JPH03245576A - 圧力センサの製造方法 - Google Patents
圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH03245576A JPH03245576A JP4305790A JP4305790A JPH03245576A JP H03245576 A JPH03245576 A JP H03245576A JP 4305790 A JP4305790 A JP 4305790A JP 4305790 A JP4305790 A JP 4305790A JP H03245576 A JPH03245576 A JP H03245576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- recess
- gauge
- pressure sensor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体片に形成されたダイヤフラム部にゲー
ジ抵抗を有し、ダイヤフラム部の変形によって生ずるゲ
ージ抵抗の変化によって生ずる圧力を検出する圧力セン
サの製造方法に関する。
ジ抵抗を有し、ダイヤフラム部の変形によって生ずるゲ
ージ抵抗の変化によって生ずる圧力を検出する圧力セン
サの製造方法に関する。
ダイヤフラム部の変形を利用した圧力センサにおいて、
数％以下の高い圧力検出精度を得るためには、ダイヤフ
ラムの厚さは数十−にしなければならない、圧力センサ
の最近の動向としては、ダイヤフラムを形成する半導体
基板に、主要素のゲージのほかに、増幅回路、補償回路
などをＩＣプロセスにより集積した小形、高性能センサ
へと移りつつある。ＩＣプロセスにおいては、膜形成。
数％以下の高い圧力検出精度を得るためには、ダイヤフ
ラムの厚さは数十−にしなければならない、圧力センサ
の最近の動向としては、ダイヤフラムを形成する半導体
基板に、主要素のゲージのほかに、増幅回路、補償回路
などをＩＣプロセスにより集積した小形、高性能センサ
へと移りつつある。ＩＣプロセスにおいては、膜形成。
膜剥離、エツチングあるいはイオン注入等の工程で、高
熱あるいは機械的ひずみを多く受けるため、ダイヤフラ
ム形成のための凹加工は、それらの工程を終えたのち、
半導体基体の反対側から行うのが一般的である。
熱あるいは機械的ひずみを多く受けるため、ダイヤフラ
ム形成のための凹加工は、それらの工程を終えたのち、
半導体基体の反対側から行うのが一般的である。
第２図１ｍ１〜＋６１は、従来の圧力センサ製造工程を
示し、−面側にドーパントの濃度、抵抗値の異なるエッ
チストップ層１１を有するシリコン板ｌの上に埋込層２
を介してエピタキシ中ル層３を積層し、この層に異なる
導電形のゲージ抵抗４および増幅回路、補償回路素子５
１．５２を集積し、表面を配線保護膜６で覆う （第２
図＋ａｌ）、次いで、反対面に酸化膜、窒化膜、金、ピ
ッチあるいはレジスト等の単体あるいは複合層からなる
マスク７１．ゲージ面側に同様の材料あるいはワックス
によりはりつけられたガラス等よりなるゲージ面保護用
のマスり７２を形成する （第１図（ｂｌ）、そしてぶ
つ酸１硝酸または強アルカリ等を用いたウェットエツチ
ング法で層１１までのストップエツチングを行い、凹部
８を形成する （第１図（Ｃ１）、このあと、マスク７
１．７２を除去し、シリコン板ｌの面にＡｕ、 Ｃｒ、
ＴＩ等よりなるメタライズ層９を被着し （第１図（
ｄ））、同様にメタライズ層９を被着した台座１０の上
にはんだ１２を用いて接合する （第１図１ｅｌ）、凹
部８形成のためのストップエツチングには、シリコンを
陽極とし、ぶつ酸溶液を用いて陽極酸化により電解エツ
チングを行う方法もある０通常、このような凹部８は１
枚のＳＩウェハに複数形成し、分割して個々のセンサチ
ップを得る。
示し、−面側にドーパントの濃度、抵抗値の異なるエッ
チストップ層１１を有するシリコン板ｌの上に埋込層２
を介してエピタキシ中ル層３を積層し、この層に異なる
導電形のゲージ抵抗４および増幅回路、補償回路素子５
１．５２を集積し、表面を配線保護膜６で覆う （第２
図＋ａｌ）、次いで、反対面に酸化膜、窒化膜、金、ピ
ッチあるいはレジスト等の単体あるいは複合層からなる
マスク７１．ゲージ面側に同様の材料あるいはワックス
によりはりつけられたガラス等よりなるゲージ面保護用
のマスり７２を形成する （第１図（ｂｌ）、そしてぶ
つ酸１硝酸または強アルカリ等を用いたウェットエツチ
ング法で層１１までのストップエツチングを行い、凹部
８を形成する （第１図（Ｃ１）、このあと、マスク７
１．７２を除去し、シリコン板ｌの面にＡｕ、 Ｃｒ、
ＴＩ等よりなるメタライズ層９を被着し （第１図（
ｄ））、同様にメタライズ層９を被着した台座１０の上
にはんだ１２を用いて接合する （第１図１ｅｌ）、凹
部８形成のためのストップエツチングには、シリコンを
陽極とし、ぶつ酸溶液を用いて陽極酸化により電解エツ
チングを行う方法もある０通常、このような凹部８は１
枚のＳＩウェハに複数形成し、分割して個々のセンサチ
ップを得る。
第２図に示したようにダイヤフラムを形成するための凹
部８を加工することは、通常のウェーハプロセスにおけ
るマスクバターニング等のエツチングと異なり、Ｓｌウ
ェーハ厚さに対し９０％近い数百μの深いエツチングで
あるため、バターニングマスク７１の材料の選定および
形成の方法が複雑であるばかりでなく、すでに形成され
たゲージ４の表面の保護にもそれ以上配慮しなければな
らない。
部８を加工することは、通常のウェーハプロセスにおけ
るマスクバターニング等のエツチングと異なり、Ｓｌウ
ェーハ厚さに対し９０％近い数百μの深いエツチングで
あるため、バターニングマスク７１の材料の選定および
形成の方法が複雑であるばかりでなく、すでに形成され
たゲージ４の表面の保護にもそれ以上配慮しなければな
らない。
そのほか、エツチング停止層１１の形成も事前に必要で
あり、工程の管理が容５でない、ストップエツチングに
陽極酸化による電解エツチング法を適用する場合には、
より工程が複雑になる。
あり、工程の管理が容５でない、ストップエツチングに
陽極酸化による電解エツチング法を適用する場合には、
より工程が複雑になる。
さらに、ウェットエツチング法、電解エツチング法の基
本的な問題として、形成する凹部が深くなるに従い、凹
部内の発生気体の影響を受けやすいことと、凹部不均一
という問題も発生するため、凹部開口寸法の限界値が大
きく、台座との接合面が小さくなるという問題もある。
本的な問題として、形成する凹部が深くなるに従い、凹
部内の発生気体の影響を受けやすいことと、凹部不均一
という問題も発生するため、凹部開口寸法の限界値が大
きく、台座との接合面が小さくなるという問題もある。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、半導体基体の一
面から任意の開口寸法をもつ均一な深さの四部を確実に
形成してゲージ抵抗を備えた所期の厚さのダイヤフラム
部を残す圧力センサの製造方法を提供することにある。
面から任意の開口寸法をもつ均一な深さの四部を確実に
形成してゲージ抵抗を備えた所期の厚さのダイヤフラム
部を残す圧力センサの製造方法を提供することにある。
上述の目的を達成するために、本発明は、半導体基板の
一面から不純物を導入して、ゲージ抵抗および付属集積
回路を形成したのち、基板の他面側から研削および研摩
して所定の厚さにし、次いでその面からのプラズマエツ
チングにより凹加工をし、ゲージ抵抗を備えたダイヤフ
ラム部を形成するものとする。
一面から不純物を導入して、ゲージ抵抗および付属集積
回路を形成したのち、基板の他面側から研削および研摩
して所定の厚さにし、次いでその面からのプラズマエツ
チングにより凹加工をし、ゲージ抵抗を備えたダイヤフ
ラム部を形成するものとする。
ゲージ抵抗、付属集積回路形成のためのウェーハプロセ
ス終了後半導体基体を研削して所定の厚さに薄くするこ
とにより、−船釣なプラズマエツチング装置を用いても
、圧力が数百ｍ Ｔｏｒｒのプラズマエッチモード下で
、高周波電力、ガス種、ガス混合比、圧力、温度、電極
間隔等のパラメータおよびマスク形状の最適化を行うこ
とにより、等方性エツチングで形状の均一かつ再現性よ
く凹部を精度よく形成することができる。また、ＩＣ作
成のウェーハプロセスでは、不純物ゲッタリングを目的
として基板裏面にダメージエツチングが行われているた
め、その面に欠陥、が多く、凹加工時に異常エツチング
の発生のおそれがあり、また面粗度が大きいため凹部底
面の荒れが発生する。しかし、基板を薄くするための研
削により欠陥層が除去され、それにつづく研摩により面
粗度が改善されるため、プラズマエツチングによる凹底
面内の均一性が良くなる１以上の作用により、従来適用
されなかったプラズマエツチングによって圧力センサの
ダイヤフラム形成のための凹加工が可能となり、開口寸
法を小さくできるため、台座との接合面積を大きくとる
ことができる。
ス終了後半導体基体を研削して所定の厚さに薄くするこ
とにより、−船釣なプラズマエツチング装置を用いても
、圧力が数百ｍ Ｔｏｒｒのプラズマエッチモード下で
、高周波電力、ガス種、ガス混合比、圧力、温度、電極
間隔等のパラメータおよびマスク形状の最適化を行うこ
とにより、等方性エツチングで形状の均一かつ再現性よ
く凹部を精度よく形成することができる。また、ＩＣ作
成のウェーハプロセスでは、不純物ゲッタリングを目的
として基板裏面にダメージエツチングが行われているた
め、その面に欠陥、が多く、凹加工時に異常エツチング
の発生のおそれがあり、また面粗度が大きいため凹部底
面の荒れが発生する。しかし、基板を薄くするための研
削により欠陥層が除去され、それにつづく研摩により面
粗度が改善されるため、プラズマエツチングによる凹底
面内の均一性が良くなる１以上の作用により、従来適用
されなかったプラズマエツチングによって圧力センサの
ダイヤフラム形成のための凹加工が可能となり、開口寸
法を小さくできるため、台座との接合面積を大きくとる
ことができる。
第１図（ａｌ〜＋６１は本発明の一実施例の製造工程を
示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付されてい
る。先ず、均一な不純物濃度のシリコン板ｌの上に埋込
層２を介してエピタキシャル層３を積層し、この層に異
なる導電形のゲージ抵抗４および増幅回路、補償回路素
子５１．５２を集積し、表面を配線保護膜６で覆う （
第１図（ａｌ） 、 Ｓｉ板１の裏面は不純物ゲッタリ
ングなどのために粗面工３が形成されている。このＳ１
１の裏面側の層１４を平面研削などにより研削する （
第１図（ｂｌ）、研削後の厚さは、研削時の破損と後工
程の破損を防ぐために２００μ以上にする。研削面１５
は、研削により生ずる表面の歪層の除去と、台座との接
合とのため面粗度の確保と、プラズマエツチングによる
凹底面の均一性を得るため、５〜１５．ｎ程度の研摩に
より１０ｎ＠ｒｓ＋ｓ以下の面粗度に仕上げる０次に、
Ｍ。
示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付されてい
る。先ず、均一な不純物濃度のシリコン板ｌの上に埋込
層２を介してエピタキシャル層３を積層し、この層に異
なる導電形のゲージ抵抗４および増幅回路、補償回路素
子５１．５２を集積し、表面を配線保護膜６で覆う （
第１図（ａｌ） 、 Ｓｉ板１の裏面は不純物ゲッタリ
ングなどのために粗面工３が形成されている。このＳ１
１の裏面側の層１４を平面研削などにより研削する （
第１図（ｂｌ）、研削後の厚さは、研削時の破損と後工
程の破損を防ぐために２００μ以上にする。研削面１５
は、研削により生ずる表面の歪層の除去と、台座との接
合とのため面粗度の確保と、プラズマエツチングによる
凹底面の均一性を得るため、５〜１５．ｎ程度の研摩に
より１０ｎ＠ｒｓ＋ｓ以下の面粗度に仕上げる０次に、
Ｍ。
Ｃｕ、 Ａｕ等の金属あるいはＳｔＯ，等を蒸着、スパ
ッタリング、ＣＶＤ等により成膜し、フォトリソグラフ
ィ等により所望のパターンのプラズマエツチング用マス
ク７を形成する （第１図（Ｃ））。次いで、ＣＦ□Ｓ
Ｐ＆、０１等のガスを用い、高周波電力、圧力。
ッタリング、ＣＶＤ等により成膜し、フォトリソグラフ
ィ等により所望のパターンのプラズマエツチング用マス
ク７を形成する （第１図（Ｃ））。次いで、ＣＦ□Ｓ
Ｐ＆、０１等のガスを用い、高周波電力、圧力。
温度、電極間隔等のパラメータの最適条件下でプラズマ
エツチングを行い、凹部８を形成し、ダイヤフラムを所
望の厚さに仕上げる （第１図ｔｄ））。
エツチングを行い、凹部８を形成し、ダイヤフラムを所
望の厚さに仕上げる （第１図ｔｄ））。
１枚の基板から複数のセンサチップを得るために設ける
複数の凹部８の均一性を良くするためには、凹開口寸法
とマスク開口寸法の差の半分を凹深さで割った値である
エツチングファクタが０．５以上の等方性エツチングが
有効である。第３図は厚さを変えたＳｔウェーハの一面
からプラズマエツチングして５０−の厚さのダイヤフラ
ム部を残す凹加工をした場合の凹加工時間および凹深さ
のばらつきを示す。ウェーハ厚さが厚くなり、加工深さ
ｂが深くなるに従い、凹加工時間ａは非線形で増加し、
それにより凹深さのばらつきＡは非線形で増加する。凹
加工精度、すなわちダイヤフラムのウェーハ面内厚さ精
度は、ある程度価々のセンサチップのゲージ出力の増幅
率等で補償可能であるが、高機能化センサの場合、小型
化を維持するためにはある値以下に抑えなければならぬ
、第３図から、５０μのダイヤフラムをＡ５μ以下、す
なわち面内精度１０％以下で形成するには、ウェーハ厚
さが３５０β麟以下であることが必要なことがわかる。
複数の凹部８の均一性を良くするためには、凹開口寸法
とマスク開口寸法の差の半分を凹深さで割った値である
エツチングファクタが０．５以上の等方性エツチングが
有効である。第３図は厚さを変えたＳｔウェーハの一面
からプラズマエツチングして５０−の厚さのダイヤフラ
ム部を残す凹加工をした場合の凹加工時間および凹深さ
のばらつきを示す。ウェーハ厚さが厚くなり、加工深さ
ｂが深くなるに従い、凹加工時間ａは非線形で増加し、
それにより凹深さのばらつきＡは非線形で増加する。凹
加工精度、すなわちダイヤフラムのウェーハ面内厚さ精
度は、ある程度価々のセンサチップのゲージ出力の増幅
率等で補償可能であるが、高機能化センサの場合、小型
化を維持するためにはある値以下に抑えなければならぬ
、第３図から、５０μのダイヤフラムをＡ５μ以下、す
なわち面内精度１０％以下で形成するには、ウェーハ厚
さが３５０β麟以下であることが必要なことがわかる。
凹加工後は、ゲージ面にレジスト等からなる保護膜６１
を被着し、マスク７を除去したのち、Ｓｉと熱膨脹係数
の近いパイレックスガラス等からなる台座１０と接合す
る （第１図（ｅ）） この場合、Ｓｉ板ｌの接合
面はｌｏｎｓｒｍｓ以下の面粗度となっているため、台
座１０と静電接合等により直接接合することができ、メ
タライズ処理やはんだ使用の必要がない。
を被着し、マスク７を除去したのち、Ｓｉと熱膨脹係数
の近いパイレックスガラス等からなる台座１０と接合す
る （第１図（ｅ）） この場合、Ｓｉ板ｌの接合
面はｌｏｎｓｒｍｓ以下の面粗度となっているため、台
座１０と静電接合等により直接接合することができ、メ
タライズ処理やはんだ使用の必要がない。
（発明の効果〕
本発明によれば、ゲージ抵抗形成および付属回路集積の
ためのウェーハプロセスは反りを防ぐため厚い状態で行
った半導体基体を、研削、研摩を行って薄くすることに
より、従来のウェット方式に比して非常に簡素なプラズ
マエツチングによる凹加工を適用することができ、工数
低減１歩留向上の効果が従来と同等の加工精度で得られ
た。また、開口寸法を小さくすることができることによ
るセンサチップの台座との接合面積の拡大により、より
一層の歩留まり向上と高信軒性化を図ることが可能にな
った。さらに、センサチップに台座と直接接合可能な接
合面が得られることにより、直接接合適用による信鯨性
の向上も工程の大きな増加なく期待できる。
ためのウェーハプロセスは反りを防ぐため厚い状態で行
った半導体基体を、研削、研摩を行って薄くすることに
より、従来のウェット方式に比して非常に簡素なプラズ
マエツチングによる凹加工を適用することができ、工数
低減１歩留向上の効果が従来と同等の加工精度で得られ
た。また、開口寸法を小さくすることができることによ
るセンサチップの台座との接合面積の拡大により、より
一層の歩留まり向上と高信軒性化を図ることが可能にな
った。さらに、センサチップに台座と直接接合可能な接
合面が得られることにより、直接接合適用による信鯨性
の向上も工程の大きな増加なく期待できる。
第１図は本発明の一実施例の圧力センサ製造工程を（８
）〜Ｔｅｌの順に示す断面図、第２図は従来の圧力セン
サ製造工程を（ａｌ〜ｔａｌの順に示す断面図、第３図
は被加工シリコンウェーへの厚さとプラズマエツチング
時の凹加工時間および凹深さばらつきとの関係線図であ
る。 １：シリコン板、３：エピタキシャル層、４：ゲージ抵
抗、５１．５２７集積回路素子、７：プラズマエツチン
グ用マスク、８：凹部、１ｏ：台座。 ＼−′二二、〆 術１ 図 属２閃
）〜Ｔｅｌの順に示す断面図、第２図は従来の圧力セン
サ製造工程を（ａｌ〜ｔａｌの順に示す断面図、第３図
は被加工シリコンウェーへの厚さとプラズマエツチング
時の凹加工時間および凹深さばらつきとの関係線図であ
る。 １：シリコン板、３：エピタキシャル層、４：ゲージ抵
抗、５１．５２７集積回路素子、７：プラズマエツチン
グ用マスク、８：凹部、１ｏ：台座。 ＼−′二二、〆 術１ 図 属２閃
Claims (1)
- １）半導体基板の一面から不純物を導入して、ゲージ抵
抗および付属集積回路を形成したのち、基板の他面側か
ら研削および研摩して所定の厚さにし、次いでその面か
らのプラズマエッチングにより凹加工をし、ゲージ抵抗
を備えたダイヤフラム部を形成することを特徴とする圧
力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043057A JP2676962B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043057A JP2676962B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03245576A true JPH03245576A (ja) | 1991-11-01 |
| JP2676962B2 JP2676962B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=12653248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2043057A Expired - Fee Related JP2676962B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676962B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06140640A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| EP1167280A3 (en) * | 2000-06-23 | 2002-03-27 | Randox Laboratories Ltd. | Production of diaphragms |
| JP2008051825A (ja) * | 2007-11-05 | 2008-03-06 | Texas Instr Japan Ltd | 圧力センサー |
| CN100456007C (zh) * | 2005-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社电装 | 压力传感器 |
| JP2015064293A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110589756B (zh) * | 2019-08-02 | 2020-11-10 | 南方科技大学 | 曲面纳米结构的制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108526A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体板の加工方法 |
| JPS63122278A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPS63271976A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Sony Corp | 圧力センサの製法 |
| JPH01125872A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-05-18 | Hitachi Ltd | 圧力感知素子を有する半導体装置の製造法 |
| JPH01150832A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2043057A patent/JP2676962B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108526A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体板の加工方法 |
| JPS63122278A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPS63271976A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Sony Corp | 圧力センサの製法 |
| JPH01150832A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH01125872A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-05-18 | Hitachi Ltd | 圧力感知素子を有する半導体装置の製造法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06140640A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| EP1167280A3 (en) * | 2000-06-23 | 2002-03-27 | Randox Laboratories Ltd. | Production of diaphragms |
| US6551851B2 (en) | 2000-06-23 | 2003-04-22 | Randox Laboratories Limited | Production of diaphragms over a cavity by grinding to reduce wafer thickness |
| CN100456007C (zh) * | 2005-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社电装 | 压力传感器 |
| JP2008051825A (ja) * | 2007-11-05 | 2008-03-06 | Texas Instr Japan Ltd | 圧力センサー |
| JP2015064293A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2676962B2 (ja) | 1997-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2729005B2 (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| US5071785A (en) | Method for preparing a substrate for forming semiconductor devices by bonding warped wafers | |
| JP2005005380A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0475259A2 (en) | Semiconductor element manufacturing process | |
| JP2676962B2 (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| JPH0462877A (ja) | 半導体圧力センサおよびそれを有する半導体装置の製造方法 | |
| US5310610A (en) | Silicon micro sensor and manufacturing method therefor | |
| CN111477737A (zh) | 一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器及制备工艺 | |
| TW200409229A (en) | Apparatus and method for fabricating semiconductor devices | |
| JP2005501420A (ja) | 透過性基板上のカラー画像センサ及びその製造方法 | |
| JP2000040677A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0945882A (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
| JP4532787B2 (ja) | コンデンサ型マイクロホンおよび圧力センサ | |
| JP2721265B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH0685287A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH02298077A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH03224249A (ja) | 接合ウエーハの製造方法 | |
| JPH0563211A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0476959A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH0521597A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3173905B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3159060B2 (ja) | 半導体チップの接合構造及びその接合方法 | |
| KR100327326B1 (ko) | 에스오아이웨이퍼의제조방법 | |
| JPH11163309A (ja) | 薄膜半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0461172A (ja) | 半導体圧力センサウエハの裏面処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 11 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |