JPH01235699A - Ｉｃカード及びｉｃチップの製造方法 - Google Patents
Ｉｃカード及びｉｃチップの製造方法Info
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- JPH01235699A JPH01235699A JP63061913A JP6191388A JPH01235699A JP H01235699 A JPH01235699 A JP H01235699A JP 63061913 A JP63061913 A JP 63061913A JP 6191388 A JP6191388 A JP 6191388A JP H01235699 A JPH01235699 A JP H01235699A
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- card
- etching
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 16
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract description 16
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 241000208140 Acer Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、ＩＣカードの曲げに対して、ＩＣチップが
破損しにくいＩＣカードに関する。
破損しにくいＩＣカードに関する。
（従来の技術）
近年、クレジットカード或いは銀行のキャッシュカード
等ニマイクロコンピューター Ｅ ＰＲＯＭなどを搭載
したＩＣチップを内蔵する、いわゆるＩＣカードが普及
しだしている。
等ニマイクロコンピューター Ｅ ＰＲＯＭなどを搭載
したＩＣチップを内蔵する、いわゆるＩＣカードが普及
しだしている。
しかしながら、このようなＩＣカードに用いられるＩＣ
チップは、マイクロコンピュータ・Ｅ２ＦＲＯＭ な
どを搭載する関係から、チップサイズは５問角程度以上
の比較的大きなチップサイズが要求される。更に、ＩＣ
チップの厚みは、カード全体の厚みがＩＳＯ等の規格か
ら０．７６ｗｍ程度に制限されるため、０．２ ｒｔｒ
ｍ程度以下に抑えなければならない。従って、ＩＣチッ
プ自体が比較的大きな面積であり、且つ薄いため割れ易
い構造にあるうえ、ＩＣカードは人がポケット等に入れ
て使用するため、折れ曲げ等のストレスが印加されるの
で、ＩＣカードの曲げ強度耐力は重要な時題となる。
チップは、マイクロコンピュータ・Ｅ２ＦＲＯＭ な
どを搭載する関係から、チップサイズは５問角程度以上
の比較的大きなチップサイズが要求される。更に、ＩＣ
チップの厚みは、カード全体の厚みがＩＳＯ等の規格か
ら０．７６ｗｍ程度に制限されるため、０．２ ｒｔｒ
ｍ程度以下に抑えなければならない。従って、ＩＣチッ
プ自体が比較的大きな面積であり、且つ薄いため割れ易
い構造にあるうえ、ＩＣカードは人がポケット等に入れ
て使用するため、折れ曲げ等のストレスが印加されるの
で、ＩＣカードの曲げ強度耐力は重要な時題となる。
従来、このような間噴に対する対策としては、例えば特
開昭６２−２７５７８８に開示されるものがある。
開昭６２−２７５７８８に開示されるものがある。
第２図は従来のマイクロクラックの説明図であり、第２
図（ａ）は、ＩＣウェハから、矩形のＩＣチツブＡ、Ｂ
を切り出す方向を示している。図中の多数の平行な横線
は、ＩＣウェハーの裏面研削（パックグラインド）の際
に発生するキズ（マイクロクシツク）が線状に残ってい
ることを示している。
図（ａ）は、ＩＣウェハから、矩形のＩＣチツブＡ、Ｂ
を切り出す方向を示している。図中の多数の平行な横線
は、ＩＣウェハーの裏面研削（パックグラインド）の際
に発生するキズ（マイクロクシツク）が線状に残ってい
ることを示している。
第２図（ｂ）は、ＩＣチッグＡ、Ｂの切シ出しの方向に
よシ抗折破断強度が異なることを示す説明図である。即
ち、ＩＣチップの研削方向がＩＣチップの長手方向と平
行となる場合Ａは、直角となった場合Ｂに比較して抗折
破断強度が一段と秀れていることを示している。
よシ抗折破断強度が異なることを示す説明図である。即
ち、ＩＣチップの研削方向がＩＣチップの長手方向と平
行となる場合Ａは、直角となった場合Ｂに比較して抗折
破断強度が一段と秀れていることを示している。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記公報に開示された方法では、破断強
度は第２図（ｂ）によれば、せいぜい数百ｇであり、Ｉ
Ｃカードの曲げに対する強度としては十分ではない。
度は第２図（ｂ）によれば、せいぜい数百ｇであり、Ｉ
Ｃカードの曲げに対する強度としては十分ではない。
上記方法では、裏面研削（パックグラインド）の際に発
生するキズ（マイクロクラック）が残っておシ、シリコ
ン単結晶のＩＣチップ本来の破断強度がでていないもの
と考えられる。
生するキズ（マイクロクラック）が残っておシ、シリコ
ン単結晶のＩＣチップ本来の破断強度がでていないもの
と考えられる。
（課題を解決するための手段）
本発明は、裏面研削（パックグラインド）の際に発生す
るキズ（マイクロクラック）を完全に化学的なエツチン
グによシ除去したＩＣチップを搭載したＩＣカードにあ
る。又、かかるＩＣチップの製造方法にある。
るキズ（マイクロクラック）を完全に化学的なエツチン
グによシ除去したＩＣチップを搭載したＩＣカードにあ
る。又、かかるＩＣチップの製造方法にある。
（作用）
本発明のＩＣチップは、裏面研削（パックグラインド）
によるキズ（マイクロクラック）が完全に除去されたも
のである。従って、従来のＩＣチップの有する弱点“が
除去され、このＩＣチップはシリコン単結晶の本来有す
る破断強度迄曲げに対する強度が向上したものである。
によるキズ（マイクロクラック）が完全に除去されたも
のである。従って、従来のＩＣチップの有する弱点“が
除去され、このＩＣチップはシリコン単結晶の本来有す
る破断強度迄曲げに対する強度が向上したものである。
（実施例）
ＩＣウェハーのウェハープロセス、即チフォトリングラ
フィ、拡散、蒸着等により、ウェハー上にＩＣを形成す
る工程は、従来とまったく変らない。
フィ、拡散、蒸着等により、ウェハー上にＩＣを形成す
る工程は、従来とまったく変らない。
ウェハープロセスを完了したＩＣウェハーハ、従来のＩ
Ｃカード用と同様に機械的研磨による裏面研削（パック
グラインド）が行なわれる。
Ｃカード用と同様に機械的研磨による裏面研削（パック
グラインド）が行なわれる。
ウェハープロセスで厚み５６０μのＩＣウェハーは、機
械的な研削方法であるダイアモンド入シアルミナ研磨材
（≠４０００メツシュ）による研１磨で、厚み目標値２
００μの手前３０μ迄研削する。次に、同様に機械的な
研削方法であるダイヤモンド入りアルミナ研磨材≠８０
００メツシュによる研磨で目標値２００μの手前１０μ
迄研削する。しかる後、ワックス又はピッチでＩＣウェ
ハーの拡散面（表面）を中合せに金属又はサファイア板
に張り付ける。そして、ケミカルエツチングを１０μ行
いＩＣウェハー厚みを目標値２００μに合せ且つ鏡面仕
上げとする。エッチャントは、一般的な 】丑ＩＮＯ３二 ＨＦ ： ＣＨ３ＣＯ０Ｈ＝
５ ： １ ： ２の１組成の液に工２を飽和
させたものを用いた。次にＩＣウェハーを金属又はサフ
ァイア板から除し、トリクレンでワックスを除去してか
ら、ダイシングを行う。ダイシング後のＩＣカードへの
ＩＣチップの搭載の工程は、従来の方法と変えるもので
ない。
械的な研削方法であるダイアモンド入シアルミナ研磨材
（≠４０００メツシュ）による研１磨で、厚み目標値２
００μの手前３０μ迄研削する。次に、同様に機械的な
研削方法であるダイヤモンド入りアルミナ研磨材≠８０
００メツシュによる研磨で目標値２００μの手前１０μ
迄研削する。しかる後、ワックス又はピッチでＩＣウェ
ハーの拡散面（表面）を中合せに金属又はサファイア板
に張り付ける。そして、ケミカルエツチングを１０μ行
いＩＣウェハー厚みを目標値２００μに合せ且つ鏡面仕
上げとする。エッチャントは、一般的な 】丑ＩＮＯ３二 ＨＦ ： ＣＨ３ＣＯ０Ｈ＝
５ ： １ ： ２の１組成の液に工２を飽和
させたものを用いた。次にＩＣウェハーを金属又はサフ
ァイア板から除し、トリクレンでワックスを除去してか
ら、ダイシングを行う。ダイシング後のＩＣカードへの
ＩＣチップの搭載の工程は、従来の方法と変えるもので
ない。
尚、本実施例では、ケミカルエツチング後、ダイシング
を行っているが１機械研磨、ダイシング。
を行っているが１機械研磨、ダイシング。
ケミカルエツチングの順序で行うことも考えられ、効果
には差異はないものと思われる。
には差異はないものと思われる。
第１図は、本発明の一実施例のＩＣチップの断面図であ
る。ＩＣチップ１の表面には、電楓２゜拡散層３等がウ
ェハープロセスにおいて形成され、ＩＣが作られている
。ＩＣチップ１の裏面は≠４０００．４８０００メソシ
ユにより研削される機械的研磨層５及びケミカルエツチ
ングにより除去される化学的研磨層６０両層が除去層４
である。
る。ＩＣチップ１の表面には、電楓２゜拡散層３等がウ
ェハープロセスにおいて形成され、ＩＣが作られている
。ＩＣチップ１の裏面は≠４０００．４８０００メソシ
ユにより研削される機械的研磨層５及びケミカルエツチ
ングにより除去される化学的研磨層６０両層が除去層４
である。
ここでマイクロクラック層６′は、機械的研磨によって
生じるキズであシ、厚みは、せいぜい５μ程度と考えら
れる。従って、ケミカルエツチングによシ除去される１
０μ程度の化学的研磨層６に完全に含まれ、マイクロク
ラック層６′は完全に除去される。
生じるキズであシ、厚みは、せいぜい５μ程度と考えら
れる。従って、ケミカルエツチングによシ除去される１
０μ程度の化学的研磨層６に完全に含まれ、マイクロク
ラック層６′は完全に除去される。
第４図は、ＩＣチップ破断強度の実験結果の説明図であ
シ、横軸にケミカルエツチング時間を、だて軸にＩＣチ
ップ破断強度をとったものである。
シ、横軸にケミカルエツチング時間を、だて軸にＩＣチ
ップ破断強度をとったものである。
第５図は、ＩＣチップ破断強度の測定方法を示す説明図
である。ＩＣチップ１をプローブ１０を介して荷重Ｗｌ
ｌを印加することにより、ＩＣチップ１の破断強度を測
定する。ここで裏面押しとは、ＩＣチップ１の表面を下
にして、裏面をプローブで押すものであり、表面押しと
は、ＩＣチップ１の裏面を下にして、表面をプローブで
押すものである。第４図の横軸の意味するところは、時
間ｔ０は、エツチング時間Ｏ分を意味し、順次ｊｌｅｔ
２・・・によりエツチング時間が長くなる、即ちケミカ
ルエツチングによる除去層が厚くなることを意味する。
である。ＩＣチップ１をプローブ１０を介して荷重Ｗｌ
ｌを印加することにより、ＩＣチップ１の破断強度を測
定する。ここで裏面押しとは、ＩＣチップ１の表面を下
にして、裏面をプローブで押すものであり、表面押しと
は、ＩＣチップ１の裏面を下にして、表面をプローブで
押すものである。第４図の横軸の意味するところは、時
間ｔ０は、エツチング時間Ｏ分を意味し、順次ｊｌｅｔ
２・・・によりエツチング時間が長くなる、即ちケミカ
ルエツチングによる除去層が厚くなることを意味する。
従って、第４図の意味するところは、表面押しにおいて
は、ケミカルエツチングをｔ３（分）行うことによって
、ＩＣチップ破断強度はケミカルエツチングなしの３倍
程度に向上し、以後はほぼ一定となるということである
。このことは、エツチング時間ｔ３ （分）により、マ
イクロクラック層６′が完全に除去され、ＩＣチップの
破断強度を格段に向上させる効果のあることを示してい
る。ここでケミカルエツチング時間ｔａ （分）は、エ
ツチング厚み５μに相当するので、前述の実施例のケミ
カルエツチング除去厚み１０μは十分なｆ直である。
は、ケミカルエツチングをｔ３（分）行うことによって
、ＩＣチップ破断強度はケミカルエツチングなしの３倍
程度に向上し、以後はほぼ一定となるということである
。このことは、エツチング時間ｔ３ （分）により、マ
イクロクラック層６′が完全に除去され、ＩＣチップの
破断強度を格段に向上させる効果のあることを示してい
る。ここでケミカルエツチング時間ｔａ （分）は、エ
ツチング厚み５μに相当するので、前述の実施例のケミ
カルエツチング除去厚み１０μは十分なｆ直である。
尚、第３図において、ｔｏ−ｔ２の区間は、エツチング
速度が速いのでマイクロクラック層６′に、ｔ２〜ｔ５
に対応する区間は比較的エツチング速度が遅いので、マ
イクロクラックの無いシリコン単結晶層のエツチングに
関連するものと考えられる。尚、マイクロクラック層６
′の厚さは研摩方法によシ異なることは明らかであシ、
シリコンウェハを側面からグラインドするワンフィード
グラインド方式よりは、上面からグラインドするダウン
フィードグラインド方式の方がマイクロクラックの発生
が少ないことが認められる。
速度が速いのでマイクロクラック層６′に、ｔ２〜ｔ５
に対応する区間は比較的エツチング速度が遅いので、マ
イクロクラックの無いシリコン単結晶層のエツチングに
関連するものと考えられる。尚、マイクロクラック層６
′の厚さは研摩方法によシ異なることは明らかであシ、
シリコンウェハを側面からグラインドするワンフィード
グラインド方式よりは、上面からグラインドするダウン
フィードグラインド方式の方がマイクロクラックの発生
が少ないことが認められる。
第５図は本発明の一実施例の１Ｃカードの断面図である
。ＩＣチップ１は、メタル板例えば厚み０、２ ｍｍの
ステンレス板の上に樹脂で鋭裏面７が接着されておシ蓋
２２をなしている。ＩＣチップの電気的端子の取出しは
、バンプ１９又はワイヤボンドによシ行なわれ、基板１
５のスルーホール１６を介して、端子電極１７に取り出
される。これら、ＩＣカードへのＩＣチップの実装につ
いては、従来のものと変るものではない・ 尚、本発明においては、ケミカルエツチングにより、マ
イクロクラック層６′を除去するものであるが、エツチ
ング除去に代えて合金化によｐマイクロクラック層を固
定することが考えられる。即ち、機械研磨後に、ＩＣウ
ェハー裏面にＮｉ、Ｔｉ。
。ＩＣチップ１は、メタル板例えば厚み０、２ ｍｍの
ステンレス板の上に樹脂で鋭裏面７が接着されておシ蓋
２２をなしている。ＩＣチップの電気的端子の取出しは
、バンプ１９又はワイヤボンドによシ行なわれ、基板１
５のスルーホール１６を介して、端子電極１７に取り出
される。これら、ＩＣカードへのＩＣチップの実装につ
いては、従来のものと変るものではない・ 尚、本発明においては、ケミカルエツチングにより、マ
イクロクラック層６′を除去するものであるが、エツチ
ング除去に代えて合金化によｐマイクロクラック層を固
定することが考えられる。即ち、機械研磨後に、ＩＣウ
ェハー裏面にＮｉ、Ｔｉ。
ＮｉＣｒ等の金属を蒸着し、加熱することによシシリコ
ンと合金化させる。するとマイクロクラック層に金属が
浸み込むことにより固定され、ＩＣチップ破断強度が改
善されることが考えられる。
ンと合金化させる。するとマイクロクラック層に金属が
浸み込むことにより固定され、ＩＣチップ破断強度が改
善されることが考えられる。
（発明の効果）
以上に説明したように、この発明によれば、ＩＣカード
に搭載されたＩＣチップは、チップ裏面の機械的研磨に
よるマイクロクラック層がエツチング処理により除去さ
れたものであるので、ＩＣカードの曲げに対して、格段
にＩＣチップ破断強度が向上する。
に搭載されたＩＣチップは、チップ裏面の機械的研磨に
よるマイクロクラック層がエツチング処理により除去さ
れたものであるので、ＩＣカードの曲げに対して、格段
にＩＣチップ破断強度が向上する。
第１図は本発明の一実施例のＩＣチップの断面図、第２
図は従来のマイクロクラックの説明図、第３図はＩＣチ
ップ破断強度の実験結果の説明図、第４図はＩＣチップ
破断強度の測定方法の説明図、第５図はＩＣカードの断
面図である。 １・・・ＩＣチップ、４・・・除去層、５・・・機械的
研磨層、６・・・化学的研磨層、６′・・・マイクロク
ラック層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 １１Ｃナツフ“ 不発８月による■Ｃチーノフー断面図 （ｂ） 従来のマイクロ７フツクの説明図 第２図 第４図 不発明１；ＪろＩＣカードｎｒ汀面（２）第５図 手続補正書（睦） １ 事件の表示 昭和６３年 特 許 願第０６１９１３号２ 発明の
名称 ＩＣカード及びＩＣチップの製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人住、所（
〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号名称
（０２９） 沖電気工業株式会社代表者
取締役社長小杉イ言 光４代理人 住 所（〒１０８） 東京都港区芝浦４丁目１０番３
号「図面の簡単な説明」の欄及び図面 ６、補正の内容 別紙の通シ 方式帛 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁第１５行目に「時題となる。」とめ
るのを「課題となる。」と補正する。 （２） 同省第４頁第１６行目に「リングラフィ」と
あるのを「リングラフィ」と補正する。 （３） 同省第５頁第２０行目に「変えるもので」とあ
るのを「変わるもので」と補正する。 （４）同省第６頁第１９行目に「第４図」とあるのを「
第３図」と補正する◇ （５）同書第７頁第２行目に「第５図」とあるのを「第
４図」と補正する。 （６） 同書同頁第９行目に「第４図」とあるのを「第
３図」と補正する。 （７）同省第８頁第１８行目から第１９行目に「樹脂で
鋭裏面７が接着てれておシ蓋２２をなしている。」とあ
るのを「樹脂で裏面２が接着されておシ蓋１８ｆなして
いる。」と補正する。 （８）同書第１０頁第３行目に「従来のマイクロクラッ
クの」とあるの金「従来の゛」と補正する。 （９）図面「第５図」全別紙の通シ補正する。 ＊、発Ｂ只亀１うＩＣカードの断面図 第５図
図は従来のマイクロクラックの説明図、第３図はＩＣチ
ップ破断強度の実験結果の説明図、第４図はＩＣチップ
破断強度の測定方法の説明図、第５図はＩＣカードの断
面図である。 １・・・ＩＣチップ、４・・・除去層、５・・・機械的
研磨層、６・・・化学的研磨層、６′・・・マイクロク
ラック層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 １１Ｃナツフ“ 不発８月による■Ｃチーノフー断面図 （ｂ） 従来のマイクロ７フツクの説明図 第２図 第４図 不発明１；ＪろＩＣカードｎｒ汀面（２）第５図 手続補正書（睦） １ 事件の表示 昭和６３年 特 許 願第０６１９１３号２ 発明の
名称 ＩＣカード及びＩＣチップの製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人住、所（
〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号名称
（０２９） 沖電気工業株式会社代表者
取締役社長小杉イ言 光４代理人 住 所（〒１０８） 東京都港区芝浦４丁目１０番３
号「図面の簡単な説明」の欄及び図面 ６、補正の内容 別紙の通シ 方式帛 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁第１５行目に「時題となる。」とめ
るのを「課題となる。」と補正する。 （２） 同省第４頁第１６行目に「リングラフィ」と
あるのを「リングラフィ」と補正する。 （３） 同省第５頁第２０行目に「変えるもので」とあ
るのを「変わるもので」と補正する。 （４）同省第６頁第１９行目に「第４図」とあるのを「
第３図」と補正する◇ （５）同書第７頁第２行目に「第５図」とあるのを「第
４図」と補正する。 （６） 同書同頁第９行目に「第４図」とあるのを「第
３図」と補正する。 （７）同省第８頁第１８行目から第１９行目に「樹脂で
鋭裏面７が接着てれておシ蓋２２をなしている。」とあ
るのを「樹脂で裏面２が接着されておシ蓋１８ｆなして
いる。」と補正する。 （８）同書第１０頁第３行目に「従来のマイクロクラッ
クの」とあるの金「従来の゛」と補正する。 （９）図面「第５図」全別紙の通シ補正する。 ＊、発Ｂ只亀１うＩＣカードの断面図 第５図
Claims (2)
- （１）ＩＣチップを搭載したＩＣカードに於いて、前記
ＩＣチップはチップ裏面の機械的研磨によるマイクロク
ラックがエッチング処理により除去されたものであるこ
とを特徴とするＩＣカード。 - （２）ウェハープロセス完了後ＩＣウェハーの裏面を機
械的研磨により除去する工程と、該機械的研磨により生
じるマイクロクラック層を含めてＩＣウェハーの裏面を
エッチング処理により除去する工程とを含むことを特徴
とするＩＣチップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63061913A JPH01235699A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | Ｉｃカード及びｉｃチップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63061913A JPH01235699A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | Ｉｃカード及びｉｃチップの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235699A true JPH01235699A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13184877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63061913A Pending JPH01235699A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | Ｉｃカード及びｉｃチップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01235699A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270216A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路モジュール |
| JPH1145892A (ja) * | 1997-05-28 | 1999-02-16 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2002334312A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6293981A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-30 | Sharp Corp | 薄型半導体装置の製造法 |
| JPS62136032A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-19 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハ−の裏面加工方法 |
| JPS62275787A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-11-30 | 日立マイクロコンピユ−タエンジニアリング株式会社 | Ｉｃカ−ド |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63061913A patent/JPH01235699A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6293981A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-30 | Sharp Corp | 薄型半導体装置の製造法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH1145892A (ja) * | 1997-05-28 | 1999-02-16 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2002334312A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法 |
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