JPH01236633A - エッチング終点検出法 - Google Patents

エッチング終点検出法

Info

Publication number
JPH01236633A
JPH01236633A JP6445788A JP6445788A JPH01236633A JP H01236633 A JPH01236633 A JP H01236633A JP 6445788 A JP6445788 A JP 6445788A JP 6445788 A JP6445788 A JP 6445788A JP H01236633 A JPH01236633 A JP H01236633A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
weight
wafer
end point
cage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6445788A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Kadonishi
門西 裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP6445788A priority Critical patent/JPH01236633A/ja
Publication of JPH01236633A publication Critical patent/JPH01236633A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 意粟上皇五且立韮 本発明はIC等に使用されるウェハーのエツチング終点
検出法に関する。
従来■拉止 従来、例えばベース基板上に順次疎水性の層と親水性の
層とを形成したウェハーの親水性の層をウェットエツチ
ングする場合には、目視によってエツチングの終点を確
認していた。即ち、エツチング液からウェハーを引き上
げて、ウェハーの色やエツチング液のはじき具合を見て
、エツチングが終了したか否かを判定している。またエ
ツチングする層の厚さが判っている場合には、エツチン
グする時間によってエツチングの終点を決定することも
行われている。
日が”ン しよ゛と るi] しかしながら、目視によるウェハーの色やエツチング液
のはじき具合からエツチングの終点を判定するのは、人
手を要するのみならず、正確な終点の検出が困難である
。また、エツチングの時間によってエツチングの終点を
決定するのは、エツチング液の温度や濃度等によってエ
ツチングレートが変わるため、エツチングが過剰になっ
たり不足したりすることがある。
本発明は以上のことに鑑みてなされたもので、正確なエ
ツチング終点検出が、人手を必要とせず、またエツチン
グレートやエツチングされる層の厚さにばらつきがあっ
ても可能であるエツチング終点検出法を提供することを
目的としている。
普   ° るための 以上の課題を解決するために本発明の方法は、疎水性の
層とこの層の上に形成した親水性の層とを有するウェハ
ーをエツチング液中に沈めて前記親水性の層に対して行
うエツチングの終点検出法において、前記ウェハーを昇
降自在に支持し、工、ツチングの進行に応じて前記ウェ
ハーを適宜回数前記エツチング液から引き上げて前記ウ
ェハーの見かけの重量を測定し、この重量が低下して略
−定値になったこ左を検知してエツチングの終点を検出
している。
作置 ウェハーをエツチング液から引き上げた場合、エツチン
グが進行中はエツチング液は親水性の層の表面に付着し
ているが、エツチングが終了して疎水性の層の表面が露
出すると、エツチング液は疎水性の層の表面には付着し
なくなる。
実施班 以下、本発明の一実施例を第1図〜第4図を参照して説
明する。第1図はこの実施例の説明図を、第2図ははか
りの概略構成図を、第3図はウェハーの見かけの重量の
時間的変化のグラフを、それぞれ示す。第4図はウェハ
ーがエツチングされてゆく状態を示したウェハーの一部
分の断面図である。
第1図において、ウェハー10を収納したキャリヤー2
0は、ケージ30に搭載されており、このケージ30は
接続部材31を介してはかり40に取り付けられている
。また、はかり40は接続部材51を介してリフト機構
50に昇降自在に取り付けられている。
60は重量測定・判別装置であって、信号線45および
52によって、それぞれはかり40およびリフト機構5
0に結ばれている。70はエツチング液71が入ってい
るタンクである。なお、ケージ30およびキャリヤー2
0には、エツチング液71が迅速に流入・流出できるよ
うに開孔等(図示省略)が設けられている。
はかり40は、第2図に示すように、ケース42、枠状
の部材43および重量センサー41を具備している。ス
トレインゲージ等を用いた重量センサー41は、ケース
42の底部に固定されており、この重量センサー41に
は部材43の上辺431が載置固定されている。この上
辺431の両端近辺下部に突出形成された側辺432は
ケース42の開孔44を摺動自在に貫通しており、この
側辺432の先端部分は下辺433によって接続されて
いる。下辺433には接続部材31が固定されている。
重量センサー41には信号線45が取り付けである。
リフト機構50は、ケージ30が接続されたばかり40
を昇降して、ケージ30をタンク70のエツチング液7
1の中に沈め或いは引き上げるものであって、例えば電
動ウィンチ等が用いられる。はかり40はケース42の
上部に固定された接続部材51を介してリフト機構50
に接続されている。
エツチングされるウェハー10は、例えば第4図(a)
に断面を示したようなものであって、ベース基板11の
上に、順次、アルミニューム等の複数の膜で形成した配
線膜12、疎水性であるSi層13および親水性である
SiO□層14層形4されている。SiO□層14層形
4は、エツチングしたい部分を残してレジスト15が形
成されている。
次にエツチングの終点を検出する方法について述べる。
リフト機構50を操作して、ケージ30をエツチング液
71の中に沈めると、エツチング液71がケージ30を
へてキャリヤー20の中に流入し、ウェハー10と接触
してエツチングが開始される。重量測定・判別装置60
は、エツチング開始後所定の時間が経過した時リフト機
構50に信号線52をへて指令を発し、ケージ30をエ
ツチング液から引き上げるとともに重量センサー41か
ら信号線45を経由して信号を受け、はかり40にかか
っている重量を測定する。
キャリヤー20とケージ30のみをエツチング液71に
沈めてから引き上げ、この状態での重量を予め測定して
おくことにより、はかりにかかっている前記重量から、
エツチング液71が付着した状態のつエバー10の重量
(見かけの重量)を測定・記録することができる。
この後、重量測定・判別装置60はリフト機構50に指
令を発してケージ30をエツチング液71中に沈める。
そして、所定の時間が経過後、再びリフト機構50に指
令を発してケージ30を引き上げて、ウェハー10の見
かけの重量を測定・記録した後、ケージ30をエツチン
グ液71に沈める。以後このような動作を繰り返し行う
第4図(′b)はエツチングの進行途中の状態を示して
いる。この状態でウェハーIOを引き上げると、エツチ
ング液71は親水性の5iOz層14の表面に付着して
いる。この場合、測定・記録されたウェハー10の見か
けの重量は第3図の部分Aに点aとして表されている。
この重量はエツチングが終了し始めるまで略一定の値(
重ff1W+ )を示す。
エツチングの終期になると、エツチングが終了してない
部分と終了した部分、即ち疎水性のSi層13の表面が
露出してない部分と露出した部分がが混在する。5iJ
113が露出してない部分の表面には依然としてエツチ
ング液71が付着しているが、露出した表面にはエツチ
ング液71が付着しないので、付着しなかったエツチン
グ液71の重量骨だけウェハー10の見かけの重量は減
少していることになる。従ってエツチングが終了した部
分が増加するにつれて、測定された見かけの重量は第3
図の部分Bの点すで示したように、低下してゆく。
ウェハー10のエツチングが全て終了すると、測定され
た見かけの重量は第3図の部分Cの点Cに示すように、
重量W1より低い略一定の値(重量WZ)となり、測定
を繰り返してもこの値は変わらなくなる。
従って、重量測定・判別装置60は、測定した見かけの
重量が、重量W、より低下し略一定の重量W2になった
ことを検知して、エツチングの終点を検出することがで
きる。なお、エツチングの終点を検出して警報を発する
ようにしておくことにより、従来必要としたエツチング
終点を確認するための人手を省略することができる。
光所皇処果 以上説明したように本発明によれば、疎水性の層とこの
層の上に形成した親水性の層とを有するウェハーを、エ
ツチングの進行に応じて適宜回数エツチング液から引き
上げて、その都度ウェハーの見かけの重量を測定し、こ
の重量が低下して略一定値になったことを検知してエツ
チングの終点を検出している。
従って、人手を必要とせず、またエツチングレートやエ
ツチングされる層の厚さにばらつきがあっても、正確な
エツチングの終点が自動的に検出できる利点が有る。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第4図は本発明の一実施例を示す。第1図はこ
の実施例の説明図を、第2図ははかりの概略構成図を、
第3図はウェハーの見かけの重量の時間的変化のグラフ
をそれぞれ示す。第4図はウェハーがエツチングされて
ゆく状態を示したウェハーの一部分の断面図である。 10・・・ウニA−113・・・5i15.14・・・
SiO□層14.40・・・はかり、71・・・エツチ
ング液。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)疎水性の層とこの層の上に形成した親水性の層と
    を有するウェハーをエッチング液中に沈めて前記親水性
    の層に対して行うエッチングの終点検出法において、前
    記ウェハーを昇降自在に支持し、エッチングの進行に応
    じて前記ウェハーを適宜回数前記エッチング液から引き
    上げて前記ウェハーの見かけの重量を測定し、この重量
    が低下して略一定値になったことを検知してエッチング
    の終点を検出することを特徴とするエッチング終点検出
    法。
JP6445788A 1988-03-16 1988-03-16 エッチング終点検出法 Pending JPH01236633A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6445788A JPH01236633A (ja) 1988-03-16 1988-03-16 エッチング終点検出法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6445788A JPH01236633A (ja) 1988-03-16 1988-03-16 エッチング終点検出法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01236633A true JPH01236633A (ja) 1989-09-21

Family

ID=13258788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6445788A Pending JPH01236633A (ja) 1988-03-16 1988-03-16 エッチング終点検出法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01236633A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788871A (en) * 1995-12-26 1998-08-04 Lg Semicon Co., Ltd. Etch-ending point measuring method for wet-etch process
EP1249864A1 (de) * 2001-04-09 2002-10-16 ABB Schweiz AG Verfahren und Gerät zum Reduzieren der Dicke von dünnen Scheiben
WO2003083932A1 (en) * 2001-10-17 2003-10-09 Applied Materials, Inc. A method for measuring etch rtes during a release process
EP1729332A4 (en) * 2004-03-22 2010-09-15 Mimasu Semiconductor Ind Co DRAIN PLANNING CONTROL PROCEDURE FOR SPIN EQUIPMENT AND SPIN EATING SYSTEM
KR20220068923A (ko) 2020-11-19 2022-05-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788871A (en) * 1995-12-26 1998-08-04 Lg Semicon Co., Ltd. Etch-ending point measuring method for wet-etch process
EP1249864A1 (de) * 2001-04-09 2002-10-16 ABB Schweiz AG Verfahren und Gerät zum Reduzieren der Dicke von dünnen Scheiben
WO2003083932A1 (en) * 2001-10-17 2003-10-09 Applied Materials, Inc. A method for measuring etch rtes during a release process
US7052622B2 (en) 2001-10-17 2006-05-30 Applied Materials, Inc. Method for measuring etch rates during a release process
EP1729332A4 (en) * 2004-03-22 2010-09-15 Mimasu Semiconductor Ind Co DRAIN PLANNING CONTROL PROCEDURE FOR SPIN EQUIPMENT AND SPIN EATING SYSTEM
KR20220068923A (ko) 2020-11-19 2022-05-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0032028B1 (en) Method and apparatus for forming electrical interconnections
JP2995542B2 (ja) ウェットエッチング装置のエッチング終点の測定方法
US4103228A (en) Method for determining whether holes in dielectric layers are opened
JPH04282870A (ja) 半導体加速度センサの製造方法
US4462856A (en) System for etching a metal film on a semiconductor wafer
JPH05302881A (ja) 比重測定装置
TW203161B (ja)
US6275293B1 (en) Method for measurement of OSF density
JP2672679B2 (ja) 表面張力測定装置
JPH01175741A (ja) エッチング方法
JP3203786B2 (ja) シリコンのエッチング方法および装置
JPS61272630A (ja) 固体比重測定装置
JPS5853859B2 (ja) 薄膜のピンホ−ル測定方法
JPS56152247A (en) Testing method for semiconductor device
JPH07316871A (ja) 母板からの電着金属の剥ぎ取り状態判定方法
JPS58172521A (ja) 放射性廃液貯槽の液位測定方法及び測定装置
JPS6246530A (ja) 金属層のエツチング終点の検出方法
KR20000013667A (ko) 식각깊이확인용 창을 갖는 반도체 가속도센서의 제조방법
SU785244A1 (ru) Способ контрол качества закалки листового стекла
JPH081478Y2 (ja) 比重測定装置
JPH0632612Y2 (ja) 汚泥沈降界面検出器
SU964489A2 (ru) Устройство дл измерени остаточных напр жений при непрерывном травлении
JPH07151799A (ja) シリコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法
JPH05149868A (ja) 膜の剥離荷重測定方法
SU1518662A1 (ru) Устройство дл определени остаточных напр жений при непрерывном травлении образца