JPH04340251A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04340251A JPH04340251A JP3309535A JP30953591A JPH04340251A JP H04340251 A JPH04340251 A JP H04340251A JP 3309535 A JP3309535 A JP 3309535A JP 30953591 A JP30953591 A JP 30953591A JP H04340251 A JPH04340251 A JP H04340251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive tape
- semiconductor
- adhesive
- semiconductor substrate
- dicing
- Prior art date
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- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特に半導体基板を個々の半導体チップに分割するダイシ
ング方法に関する。
特に半導体基板を個々の半導体チップに分割するダイシ
ング方法に関する。
【０００２】半導体基板を個々の半導体チップに分割す
る方法としては、回転するダイシングソー（ブレード）
により切断する方式が一般的である。当初はダイシング
ソーで半導体基板の厚さの一部が残るように切断（これ
をハーフカットと呼ぶ）した後、クラッキングにより半
導体チップに分割していたが、クラッキング時に半導体
基板の破片を生じ易いため、最近ではダイシングソーで
半導体基板の全板厚を切断（これをフルカットと呼ぶ）
する方式が主流となっている。しかしフルカットであっ
ても、半導体チップ裏面のエッジ部分からの微小破片の
発生をなくすことは困難であり、また、フルカット後の
長期間の保管により、粘着テープが変質して、粘着テー
プより半導体チップが剥がれないという障害も起こって
いる。
る方法としては、回転するダイシングソー（ブレード）
により切断する方式が一般的である。当初はダイシング
ソーで半導体基板の厚さの一部が残るように切断（これ
をハーフカットと呼ぶ）した後、クラッキングにより半
導体チップに分割していたが、クラッキング時に半導体
基板の破片を生じ易いため、最近ではダイシングソーで
半導体基板の全板厚を切断（これをフルカットと呼ぶ）
する方式が主流となっている。しかしフルカットであっ
ても、半導体チップ裏面のエッジ部分からの微小破片の
発生をなくすことは困難であり、また、フルカット後の
長期間の保管により、粘着テープが変質して、粘着テー
プより半導体チップが剥がれないという障害も起こって
いる。
【０００３】近年、半導体装置の高集積化や高信頼性の
要求に伴って、これら半導体基板のフルカット方式に起
因する障害を防止することが可能な半導体装置の製造方
法が望まれている。
要求に伴って、これら半導体基板のフルカット方式に起
因する障害を防止することが可能な半導体装置の製造方
法が望まれている。
【０００４】
【従来の技術】従来の製造方法の一例を図２を用いて説
明する。図２ （ａ）〜（ｃ） は従来の製造方法の一
例を工程順に示す模式断面図である。尚、図中、図１と
同じものには同一の符号を付与した。
明する。図２ （ａ）〜（ｃ） は従来の製造方法の一
例を工程順に示す模式断面図である。尚、図中、図１と
同じものには同一の符号を付与した。
【０００５】図において、１は半導体基板、２は半導体
チップ、３はダイシング溝、１４は粘着テープ、２１は
突き上げピン、２２は真空コレットである。先ず半導体
基板１の裏面に粘着テープ１４を貼付する（図２（ａ）
参照）。
チップ、３はダイシング溝、１４は粘着テープ、２１は
突き上げピン、２２は真空コレットである。先ず半導体
基板１の裏面に粘着テープ１４を貼付する（図２（ａ）
参照）。
【０００６】次にこれをダイシング装置（図示は省略）
上に固定し、ダイシングソー（図示は省略）により半導
体基板１の表面側からそのスクライブラインに沿ってフ
ルカット方式で格子状に切断し、複数個の半導体チップ
２を得る。
上に固定し、ダイシングソー（図示は省略）により半導
体基板１の表面側からそのスクライブラインに沿ってフ
ルカット方式で格子状に切断し、複数個の半導体チップ
２を得る。
【０００７】その後この半導体チップ２を裏面側から突
き上げピン２１で突き上げて真空コレット２２によりピ
ックアップし、チップボンディング装置等に搬送する。 ところが、粘着テープ１４貼付後、半導体チップ２を長
期間保管すると、粘着テープ１４の糊の成分が変質し、
密着力が増大して、半導体チップ２が粘着テープ１４か
ら剥がれなくなったり、また、粘着テープ１４貼付前の
半導体基板１の裏面に水酸基（−ＯＨ基）等が形成され
ると、半導体基板１の裏面が親水性となって、粘着テー
プ１４の剥がれが悪くなる。
き上げピン２１で突き上げて真空コレット２２によりピ
ックアップし、チップボンディング装置等に搬送する。 ところが、粘着テープ１４貼付後、半導体チップ２を長
期間保管すると、粘着テープ１４の糊の成分が変質し、
密着力が増大して、半導体チップ２が粘着テープ１４か
ら剥がれなくなったり、また、粘着テープ１４貼付前の
半導体基板１の裏面に水酸基（−ＯＨ基）等が形成され
ると、半導体基板１の裏面が親水性となって、粘着テー
プ１４の剥がれが悪くなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このため、半導体基板
裏面に粘着テープを貼付する前に、弗酸系の薬液で半導
体基板の裏面を処理して自然酸化膜等を除去して撥水性
とする方法もあるが、この方法は、ダイシング前では有
効であるが、ダイシング後に、チップが粘着テープから
剥がれないと分かった時には無効である。
裏面に粘着テープを貼付する前に、弗酸系の薬液で半導
体基板の裏面を処理して自然酸化膜等を除去して撥水性
とする方法もあるが、この方法は、ダイシング前では有
効であるが、ダイシング後に、チップが粘着テープから
剥がれないと分かった時には無効である。
【０００９】本発明はこのような問題を解決して、ダイ
シング後でも、粘着テープからチップが剥がれないとい
う現象を防止することを目的とする。
シング後でも、粘着テープからチップが剥がれないとい
う現象を防止することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、半導体ウェーハ１の裏面に第一の粘着テープ１１
を貼付した後、半導体ウェーハ１の表面から第一の粘着
テープ１１まで達するダイシング溝３を形成して半導体
ウェーハ１を個々の半導体チップ２に分割する工程と、
半導体チップ２の表面に第二の粘着テープ１２を貼付し
た後、第一の粘着テープ１１を半導体チップ２の裏面か
ら剥離する工程とを有し、前記第一の粘着テープ１１は
粘着材が紫外線硬化性樹脂であり、前記第二の粘着テー
プ１２貼付工程に先立って第一の粘着テープ１１に紫外
線照射処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方
法とすることで、達成される。
れば、半導体ウェーハ１の裏面に第一の粘着テープ１１
を貼付した後、半導体ウェーハ１の表面から第一の粘着
テープ１１まで達するダイシング溝３を形成して半導体
ウェーハ１を個々の半導体チップ２に分割する工程と、
半導体チップ２の表面に第二の粘着テープ１２を貼付し
た後、第一の粘着テープ１１を半導体チップ２の裏面か
ら剥離する工程とを有し、前記第一の粘着テープ１１は
粘着材が紫外線硬化性樹脂であり、前記第二の粘着テー
プ１２貼付工程に先立って第一の粘着テープ１１に紫外
線照射処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方
法とすることで、達成される。
【００１１】
【作用】本発明の製造方法によれば、半導体チップ裏面
側に貼付した第一の粘着テープを剥離することにより、
長期間保管すること等で変質した粘着テープを除去する
こととなり、同時に、半導体基板の裏面に形成された−
ＯＨ基等の親水性の原因となるものを除去することとな
り、粘着テープからチップが剥がれないという現象を解
消することができる。
側に貼付した第一の粘着テープを剥離することにより、
長期間保管すること等で変質した粘着テープを除去する
こととなり、同時に、半導体基板の裏面に形成された−
ＯＨ基等の親水性の原因となるものを除去することとな
り、粘着テープからチップが剥がれないという現象を解
消することができる。
【００１２】尚、この製造方法では粘着テープを半導体
基板（又は半導体チップ）の裏面と表面に逐次貼付する
ことになるが、貼り替えに際しては剥離する粘着テープ
の粘着力が剥離しない粘着テープのそれより弱くなけれ
ばならない。粘着テープとして紫外線硬化性樹脂の粘着
材を用いたものを使用し、剥離する粘着テープのみに紫
外線照射処理を施すことにより、この条件が満たされる
。
基板（又は半導体チップ）の裏面と表面に逐次貼付する
ことになるが、貼り替えに際しては剥離する粘着テープ
の粘着力が剥離しない粘着テープのそれより弱くなけれ
ばならない。粘着テープとして紫外線硬化性樹脂の粘着
材を用いたものを使用し、剥離する粘着テープのみに紫
外線照射処理を施すことにより、この条件が満たされる
。
【００１３】
【実施例】本発明に基づく半導体装置の製造方法の一例
を図１を参照しながら説明する。図１ （ａ）〜（ｆ）
は本発明の実施例を工程順に示す模式断面図である。
を図１を参照しながら説明する。図１ （ａ）〜（ｆ）
は本発明の実施例を工程順に示す模式断面図である。
【００１４】先ず半導体基板１の裏面側（素子が形成さ
れていない側）に、粘着材が紫外線硬化性樹脂である第
一の粘着テープ１１を貼付する（図１（ａ） 参照）。 次にこれらをダイシング装置（図示は省略）上に固定し
、ダイシングソー（図示は省略）により半導体基板１の
表面側からそのスクライブラインに沿ってフルカット方
式で格子状に切断し、複数個の半導体チップ２を得る。
れていない側）に、粘着材が紫外線硬化性樹脂である第
一の粘着テープ１１を貼付する（図１（ａ） 参照）。 次にこれらをダイシング装置（図示は省略）上に固定し
、ダイシングソー（図示は省略）により半導体基板１の
表面側からそのスクライブラインに沿ってフルカット方
式で格子状に切断し、複数個の半導体チップ２を得る。
【００１５】次にこれらをダイシング装置から外し、第
一の粘着テープ１１に紫外線を照射してその粘着力を弱
める。その後半導体チップ２の表面側に、粘着材が紫外
線硬化性樹脂である第二の粘着テープ１２を貼付する（
図１（ｃ） 参照）。
一の粘着テープ１１に紫外線を照射してその粘着力を弱
める。その後半導体チップ２の表面側に、粘着材が紫外
線硬化性樹脂である第二の粘着テープ１２を貼付する（
図１（ｃ） 参照）。
【００１６】更に半導体チップ２の裏面側から第一の粘
着テープ１１を剥離する。これは、変質テープの除去、
及び、半導体チップ２裏面の−ＯＨ基の除去という二つ
の効果を持っている。
着テープ１１を剥離する。これは、変質テープの除去、
及び、半導体チップ２裏面の−ＯＨ基の除去という二つ
の効果を持っている。
【００１７】次に第二の粘着テープ１２に紫外線を照射
してその粘着力を弱める。その後半導体チップ２の裏面
側に、粘着材が紫外線硬化性樹脂である第三の粘着テー
プ１３を貼付する（図１（ｅ） 参照）。
してその粘着力を弱める。その後半導体チップ２の裏面
側に、粘着材が紫外線硬化性樹脂である第三の粘着テー
プ１３を貼付する（図１（ｅ） 参照）。
【００１８】次に半導体チップ２の表面側から第二の粘
着テープ１２を剥離する。更に第三の粘着テープ１３に
紫外線を照射してその粘着力を弱める。その後、個々の
半導体チップ２を、裏面側から突き上げピン２１で突き
上げて真空コレット２２によりピックアップして、チッ
プボンディング装置等（図示は省略）に搬送する（図１
（ｆ） 参照）。
着テープ１２を剥離する。更に第三の粘着テープ１３に
紫外線を照射してその粘着力を弱める。その後、個々の
半導体チップ２を、裏面側から突き上げピン２１で突き
上げて真空コレット２２によりピックアップして、チッ
プボンディング装置等（図示は省略）に搬送する（図１
（ｆ） 参照）。
【００１９】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施出来る。例えば、第一、第二
及び第三の粘着テープ（１１， １２， １３）の一乃
至全部を、粘着材が紫外線硬化性を持たないものに置き
換えても、本発明は有効である。但しこの場合には粘着
力に差を持たせる必要がある。
く、更に種々変形して実施出来る。例えば、第一、第二
及び第三の粘着テープ（１１， １２， １３）の一乃
至全部を、粘着材が紫外線硬化性を持たないものに置き
換えても、本発明は有効である。但しこの場合には粘着
力に差を持たせる必要がある。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
粘着テープから半導体チップをスムーズに剥がすことが
でき、半導体装置製造の歩留り向上と半導体装置の信頼
性向上に寄与するところが大きい。
粘着テープから半導体チップをスムーズに剥がすことが
でき、半導体装置製造の歩留り向上と半導体装置の信頼
性向上に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の実施例を工程順に示す模式断面図
【図２】 従来の製造方法の一例を工程順に示す模式
断面図
断面図
１ 半導体基板
２ 半導体チップ
３ ダイシング溝
１１ 第一の粘着テープ
１２ 第二の粘着テープ
１３ 第三の粘着テープ
１４ 粘着テープ
２１ 突き上げピン
２２ 真空コレット
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板（１） の裏面に第一の粘
着テープ（１１）を貼付した後、該半導体基板（１）
の表面から該第一の粘着テープ（１１）まで達するダイ
シング溝（３） を形成して該半導体基板（１） を個
々の半導体チップ（２） に分割する工程と、該半導体
チップ（２） の表面に第二の粘着テープ（１２）を貼
付した後、該第一の粘着テープ（１１）を該半導体チッ
プ（２） の裏面から剥離する工程と、を有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第一の粘着テープ（１１）は粘着
材が紫外線硬化性樹脂であり、前記第二の粘着テープ（
１２）の貼付工程に先立って該第一の粘着テープ（１１
）に紫外線照射処理を施すことを特徴とする請求項１記
載の半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-16134 | 1991-02-07 | ||
| JP1613491 | 1991-02-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340251A true JPH04340251A (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=11908026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3309535A Withdrawn JPH04340251A (ja) | 1991-02-07 | 1991-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04340251A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0637841A3 (en) * | 1993-08-04 | 1995-11-29 | Hitachi Ltd | Thin film semiconductor device and method for its production. |
| US6680241B2 (en) * | 2000-07-25 | 2004-01-20 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor devices by dividing wafer into chips and such semiconductor devices |
| WO2021084902A1 (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | チップ付き基板の製造方法、及び基板処理装置 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP3309535A patent/JPH04340251A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0637841A3 (en) * | 1993-08-04 | 1995-11-29 | Hitachi Ltd | Thin film semiconductor device and method for its production. |
| US5689136A (en) * | 1993-08-04 | 1997-11-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
| US6051877A (en) * | 1993-08-04 | 2000-04-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
| US6291877B1 (en) | 1993-08-04 | 2001-09-18 | Hitachi, Ltd. | Flexible IC chip between flexible substrates |
| US6680241B2 (en) * | 2000-07-25 | 2004-01-20 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor devices by dividing wafer into chips and such semiconductor devices |
| WO2021084902A1 (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | チップ付き基板の製造方法、及び基板処理装置 |
| JPWO2021084902A1 (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |