JPH01236273A - 有機電導性組成物 - Google Patents
有機電導性組成物Info
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- JPH01236273A JPH01236273A JP63064399A JP6439988A JPH01236273A JP H01236273 A JPH01236273 A JP H01236273A JP 63064399 A JP63064399 A JP 63064399A JP 6439988 A JP6439988 A JP 6439988A JP H01236273 A JPH01236273 A JP H01236273A
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- Japan
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- film
- polymer compound
- complex salt
- conductive composition
- surfactant
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機電導性組成物に関するものであり、詳し
くは、高分子化合物、７，７，８．８−テトラシアノキ
ノジメタン（以下ＴＣＮＱと略す）錯塩及び有機溶剤か
らなる系に、界面活性剤を添加することを特徴とする成
膜性、成形性の優れた電導性組成物に関する。
くは、高分子化合物、７，７，８．８−テトラシアノキ
ノジメタン（以下ＴＣＮＱと略す）錯塩及び有機溶剤か
らなる系に、界面活性剤を添加することを特徴とする成
膜性、成形性の優れた電導性組成物に関する。
本組成物は、導電ペースト、電子回路、コンデンサー、
感熱素子、電磁波シールド用塗料、帯電防止フィルム、
導電紙、導電性コーティング剤等の用途に適用可能であ
る。
感熱素子、電磁波シールド用塗料、帯電防止フィルム、
導電紙、導電性コーティング剤等の用途に適用可能であ
る。
導電性組成物としては、カチオンポリマーを主組成物と
したもの、金属又はカーボンを高分子中に分散させたも
のが広く知られている。ところが前者は導電レベルが低
い、吸湿性が大きい等の欠点を有し、又後者は、フィル
ムとした場合に平滑性、透明性に問題点を有している。
したもの、金属又はカーボンを高分子中に分散させたも
のが広く知られている。ところが前者は導電レベルが低
い、吸湿性が大きい等の欠点を有し、又後者は、フィル
ムとした場合に平滑性、透明性に問題点を有している。
一方、ＴＣＮＱを用いる電導性組成物としては、■第４
級窒素カチオン性基を有する高分子とＴ Ｃ，Ｎ Ｑと
からなるもの、■高分子化合物とＴＧＮＱの有機低分子
錯塩とからなる組成物が知られている。
級窒素カチオン性基を有する高分子とＴ Ｃ，Ｎ Ｑと
からなるもの、■高分子化合物とＴＧＮＱの有機低分子
錯塩とからなる組成物が知られている。
■については、有機溶剤に対する溶解性が非常に悪く、
ジメチルホルムアミド等の極性の大きな溶剤にのみ溶解
可能な為、使用用途が非常に限られ実用的とは言い難い
。
ジメチルホルムアミド等の極性の大きな溶剤にのみ溶解
可能な為、使用用途が非常に限られ実用的とは言い難い
。
■については、特公昭４４−１６４９９号、特開昭５０
−１２３７５号、特開昭５４−１３０６５１号等に提案
されているが、５０μｍ以下とくに１０μｍ以下のよう
な極く薄い膜にした時の成膜性、成形性に於てあるいは
使用可能溶剤の制約等において十分満足できるものとは
言えない。すなわち、これらの組成物は、膜厚を厚くす
ると５応フィルムにはなるが、表面の均一性に問題が残
る。このフィルムは表面がザラザラであったり、斑模様
が生じたりして、実用性に乏しいものである。
−１２３７５号、特開昭５４−１３０６５１号等に提案
されているが、５０μｍ以下とくに１０μｍ以下のよう
な極く薄い膜にした時の成膜性、成形性に於てあるいは
使用可能溶剤の制約等において十分満足できるものとは
言えない。すなわち、これらの組成物は、膜厚を厚くす
ると５応フィルムにはなるが、表面の均一性に問題が残
る。このフィルムは表面がザラザラであったり、斑模様
が生じたりして、実用性に乏しいものである。
従来、高電導性を付与するためには、電導性の有機成分
（本発明ではＴＣＮＱの錯塩）と高分子化合物は完全に
溶解状態に近い状態で混合することは好ましくないとさ
れていた（特開昭５４−１３０６５０号）、特開昭５８
−３４８４１号では、高電導性をもったフィルムを成形
するためには、高分子化合物中にＴ ＣＮ Ｑ錯塩を３
次元網状に細い針状形又は繊維様の結晶として形成させ
るべきだと提案している。
（本発明ではＴＣＮＱの錯塩）と高分子化合物は完全に
溶解状態に近い状態で混合することは好ましくないとさ
れていた（特開昭５４−１３０６５０号）、特開昭５８
−３４８４１号では、高電導性をもったフィルムを成形
するためには、高分子化合物中にＴ ＣＮ Ｑ錯塩を３
次元網状に細い針状形又は繊維様の結晶として形成させ
るべきだと提案している。
即ち従来は、高分子化合物中にＴＣＮＱ錯塩の結晶が生
長し、それらが重なり合うほど、電導性が向上すると考
えられていた。しかし、このようなものはフィルムにし
た場合、高分子化合物とＴＣＮＱ錯塩の相溶性が悪く、
表面の透明性、平滑性が十分でなく、特に膜厚５０μｍ
以下の薄膜にした場合フィルムの形成していない部分が
生じるなど成膜性に問題があり、又、微細加工を要する
用途には適用しうるとは言い難い。さらにフィルム中に
ＴＣＮＱ錯塩の結晶が存在している状態では、その結晶
の大きさより膜厚を薄くすることは不可能であるのみな
らず、高分子化合物の屈折率とＴＣＮＱ錯塩結晶の屈折
率が異るから当然透明性が不充分にならざるを得ない。
長し、それらが重なり合うほど、電導性が向上すると考
えられていた。しかし、このようなものはフィルムにし
た場合、高分子化合物とＴＣＮＱ錯塩の相溶性が悪く、
表面の透明性、平滑性が十分でなく、特に膜厚５０μｍ
以下の薄膜にした場合フィルムの形成していない部分が
生じるなど成膜性に問題があり、又、微細加工を要する
用途には適用しうるとは言い難い。さらにフィルム中に
ＴＣＮＱ錯塩の結晶が存在している状態では、その結晶
の大きさより膜厚を薄くすることは不可能であるのみな
らず、高分子化合物の屈折率とＴＣＮＱ錯塩結晶の屈折
率が異るから当然透明性が不充分にならざるを得ない。
本発明は、高分子化合物とＴＣＮＱ錯塩との相溶性を改
善し、成膜性、成形性に優れ、得られたフィルムは透明
性、柔軟性に富み、しかも高電導性を示す有機電導体組
成物を提供することを目的とするものである。
善し、成膜性、成形性に優れ、得られたフィルムは透明
性、柔軟性に富み、しかも高電導性を示す有機電導体組
成物を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明の有機電導体組成物
においては、高分子化合物、ＴＣＮＱ錯塩及び有機溶剤
からなる系に更に界面活性剤を存在せしめた。これによ
りＴＣＮＱ錯塩は高分子化合物中に極微小の結晶が事実
上溶解した状態で分散することができ、表面の平滑な電
導性極薄膜や微細加工を要する電導体の形成が可能な有
機電導体組成物とすることができた。
においては、高分子化合物、ＴＣＮＱ錯塩及び有機溶剤
からなる系に更に界面活性剤を存在せしめた。これによ
りＴＣＮＱ錯塩は高分子化合物中に極微小の結晶が事実
上溶解した状態で分散することができ、表面の平滑な電
導性極薄膜や微細加工を要する電導体の形成が可能な有
機電導体組成物とすることができた。
本発明はこのような知見に基づいて達成されたものであ
る。
る。
すなわち、本発明による有機電導体組成物は、（ａ）高
分子化合物、（ｂ） ７ 、７ 、８ 、８−テトラシ
アノキノジメタン錯塩、（ｃ）界面活性剤又はシリコー
ン油及び（ｄ）前記（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）の
三者を溶解することのできる有機溶剤からなることを特
徴とするものである。
分子化合物、（ｂ） ７ 、７ 、８ 、８−テトラシ
アノキノジメタン錯塩、（ｃ）界面活性剤又はシリコー
ン油及び（ｄ）前記（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）の
三者を溶解することのできる有機溶剤からなることを特
徴とするものである。
以下、具体的に説明する。
高分子化合物としては特に制限はないが、ポリメタクリ
ル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリロ
ニトリル、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、ポリ
塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、
ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンオキサイド、ポリ
エステル、ポリカーボネート、ポリビニルカルバゾール
、ポリビニルピロリドン、ポリスルホン、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリイミド系樹脂、ポリパラバン酸、
ポリウレタン、フェノール樹脂、ケイ素樹脂等が単独又
は混合物として用いられる。また前記ビニル系高分子化
合物の共重合体を用いることも可能である。とくに好ま
しい高分子化合物としてはフィルム形成性、塗膜形成性
の高分子化合物である。
ル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリロ
ニトリル、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、ポリ
塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、
ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンオキサイド、ポリ
エステル、ポリカーボネート、ポリビニルカルバゾール
、ポリビニルピロリドン、ポリスルホン、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリイミド系樹脂、ポリパラバン酸、
ポリウレタン、フェノール樹脂、ケイ素樹脂等が単独又
は混合物として用いられる。また前記ビニル系高分子化
合物の共重合体を用いることも可能である。とくに好ま
しい高分子化合物としてはフィルム形成性、塗膜形成性
の高分子化合物である。
高分子化合物の有機溶剤に対する割合は、高分子化合物
と有機溶剤の種類の組合せ、あるいは用途場面により異
なるが、一般には有機溶剤１００重量部に対して高分子
化合物は０．１〜９０重量部、好ましくは０．５〜７０
重量部の範囲で用いられる。
と有機溶剤の種類の組合せ、あるいは用途場面により異
なるが、一般には有機溶剤１００重量部に対して高分子
化合物は０．１〜９０重量部、好ましくは０．５〜７０
重量部の範囲で用いられる。
ＴＣＮＱ錯塩に関しては、Ｊ、 Ａｍ、 、Ｃｈｅｍ、
Ｓｏｃ。
Ｓｏｃ。
旦３３７４ （１９６２）に詳しく報告されているが、
本発明ではＤｏ・ＴＣＮＱ−・ＴＣＮＱ’と表わすコン
プレックス塩を用いることが好ましい。
本発明ではＤｏ・ＴＣＮＱ−・ＴＣＮＱ’と表わすコン
プレックス塩を用いることが好ましい。
Ｄ＋については下式に示す有機カチオンを用いることが
できる。
できる。
（以下余白）
舒
Ｐｈｅ −Ｐ”−Ｐｈｅ
込ｈｅ
（Ｒ１，Ｒ，、Ｒ，はＨ又はＣ数が１〜１２のアルキル
基、Ｒ２はＨ又はＣ数が１〜３０のアルキル基、ベンジ
ル基、フェニルエチル基を示す） また、第４級窒素カチオン性基を有するオリゴマーのＴ
ＣＮＱ塩を用いることもできる。
基、Ｒ２はＨ又はＣ数が１〜３０のアルキル基、ベンジ
ル基、フェニルエチル基を示す） また、第４級窒素カチオン性基を有するオリゴマーのＴ
ＣＮＱ塩を用いることもできる。
ＴＣＮＱ錯塩は高分子化合物１００重量部に対して１〜
９０重量部、好ましくは５〜５０重量部用いられる。
９０重量部、好ましくは５〜５０重量部用いられる。
界面活性剤等の（ｃ）成分としては、陰イオン界面活性
剤、陽イオン界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン界
面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン等が用いら
れるが、特に非イオン界面活性剤、ノニオンタイプのフ
ッ素系界面活性剤及びメチルシリコーン、ジメチルシリ
コーン、メチルフェニルシリコーンのようなシリコーン
が好ましい。
剤、陽イオン界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン界
面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン等が用いら
れるが、特に非イオン界面活性剤、ノニオンタイプのフ
ッ素系界面活性剤及びメチルシリコーン、ジメチルシリ
コーン、メチルフェニルシリコーンのようなシリコーン
が好ましい。
界面活性剤等の（Ｃ）成分の添加量は、高分子化合物１
００重量部に対して０．００１〜２０重量部、好ましく
はフッ素系界面活性剤に於てｏ、ｏｏｓ〜５重量部、他
の界面活性剤では０．０５〜１０重量部用いられる。
００重量部に対して０．００１〜２０重量部、好ましく
はフッ素系界面活性剤に於てｏ、ｏｏｓ〜５重量部、他
の界面活性剤では０．０５〜１０重量部用いられる。
有機溶剤としては、ジメチルホルムアミド等のアミド類
、アセトニトリル等のニトリル類及びメタノール、エタ
ノール、ブタノール等のアルコール類、シクロヘキサノ
ン、メチルエチルケトン等のケトン類、メトキシエチル
アセテート、メトキシエタノール等のセロソルブ類、酢
酸ブチル、酢酸アミル等のエステル類、エチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素類、ジグロルメタン、トリクレ
ン等のハロゲン化炭化水素類が用いられる。
、アセトニトリル等のニトリル類及びメタノール、エタ
ノール、ブタノール等のアルコール類、シクロヘキサノ
ン、メチルエチルケトン等のケトン類、メトキシエチル
アセテート、メトキシエタノール等のセロソルブ類、酢
酸ブチル、酢酸アミル等のエステル類、エチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素類、ジグロルメタン、トリクレ
ン等のハロゲン化炭化水素類が用いられる。
これらの有機溶剤は単独もしくは混合して用いられる。
組成物は、有機溶剤に高分子化合物、ＴＣＮＱ錯塩、界
面活性剤を添加し、室温下で、又は加熱撹拌して完全に
溶解して調製する。室温で固形分が析出する場合はる別
して用いる。
面活性剤を添加し、室温下で、又は加熱撹拌して完全に
溶解して調製する。室温で固形分が析出する場合はる別
して用いる。
本発明の方法による組成物を用いて電導体を作製した場
合、ＴＣＮＱ錯塩の高分子化合物中での結晶成長が抑え
られ、事実上溶解した状態であるにもかかわらず、高電
導性を発現する。
合、ＴＣＮＱ錯塩の高分子化合物中での結晶成長が抑え
られ、事実上溶解した状態であるにもかかわらず、高電
導性を発現する。
したがって、本発明の組成物を用いると成膜性、成形性
に優れた高電導体が得られるので平滑、透明な膜厚５０
μｍ以下特に１０μｍ以下の極薄膜の作製及び微細加工
を要する電導体の作製には特に好都合である。
に優れた高電導体が得られるので平滑、透明な膜厚５０
μｍ以下特に１０μｍ以下の極薄膜の作製及び微細加工
を要する電導体の作製には特に好都合である。
実施例Ｉ
Ｎ−ブチルイソキノリニウム・ＴＣＮＱコンプレックス
塩１．０ｇ、ポリアクリロニトリル５．０ｇ、ジメチル
ホルムアミド４５ｇ及びポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテル（花王社製エマルゲン９０３） ０．２５
ｇを混合し、室温で撹拌溶解した。得られた緑色のワニ
スをガラス板上に流延し、１００℃で乾燥させた。膜厚
５μｍの表面の平滑な表面抵抗値３．ＯＸ １０３Ω／
口のフィルムが得られた。なお、フィルムを顕微鏡でｉ
祭したところ結晶の生成は認められなかった（結晶の大
きさ５μｍ以下）。
塩１．０ｇ、ポリアクリロニトリル５．０ｇ、ジメチル
ホルムアミド４５ｇ及びポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテル（花王社製エマルゲン９０３） ０．２５
ｇを混合し、室温で撹拌溶解した。得られた緑色のワニ
スをガラス板上に流延し、１００℃で乾燥させた。膜厚
５μｍの表面の平滑な表面抵抗値３．ＯＸ １０３Ω／
口のフィルムが得られた。なお、フィルムを顕微鏡でｉ
祭したところ結晶の生成は認められなかった（結晶の大
きさ５μｍ以下）。
実施例２
Ｎ−デシルキノリニウム・ＴＣＮＱコンプレックス塩０
．６ ｇ、メチルメタクリレートとｎ−ブチルアクリレ
ートの（１：１）共重合体２．０ｇ、エタノール４０ｇ
、アセトニトリル２０ｇ、シクロへキサノン３０ｇ及び
フッ素系界面活性剤ＦＣ−４３１（３Ｍ社製）０．０５
ｇを室温下撹拌溶解した。−部不溶の固体をろ別後、ろ
液をガラス板上に流延し、１００°Ｃで乾燥させた。膜
厚１μｍの表面の平滑な表面抵抗値１．５ Ｘ １０’
Ω／口の透明フィルムが得られた。なお、フィルムを顕
微鏡で観察したところ結晶の生成は認められなかった（
結晶の大きさ５μｍ以下）。
．６ ｇ、メチルメタクリレートとｎ−ブチルアクリレ
ートの（１：１）共重合体２．０ｇ、エタノール４０ｇ
、アセトニトリル２０ｇ、シクロへキサノン３０ｇ及び
フッ素系界面活性剤ＦＣ−４３１（３Ｍ社製）０．０５
ｇを室温下撹拌溶解した。−部不溶の固体をろ別後、ろ
液をガラス板上に流延し、１００°Ｃで乾燥させた。膜
厚１μｍの表面の平滑な表面抵抗値１．５ Ｘ １０’
Ω／口の透明フィルムが得られた。なお、フィルムを顕
微鏡で観察したところ結晶の生成は認められなかった（
結晶の大きさ５μｍ以下）。
実施例３
Ｎ−ヘキシルイソキノリニウム・ＴＣＮＱコンプレック
ス塩１ｇ、ポリメチルメタクリレート５．Ｏｇ、ｎ−ブ
タノールｓｏｇ、アセトニトリル２０ｇ、メチルエチル
ケトン３０ｇ及びシリコーンオイル（信越シリコン社製
ＫＰ３４１） ０．３４ｇを室温下撹拌溶解した。得ら
れた緑色のワニスをガラス板上に流延し、１００℃で乾
燥させた。
ス塩１ｇ、ポリメチルメタクリレート５．Ｏｇ、ｎ−ブ
タノールｓｏｇ、アセトニトリル２０ｇ、メチルエチル
ケトン３０ｇ及びシリコーンオイル（信越シリコン社製
ＫＰ３４１） ０．３４ｇを室温下撹拌溶解した。得ら
れた緑色のワニスをガラス板上に流延し、１００℃で乾
燥させた。
膜厚３μｍの表面の平滑な表面抵抗値６，０ＸＩＯ’Ω
／口の透明フィルムが得られた。なお、フィルムを顕微
鏡で観察したところ結晶の生成は認められなかった（結
晶の大きさ５μｍ以下）。
／口の透明フィルムが得られた。なお、フィルムを顕微
鏡で観察したところ結晶の生成は認められなかった（結
晶の大きさ５μｍ以下）。
実施例４
Ｎ−ブチル−α−ピコリニウム・ＴＣＮＱコンプレック
ス塩０．４ｇ、ＡＳ樹脂（旭化成社製スタイラックＡＳ
−９６７）４．０ ｇ、シクロヘキサン８６ｇ、アセト
ニトリル１０ｇ及びソルビタンモノラウレート（花王社
製レオドールＳ Ｐ −ＬＩＯ） ０．２ｇを室温下撹
拌溶解した。得られた緑色のワニスをガラス板上に流延
し、１００℃で乾燥させた。
ス塩０．４ｇ、ＡＳ樹脂（旭化成社製スタイラックＡＳ
−９６７）４．０ ｇ、シクロヘキサン８６ｇ、アセト
ニトリル１０ｇ及びソルビタンモノラウレート（花王社
製レオドールＳ Ｐ −ＬＩＯ） ０．２ｇを室温下撹
拌溶解した。得られた緑色のワニスをガラス板上に流延
し、１００℃で乾燥させた。
膜厚１μｍの表面の平滑な表面抵抗値４．５ ｘ １０
７Ω／口の透明フィルムが得られた。なお、フィルムを
顕微鏡でｖＡ察したところ結晶の生成は認められなかっ
た（結晶の大きさ５μｍ以下）。
７Ω／口の透明フィルムが得られた。なお、フィルムを
顕微鏡でｖＡ察したところ結晶の生成は認められなかっ
た（結晶の大きさ５μｍ以下）。
実施例５
Ｎ−ベンジルピリジニウム・ＴＣＮＱコンプレックス塩
３．０ｇ、ポリカーボネートｌＯｇ、ジメチルホルムア
ミド７０ｇ、ジオキサン２７ｇ及びフッ素系界面活性剤
Ｆ Ｃ−４３１（３Ｍ社製）０．０２ｇを室温下撹拌溶
解した。得られた緑色のワニスをガラス板上に流延し、
１００℃で乾燥させた。
３．０ｇ、ポリカーボネートｌＯｇ、ジメチルホルムア
ミド７０ｇ、ジオキサン２７ｇ及びフッ素系界面活性剤
Ｆ Ｃ−４３１（３Ｍ社製）０．０２ｇを室温下撹拌溶
解した。得られた緑色のワニスをガラス板上に流延し、
１００℃で乾燥させた。
膜厚１０μｍの表面の平滑な表面抵抗値８．ＯＸ １０
’Ω／口のフィルムが得られた。なお、フィルムを顕微
鏡で観察したところ結晶の生成は認められなかった（結
晶の大きさ５μｍ以下）。
’Ω／口のフィルムが得られた。なお、フィルムを顕微
鏡で観察したところ結晶の生成は認められなかった（結
晶の大きさ５μｍ以下）。
実施例６
Ｎ−ドデシルキノリニウム・ＴＣＮＱコンプレックス塩
０．３ ｇ、ポリビニルブチラール１．５ｇ、ブタノー
ル３０ｇ、アセトニトリル５ｇ、メチルエチルケトン４
０ｇ、エトキシエタノール２０ｇ及びポリオキシエチレ
ンラウリルエーテル（花王社製エマルゲン−１０４Ｐ）
０．０７ｇを室温下撹拌溶解した。得られた緑色のワ
ニスをガラス板上に流延し、１００℃で乾燥させた。膜
厚１μｍ以下の表面の平滑な表面抵抗値６．５ Ｘ １
０”Ω／口のフィルムが得られた。なお、フィルムを顕
微鏡で１１ＮＦＮしたところ結晶の生成は認められなか
った。
０．３ ｇ、ポリビニルブチラール１．５ｇ、ブタノー
ル３０ｇ、アセトニトリル５ｇ、メチルエチルケトン４
０ｇ、エトキシエタノール２０ｇ及びポリオキシエチレ
ンラウリルエーテル（花王社製エマルゲン−１０４Ｐ）
０．０７ｇを室温下撹拌溶解した。得られた緑色のワ
ニスをガラス板上に流延し、１００℃で乾燥させた。膜
厚１μｍ以下の表面の平滑な表面抵抗値６．５ Ｘ １
０”Ω／口のフィルムが得られた。なお、フィルムを顕
微鏡で１１ＮＦＮしたところ結晶の生成は認められなか
った。
比較例１
フッ素系界面活性剤を用いず、実施例２と同様にして調
製したワニスを用いてフィルムを形成させたところ、表
面抵抗値１．ｌＸ１０’Ω／口のフィルムが得られたが
、表面状態は細かな凹凸がみられ、顕微鏡の観県では、
２０μｍ程度の結晶の生成が認められた。またフィルム
の形成していない部分が認められた。
製したワニスを用いてフィルムを形成させたところ、表
面抵抗値１．ｌＸ１０’Ω／口のフィルムが得られたが
、表面状態は細かな凹凸がみられ、顕微鏡の観県では、
２０μｍ程度の結晶の生成が認められた。またフィルム
の形成していない部分が認められた。
比較例２
シリコンオイルを用いず、実施例３と同様にして調製し
たワニスを用いてフィルムを形成させたところ、表面抵
抗値３．４ Ｘ １０’Ω／口のフィルムが得られたが
、表面状態は細かな凹凸がみられ、顕微鏡の観察では、
５０μｍ程度の結晶の生成が認められた。またフィルム
の形成していない部分が認められた。
たワニスを用いてフィルムを形成させたところ、表面抵
抗値３．４ Ｘ １０’Ω／口のフィルムが得られたが
、表面状態は細かな凹凸がみられ、顕微鏡の観察では、
５０μｍ程度の結晶の生成が認められた。またフィルム
の形成していない部分が認められた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）高分子化合物 （ｂ）７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯塩 （ｃ）（ｉ）界面活性剤 又は （ｉｉ）シリコーン油 （ｄ）前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の三者を溶解するこ
とのできる有機溶剤 よりなることを特徴とする有機電導性組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6439988A JPH0725930B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 有機電導性組成物 |
| EP89104220A EP0340421B1 (en) | 1988-03-16 | 1989-03-09 | Conducting varnish composition |
| DE89104220T DE68910573T2 (de) | 1988-03-16 | 1989-03-09 | Elektrisch leitende Lack-Zusammensetzung. |
| US07/321,284 US5009811A (en) | 1988-03-16 | 1989-03-09 | Conducting varnish composition |
| KR1019890003280A KR920002996B1 (ko) | 1988-03-16 | 1989-03-16 | 전도성 니스 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6439988A JPH0725930B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 有機電導性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236273A true JPH01236273A (ja) | 1989-09-21 |
| JPH0725930B2 JPH0725930B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=13257201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6439988A Expired - Lifetime JPH0725930B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 有機電導性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725930B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091285A (en) * | 1989-04-28 | 1992-02-25 | Fujitsu Limited | Method of forming pattern by using an electroconductive composition |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP6439988A patent/JPH0725930B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091285A (en) * | 1989-04-28 | 1992-02-25 | Fujitsu Limited | Method of forming pattern by using an electroconductive composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0725930B2 (ja) | 1995-03-22 |
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