性波デバイス用りエハの切断は
次の２通りの方法により行っている。

第１の方法は、切断層の発生を極力抑えると込う観点か
ら薄いグレードにより低速でフルカットする切断法であ
る。

第２の方法は、切断層の付着を完全になくす虎め、ウエ
ノ・にレジストを塗付した状態でノ・−７カツトを行い
、レジストを除去した後に手でチップに分割する切断法
である。

（発明が解決しようとする課題） 上述した従来の表面弾性波共振子の製造方式は、上記第
１の方式では切断屑の付着により電気的損失特性が劣化
するという欠点があり、上記第２の方式ではチップサイ
ズの小形化によりチップ分割時の工数および不良率が増
加するという欠点がある。特に、最近の表面弾性波デバ
イスは高周波、広帯域化、小形されており、上記欠点が
顕著である。

本発明の目的は、予め薄膜ノくターンの形成された圧電
基板のパターン面を下にして裏面からノ・−フカットを
行い、さらに基板の裏面に組立て用テープを貼った後、
残りの部分をフルカットして個々の素子を分離すること
により上記欠点を除去し、特性の劣化や歩留りなどを改
善できるように構成した表面弾性波共振子の製造方式を
提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明による表面弾性波共振子の製造方式は、ハーフカ
ット手段と、組立てテープと、フルカット手段とを具備
して構成したものである。

ハーフカット手段は、予め薄膜パターンを形成した圧電
基板のパターン面を下向きにして上側の裏面をハーフカ
ットするためのものである。

組立てテープは、基板の裏面に貼られた個々の素子の散
逸を防ぐ九めのものである。

フルカット手段は、ハーフカットした残りの部分をカッ
トして個々の素子を分離するためのものである。

（実施例） 次例い本発明について図面を参照して説明する。

第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明【よる表面弾性波共振
子の製造方式の一実施例を示す説明図である。第１図に
おいて、１は水晶基板、２は薄１漢パターン、３は水晶
基板ウェハ、４はＵＶ前照射形断テープ、５は水晶基板
１の裏面、６は組立て用テープ、７は２５μｍ厚のメタ
ルブレードである。

第１図（ａ）に示すように、８８０１１ｍ厚の水晶板表
面１上に薄膜パターン２を形成して水晶基板ウェハ３を
形成する。水晶基板ウエノ〜３は薄膜パターン２を下に
し、温度を７０°Ｃまで加熱して８０μｍ厚のＵＶ熱照
射形断テープ４に貼付ける。

水晶基板ウェハ３の裏面５から５０μｍ厚だけ残してウ
ェハ３をハーフカットする。ノー−７カツトの後、薄膜
パターン２の側に２４ｍＷ／−のＵＶ照射を行って、Ｕ
Ｖ熱照射形断テープ４と、水晶基板表面１上の薄膜パタ
ーン２との粘着力を初期強度の１／１０以下に低下させ
ている。

次に、水晶基板ウエノ・３の薄膜パターン２の側と、水
晶基板３の裏面５とに組立て用テープ６を貼付け、その
後でＵＶ熱照射形断テープ４を水晶基板表面１から剥が
す。次に第１図（ｂ）に示すように、水晶基板３の薄膜
パターン２の側から２５μｍ厚のメタルブレード７によ
り、切残した５０μｍ厚を切断して各チップへと完全に
分離する。

組立てテープ６を７０°Ｃの温度に加熱しながら拡張す
ると、完全に分離された清浄な表面弾性波デバイス素子
８を得ることができる。

第２図（ａ）〜（ｃ）は、第１図（ａ）、（ｂ）の詳細
を示す説明図であるｎ第２図において、第１図と同じ要
素には同じ番号が付与してあり、８は表面弾性波デバイ
ス素子である。

第２図（ａ）のＵＶ熱照射形断テープ４は、第２図（ｂ
）のように水晶基板ウェハ３に貼付けられる。続いて、
ＵＶ熱照射形断テープ４を除去するため、第２図（ｅ）
に示すように組立て用テープ６を貼付けて表面弾性波デ
バイス素子８を分離できるようＫする。

（発明の効果） 以上説明したように本発明は、予め薄膜パターンの形成
されな圧電基板のパターン面を下にして裏面からハーフ
カットを行い、さらに基板の裏面に組立て用テープを貼
った後、残りの部分をフルカットＫして個々の素子を分
離することＫより、次の第１〜第８の効果がある。

第１図は、パターン面を下にして切断深さ量の８５πを
切断しているため、素子上のパターン面への切断屑の付
着量は低減され、汚れの少ない良好な素子を得ることが
できるという効果である。

第２は、ハーフカットの後にテープによるフルカット切
断が可能であるため、大幅な工数の低減が可能であると
いう効果がある。

第８は、パターン面とは反対の裏面から切断を行うため
、基板にクラックが発生し難いので切断速度を高速化で
きるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明による表面弾性波共憑
子の製造方式の一実施例を示す説明図である。 第２図（ａ）〜（ｉ））は、第１図に示す製造方式の詳
細を示す説明図である。 １・吻・水晶基板表面 ２１６．薄膜パターン ３・・・水晶基板ウエノ・ ４・・−ＵＶ照射形切断テープ Ｓ−◆・水晶基板裏面 ６・＠中組立て用テープ ツー−拳メタルブレード ８脅・・表面弾性波デバイス素子

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 予め薄膜パターンを形成した圧電基板のパターン面を下
   向きにして上側の裏面のハーフカツトするためのハーフ
   カット手段と、前記基板の裏面に貼られた個々の素子の
   散逸を防ぐための組立てテープと、前記ハーフカットし
   た残りの部分をカットして前記個々の素子を分離するた
   めのフルカット手段とを具備して構成したことを特徴と
   する表面弾性波共振子の製造方式。